JPS6236002Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、被加熱物から放射される赤外線を赤
外線検知素子で間接的に検知し、被加熱時間の加
熱時間を制御する高周波加熱装置に関するもので
ある。

従来、赤外線検出装置を備えた高周波加熱装置
は、その検知素子に異物の付着等があると、被加
熱物の温度検知が誤つたものになるため、加熱時
間が正確に制御されなくなり被加熱物は未加熱あ
るいは過加熱となる不都合があつた。

本考案は、上述の点に鑑みてなされたものであ
り、赤外線検知素子への異物付着による検知特性
の劣化が生じたとき自動的に測温による誤差を補
正する装置を設けることを目的とするものであ
る。

本考案は、上述の目的を達成するために、赤外
線検知素子の近傍に基準温度設定用ヒーターを配
置し、被加熱物測温の前に、この基準温度設定用
ヒーターの温度を測温して、赤外線検知素子の測
温誤差を検出して、被加熱物の到達温度を測温誤
差に応じて修正し、常に正確な加熱制御を行なう
ことを特徴とするものである。

以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明
する。

第１図は、本考案の実施例を示す高周波加熱装
置の概略構成図、第２図は、その電気回路図であ
り、共に高周波加熱を開始した直後の状態を示し
ている。第３図は、被加熱物の温度を測定してい
る状態を示す高周波加熱装置の概略構成図、第４
図は、この場合の電気回路図、第５図及び第６図
は、上記第１図及び第３図における要部拡大斜視
図である。

図において、１は加熱室２にマグネトロン３に
よるマイクロ波を、加熱室２内に配置されるトレ
イ４に載置されている被加熱物５に照射して加熱
する高周波加熱装置である。６は上記加熱室２の
天板７の略中央部に設けられる開口部８に立設さ
れる赤外線入射筒であり、この赤外線入射筒６の
上面にはスプリング９の付勢力によりシヤツタ１
０が当接しており、上記開口部８を閉成してい
る。１１は後述するタイマーモータの作動が終了
したときに通電されて上記スプリング９の付勢力
に抗して上記シヤツタ１０を水平方向に引き戻す
ソレノイドである。１２は上記シヤツタ１０の上
面に設けられてなる基準温度設定用ヒータであ
り、一定温度で所定時間発熱するように制御され
ている。１３は上記加熱室１の天板の上方部に配
置される仕切板であり、この仕切板１３の略中央
部で上記天板７の開口部８の真上に配置される開
口部１４に設けうれる検知素子入射筒１５の上部
に赤外線検知素子１６が配置されている。１７は
上記基準温度測定用ヒータ１２と上記検知素子入
射筒１５との間にて水平に回転し、上記赤外線検
知素子１６に入る赤外線を断続するチヨツパ羽で
あり、チヨツパモータ１８により駆動されてい
る。１９はブロアモータ２０により加熱室２内に
送風する送風ブロアである。

次に第２図の回路図について構成を説明する。

尚、上記第１図と同一機能を示す箇所には同一
符号を付して説明する。

２１は加熱スイツチ、２２はタイマーモータ、
２３は電源トランス、２４は整流器である。２
５，２６，２７はそれぞれ上記タイマー２２の作
動接点であり、上記ソレノイド１１や上記基準温
度設定用ヒータ１２に直列に、また、基準温度測
定用FET２８と被加熱物測定用FET２９のそれ
ぞれのゲート３０，３１に接続されている。３２
は上記基準温度測定用FET２８のソースに順方
向に接続されているダイオードであり、カソード
側には接地側との間に記憶用コンデンサ３３が接
続されている。３４は上記ダイオード３２のカソ
ードと記憶用コンデンサ３３との接続点と、上記
被加熱物測定用FET２９のソースに接続される
ブリーダとをそれぞれ入力端子に接続してなる比
較器であり、その出力端子にリレー３５を駆動す
るトランジスタ３６を接続している。３７は上記
リレー３５の接点３８により通電を制御される高
周波発振装置である。

次に上記構成からなる本考案の実施例について
その動作を説明する。

まず、第１図、第２図及び第５図を参照して、
高周波加熱を開始した直後に赤外線検知素子の測
温誤差を検出している場合について説明する。

はじめに、加熱開始スイツチ２１を押圧する
と、ブロアモータ２０及びタイマーモータ２２に
通電されて上記第２図に示したように上記タイマ
ーモータ２２の作動接点２５は開成してソレノイ
ド１１への通電を停止し、上記基準温度測定用ヒ
ータ１２に直列に接続されてなる作動接点２６は
閉成して上記ヒータ１２に通電されている。

一方、作動接点２７は基準温度測定用FET２
８のゲート３０に接続されている。そして、電源
トランス２３に電圧がかかることになり、FET
２８，２９、比較器３４及びトランジスタ３６か
らなる制御回路に直流電源が供給される。この場
合、上記比較器３４の出力端子はHighレベルの
信号が出力されておりNPNトランジスタ３６は
ONしてリレー３５が作動するためリレー接点３
８が閉成することにより高周波発振装置３７は
ON状態となつて加熱室２内の被加熱物５にマイ
クロ波を照射して加熱を続けている。

しかしながら、タイマーモータ２２の作動接点
２５が開成しているために、シヤツター１０は第
１図に示したように赤外線入射筒６の上部に配置
されたままであり、天板７の開口８は完全に閉成
されている。

