JPS6381931A - 乾燥装置 - Google Patents

乾燥装置

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JPS6381931A
JPS6381931A JP22605386A JP22605386A JPS6381931A JP S6381931 A JPS6381931 A JP S6381931A JP 22605386 A JP22605386 A JP 22605386A JP 22605386 A JP22605386 A JP 22605386A JP S6381931 A JPS6381931 A JP S6381931A
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JP
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wafer
alcohol
vapor
drying chamber
drying
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JP22605386A
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Masami Kanegae
正巳 鐘ケ江
Masao Kawamura
川村 雅雄
Shoji Hara
昭二 原
Shigeo Kikuchihara
菊池原 重夫
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は半導体製造技術に関し、例えば、半導体ウェ
ーハの付着水を除去するための蒸気乾燥装置に利用して
有効な技術に関する。
〔従来の技術] 半導体の製造行程において、例えば、ウェーハを薬液処
理したのち、この薬液を水洗し、この水洗処理に引き続
いて、水洗処理の際にウェーハに付着した水を除去して
乾燥させる処理が行なわれる。
このウェーハを乾燥させるための装置として第2図に示
すような蒸気乾燥装置がある。
同図において、乾燥室11の下部にはアルコールが注入
され、下方に配設された乾燥室11内はヒーター15に
よる加熱によって気化されたアルコール蒸気で満たされ
ている。ウェーハ10の乾燥(ウェーハに付着した水の
除去)は、ウェーハ1oを乾燥室11内に導入して行な
われる。ウェーハ10は、前処理行程で室温に保たれた
純水によって水洗処理されるので室温にされている。そ
のため、乾燥室11内に導入されたウェーハ10の表面
でアルコール蒸気が液化される。そして、この液化され
たアルコールによってウェーハ10の表面1こ付着した
水が溶かされた形でウェーハ10の表面より落下して除
去される。
なお、蒸気乾燥装置に関する発明としては、特開昭57
−89664号がある。
[発明が解決しようとする問題点] 上記した蒸気乾燥装置を用いたウェーハの乾燥処理は、
室温に保持されたウェーハを、乾燥室内に導入して行な
うので、導入直後に乾燥室内の温度、特にウェーハ周辺
の温度はアルコールの液化温度以下にされてしまう、特
に第2図の乾燥装置では、乾燥室】1の上部に冷却管1
2が配設されているため、乾燥室11の上部にアルコー
ルのミストが生じ、このミストとアルコールの蒸気との
境界(以下、蒸気面と称する)がある。
そのため、乾燥室11内に低温(室温)のウェーハを導
入するとアルコール蒸気面が下がってウェーハ11が露
出し、再びウェーハが蒸気で囲まれる状態に回復するま
での間にウェーハの温度が上昇してアルコール蒸気の温
度との差とが小さくなってしまう、その結果、ウェーハ
表面で充分な址のアルコールが液化されなくなって自然
乾燥に近い事態が生じ、良好な乾燥処理が行なえないと
いう問題があった。
一方、ウェーハ導入直後アルコール蒸気面が下がらない
ようにするヒータ20の加熱を強くすると、アルコール
が沸騰して液滴が生じ、この液滴に混入したゴミが液滴
と共にウェーハに付着してしまうという問題点があった
本発明の目的は、ウェーハの乾燥が良好に行なえるよう
な蒸気乾燥装置を提供することにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、蒸気乾燥装置において、乾燥処理を行なうべ
きウェーハの下方および上方より、アルコール蒸気を供
給するとともに両方の蒸気流の合流部にアルコール蒸気
乾燥室から流出させる流出口を設けるものである。
[作用コ 上記した手段によれば、外部より乾燥室内に低温のウェ
ーハが導入されても、短時間で完全にアルコール蒸気で
囲まれた状態に回復されることにより、ウェーハの良好
な乾燥を行なうという上記目的を達成することができる
[実施例] 第1図に本発明の蒸気乾燥装置の正面図を示す。
この実施例の乾燥装置は、上方が開口した筒状の乾燥室
11の下方にヒータ15が配設され、乾燥室11の下部
に注入されたアルコールがヒータ15による加熱によっ
てアルコール蒸気とされて上昇され乾燥室11に導入、
保持されたウェーハ10に供給されるようにされている
。また1本実施例では、上記乾燥室11下部の蒸気発生
源とは別個に同じような構成の第2の蒸気発生源が別の
