JPH05198689A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05198689A JPH05198689A JP3274292A JP3274292A JPH05198689A JP H05198689 A JPH05198689 A JP H05198689A JP 3274292 A JP3274292 A JP 3274292A JP 3274292 A JP3274292 A JP 3274292A JP H05198689 A JPH05198689 A JP H05198689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- inorganic coating
- hydroxyl group
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンラダー系樹脂を用いた層間絶縁膜を
形成する際の、下層配線層やＣＶＤ膜との密着性を向上
させる。 【構成】 シリコン基板１上に形成された第１の導電体
パターン２を覆うように、シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３を形成し、さ
らに無機塗布絶縁膜３上に、末端水酸基シリコンラダー
系樹脂４を形成し、この絶縁膜３と樹脂４からなるもの
を層間絶縁膜として用いる。
形成する際の、下層配線層やＣＶＤ膜との密着性を向上
させる。 【構成】 シリコン基板１上に形成された第１の導電体
パターン２を覆うように、シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３を形成し、さ
らに無機塗布絶縁膜３上に、末端水酸基シリコンラダー
系樹脂４を形成し、この絶縁膜３と樹脂４からなるもの
を層間絶縁膜として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置及びその製
造方法に関し、特に多層配線構造を有する半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
造方法に関し、特に多層配線構造を有する半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３(a) ないし図３(b) は、従来の多層
配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜の形成方法の
一例を説明するための工程断面図である。図において、
２は素子（図示せず）が形成されたシリコン基板１上に
配置された第１の導電体パターンであり、該第１の導電
体パターン２を覆うように基板１上に層間絶縁膜５が形
成され、該層間絶縁膜５上には第１の導電体パターン７
が形成されている。
配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜の形成方法の
一例を説明するための工程断面図である。図において、
２は素子（図示せず）が形成されたシリコン基板１上に
配置された第１の導電体パターンであり、該第１の導電
体パターン２を覆うように基板１上に層間絶縁膜５が形
成され、該層間絶縁膜５上には第１の導電体パターン７
が形成されている。
【０００３】次に製造方法について説明する。図３(a)
に示すように、半導体素子（図示せず）が形成された半
導体基板１上に第１の導電体パターン２を形成する。次
いで図３(b) に示すように、上記第１の導電体パターン
２を覆うように、基板１上に層間絶縁膜５を形成する。
この層間絶縁膜５としては、末端水酸基シリコンラダー
系樹脂膜、あるいは末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜
との密着性を向上させるために第１の導電体パターン２
上に、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition:以
下、ＣＶＤと称す）等によってシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜等のＣＶＤ膜を堆積させ、該シリコン酸化膜等
上に、末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜を形成したも
のが用いられる。そしてこのようにして形成された層間
絶縁膜５上に第２の導電体パターン７が形成され、多層
配線構造が得られる。
に示すように、半導体素子（図示せず）が形成された半
導体基板１上に第１の導電体パターン２を形成する。次
いで図３(b) に示すように、上記第１の導電体パターン
２を覆うように、基板１上に層間絶縁膜５を形成する。
この層間絶縁膜５としては、末端水酸基シリコンラダー
系樹脂膜、あるいは末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜
との密着性を向上させるために第１の導電体パターン２
上に、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition:以
下、ＣＶＤと称す）等によってシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜等のＣＶＤ膜を堆積させ、該シリコン酸化膜等
上に、末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜を形成したも
のが用いられる。そしてこのようにして形成された層間
絶縁膜５上に第２の導電体パターン７が形成され、多層
配線構造が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置及び
その製造方法は以上のように構成されており、シリコン
ラダー系樹脂を用いた層間絶縁膜の形成方法では、第１
の導電体パターン２と末端水酸基シリコンラダー系樹脂
との接着性、あるいはＣＶＤ法によって堆積したシリコ
ン酸化膜と末端水酸基シリコンラダー系樹脂との接着性
が悪く、半導体装置の信頼性が低下するという問題点が
あった。
その製造方法は以上のように構成されており、シリコン
ラダー系樹脂を用いた層間絶縁膜の形成方法では、第１
の導電体パターン２と末端水酸基シリコンラダー系樹脂
との接着性、あるいはＣＶＤ法によって堆積したシリコ
ン酸化膜と末端水酸基シリコンラダー系樹脂との接着性
が悪く、半導体装置の信頼性が低下するという問題点が
あった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、末端水酸基シリコンラダー系樹
脂の接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得る
ことを目的としており、さらにこの装置に適した製造方
法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、末端水酸基シリコンラダー系樹
脂の接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得る
ことを目的としており、さらにこの装置に適した製造方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置及びその製造方法は、層間絶縁膜としてシラノール
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜を下
地絶縁膜として形成し、該下地絶縁膜上に末端水酸基シ
リコンラダー系樹脂膜を形成するようにしたものであ
る。
置及びその製造方法は、層間絶縁膜としてシラノール
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜を下
地絶縁膜として形成し、該下地絶縁膜上に末端水酸基シ
リコンラダー系樹脂膜を形成するようにしたものであ
る。
【０００７】
【作用】この発明においては、層間絶縁膜として、シラ
ノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁
膜上に、末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜を形成した
ものを用いるようにしたので、無機塗布絶縁膜と末端水
酸基シリコンラダー系樹脂膜との間で脱水反応が起こ
り、配線層またはＣＶＤ膜との接着性が改善される。
ノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁
膜上に、末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜を形成した
ものを用いるようにしたので、無機塗布絶縁膜と末端水
酸基シリコンラダー系樹脂膜との間で脱水反応が起こ
り、配線層またはＣＶＤ膜との接着性が改善される。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を図について説明する。図１において、図３
と同一符号は同一または相当部分を示し、３は無機塗布
絶縁膜であり、４は末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜
である。
の製造方法を図について説明する。図１において、図３
と同一符号は同一または相当部分を示し、３は無機塗布
絶縁膜であり、４は末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜
である。
【０００９】次に製造方法について説明する。まず図１
(a) に示すように、所定の処理が行われることによって
半導体素子（図示せず）が形成されたシリコン基板１上
に第１の導電体パターン２を形成する。
(a) に示すように、所定の処理が行われることによって
半導体素子（図示せず）が形成されたシリコン基板１上
に第１の導電体パターン２を形成する。
【００１０】次いで図１(b) に示すように、第１の導電
体パターン２を覆うように、シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）
4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３を形成する。ここ
で、上記シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする
無機塗布絶縁膜３はメタノール，イソプロピルアルコー
ル等に、
体パターン２を覆うように、シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）
4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３を形成する。ここ
で、上記シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とする
無機塗布絶縁膜３はメタノール，イソプロピルアルコー
ル等に、
【００１１】
【化１】 で表わされるポリシラノールを溶かした溶液を回転塗布
し、熱処理を加えて溶媒を揮発させた後、硬化させるこ
とにより得られたものであり、この無機塗布絶縁膜３
は、
し、熱処理を加えて溶媒を揮発させた後、硬化させるこ
とにより得られたものであり、この無機塗布絶縁膜３
は、
【００１２】
【化２】 で表わされるような構造をしており、膜中には未反応の
水酸基が含まれている。次いで図１(c) に示すように、
以上のようにして形成された無機塗布絶縁膜３上に、
水酸基が含まれている。次いで図１(c) に示すように、
以上のようにして形成された無機塗布絶縁膜３上に、
【００１３】
【化３】 （式中、Ｒはフェニル基または低級アルキル基であり、
Ｒは同種でもよく、異種でもよい。ｎは２〜１０００の
整数を示す。）で表される末端水酸基シリコンラダー系
樹脂膜４を形成する。この末端水酸基シリコンラダー系
樹脂膜４は、アニソール，トルエン，キシレン等の有機
溶媒に溶かして回転塗布した後、熱処理により溶媒を揮
発，硬化することで得られる。
Ｒは同種でもよく、異種でもよい。ｎは２〜１０００の
整数を示す。）で表される末端水酸基シリコンラダー系
樹脂膜４を形成する。この末端水酸基シリコンラダー系
樹脂膜４は、アニソール，トルエン，キシレン等の有機
溶媒に溶かして回転塗布した後、熱処理により溶媒を揮
発，硬化することで得られる。
【００１４】そして無機塗布絶縁膜３上に、末端水酸基
シリコンラダー系樹脂膜４を回転塗布し、熱処理を加え
ると、無機塗布絶縁膜３中の未反応の水酸基と、末端水
酸基シリコンラダー系樹脂膜４の末端水酸基とが脱水反
応を行い、これら膜間の接着性が良好となる。また第１
の導電体パターン２と上記シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３との密着性は
良好であり、こうして形成された層間絶縁膜上に、第２
の導電体パターン７が形成される。
シリコンラダー系樹脂膜４を回転塗布し、熱処理を加え
ると、無機塗布絶縁膜３中の未反応の水酸基と、末端水
酸基シリコンラダー系樹脂膜４の末端水酸基とが脱水反
応を行い、これら膜間の接着性が良好となる。また第１
の導電体パターン２と上記シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜３との密着性は
良好であり、こうして形成された層間絶縁膜上に、第２
の導電体パターン７が形成される。
【００１５】このように本実施例によれば、第１の導電
体パターン２が形成された基板１上にシラノールを主成
分とする無機塗布絶縁膜３を介して末端水酸基シリコン
ラダー系樹脂膜４を形成しこれらを層間絶縁膜として用
いるようにしたから、無機塗布絶縁膜３と末端水酸基シ
リコンラダー系樹脂膜４とは脱水反応により高い密着性
が得られ、また無機塗布絶縁膜３と第１の導電体パター
ン２とは接着性がよいため、第１の導電体パターン２と
接着性のよい層間絶縁膜を形成することができる。また
末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜４の特性をそのまま
生かすことができ、層間絶縁膜の平坦化や、厚塗り等を
行うことができる。
体パターン２が形成された基板１上にシラノールを主成
分とする無機塗布絶縁膜３を介して末端水酸基シリコン
ラダー系樹脂膜４を形成しこれらを層間絶縁膜として用
いるようにしたから、無機塗布絶縁膜３と末端水酸基シ
リコンラダー系樹脂膜４とは脱水反応により高い密着性
が得られ、また無機塗布絶縁膜３と第１の導電体パター
ン２とは接着性がよいため、第１の導電体パターン２と
接着性のよい層間絶縁膜を形成することができる。また
末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜４の特性をそのまま
生かすことができ、層間絶縁膜の平坦化や、厚塗り等を
行うことができる。
【００１６】なお上記実施例では、第１の導電体パター
ン２上に、直接無機塗布絶縁膜３を形成し、この膜上に
末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜４を形成した場合を
説明したが、図２に示すように、第１の導電体パターン
２と、無機塗布絶縁膜３との間に、層間絶縁膜と第１の
導電体パターン２との間の密着性を向上させるために、
例えばプラズマＣＶＤ法によって堆積したシリコン酸化
膜や窒化膜６があってもよく、あるいは常圧ＣＶＤ法に
よって堆積したシリコン酸化膜等が形成された配線構造
であってもよい。
ン２上に、直接無機塗布絶縁膜３を形成し、この膜上に
末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜４を形成した場合を
説明したが、図２に示すように、第１の導電体パターン
２と、無機塗布絶縁膜３との間に、層間絶縁膜と第１の
導電体パターン２との間の密着性を向上させるために、
例えばプラズマＣＶＤ法によって堆積したシリコン酸化