従つて、赤外線検知素子１６は、基準温度設定
用ヒータ１２の温度を検出してその検出電圧を基
準温度測定用FET２８のゲート３０に出力し、
ダイオード３２を介して記憶用コンデンサーに充
電記憶され、同時に比較器３４の端子に入力さ
れる。

ここで、上記基準温度設定用ヒータは、周囲温
度に関係なく常に一定温度を発熱するように制御
されており、この赤外線検知素子に異物付着がな
ければ、検知素子出力電圧は常に一定であるが、
もし異物付着があれば、検知素子受光部への赤外
線入射量も減少し、出力電圧は低下するので上記
記憶用コンデンサ３３に記憶される電圧も小さく
なる。

さて、この状態で加熱が継続され、所定の時間
が経過してタイマーモータ２２がタイムアツプす
ると、 第３図、第４図及び第６図に示されるように、
上記タイマーモータ２２の作動接点２５，２６及
び２７がそれぞれ反転して、上記ソレノイド１１
には通電が開始され、上記基準温度設定用ヒータ
１２への通電は停止されるとともに上記赤外線検
知素子１６の出力端子は被加熱物測定用FET２
９のゲート３１に接続されるようになる。上記ソ
レノイド１１がONすることによりスプリング９
に抗してシヤツタ１０を吸引し赤外線入射筒６を
開成して赤外線検知素子１６は被加熱物５の測温
を行なう。この場合、検知素子１６は被加熱物測
温用FET２９に接続され比較器３４の端子に
導入されている。そして被加熱物の加熱進行に伴
なつて端子電圧が上昇し、上記基準温度設定用
ヒータ１２により放射された赤外線の出力電圧
を、あらかじめ特定の食品の仕上がり温度に対応
させておくと、端子に導入されている記憶用コ
ンデンサ３３の端子電圧が食品の仕上がり温度と
なり、被加熱物５の温度がこの仕上がり温度より
高くなれば比較器３４の出力はHighレベルから
Lowレベルに反転してリレー３５がOFFし、リ
レー接点３８が開成することにより高周波発振装
置３７への通電が停止して加熱が終了する。

一般に、赤外線検知素子１６に異物付着があれ
ば、赤外線に対する感度が低下するため、被加熱
物を測温したときの出力電圧は、感度が低下した
度合により低くなり、従つて、被加熱物は過加熱
になり易くなるという欠点があつたが、この場合
上記比較器３４の端子側にあらかじめ測温した
基準温度設定用ヒータ１２の出力電圧も印加され
ており、この出力電圧も上記赤外線検知素子１６
により測温された値に対応しているため、異物付
着時には低下している。従つて、検知素子１６の
感度が低下しても被加熱物の温度を比較するとき
には、両者とも同じ割合で低下した状態で比較す
ることができるため、食品の仕上がり温度は設定
された仕上がり温度となり、過加熱にはならな
い。

尚、赤外線検知素子１６の表面には、加熱され
る食品から発生する種々の蒸気等が付着した後ゴ
ミ等が付着し易いので検知素子の感度が低下する
傾向にあるが、上記検知素子１６の感度が何らか
の理由で上がつて、食品の仕上がり温度が正常時
より低くなるような場合でも上記比較器３４の比
較レベルがスライドするため食品の仕上がり温度
は設定された仕上がり温度となり未過熱状態とは
ならないことは言うまでもない。

以上に説明したように、本考案は被加熱物から
の赤外線を入射すべく加熱室の開口に臨ませて設
けた赤外線検知素子と、前記加熱室の開口を開閉
するシヤツターと、該シヤツターに配設した基準
温度設定用ヒータと、前記シヤツターの開閉制御
を行なうと共に前記ヒータの温度と被加熱物の温
度とを比較して高周波発振装置を制御する制御手
段を備えてなるから、赤外線検知素子が汚れて感
度が低下しても基準温度設定用ヒータの温度と被
加熱物の温度とを相対的に比較して加熱制御する
ので、被加熱物の仕上がりを正確に制御できる。

又、加熱調理終了以降とか、赤外線検知制御を
行なわない加熱調理時とか等の赤外線検知センサ
ー不使用時には加熱室の開口をシヤツターにて閉
成するように制御することにより赤外線検知素子
の汚れを防止できるという実用価値の高いもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の実施例を示す高周波加熱装
置の概略構成図、第２図は、その電気回路図であ
り、共に高周波加熱を開始した直後の状態を示
し、第３図及び第４図は被加熱物の温度を測定し
ている状態を示す高周波加熱状態の概略構成図及
び電気回路図であり、第５図及び第６図は、上記
第１図及び第３図における要部拡大斜視図であ
る。 １……高周波加熱装置、２……加熱室、６……
赤外線入射筒、１０……シヤツタ、１１……ソレ
ノイド、１２……基準温度設定用ヒータ、１６…
…赤外線検知素子、２２……タイマーモータ、２
８……基準温度測定用FET、２９……被加熱物
測定用FET、３３……記憶用コンデンサ、３４
……比較器、３５……リレー、３７……高周波発
振装置。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 被加熱物からの赤外線を入射すべく加熱室の開
   口に臨ませて設けた赤外線検知素子と、前記加熱
   室の開口を開閉するシヤツターと、該シヤツター
   に配設した基準温度設定用ヒータと、前記シヤツ
   ターの開閉制御を行なうと共に前記ヒータの温度
   と被加熱物の温度とを比較して高周波発振装置を
   制御する制御手段とを備えてなる高周波加熱装
   置。