JPS6233431A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6233431A JPS6233431A JP17287285A JP17287285A JPS6233431A JP S6233431 A JPS6233431 A JP S6233431A JP 17287285 A JP17287285 A JP 17287285A JP 17287285 A JP17287285 A JP 17287285A JP S6233431 A JPS6233431 A JP S6233431A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- layers
- sublimating
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
昇華剤を用いて、カバ一層と称する表面保護用の絶縁層
内に空洞（毛細管）をつくり、これをＩＩＩ用して基板
表面の水分を排水して、デバイスの耐水性を向上させる
方法を提案する。
内に空洞（毛細管）をつくり、これをＩＩＩ用して基板
表面の水分を排水して、デバイスの耐水性を向上させる
方法を提案する。
〔産業上の利用分野］
本発明は耐水性を向上したカバー膜の形成工程を含む半
導体装置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は通常、配線工程を終わった後に耐湿性向上
と基板表面の保護のため、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）、窒
化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等よりなるカバー膜を被着してい
る。
と基板表面の保護のため、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）、窒
化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等よりなるカバー膜を被着してい
る。
カバー膜は、緻密で透湿性が小さく、しかも基板表面を
損傷しない等の条件が要求されるため従来は上記の材料
が多用されてきたが、デバイスの信頼性を向上するため
さらに透湿性の改善が望まれている。
損傷しない等の条件が要求されるため従来は上記の材料
が多用されてきたが、デバイスの信頼性を向上するため
さらに透湿性の改善が望まれている。
第２図は従来例による一般的なカバー膜の製造工程を説
明する基板断面図である。
明する基板断面図である。
図において、１は半導体基板で珪素（Ｓｉ）基板を用い
素子形成が終わったもの、２はバターニングが終わった
配線層でアルミニウム（＾ｌ）層、３はカバー膜で化学
気相成製（ＣＶＤ）法等により被着されたＰＳＧ層であ
る。
素子形成が終わったもの、２はバターニングが終わった
配線層でアルミニウム（＾ｌ）層、３はカバー膜で化学
気相成製（ＣＶＤ）法等により被着されたＰＳＧ層であ
る。
図示されていないが、カバー膜は外部接続のだめのボン
デイングバンド上のみが開口される。
デイングバンド上のみが開口される。
従来のカバーｊ模では、特に樹脂封止のデバイスにおい
ては耐水性が十分でな（、信頼性面で問題を生ずる場合
があった。
ては耐水性が十分でな（、信頼性面で問題を生ずる場合
があった。
上記問題点の解決は、表面に配線層（２）を形成した半
導体基板（１）上に、第１の絶縁層（３）、昇華剤層（
４）、第２の絶縁層（５）を順次被着し、加熱工程を経
過することにより該昇華剤層（４）の昇華剤を昇華させ
て前記第１の絶縁層（３）と第２の絶縁層（５）の界面
に空洞（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法により達成される。。
導体基板（１）上に、第１の絶縁層（３）、昇華剤層（
４）、第２の絶縁層（５）を順次被着し、加熱工程を経
過することにより該昇華剤層（４）の昇華剤を昇華させ
て前記第１の絶縁層（３）と第２の絶縁層（５）の界面
に空洞（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法により達成される。。
前記昇華剤層（４）は、例えば粉末状のテレフタル酸を
テレピネオールに混合したものを塗布して得られる。
テレピネオールに混合したものを塗布して得られる。
本発明はカバー膜を２層とし、層間に昇華剤層をはさみ
、加熱工程を経過することにより昇華剤を昇華させて生
じた毛細管をｊｊじて基板表面に到達した水分を排水す
ることにより、デバイスの耐水性の向上をはかるもので
ある。
、加熱工程を経過することにより昇華剤を昇華させて生
じた毛細管をｊｊじて基板表面に到達した水分を排水す
ることにより、デバイスの耐水性の向上をはかるもので
ある。
昇華剤としては、芳香族カルボン酸の巾で、第２の絶縁
層の被着温度以下の融点をもち、かつ昇華するもの、例
えばテレフタル酸を選ぶと、昇華のだめの特別の加熱処
理工程が不要となり都合がよい。
層の被着温度以下の融点をもち、かつ昇華するもの、例
えばテレフタル酸を選ぶと、昇華のだめの特別の加熱処
理工程が不要となり都合がよい。
テレフタル酸の化学式は、
であられされ、その融点は４２５℃（封管）で、沸点は
存在しない。
存在しない。
〔実施例］
第１図ｆｌ）〜（３）は本発明によるカバー膜の製造工
程を説明する基板断面図である。
程を説明する基板断面図である。
第１図（１）において、１は半導体基板でＳｉ基板を用
い素子形成が終わったもの、２はパターニングが１冬ね
