JPS62293723A - 基板乾燥装置および基板乾燥方法 - Google Patents
基板乾燥装置および基板乾燥方法Info
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- JPS62293723A JPS62293723A JP13850586A JP13850586A JPS62293723A JP S62293723 A JPS62293723 A JP S62293723A JP 13850586 A JP13850586 A JP 13850586A JP 13850586 A JP13850586 A JP 13850586A JP S62293723 A JPS62293723 A JP S62293723A
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Links
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
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Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分訂
この発明は簡単な方法でしかも基板表面に汚染物質が付
着しない基板乾燥装置および乾燥方法に関する。
着しない基板乾燥装置および乾燥方法に関する。
従来の技術
従来、シリコン基板を乾燥する方法として第4図に示す
ような遠心力を利用する装置が市販されている。
ような遠心力を利用する装置が市販されている。
モーター1VCシヤフト2が連結され、さらに基板ホル
ダー3が連結され、カバー4が設けられている基板乾燥
装置がある。その乾燥装置に洗浄済みの基板5を基板ホ
ルダー3にセットする。そしてモーター1を回転させれ
ば基板ホルダー3が回転し、遠心力により基板6に付着
している洗浄液が飛び、基板5を乾燥することができる
。
ダー3が連結され、カバー4が設けられている基板乾燥
装置がある。その乾燥装置に洗浄済みの基板5を基板ホ
ルダー3にセットする。そしてモーター1を回転させれ
ば基板ホルダー3が回転し、遠心力により基板6に付着
している洗浄液が飛び、基板5を乾燥することができる
。
発明が解決しようとする問題点
従来の遠心力を利用した乾燥装置を用いる乾燥方法では
基板が高速で回転するために基板と窒素ガスもしくは空
気との摩擦によって、基板に静工気が生じ、空気中のダ
ストが基板に付着しやすくなる。また、回転によって乾
燥装置内のダストが舞い上り、基板にダストが付着する
という問題がある。さらに洗浄および乾燥を自動化させ
ようとする場合、回転しても基板を破損させることのな
いように自動的に基板をセットするのは困難であるので
、洗浄、乾燥工程を自動化するのは困難である。
基板が高速で回転するために基板と窒素ガスもしくは空
気との摩擦によって、基板に静工気が生じ、空気中のダ
ストが基板に付着しやすくなる。また、回転によって乾
燥装置内のダストが舞い上り、基板にダストが付着する
という問題がある。さらに洗浄および乾燥を自動化させ
ようとする場合、回転しても基板を破損させることのな
いように自動的に基板をセットするのは困難であるので
、洗浄、乾燥工程を自動化するのは困難である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、洗浄槽中
に加熱した液があり、前記液面上の所定の領域が前記液
温よりも低い領域を設けて蒸気洗浄をした後、高温領域
で前記基板に付着した液を蒸発させて乾燥させる。
に加熱した液があり、前記液面上の所定の領域が前記液
温よりも低い領域を設けて蒸気洗浄をした後、高温領域
で前記基板に付着した液を蒸発させて乾燥させる。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、基板にダストが付着することなく乾燥するこ
とができる。また、洗浄、乾燥工程の自動化が容易にな
る。
とができる。また、洗浄、乾燥工程の自動化が容易にな
る。
実施例
以下、本発明の第1の実施例として、加熱した液に純水
を用いてシリコン基板を乾燥する場合を第1図にもとづ
いて説明する。
を用いてシリコン基板を乾燥する場合を第1図にもとづ
いて説明する。
石英製の洗浄槽10の中に超純水11を入れ、深さがシ
リコン基板12の直径と同じになるようにする。そして
超純水11を加熱するだめのヒーター13が設けられて
いる。また、超純水11の水面の高さからシリコン基板
12の直径の1〜1.6倍の高さまで、洗浄槽1oの周
囲に冷却用コイル14を設ける。冷却用コイル14の上
部にシリコン基板12の直径の1〜2倍の幅で、洗浄槽
1゜の周囲にヒーター15を設ける。
リコン基板12の直径と同じになるようにする。そして
超純水11を加熱するだめのヒーター13が設けられて
いる。また、超純水11の水面の高さからシリコン基板
12の直径の1〜1.6倍の高さまで、洗浄槽1oの周
囲に冷却用コイル14を設ける。冷却用コイル14の上
部にシリコン基板12の直径の1〜2倍の幅で、洗浄槽
1゜の周囲にヒーター15を設ける。
そうすると洗浄槽10内の温度は下記のようになる。即
ち、超純水11はヒーター13により9゜〜1oO°C
になっている。そして超純水11の表面から冷却用コイ
ルの端までの距離Xは超純水11よシも低い60〜80
°Cになるように冷却用コイル内に冷却水を流して低温
領域16を形成する。
ち、超純水11はヒーター13により9゜〜1oO°C
になっている。そして超純水11の表面から冷却用コイ
ルの端までの距離Xは超純水11よシも低い60〜80
°Cになるように冷却用コイル内に冷却水を流して低温
領域16を形成する。
さらにヒーター16により低温領域16上に110〜1
50’Cの高温領域17を形成する。
50’Cの高温領域17を形成する。
シリコン基板の乾燥方法は、まず水洗の終了したシリコ
ン基板12を低温領域16で保持する。
ン基板12を低温領域16で保持する。
そうすると、超純水11で蒸発した水蒸気が低温領域1
6で液化する。そうすると、低温領域16に保持されて
いるシリコン基板12表面で液化し、液化した水滴が超
純水11中に落下してシリコン基板12表面が液化した
水滴で洗浄される。
6で液化する。そうすると、低温領域16に保持されて
