JPH0350172A - セラミック配線板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック配線板の製造法に関する。

（従来の技術） 従来セラミックスの表面に導体配線を形成したセラミッ
ク配線板を製造する場合．セラミツクスをｍへＨＢ　Ｆ
４等の溶液に浸漬してセラミックスの表面を粗化するか
又はＮａＯＨ，ＫＯＨ等の溶融アルカリに浸漬してセラ
ミックスの表面を粗化した後無電解めっき、さらに必要
に応じて行なう電解めっきでセラミックス上に直接金属
被膜を析出させ。

エツチングなどの方法で導体配線を形成してセラミック
配線板を製造していた。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、前者の方法で粗化すると金属被膜とセラ
ミックスとの密着力が弱く金属被膜にふくれが発生する
という欠点が生じ、後者の方法では厚さが０．３ｍ以下
のセラミックスを用いるとセラミックスに割れが発生し
複雑な形状セラミック△ ス基板には適用出来々いという欠点が生じ、また金属被
膜とセラミックスとの密着力にばらつき（良好な密着力
を有するものと、密着力が弱いものとが存在）が多く便
用に耐えないという欠点がある。

本発明は上記した欠点のないセラミック配線板の製造法
を提供することを目的とするものである。

（ｌ１題を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、上
記のような粗化法ではセラミックス表面の７ラツクス（
ガラス質）と主構成物質粒子（アルミナセラミックスで
あればアルミナの粒子）のごく一部を粗化するだけで主
構成物質粒子の粗化が不十分であるため上記の欠点が生
じるということをつきとめ．セラミツクスをＮＨ４Ｆ、
　（ＮＨ４）！８０４゜Ｈｚ８０＜及びＨ，Ｏを含む混
合溶液中に浸漬し、ついで十分に水洗した後ＮａＯＨと
ＫＯＨとの混合融液中に浸漬してセラミックスの表面を
均一に粗化し。

中和、水洗後粗化したセラミックスの表面に無電解めっ
き法により金属被膜を形成し、ついで金属被膜の上面に
レジスト膜を形成し、しかる後露光。

現偉、エツチング、レジスト膜の剥離を行ない金属被膜
の必要な部分のみを残して導体配線を形成するようにし
たところ、上記の欠点の生じないセラミック配線板が得
られることを見出した。

本発明はセラミックスをＮＨ４Ｆ、　　（ＮＨ４）２８
０４　。

Ｈｓ　Ｓ　０４及びｈＯを含む混合溶液中に浸漬し水洗
後。

ＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液中に浸漬してセラミック
スの表面を粗化し、中和、水洗後粗化したセラミックス
の表面に無電解めっき法により金属被膜を形成し、つい
で金属被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後露光
、現像、エツチング、レジスト膜の剥離を行なり金属被
膜の必要な部分のみを残して導体配線を形成するセラミ
ックス配線板の製造法に関する。

本発Ｆ！Ａにおける混合溶液は、粗化するセラミックス
の成分によシ異な壱が、大略ＮＨ４Ｆを３０〜６０重量
％、（ＮＨ４）！ＳＯ４を１〜１０重量係、Ｈｘ８０ｇ
を５〜２０重量係及びＨ！０を１０〜６４重量％の割合
に配合した混合溶液を用いることが好ましく。

さらに必１！に応じＨＦ、　ＨＢＦ４　、　ＨＣｌ　、
　ＮａＣ１！等を添加してもよい。

ま九上記の混合溶液中へのセラミックスの浸漬時間は、
液温が３０〜９０℃の溶液中に１分以上浸漬することが
好ましい。

ＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液はＮａＯＨとＫＯＨとの
混合融点以上の温度で加熱することによシ得られる。な
お加熱温度の上限については特に制限はないが、費用及
び作業性の点で６００℃であることが好ましい。

ＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液中へのセラミックスの浸
漬時間は、上記の温度に加熱した融液中に３０秒以上浸
漬することが好ましい。

なおＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液中への浸漬は必要に
応じ２回以上行なってもよい。

Ｎ　ａＯＨとＫＯＨとの混合融液の中和液としては。

ＨｚＳＯａ、　ｋｂｌつａ、Ｈｃｌ等が用いられる。

（作用） 水素酸によシ徐々にセラミックス表面の７ラツクスと主
構成物質粒子のごく一部が化学的にエツチングされ、粗
化されたセラミックス表面が形成される。さらに水洗し
た後第二段階でＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液によりセ
ラミックス表面の主構成物質粒子の微細なエツチングが
行なわれ、均一に粗化されたセラミックス表面が形成さ
れる。