った配線層でへ１層である。
い素子形成が終わったもの、２はパターニングが１冬ね
った配線層でへ１層である。
第１の絶縁層としてＣＶＯによるｌ’ｓＧ層３を被着す
る。
る。
第１図（２）において、昇華剤としてテレフタール酸を
用い、粉末状のこれをテレピネオールに混合したものを
塗布して昇華剤層４を得る。
用い、粉末状のこれをテレピネオールに混合したものを
塗布して昇華剤層４を得る。
第１図（３）において、第２の絶縁層としてポリイミド
樹脂層５を被着する。
樹脂層５を被着する。
この層はポリイミド樹脂層の代わりにＰＳＧ、あるいは
５ｉＪ４層を用いてもよい。
５ｉＪ４層を用いてもよい。
テレフタル酸の融点は４２５°Ｃ（封管）で、第２の絶
８ｉ層の被着工程による熱処理、または別工程の熱処理
により基板はこの温度以上に上界して昇華剤を昇華させ
、第１の絶縁層と第２の絶縁層間に無数の空洞６を形成
する。
８ｉ層の被着工程による熱処理、または別工程の熱処理
により基板はこの温度以上に上界して昇華剤を昇華させ
、第１の絶縁層と第２の絶縁層間に無数の空洞６を形成
する。
以上により、無数の空洞６を有する第１の絶縁層３と第
２の絶縁層管５よりなるカバー膜が形成される。
２の絶縁層管５よりなるカバー膜が形成される。
実施例では、昇華剤としてテレフタル酸を使用したが、
イソフタル酸〔融点３４５’Ｃ（、封管）〕、トリメシ
ン酸〔融点３７５℃（ｒＡ−華）〕等の芳香族カルボン
酸を用いてもよい。
イソフタル酸〔融点３４５’Ｃ（、封管）〕、トリメシ
ン酸〔融点３７５℃（ｒＡ−華）〕等の芳香族カルボン
酸を用いてもよい。
以上詳細に説明臼たように本発明によるカバー膜は耐水
性が向上し、特に樹脂ｔ、ｌ止のデバイスの信頼性を向
上することができる。
性が向上し、特に樹脂ｔ、ｌ止のデバイスの信頼性を向
上することができる。
第１図（１）〜（３）は本発明によるカバー膜の製造工
程を説明する基板断面図、 第２図は従来例による一般的なカバー膜の製造工程を説
明する基板断面図である。 図において、 １は半導体基板でＳｉ基板、 ２は配線層で１層、 ３は第１の絶縁層でＰＳＧ層、 ４は昇華剤層、 ５は第２の絶縁層でポリイミド樹脂層、ＰＳＧ、あるい
は５ｉＪ４層、 ６は空洞 ！イＬ日トド）＋ハ゛）ｌ輿６）＃嚇駐ち一工ＡるＬ３
鋭帽４１１先Ａ 束１図 ｄイ烈ｎ’力１＼゛′−８響〔σ１上四圧す巴ハ第２図
程を説明する基板断面図、 第２図は従来例による一般的なカバー膜の製造工程を説
明する基板断面図である。 図において、 １は半導体基板でＳｉ基板、 ２は配線層で１層、 ３は第１の絶縁層でＰＳＧ層、 ４は昇華剤層、 ５は第２の絶縁層でポリイミド樹脂層、ＰＳＧ、あるい
は５ｉＪ４層、 ６は空洞 ！イＬ日トド）＋ハ゛）ｌ輿６）＃嚇駐ち一工ＡるＬ３
鋭帽４１１先Ａ 束１図 ｄイ烈ｎ’力１＼゛′−８響〔σ１上四圧す巴ハ第２図
Claims (1)
- （１）表面に配線層（２）を形成した半導体基板（１）
上に、第１の絶縁層（３）、昇華剤層（４）、第２の絶
縁層（５）を順次被着し、加熱工程を経過することによ
り該昇華剤層（４）の昇華剤を昇華させて前記第１の絶
縁層（３）と第２の絶縁層（５）の界面に空洞（６）を
形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法（２）前記昇華剤層（４）が粉末状のテレフタル酸
をテレピネオールに混合したものを塗布してなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287285A JPS6233431A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287285A JPS6233431A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233431A true JPS6233431A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15949866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17287285A Pending JPS6233431A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233431A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014097871A1 (ja) | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 株式会社ダイヤメット | 粉末冶金用原料粉末 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17287285A patent/JPS6233431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014097871A1 (ja) | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 株式会社ダイヤメット | 粉末冶金用原料粉末 |
| US9844811B2 (en) | 2012-12-17 | 2017-12-19 | Diamet Corporation | Raw material powder for powder metallurgy |
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