JPS62265191A - セラミツク配線板の製造法 - Google Patents

セラミツク配線板の製造法

Info

Publication number
JPS62265191A
JPS62265191A JP61108159A JP10815986A JPS62265191A JP S62265191 A JPS62265191 A JP S62265191A JP 61108159 A JP61108159 A JP 61108159A JP 10815986 A JP10815986 A JP 10815986A JP S62265191 A JPS62265191 A JP S62265191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
water
roughened
ceramics
immersing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61108159A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH032833B2 (ja
Inventor
正義 池田
谷口　穣
幸久 廣山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP61108159A priority Critical patent/JPS62265191A/ja
Publication of JPS62265191A publication Critical patent/JPS62265191A/ja
Priority to US07/250,158 priority patent/US4867843A/en
Publication of JPH032833B2 publication Critical patent/JPH032833B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1865—Heat
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック配線板の製造法に関する。
（従来の技術） 従来セラミックスの表面に導体配線を形成したセラミッ
ク配線板を製造する場合、セラミックスをＨＦ、ＨＢＦ
４等の溶液に浸漬してセラミックスの表面を粗化するか
、又はＮａＯＨ，ＫＯＨ等の溶融アルカＩＪＫ浸漬して
セラミックスの表面を粗化した後無電解めっき、さらに
必要に応じて行なう電解めっきでセラミックス上に直接
金属被膜を析出させ、エツチングなどの方法で導体配線
を形成してセラミック配線板を製造していた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前者の方法で粗化すると金属被膜とセラ
ミックスとの密着力が弱く金属被膜にふくれが発生する
という欠点が生じ、後者の方法では金属被膜とセラミッ
クスとの密着力にばらつき（良好な密着力を有するもの
と、密着力が弱いものとが存在）が多く、ｉた無電解鋼
めっきの厚さが１μｍを越えると金属被膜にふくれが発
生し。
使用に耐兄ないという欠点がある。
本発明は上記した欠点のないセラミック配線板の製造法
を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、上
記のような粗化法ではセラミックス表面のフラツクス（
ガラス質）と主構成物質粒子（アルミナセラミックスで
あればアルミナの粒子）のごく一部を粗化するだけで主
構成物質粒子の粗化が不十分であるため上記の欠点が生
じるということをつきとめ、セラミックスをＮＨａＦ、
　（ＮＨａ）ｚｓＯａ　。
Ｈ２ＳＯ４及びＨ！０を含む混合溶液中に浸漬し、つい
で十分に水洗した後ＮａＯＨ融液中に浸漬してセラミッ
クスの表面を均一に粗化し、中和、水洗後粗化したセラ
ミックスの表面に無電解めっき法により金属被膜を形成
し、ついで金属被膜の上面にレジスト膜を形成し、しか
る後露光、現儂、エツチング、レジスト膜の剥離を行な
い金属被膜の必要な部分のみを残して導体配線を形成す
るようＫしたところ、上記の欠点の生じないセラミック
配線板が得られることを見出した。
本発明はセラミックスをＮＨａＦ、　（ＮＨ４）ｚｓＯ
ａ　。
Ｈ２Ｓ　Ｏ４及びＨｚＯを含む混合溶液中に浸漬し水洗
後。
ＮａＯＨ融液中に浸漬してセラミックスの表面を粗化し
、中和、水洗後粗化したセラミックスの表面に無電解め
っき法によシ金属被膜を形成し、ついで金属被膜の上面
にレジスト膜を形成し、しかる後露光、現像、エツチン
グ、レジスト膜の剥離を行ない金属被膜の必要な部分の
みを残して導体配線を形成するセラミックス配線板の製
造法に関する。
本発明における混合溶液は、粗化するセラミックスの成
分によシ異なるが、大略ＮＨａＦを３０〜６０重量％、
　（ＮＨａ）ｚｓ０４を１〜１０重量％、ＨｚＳＯａを
５〜２０重量％及びＨｚ　Ｏを１０〜６４重量％の割合
に配合した混合溶液を用いることが好ましく。
さらに必要に応じＨＰ、　ＨＢＦ４　、　ＨＣ１！、　
ＮａＣｌ等を添加してもよい。
゛　また上記の混合溶液中へのセラミックスの浸漬時間
は、液温が３０〜９０℃の溶液中に１分以上浸漬するこ
とが好ましい。
ＮａＯＨ融液はＮａＯＨの融点以上の温度で加熱するこ
とによシ得られる。なお加熱温度の上限については特に
制限はないが、費用及び作業性の点で６００℃であるこ
とが好ましい。
ＮａＯＨ融液中へのセラミックスの浸漬時間は。
上記の温度に加熱した融液中に３０秒以上とすることが
好ましい。
なおＮａＯＨ融液中への浸漬は必要に応じ２回以上行な
ってもよい。
ＮａＯＨｇ液の中和液としては、　ＨｚＳＯａ　、　Ｈ
ｘＰＯａ。
ＨＣ１！等が用いられる。
（作用） セラミックスは、第一段階でＮＨ４Ｆ、　（ＮＨ４）雪
Ｓ０４゜Ｈ！　Ｓ　Ｏ４及びＨｚＯを含む混合溶液から
発生するフッ化水素酸により徐々にセラミックス表面の
７ラツクスと主構成物質粒子のごく一部が化学的にエツ
チングされ、粗化されたセラミックス表面が形成される
。さらに水洗した後第二段階でＮａＯＨ融液に工りセラ