いるシリコン基板12表面で液化し、液化した水滴が超
純水11中に落下してシリコン基板12表面が液化した
水滴で洗浄される。
次にシリコン基板を高温領域17に保持すると基板表面
に付着している水分が蒸発し、シリコン基板12を乾燥
することができる。
に付着している水分が蒸発し、シリコン基板12を乾燥
することができる。
上記のシリコン基板12は一枚一枚洗浄、乾燥しても良
いし、カセ17)に入れて複数枚洗浄、乾燥しても良い
。
いし、カセ17)に入れて複数枚洗浄、乾燥しても良い
。
第2の実施例として、冷却コイル、ヒーターを洗浄槽内
に入れた場合を第2図に示す。
に入れた場合を第2図に示す。
低温領域16は洗浄槽10内に石英製冷却コイル2Qを
入れ、冷却コイル内に冷却水を流すことにより実現する
。また高温領域17は石英パイプ21内にヒーター22
を入れて実現する。そしてシリコン基板12はまず冷却
コイル2oの間に入れて蒸気洗浄後、高温領域17のヒ
ーター22の間に入れて乾燥する。
入れ、冷却コイル内に冷却水を流すことにより実現する
。また高温領域17は石英パイプ21内にヒーター22
を入れて実現する。そしてシリコン基板12はまず冷却
コイル2oの間に入れて蒸気洗浄後、高温領域17のヒ
ーター22の間に入れて乾燥する。
上記第1.第2の実施例において超純水11を第3図に
示すように温水11を入口側3Qから入れ、出口側31
から出して流水でシリコン基板12を洗浄した後、第1
の実施例もしくは第2の実施例で乾燥する。
示すように温水11を入口側3Qから入れ、出口側31
から出して流水でシリコン基板12を洗浄した後、第1
の実施例もしくは第2の実施例で乾燥する。
上記第1.第2の実施例において、超純水11が蒸発し
た水蒸気が低温領域16で液化し、シリコン基板12表
面を洗浄することができる。水蒸気が液化した液で洗浄
するので液中に微粒子の含まれていない液で基板を洗浄
することができる。
た水蒸気が低温領域16で液化し、シリコン基板12表
面を洗浄することができる。水蒸気が液化した液で洗浄
するので液中に微粒子の含まれていない液で基板を洗浄
することができる。
また、超純水の代りにイソプロピルアルコール。
フロン等の有機液体を用いても良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、微粒子の含まれていない
液体で基板洗浄をした後、乾燥することができるので微
粒子付着のない乾燥をすることができる。
液体で基板洗浄をした後、乾燥することができるので微
粒子付着のない乾燥をすることができる。
また、回転機構なしに基板を乾燥することができるので
、乾燥の際基板:て微粒子が付着することはない。さら
に回転機構がないので自動化が容易である。
、乾燥の際基板:て微粒子が付着することはない。さら
に回転機構がないので自動化が容易である。
第1図は本発明の第1の実施例における洗浄。
乾燥装置の断面図、第2図は本発明の第2の実施例にお
ける洗浄・乾燥装置の断面図、第3図は流水で洗浄する
場合について説明する断面図、第4図は従来の遠心力に
よる基板乾燥装置の断面図である。 10・・・・・・洗浄槽、11・・・・・・超純水、1
6・・・・・・低温領域、17・・・・・・高温領域、
13・・・・・・超純水を加熱するだめのヒーター、1
4.20・・・・・・低温領域を形成するための冷却コ
イル、15,22・・・・・・高温領域を形成するため
のヒーター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名菓
1 図 第2図 第3図 第4図
ける洗浄・乾燥装置の断面図、第3図は流水で洗浄する
場合について説明する断面図、第4図は従来の遠心力に
よる基板乾燥装置の断面図である。 10・・・・・・洗浄槽、11・・・・・・超純水、1
6・・・・・・低温領域、17・・・・・・高温領域、
13・・・・・・超純水を加熱するだめのヒーター、1
4.20・・・・・・低温領域を形成するための冷却コ
イル、15,22・・・・・・高温領域を形成するため
のヒーター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名菓
1 図 第2図 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)洗浄槽中に加熱した液を入れ、前記液面上の所定
の領域に前記液温よりも低い低温領域を設け、前記低温
領域上の所定の領域に前記液温よりも高い高温領域を設
けてなる基板乾燥装置。 - (2)洗浄槽の加熱した液の上部の領域が前記液の温度
よりも低温になっていて、前記液から発生した蒸気が前
記基板上で液化させて、液化した液体が前記液中に落下
させる工程、前記基板を前記液の温度よりも高い領域に
置き、前記基板に付着している液体を蒸発させて乾燥さ
せる工程とを有する基板乾燥方法。 - (3)洗浄槽内に加熱した液中に基板を浸積した後、前
記加熱した液上の低温領域中に置く特許請求の範囲第2
項に記載の基板乾燥方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850586A JPS62293723A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850586A JPS62293723A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62293723A true JPS62293723A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15223699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13850586A Pending JPS62293723A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62293723A (ja) |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13850586A patent/JPS62293723A/ja active Pending
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