位置に設けられており、第2蒸気発生源のヒータ16に
よる加熱によって生じたアルコール蒸気が輸送管17に
よって乾燥室11の上方に導かれるようにされている。
輸送管17は通路の流動抵抗を減らすため方向変換部に
湾曲がつけられている。
さらに本実施例の装置には、ウェーハ10の下方より供
給されるアルコール蒸気流と輸送管17を介して上方よ
り供給されるアルコール蒸気流の合流部には蒸気流出口
13が設けられており、衝突した蒸気流は蒸気流出口1
3から流出される。乾燥室11の上端外側には冷却管1
2を有するアルコール保持容器14が設けられており、
蒸気流出口13から流出したアルコール蒸気は、冷却管
12で冷却されて液化されアルコール保持容器14に回
収される。しかも冷却管12によって、乾燥室11内が
直接冷却されないようにアルコール保持容器14の内側
壁と乾燥室11の側壁は離間されている。
以下、ウェーハ10の乾燥処理について説明する。ヒー
ターL5,16をアルコールの沸点以下でしかもアルコ
ールの蒸発が良好に行なわれるような温度に調節する。
そして、乾燥室11内が充分アルコール蒸気で満たされ
た後1図示しない、水洗槽によって室温で水洗処理され
たウェーハ10を乾燥室11内に導入する。このとき、
ウェーハ1oの周辺のアルコール蒸気相の一部が消失し
ても、アルコール蒸気がウェーハ10の上方および下方
より供給されるので、ウェーハ10の温度が上昇しない
うちに、再びウェーハ10の周辺は、アルコール蒸気に
よって満たされる。つまり、第2図の装置のような蒸気
面の低下がない、この状態において、ウェーハ10の表
面温度は、アルコールの液化温度よりもかなり低くされ
ている。そのため、ウェーハ10の周辺のアルコール蒸
気がウェーハ10の表面で液化され、ウェーハ1oの表
面に付着される。これによって、ウェーハ10の表面に
付着した水は、ウェーハ10に付着したアルコールに溶
かされる。ウェーハ10へのアルコールの液化がある程
度促進されるとウェーハ10の表面の水はすべてアルコ
ールに溶かされた形で下方に流下する。このようにして
、ウェーハ10の表面に付着された水の除去(乾燥処理
)がなされる、また、ウェーハの表面で凝縮されなかっ
た蒸気は流出口13より流出して冷却管12に接触して
液化され、保持容器14内に回収される。
上記実施例では、蒸気乾燥装置において、乾燥処理を行
なうべきウェーハの下方および上方より、アルコール蒸
気を供給するとともに両方の蒸気流の合流部にアルコー
ル蒸気乾燥室から流出させる流出口を設けることにより
、外部より低温のウェーハが乾燥室内に導入されても短
時間で、すなわち、ウェーハの温度があまり上昇しない
間に蒸気面が回復し、ウェーハ表面で充分な量のアルコ
ールが液化され付着するという作用により、良好な乾燥
処理が行なえるという効果が得られる。
さらに上記実施例では、蒸気乾燥装置において、乾燥処
理を行なうべきウェーハの下方および上方より、アルコ
ール蒸気を供給するとともに両方の蒸気流の合流部にア
ルコール蒸気乾燥室から流出させる流出口を設けること
により、上記流出構造より流出されるアルコール蒸気流
によって乾燥室内に対する外部からの異物が侵入しにく
くなり、乾燥室内が高清浄にされるという作用により、
良好な乾燥処理が行なえるという効果が得られる。
さらに上記実施例では、蒸気乾燥装置において。
乾燥処理を行なうべきウェーへの下方および上方より、
アルコール蒸気を供給するとともに両方の蒸気流の合流
部にアルコール蒸気乾燥室から流出させる流出口を設け
ることにより、それほど高温でアルコールを加熱しなく
ても乾燥室内に充分な量のアルコール蒸気を満たすこと
ができるので、沸騰によってアルコールの液滴がウェー
ハに付着しなくなるという作用により、良好な乾燥処理
が行なえるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな%N。
例えば、上記実施例では薬液としてアルコールを用いて
いるが、それに限定されるものではなく、揮発性をもち
、洗浄効果のある液体、例えば、アセトンを用いてもよ
い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェーハの付着水を
除去するための蒸気乾燥装置に適用した場合について説
明したが、表面に付着した水を自然乾燥するのが望まし
くないような乾燥処理一般に適用できる。
[発明の効果コ 乾燥装置において、乾燥処理を行なうべきウェーハの下
方および上方より、アルコール蒸気を供給するとともに
両方の蒸気流の合流部にアルコール蒸気乾燥室から流出
させる流出口を設けることにより、外部より低温のウェ
ーハが乾燥室内に導入されても短時間で、すなわち、ウ
ェーハの温度があまり上昇しない間に蒸気面が回復し、
ウェーハ表面で充分な量のアルコールが液化され付着す
るという作用により、良好な乾燥処理が行なえる。
さらに乾燥装置において、乾燥処理を行なうべきウェー
ハの下方および上方より、アルコール蒸気を供給すると
ともに両方の蒸気流の合流部にアルコール蒸気乾燥室か
ら流出させる流出口を設けることにより、上記流出構造
より流出されるアルコール蒸気流によって乾燥室内に対
する外部からの異物が侵入しにくくなり、乾燥室内が高
清浄にされるという作用により、良好な乾燥処理が行な
えるという効果が得られる。
さらにまた、施乾燥装置において、乾燥処理を行なうべ
きウェーハの下方および上方より、アルコール蒸気を供
給するとともに両方の蒸気流の合流部にアルコール蒸気
乾燥室から流出させる流出口を設けることにより、それ
ほど高温でアルコールを加熱しなくても乾燥室内に充分
な量のアルコール蒸気を満たすことができるので、沸騰
によってアルコールの液滴がウェーハに付着しなくなる
という作用により、良好な乾燥処理が行なえる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では薬液としてアルコールを用いて
いるが、それに限定されるものではなく、揮発性をもち
、洗浄効果のある液体、例えば、アセトンを用いてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る蒸気乾燥装置の一実施例を示す正
面図、 第2図は、従来の蒸気乾燥装置の一例を示す正面図であ
る。 10・・・・ウェーハ、11・・・・乾燥室、12・・
・・冷却管、13・・・・蒸気流出口、14・・・・ア
ルコール保持容器、15.16・・・・ヒーター。 第  1  図 第  2  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、揮発性の薬液を蒸発させて、乾燥室内に配置された
    被乾燥処理物の表面に供給し乾燥を行なう蒸気乾燥装置
    であって、乾燥室の下部には第1の蒸気発生源が、また
    乾燥室外部には第2の蒸気発生源が設けられ、この第2
    の蒸気発生源で発生された蒸気を上記乾燥室の上部へ誘
    導する通路を設け、この通路と乾燥室との接合部に蒸気
    流出口を配設してなることを特徴とする乾燥装置。 2、上記乾燥室の外部には、上記蒸気流出口に対応して
    冷却機能を有する薬液回収手段が設けられていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の乾燥装置。
JP22605386A 1986-09-26 1986-09-26 乾燥装置 Expired - Lifetime JPH0793287B2 (ja)

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JP22605386A JPH0793287B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 乾燥装置

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JP22605386A JPH0793287B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 乾燥装置

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JPS6381931A true JPS6381931A (ja) 1988-04-12
JPH0793287B2 JPH0793287B2 (ja) 1995-10-09

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ID=16839054

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JP22605386A Expired - Lifetime JPH0793287B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 乾燥装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01282821A (ja) * 1988-05-09 1989-11-14 Nec Corp 蒸気乾燥装置
JPH01300525A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Hitachi Ltd 乾燥方法及び装置
JPH02301139A (ja) * 1989-05-16 1990-12-13 Matsushita Electron Corp 半導体ウェーハ乾燥装置
KR100434714B1 (ko) * 1997-04-18 2004-10-14 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼건조장치

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KR100434714B1 (ko) * 1997-04-18 2004-10-14 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼건조장치

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JPH0793287B2 (ja) 1995-10-09

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