ミックス表面の主構成物質粒子の微細なエツチングが行
なわれ、均一に粗化されたセラミックス表面が形成され
る。
（実施例） 以下実施例により本発明を説明する。
実施例１ アルミナセラミック基板（曲立化成工業製、商品名ハロ
ツクス５５２９寸法８０Ｘ８０Ｘ厚さ０、８　ｒａｎ　
）を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ。
２０１）で洗浄し、乾燥後ＮＨａＦ１０　ｇ　（４０，
５重量％）、　（ＮＨ４）鵞８０４１　ｇ　（４，１重
量％＞、ｍＨｘ８０ａ　２　ｍｌ　（１４，９重量％）
及びＨｓＯ１０ｍｌ（４０，５重量％）の混合溶液（液
温７０℃）中に１０分間浸漬して粗化を行なった。つい
で流水中で十分に水洗し、乾燥後３５，０℃に加熱した
ＮａＧ（融液中に１分間浸漬して再粗化を行なった。そ
の後濃度１０％のＨ！Ｓ　Ｏａ浴液中に５分間浸漬し、
超音波（出力３００Ｗ）Ｋよる振動エネルギーを付与し
、セラミックス表面を中和し、ついで水洗を行ない無電
解鋼めっきを３時間行ない厚さ７μｍの銅の被膜を形成
し念。なお無電解めっき液はｐＨ１，２４で第１表に示
す組成のものを用いた。
以下余白 第１表 めっき後感光性レジストフィルム（日立化成工業製、商
品名ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４０’）を前記鋼の被膜上全
面に貼付し、さらＫその上面に、得られる導体配線と同
形状に透明な部分を形成したネガフィルムを貼付し、露
光してネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光
性レジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィルム
を取り除き。
さらに現像して硬化していない部分、詳しくは露光して
いない部分の感光性レジストフィルムを除去し、濃度２
５チの過硫酸アンモニウムの溶液でエツチングして導体
配線として不必要な部分の銅の被膜を除去した。その後
濃度５％のＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジスト
フィルムを剥離し。
導体配線を形成したセラミック配線板を得た。
次に上記で得たセラミック配線板３０ケを使用し、密着
（接着）強度を測定した。その結果λ５〜４．０　ｋｇ
／　ｍｍ’の密着強度を示し良好であった。また外観を
観察したが銅の被膜にふくれは見られなかった。
比較例１ 実施例１と同じアルミナセラミック基板を実施例１と同
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後４０℃で濃度１０％のＨＦ溶
液に２０分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
％のＮａＯＨ１１Ｇ液中に５分間浸漬して中和した。そ
の後水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解鋼めっ
きを行ない、導体配線を形成後密着強度を測定した。そ
の結果密着強度は０．５　ｋｇ／　ｍｍ”以下で測定で
きないものが数個あった。また外観を観察したところ鋼
の被膜全面にふくれが発生していた。
比較例２ 実施例１と同じアルミナセラミック基板を実施例１と同
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後５００℃に加熱したＮａＯＨ
融液に５分間浸漬して粗化を行なつた。ついで濃度１０
％のＨｚＳＯｆｊ液中に５分間浸漬して中和した。その
後水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解鋼めっき
を行ない、導体配線を形成後密着強度を測定した。その
結果密着強度は最大が３．５　ｋｇ　／　ｍｍ”で最小
が０とばらつきが多かった。また外観を観察したところ
銅の被膜の所々にふくれが発生していた。
（発明の効果） 本発明によれば金属被膜（導体配線）とセラミックスと
の密着力が良好で、また金属被膜にふくれが発生しない
セラミック配線板を得ることができる。
＼こノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、セラミックスをＮＨ＿４Ｆ、（ＮＨ＿４）＿２ＳＯ
    ＿４、Ｈ＿２ＳＯ＿４、及びＨ＿２Ｏを含む混合溶液中
    に浸漬し水洗後、ＮａＯＨ融液中に浸漬してセラミック
    スの表面を粗化し、中和、水洗後粗化したセラミックス
    の表面に無電解めつき法により金属被膜を形成し、つい
    で金属被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後露光
    、現像、エッチング、レジスト膜の剥離を行ない金属被
    膜の必要な部分のみを残して導体配線を形成することを
    特徴とするセラミック配線板の製造法。
JP61108159A 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法 Granted JPS62265191A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108159A JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法
US07/250,158 US4867843A (en) 1986-05-12 1988-09-28 Surface roughening of ceramics and application to production of ceramic wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108159A JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62265191A true JPS62265191A (ja) 1987-11-18
JPH032833B2 JPH032833B2 (ja) 1991-01-17

