JPH01282821A - 蒸気乾燥装置 - Google Patents

蒸気乾燥装置

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Publication number
JPH01282821A
JPH01282821A JP11319188A JP11319188A JPH01282821A JP H01282821 A JPH01282821 A JP H01282821A JP 11319188 A JP11319188 A JP 11319188A JP 11319188 A JP11319188 A JP 11319188A JP H01282821 A JPH01282821 A JP H01282821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor
ipa
carrier
semiconductor wafer
isopropyl alcohol
Prior art date
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Pending
Application number
JP11319188A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Ishitani
石谷 滋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体デバイスの製造工程のウェット処理さ
れた後の乾燥に用いられる蒸気乾燥装置に関するのであ
る。
〔従来の技術〕
半導体ウェハー上の付着水を脱水乾燥させる方法には、
遠心乾燥蒸気乾燥、熱風乾燥等の方法があり、半導体ウ
ェハーの大口径化に伴ない動的に乾燥を行なう遠心乾燥
は使用されなくなり静的に乾燥を行なう蒸気乾燥が使用
される様に移行しつつある。蒸気乾燥に用いられる有機
溶媒は、イソプロピルアルコール(以下IPAとする)
を用いるのが一般的である。IPAを用いる蒸気乾燥は
、IPAが水と相溶性があるため濡れた半導体ウェハー
を直接IPA蒸気に当てることができ、半導体ウェハー
表面に凝縮したIPAで水が置換され半導体ウェハー温
度がIPA蒸気温度に上昇すれば乾燥が完了する。
従来の蒸気乾燥装置の構造は、第3図に示すように、I
PA蒸気槽3に入れられたIPA6はヒーター8により
加熱され蒸気となる。IPAの蒸気は、蒸気冷却管4に
より再度液化される。そこで、あるラインを境に下方で
はIPA蒸気濃度が高く、上方では大気となるペーパー
ライン5が形成される。水に濡れたキャリア2と半導体
ウェハー1は、キャリア昇降機9により上方よりベーパ
ーライン5を通りIPA蒸気濃度が高い領域に入る。半
導体ウェハー1とIPA蒸気の温度差及び濃度差により
キャリア2及び半導体ウェハー1の表面にてIPAが凝
縮し水と溶けあい、しずくとなり凝縮液受皿7に落ちる
。上述の凝縮落下をくり返すことにより水はIPAで置
換される。−定時間経過後キャリア昇降機9によりペー
パーライン5を通り大気に出され、置換されたIPAは
揮発し乾燥する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の蒸気乾燥装置は、IPAを加熱し蒸気に
する機能は1ケ所のみでさらにIPA蒸気槽3の底部に
しか取付けられていなかった。そのため、IPA蒸気内
に温度の近い半導体ウェハー1.キャリア2が入りIP
Aの凝縮が開始されると同時に半導体ウェハー近傍のI
PA蒸気濃度及び温度は急激に低下し、凝縮する量が極
端に低下し、ひいては、乾燥時間が長くなり置換が不完
全となるという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の蒸気乾燥装置は、半導体ウェハー上の付着水を
蒸気潜熱の小さい有機溶媒に置換し、その有機溶媒を蒸
発させることによって該半導体ウェハーを乾燥させる蒸
気乾燥装置において、有機溶媒の蒸気を強制的に送り込
む機能を有することを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の概要図である。図に示すよ
うにIPA蒸気槽3とは別に蒸気槽10がありゲートバ
ルブ13を通しキャリア2の上方に配管されている。蒸
気槽10にはIPAIIが入りヒーター12により加熱
され、IPA蒸気ができる。半導体ウェハー1.キャリ
ア2がキャリア昇降機9により下降すると同時にゲート
バルブ13が開き、半導体ウェハー1の上方よりIPA
蒸気を吹き付けられIPAの凝縮は低下する事なく置換
は進行する。
第2図は本発明の他の実施例を示す概要図である。蒸気
槽10より送風機14を通しキャリア2の上方に配管さ
れている。蒸気槽10にはIPAllが入り、ヒーター
12により加熱され、IPA蒸気ができる。半導体ウェ
ハー1.キャリア2がキャリア昇降機9により加工する
と同時に14送風機が動作し、半導体ウェハー1の上方
より工PA蒸気を吹き付けられる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、本体とは別の蒸気槽を取
付けIPAの蒸気を強制的に送り込む機能を有する事に
より、IPA蒸気内に温度の低い半導体ウェハーキャリ
アが入りIPAの凝縮が開始されると同時にIPA蒸気
濃度及び温度は急激に低下する事を防止する効果を有し
、ひいては乾燥時間を短かくし置換が完全とすることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す概要図、第2図は本発
明の他の実施例を示す概要図、第3図は従来例を示す概
要図である。 1・・・・・・半導体ウェハー、2・・・・・・キャリ
ア、3・・・・・・IPA蒸気槽、4・・・・・・蒸発
冷却管、5・・・・・・ペーパーライン、6・・・・・
・IPA、7・・・・・・凝縮液受皿、8・・・・・・
ヒーター、9・・・・・・キャリア昇降機、10・・・
・・・蒸気槽、11・・・・・・IPA、12・・・・
・・ヒーター、13・・・・・・ゲートバルブ、14・
・・・・・送風機。 代理人 弁理士  内 原   音

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハー上の付着水を蒸発潜熱の小さい有機溶
    媒に置換し、その有機溶媒を蒸発させることによって該
    半導体ウェハーを乾燥させる蒸気乾燥装置において、有
    機溶媒の蒸気を強制的に送り込む機能を有することを特
    徴とする蒸気乾燥装置。
JP11319188A 1988-05-09 1988-05-09 蒸気乾燥装置 Pending JPH01282821A (ja)

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JP11319188A JPH01282821A (ja) 1988-05-09 1988-05-09 蒸気乾燥装置

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JPH01282821A true JPH01282821A (ja) 1989-11-14

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381931A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 乾燥装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381931A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 乾燥装置

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