JPS62108531A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62108531A JPS62108531A JP24954085A JP24954085A JPS62108531A JP S62108531 A JPS62108531 A JP S62108531A JP 24954085 A JP24954085 A JP 24954085A JP 24954085 A JP24954085 A JP 24954085A JP S62108531 A JPS62108531 A JP S62108531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- protective film
- coating
- final protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体装置に関し、特にこ
れにおける最終保護膜の改良に関するものである。
れにおける最終保護膜の改良に関するものである。
第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。
図において、１は導電層、絶縁膜等を含む半導体基板、
２はアルミニウム等による配ｗＡ層、３は最終保護膜、
４．５は最終保護膜３に生じるクランク、ピンホールで
ある。
２はアルミニウム等による配ｗＡ層、３は最終保護膜、
４．５は最終保護膜３に生じるクランク、ピンホールで
ある。
近年のプラスチック封止の普及により半導体装置は外部
からの水分、汚染の侵入を受けやすくなっている。最終
保護膜はこれら水分等の内部への侵入を防止する役割が
あり、半導体装置の信頼性。
からの水分、汚染の侵入を受けやすくなっている。最終
保護膜はこれら水分等の内部への侵入を防止する役割が
あり、半導体装置の信頼性。
特に耐湿性を確保するため非常に重要である。従来、配
線層２はアルミニウムーシリコン等のアルミニウムを主
体とした材料が用いられており、主にスパッタリング法
により形成される。また、最終保護膜としてはＣＶＤ法
によるリンガラス膜やプラズマＣＶＤ法によるシリコン
窒化膜が用いられており、特にシリコン窒化膜は耐湿性
に関し優れた特性を示すことが知られている。
線層２はアルミニウムーシリコン等のアルミニウムを主
体とした材料が用いられており、主にスパッタリング法
により形成される。また、最終保護膜としてはＣＶＤ法
によるリンガラス膜やプラズマＣＶＤ法によるシリコン
窒化膜が用いられており、特にシリコン窒化膜は耐湿性
に関し優れた特性を示すことが知られている。
しかしながら、従来装置において、最終保護膜にクラッ
クやピンホールが発生してしまうと、その部分から水分
等が入り、アルミニウム配線層が腐食し、半導体装置の
信顛性は著しく劣化するという問題点があった。
クやピンホールが発生してしまうと、その部分から水分
等が入り、アルミニウム配線層が腐食し、半導体装置の
信顛性は著しく劣化するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、改善された耐湿性を有する半導体装置を得る
ことを目的とする。
たもので、改善された耐湿性を有する半導体装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、最終保護膜上に塗布ガラ
ス膜を形成したものである。
ス膜を形成したものである。
この発明においては、塗布ガラス膜が最終保護膜に生じ
たクラックやピンホールを被覆するので、半導体装置内
への水分等の侵入が防止される。
たクラックやピンホールを被覆するので、半導体装置内
への水分等の侵入が防止される。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図である０図において、従来例と同一符号は同一部分
を示し、６は最終保護膜３上に形成された塗布ガラス膜
である。そしてこの塗布ガラスはケイ素化合物を有機溶
媒に溶解したものである。塗布ガラス膜は最終保護膜３
上に塗布ガラスを塗布法により塗布し、その後４００〜
４５０℃程度の温度で焼成することにより酸化ケイ素を
主成分とする薄膜として形成される。
面図である０図において、従来例と同一符号は同一部分
を示し、６は最終保護膜３上に形成された塗布ガラス膜
である。そしてこの塗布ガラスはケイ素化合物を有機溶
媒に溶解したものである。塗布ガラス膜は最終保護膜３
上に塗布ガラスを塗布法により塗布し、その後４００〜
４５０℃程度の温度で焼成することにより酸化ケイ素を
主成分とする薄膜として形成される。
本装置においては、塗布ガラスが塗布工程により最終保
護膜３に発生しているクランク４やピンホール５内にし
み込むとともにこれらを被覆し、焼成工程により酸化ケ
イ素を主成分とする固体となる。この場合、上述のしみ
込みの度合は初期のケイ素化合物の濃度に依存するが、
低濃度の塗布ガラスを用いて塗布、焼成をくり返すと効
果が大きい。
護膜３に発生しているクランク４やピンホール５内にし
み込むとともにこれらを被覆し、焼成工程により酸化ケ
イ素を主成分とする固体となる。この場合、上述のしみ
込みの度合は初期のケイ素化合物の濃度に依存するが、
低濃度の塗布ガラスを用いて塗布、焼成をくり返すと効
果が大きい。
このように本実施例の装置では、上記クラック。
ピンホールに水分等が侵入することはなくなる。
また、本実施例のように塗布ガラス膜を形成することは
プラスチックモールドのストレス緩和についても有効で
ある。
プラスチックモールドのストレス緩和についても有効で
ある。
なお、上記実施例では最終保護膜が単層膜の場合を示し
たが、これはリンガラス膜とプラズマ窒化膜の２層構造
等の多層膜であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
たが、これはリンガラス膜とプラズマ窒化膜の２層構造
等の多層膜であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
以上のように、この発明によれば、半導体装置において
最終保護膜上に塗布ガラスを形成したので、耐湿性等の
信頼性を向上できる効果がある。
最終保護膜上に塗布ガラスを形成したので、耐湿性等の
信頼性を向上できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は配線層、３は最終保
護膜、６は塗布ガラス膜である。
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は配線層、３は最終保
護膜、６は塗布ガラス膜である。
Claims (1)
- （１）半導体基板上の半導体素子を覆って形成された最
終保護膜の上に塗布ガラス膜を形成したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24954085A JPS62108531A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24954085A JPS62108531A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108531A true JPS62108531A (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=17194505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24954085A Pending JPS62108531A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108531A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156356A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS6081840A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24954085A patent/JPS62108531A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156356A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS6081840A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
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