Family

ID=14477454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61108159A Granted JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4867843A (ja)
JP (1) JPS62265191A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5058799A (en) * 1986-07-24 1991-10-22 Zsamboky Kalman F Metallized ceramic substrate and method therefor
BR9304546A (pt) * 1993-11-19 1995-08-01 Brasilia Telecom Processo para deposição química seguida da deposição eletrolítica de metais sobre alumina
US5922135A (en) * 1998-09-04 1999-07-13 Seh America, Inc. Method of removing residual wax from silicon wafer polishing plate
KR102004787B1 (ko) * 2014-04-02 2019-07-29 삼성전기주식회사 적층형 전자부품 및 그 제조방법
CN112584627B (zh) * 2020-12-24 2023-01-06 四会富仕电子科技股份有限公司 一种用石墨烯对陶瓷表面粗化的方法及覆铜板的制作方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647477A (en) * 1984-12-07 1987-03-03 Kollmorgen Technologies Corporation Surface preparation of ceramic substrates for metallization
US4683168A (en) * 1985-01-10 1987-07-28 Corning Glass Works Method of producing a composite body
DE3523961A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-15 Licentia Gmbh Vorrichtung zum behandeln mindestens eines keramikgegenstandes in einer alkalihydroxidschmelze

Also Published As

Publication number Publication date
JPH032833B2 (ja) 1991-01-17
US4867843A (en) 1989-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3117386B2 (ja) 基板を選択的に金属被覆する方法
US3841905A (en) Method of preparing printed circuit boards with terminal tabs
JPS641954B2 (ja)
US4957653A (en) Composition containing alkane sulfonic acid and ferric nitrate for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces, and method for stripping tin or tin-lead alloy
US3240684A (en) Method of etching rhodium plated metal layers and of making rhodium plated printed circuit boards
JPS62265191A (ja) セラミツク配線板の製造法
JP2003078234A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JPH10168577A (ja) 成形回路部品などのめっき部品の製法
JPS5952557B2 (ja) 印刷配線板の製造法
JPS62223083A (ja) セラミツクスの表面粗化法
JPH0350172A (ja) セラミック配線板の製造法
JPS62190793A (ja) セラミツク配線板の製造法
JPH0338092A (ja) セラミツク回路基板の製造法
JPS58209122A (ja) 金属または半導体表面に微細に構成した金属パタ−ンを製造する方法
KR890001415B1 (ko) 페놀수지의 양면인쇄 회로 기판과 이의 제조방법
JPH02130891A (ja) セラミツク回路基板の製造法
JPH03161956A (ja) 半導体素子搭載用配線板及びその製造法
JPS62187189A (ja) セラミツクスの表面粗化法
JP2723090B2 (ja) 印刷配線板の製造方法
JPS59995B2 (ja) 印刷配線板の製造方法
JPS6060994A (ja) セラミツクの部分メツキ法
KR100250151B1 (ko) 반도체 리드프레임의 제조방법
JPS62230990A (ja) 印刷配線板の製造法
JPS5950239B2 (ja) プリント配線板の製造方法
JPH02292893A (ja) プリント基板の製造方法