（実施例） 以下実施例により本発明を説明する。

実施例１ 直径が０．６■（φ）のスルーホールを１０ケ形成した
アルミナセラミック基板（日立化成工業展、商品名ハロ
ツクス５５２９寸法８０Ｘ８０Ｘ厚さ０．８閣）を脱脂
液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）で洗浄し
、乾燥後ＮＨ４Ｆ　１０　ｓ　（４０，５重量Ｔｏ　）
　−（ＮＨ４）１８０４　１　Ｇ　（４１重量９６）、
ａＨ！８０４　２　ｍｌ　（１４９重量饅）及びＨｚＯ
Ｉｏｎ／（４α５重量％）の混合溶液（液温７０℃）中
に１０分間浸漬して粗化を行なった。ついで流水中で十
分く水洗し、乾燥後２５０℃に加熱したＮａＯＨとＫＯ
Ｈとの混合融液（モル比でＮａＯＨ：　ＫＯＨ＝５：５
）中に３分間浸漬して再粗化を行なった。その後濃度１
０重１俤のＨ１８０４溶液中ＫＳ分間浸漬し、超音波（
出力３００Ｗ）Ｋよる振動エネルギーを付与し．セラミ
ツクス表面を中和し、ついで水洗を行ない無電解鋼めっ
きを３時間行ない厚さ７μｍの銅の被膜を形成した。な
お無電解めっき液はｐＨ１２，４で第１表に示す組成の
ものを用１βた。

第 表 めっき後感光性１／シストフイルム（日立化成工業製、
商品名ＰＨＴ−８６２ＡＰ−４０）を前記鋼の被膜上全
面と貼付し、さらＫその上面妬。得られる導体配線と同
形状ＩＣ透明な部分を形成したネガフィルムを貼付り、
　露光；〜でネガフィルムの透明な部分の下面に配設し
た感光性レジストフィルムを硬化させたゆついでネガフ
ィルムを取り除き。

さらに３Ｊ、像１−て硬化していない部分、詳しくは露
光１−ていない部分の感光性レジストフィルムを除去し
、濃度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液でエツチ
ングして導体配線として不必要力、部分の銅の被膜全除
去１−７ｋ。その後濃度５重や幅のＮａ０ＨＷ液で硬化
している感光性レジストフィルムを剥離１〜２導体配線
を形成１−戸゛＋ラミック配線板を得た。

次に上記て得カーセラミック配線板２０ケを使用し。密
着（接着）強度を測定１．た。その結果ｚ４へ−ａ５ｋ
ｇ／■グの密着強度を示１〜良好であった。また外観を
観察１−たが銅の被膜にふくれは見られなかった。

比較例１ 寅施例プと同じアルミナセラミック基板を実施例１と同
じ脱脂液で洗浄１−９乾燥後４０℃で濃度１０重量−の
ＩＩＦ溶液ＦＣ２０分間浸漬して粗化を行Ａ−りた。つ
いで濃度１０重量％のＮａＯＨ溶液中［５分間浸漬して
中和し戸こ。その債水洗し、以下実施例１と同様の方法
で無電解銅めっきを行ない７導体配線を形成後密着強度
を測定し′ｆｃ、ｏその結果密着強度は０．５にσ／ｉ
以下で測定できな１八ものが数＠あり声二。また外観を
観察したところ銅の被膜全面にふくれが発生して込＊。

比較例２ 実施何重と同じア月・ミナセラミック基板を実施例ｊと
同じ脱脂液で洗浄１７．乾燥後３５０℃に加熱ｊ〜たＮ
ａＯＨ融液１／？：５分間浸漬して粗化を行なった。り
いで濃度１０ｆｉ量チの迅８０４溶液中Ｖ：、５分間浸
漬して中和Ｌ′ｆｃ、その後水洗し、超音波（出力３０
０Ｗ）Ｋ：よる振動エネルギーを付与した後外観を観察
しカーととるアルミナセラミック基板（Ｃ割れが発生し
てい７’ｌ：ｃ、ｅのため密着強度の測定は行なわなか
つｆＦ、、。

（発明の効果） 本発明によれば金属被膜（導体配線）とセラミックスと
の＠着力が良好で、ｔたセラミックスに割れが発生しな
い・セラミック配線板を得ることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．セラミツクスをＮＨ＿４Ｆ，（ＮＨ＿４）＿２ＳＯ
   ＿４，Ｈ＿２ＳＯ＿４，及びＨ＿２Ｏを含む混合溶液中
   に浸漬し水洗後，ＮａＯＨとＫＯＨとの混合融液中に浸
   漬してセラミツクスの表面を粗化し，中和，水洗後粗化
   したセラミツクスの表面に無電解めつき法により金属被
   膜を形成し，ついで金属被膜の上面にレジスト膜を形成
   し，しかる後露光，現像，エツチング，レジスト膜の剥
   離を行ない金属被膜の必要な部分のみを残して導体配線
   を形成することを特徴とするセラミツク配線板の製造法
   。