膜や窒化膜６があってもよく、あるいは常圧ＣＶＤ法に
よって堆積したシリコン酸化膜等が形成された配線構造
であってもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、層間
絶縁膜を、シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とす
る無機塗布絶縁膜上に末端水酸基シリコンラダー系樹脂
膜を形成して得るようにしたので、配線層と層間絶縁膜
との接着性が良好なものとなり、信頼性の高い半導体装
置を得ることができるという効果がある。
絶縁膜を、シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成分とす
る無機塗布絶縁膜上に末端水酸基シリコンラダー系樹脂
膜を形成して得るようにしたので、配線層と層間絶縁膜
との接着性が良好なものとなり、信頼性の高い半導体装
置を得ることができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例による半導体装置の断面
図である。
図である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ 第１の導電体パターン ３ 無機塗布絶縁膜 ４ 末端水酸基シリコンラダー系樹脂膜 ５ 層間絶縁膜 ６ シリコン酸化膜あるいは窒化膜 ７ 第２の導電体パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に配置された下層配線層と、該下
層配線層上に層間絶縁膜を介して配置された上層配線層
とを備えた半導体装置において、 上記層間絶縁膜は、 上記下層配線層上に形成されたシラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4 ）を主成分とする無機塗布絶縁膜と、 該無機塗布絶縁膜上に形成された、末端水酸基シリコン
ラダー系樹脂膜とから構成されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 基板上に下層配線層を形成する工程と、 該下層配線層上にシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を主成
分とする無機塗布絶縁膜を形成する工程と、 上記無機塗布絶縁膜上に、末端水酸基シリコンラダー系
樹脂膜を形成し、上記無機塗布絶縁膜と脱水反応させて
層間絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274292A JPH05198689A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274292A JPH05198689A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198689A true JPH05198689A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12367294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3274292A Pending JPH05198689A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP3274292A patent/JPH05198689A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7390684B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-24 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7378334B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-05-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US8030665B2 (en) | 2002-07-08 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1050599B1 (en) | Method of forming interlayer insulating film | |
| US4613888A (en) | Semiconductor device of multilayer wiring structure | |
| JPH08148559A (ja) | 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 | |
| JPH08213461A (ja) | 集積回路用絶縁体とその製造方法 | |
| JPH08203887A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW385523B (en) | Method for making contact via with a formed component on semiconductor substrate | |
| JP3435186B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05198689A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3485425B2 (ja) | 低誘電率絶縁膜の形成方法及びこの膜を用いた半導体装置 | |
| JPH06291202A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN100505223C (zh) | 微电子互连结构体中的多层覆盖阻隔层 | |
| JP2849286B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04127454A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0570119A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11312682A (ja) | 含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法 | |
| JP2000021872A (ja) | 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2002134610A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3498619B2 (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JPH0419707B2 (ja) | ||
| JP2810649B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100653978B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선간 절연막 형성방법 | |
| KR100248621B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| TW457628B (en) | Air gap formation for high speed IC processing | |
| JPH08111458A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3368445B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |