JPH03208344A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03208344A JPH03208344A JP270790A JP270790A JPH03208344A JP H03208344 A JPH03208344 A JP H03208344A JP 270790 A JP270790 A JP 270790A JP 270790 A JP270790 A JP 270790A JP H03208344 A JPH03208344 A JP H03208344A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板の乾燥装置に関し。
最も清浄なヒータ乾燥工程において、基板に水滴や塵埃
の再付着を防止し且つスループットの低下のないヒータ
乾燥装置を提供することを目的とし。
の再付着を防止し且つスループットの低下のないヒータ
乾燥装置を提供することを目的とし。
洗浄後の半導体基板を耐熱容器の内部に保持して乾燥さ
せる装置であって、底面を傾斜面とする該耐熱容器（１
）と、該耐熱容器（１）内の雰囲気を高温に保つ加熱手
段（２）と、該耐熱容器（１）の底面の温度を１００℃
以下に保つ温度制御手段（３）とを有するように構成す
る。
せる装置であって、底面を傾斜面とする該耐熱容器（１
）と、該耐熱容器（１）内の雰囲気を高温に保つ加熱手
段（２）と、該耐熱容器（１）の底面の温度を１００℃
以下に保つ温度制御手段（３）とを有するように構成す
る。
本発明は半導体製造装置、特に半導体基板の乾燥装置に
関する。
関する。
半導体装置の高集積化に伴い、製造装置の清浄化が進め
られている。とりわけ、半導体基板洗浄乾燥工程の清浄
化は最重要課題である。
られている。とりわけ、半導体基板洗浄乾燥工程の清浄
化は最重要課題である。
基板洗浄工程において塵埃や金属イオンを薬液を用いて
除去し、純水洗浄後の乾燥工程の清浄化に本発明を適用
することかできる。
除去し、純水洗浄後の乾燥工程の清浄化に本発明を適用
することかできる。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕半導体
基板は薬液で洗浄した後、純水洗浄を行い乾燥工程に移
される。
基板は薬液で洗浄した後、純水洗浄を行い乾燥工程に移
される。
従来、実用化されている乾燥方法としてしは次のような
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
■ ヒータ乾燥
ヒータを用いた高温雰囲気中で基板を乾燥させる。
■ スピン乾燥
基板を高速で回転させて水滴を飛ばして乾燥させる。
■ 引き上げ乾燥
基板を水中からゆっくり引き上げ、水の表面張力を利用
して基板上に付着した水を除去する。
して基板上に付着した水を除去する。
■ ＩＰＡ乾燥
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気中で基板に付
着した水とＩＰＡを置換させながら乾燥する。
着した水とＩＰＡを置換させながら乾燥する。
以上の乾燥方法の内、■のヒータ乾燥は古くから用いら
れているものであるが、最も清浄な乾燥方法であると言
える。
れているものであるが、最も清浄な乾燥方法であると言
える。
第４図は従来例によるヒータ乾燥装置の模式断面図であ
る。
る。
この装置は、水洗後の基板Ｗを外部ヒータ２により加熱
して内部を１００〜３００℃に保った耐熱容器Ｉの中に
入れて乾燥するものである。
して内部を１００〜３００℃に保った耐熱容器Ｉの中に
入れて乾燥するものである。
この装置では、水洗直後の基板をこの容器に入れると基
板に付着した水から水滴が垂れて、高温の容器底面に落
下し水滴を跳ね上げるとともに。
板に付着した水から水滴が垂れて、高温の容器底面に落
下し水滴を跳ね上げるとともに。
その水滴が蒸発する際に底面に散在している塵埃を舞い
上げて乾燥中の基板に付着させてしまうという問題があ
った。
上げて乾燥中の基板に付着させてしまうという問題があ
った。
そのための対策として、水洗後の基板をまず数１０℃の
比較的低い温度に保った容器内で乾燥させ。
比較的低い温度に保った容器内で乾燥させ。
次に容器内を高温に上げて乾燥させる方法も考えられる
が、このようにすると乾燥に時間がかかり。
が、このようにすると乾燥に時間がかかり。
スループットの低下をまねくことになる。
本発明は最も清浄なヒータ乾燥工程において。
基板への水滴や塵埃の再付着を防止し且つスループット
の低下のないヒータ乾燥装置を提供することを目的とす
る。
の低下のないヒータ乾燥装置を提供することを目的とす
る。
上記課題の解決は、洗浄後の半導体基板を耐熱容器の内
部に保持して乾燥させる装置であって。
部に保持して乾燥させる装置であって。
底面を傾斜面とする該耐熱容器ｆｌ）と、該耐熱容器（
１）内の雰囲気を高温に保つ加熱手段（２）と、該耐熱
容器（１）の底面の温度を１００°Ｃ以下に保つ温度制
御手段（３）とを有する半導体製造装置により達成され
る。
１）内の雰囲気を高温に保つ加熱手段（２）と、該耐熱
容器（１）の底面の温度を１００°Ｃ以下に保つ温度制
御手段（３）とを有する半導体製造装置により達成され
る。
第１図は本発明を説明する断面図である。
図において、耐熱容器ｌは、側面と底面とが熱的に絶縁
されており且つ底面は傾斜している。
されており且つ底面は傾斜している。
容器の側面は従来例のようにその外側にヒータ２を有し
且つ熱伝導率のよい耐熱材料がら作製される。
且つ熱伝導率のよい耐熱材料がら作製される。
容器の底面は、ヒータ部と底面との距離を太き（とって
側面との熱的絶縁が実質的に可能であれば側面と同じ材
料で作製してもよいが、そうでない場合は樹脂、セラミ
ックス、石英等の清浄な材料で作製する。
側面との熱的絶縁が実質的に可能であれば側面と同じ材
料で作製してもよいが、そうでない場合は樹脂、セラミ
ックス、石英等の清浄な材料で作製する。
容器は側面と底面とを熱的に絶縁しているので。
容器の側面の内側が１００〜３００℃に加熱されても。
水冷管等による冷却を用いた温度制御手段３により底面
の温度が１００℃以下に保たれるようにすることができ
る。
の温度が１００℃以下に保たれるようにすることができ
る。
本発明は水洗後の基板が耐熱容器内に入れられて基板か
ら垂れる水滴が容器底面に落下しても。
ら垂れる水滴が容器底面に落下しても。
容器底面は１００℃以下に保たれているため水滴は急激
な蒸発はしないで、しかも容器底面が傾斜しているため
水滴は底面に沿って流れ落ち跳ね上がることがないこと
を利用して乾燥工程の清浄化をはかったものである。
な蒸発はしないで、しかも容器底面が傾斜しているため
水滴は底面に沿って流れ落ち跳ね上がることがないこと
を利用して乾燥工程の清浄化をはかったものである。
なお、容器底面の下端に排水口を設けて、基板から垂れ
た水を排出するようにすると一層効果的である。
た水を排出するようにすると一層効果的である。
第２図Ｆ１＋、 （２＋は本発明の一実施例の断面図で
ある。
ある。
この例では、容器１の側面と底面は一体構造であるが、
底面を常に１００℃以下に保つ温度制御手段３として、
底面に水を流すための配管３Ａ、 ３Ｂが用いられる。
底面を常に１００℃以下に保つ温度制御手段３として、
底面に水を流すための配管３Ａ、 ３Ｂが用いられる。
第２図（１）は水が底面の下側に設けられた配管３Ａ内
を流れるようにしたものであり、第２図（２）は水が配
管３Ｂより出て底面の上側を流れるようにしたものであ
る。
を流れるようにしたものであり、第２図（２）は水が配
管３Ｂより出て底面の上側を流れるようにしたものであ
る。
ここで、耐熱容器ｌは例えば石英を用いて作製し、底面
の傾斜角θは３０’にした。
の傾斜角θは３０’にした。
第３図は本発明の他の実施例の断面図である。
この例では、底面を常に１００℃以下に保つ温度制御手
段３として耐熱配管３Ｃが用いられる。
段３として耐熱配管３Ｃが用いられる。
即ち、この例は容器の側面と底面の間に断熱部分を設け
るもので、底面の直ぐ上の四方に耐熱配管３Ｃをめぐら
し、管内に水又は空気を流して底面の温度を常に１００
℃以下に保つようにしている。
るもので、底面の直ぐ上の四方に耐熱配管３Ｃをめぐら
し、管内に水又は空気を流して底面の温度を常に１００
℃以下に保つようにしている。
実施例の乾燥装置を用いたときのウェハについて、水滴
によるスティンや付着塵を検査したが。
によるスティンや付着塵を検査したが。
多数のウェハについて多数回サンプリングした結果、異
常は全く認められなかった。
常は全く認められなかった。
以上説明したように本発明によれば、最も清浄なヒータ
乾燥工程において、基板への水滴や塵埃の再付着を防止
し且つスループットの低下のないヒータ乾燥装置を提供
することができた。
乾燥工程において、基板への水滴や塵埃の再付着を防止
し且つスループットの低下のないヒータ乾燥装置を提供
することができた。
第１図は本発明を説明する断面図。
第２図（１）、 （２）は本発明の一実施例の断面図。
第３図は本発明の他の実施例の断面図。
第４図は従来例によるヒータ乾燥装置の模式断面図であ
る。 図において。 １は耐熱容器。 ２は加熱手段でヒータ。 ３ （３Ａ、 ３Ｂ、 ３Ｃ）は温度制御手段で水また
は空気を流す配管 ７Ｆ発８目乞宮か月■ろ酌工面記 第 １ 図 第 ３ ロ （１ン （２〕 ９ミ多ｆ神イクｊ１メフｄｆｒ面Ｂ≧］′！Ｉ７２記 賓来伜１の財面目 策 ４肥
る。 図において。 １は耐熱容器。 ２は加熱手段でヒータ。 ３ （３Ａ、 ３Ｂ、 ３Ｃ）は温度制御手段で水また
は空気を流す配管 ７Ｆ発８目乞宮か月■ろ酌工面記 第 １ 図 第 ３ ロ （１ン （２〕 ９ミ多ｆ神イクｊ１メフｄｆｒ面Ｂ≧］′！Ｉ７２記 賓来伜１の財面目 策 ４肥
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 洗浄後の半導体基板を耐熱容器の内部に保持して乾燥
させる装置であって、 底面を傾斜面とする該耐熱容器（１）と、該耐熱容器（
１）内の雰囲気を高温に保つ加熱手段（２）と、該耐熱
容器（１）の底面の温度を１００℃以下に保つ温度制御
手段（３）とを有することを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP270790A JPH03208344A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP270790A JPH03208344A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208344A true JPH03208344A (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=11536767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP270790A Pending JPH03208344A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03208344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013179568A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの乾燥方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195128A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS63182818A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | 乾燥装置 |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP270790A patent/JPH03208344A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195128A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS63182818A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | 乾燥装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013179568A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの乾燥方法 |
| JP2013247348A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの乾燥方法 |
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