JPH0338092A - セラミツク回路基板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック回路基板の製造法に関する。

（従来の技術） 従来セラミックスの表面に導体回路を形成し。

さらにその上面に低融点ガラス、フェノール樹脂。

ポリイミド樹脂等を焼き付けて絶縁被膜を形成したセラ
ミック回路基板を製造する場合、セラミックスをＨＰ、
　ＨＢＦ４　　等の溶液に浸漬してセラミックスの表面
を粗化するか又はＮａＯＨ，ＫＯＨ等の溶融アルカリに
浸漬してセラミックスの表面を粗化した後、：無電解め
っき法、さらに必要に応じて行う電解めっき法で粗化し
たセラミックス表面に直接金属被膜を析出させ、その上
面にレジスト膜を形成し、露光、現像後塩化第２銅溶液
又は塩化第２鉄溶液を用いてエツチングを行って導体回
路を形成し、さらにその上面に低融点ガラス、フェノー
ル樹脂、ポリイミド樹脂等を塗布し、それを焼き付けて
絶縁被膜を形成してセラミック回路基板を製造していた
。

（発明が解決しようとする課題） 上記の方法によれば金属被膜とセラミックスとはごく一
部良好な密着力を有するものもあるが。

一般的には金属被膜とセラミックスとの密着力が弱く、
またばらつきが多く、導体回路が剥離したう腐食すると
いう欠点がある。

本発明は上記の欠点のないセラミック回路基板の製造法
を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、エ
ツチング液としてｐＨ２，２〜２．．５に調整した塩化
第２銅溶液を用い、さらに絶縁被膜を形成する前にアン
モニア水への浸漬及び純水煮沸洗浄すれば、金属被膜と
セラミックスとの密着力に優れ、またばらつきが少なく
、導体回路の剥離。

腐食などが生じないセラミック回路基板が得られること
を見出した。

本発明はセラミックスの表面を粗化した後無電解めっき
法によう金属被膜を形成し、ついで金属被膜の上面にレ
ジスト膜を形成し、しかる後露光。

現像、ｐＨが２２０〜２５０の塩化第２銅溶液によるエ
ツチング、さらにレジスト膜の剥離を行い金属被膜の必
要な部分のみを残して導体回路を形成後アンモニア水へ
の浸漬及び純水煮沸洗浄し。

ついで導体回路の上面に絶縁被膜を形成するセラミック
回路基板の製造法に関する。

本発明においてアンモニア水への浸漬時間は。

液温か２０〜４０℃のアンモニア水中に１分以上浸漬す
ることが好會しく、また純水煮沸洗浄時間は５分以上行
うことが好筐しい。

塩化第２銅溶液のｐＨは２２〜２５の範囲であることが
必要とされ、この範囲外であると金属被膜とセラミック
スとの密着力が弱く、導体回路の剥離が生じるという欠
点が生じる。

本発明において必要に応じ、導体回路の上面に電気（電
解）めっき法でニッケル及び金の被膜が形成される。

（実施例） 以下本発明の詳細な説明する。

実施例１．比較例１ 寸法が５ｏｘｓｏ−で厚さが０．８　ｍのアルミナセラ
ミック基板（日立化成工業製、商品名）・ロツクス５５
２）を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ２０１）
で洗浄し、乾燥後ＮＨ４Ｆ　１０９（４０，５重量９ｋ
　）　、　　（ＮＨ４）！８０４１　ｇ　（４，１重量
嘩）、濃ＨｓＳＯ４２ｍｌ　（１４，９重量％）及びＨ
ｚｏｌｏｍｊ（４０，５重量優）の混合溶液（液温４０
℃）中に２０分間浸漬して粗化を行った。ついで流水中
で充分に水洗し、乾燥後３５０℃に加熱したＮａ　ＯＨ
融液中に５分間浸漬して再粗化を行った。

その後濃度１０重量嘩のＨ雪８０ａ溶液中に５分間浸漬
し、超音波（出力３０　ＧＷ）による振動エネルギーを
付与し、セラミックス表面を中和し、ついで水洗を行い
、さらに無電解鋼めっきを３時間行い、厚さ７μｍの銅
の被膜を形成した。なおめっき液は１２４で第１表に示
す組成のものを用いた。

めっき後感光性レジストフィルム（日立化成工業製、商
品名ＰＨＴ−８６２　　ＡＰ−４０）を前記鋼の被膜上
の全面に貼付し、さらにその上面に得られる導体回路と
同形状に透明な部分を形成したネガフィルムを貼ぜし、
露光してネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感
光性レジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィル
ムを取り除き、さらに現像して硬化していない部分、詳
しくは露光していない部分の感光性レジストフィルムを
除去し、ｐＨをそれぞれ０．５．１．０．１．８．２．
２゜２５及び２８に調整した塩化第２銅エツチング溶液
でエツチングを行い導体回路として不必要な部分の銅の
被膜を除去した。その後濃度５重量嘩のＮａＯＨ溶液で
硬化している感光性レジストフィルムを剥離し、液温が
２５℃で濃度が２５重量多のアンモニア水中に５分間浸
漬し、さらに純水煮沸中で１０分間洗浄して導体回路を
形成した。

次に従来公知の方法で電気ニッケルめっき（ワット浴）
を１０分間行い、厚さ２μｍのニッケルの被膜を形成し
、その後従来公知の方法で電気金めつき（日本高純度化
学製、商品名テンペレジスト７Ｔ、Ａｕ　：Ｂ、Ｏｇ／
ｌ）を行い、厚さ１．０μｍの金の被膜を形成した。

めっき後、導体回路上に形成したニッケル及び金の被膜
を覆うように低融点ガラス（日本電気硝子製、商品名Ｐ
ＬＳ−３１３２）を塗布し、乾燥後、４００℃で１０分
間焼成して絶縁被膜を形成したセラミック回路基板を得
た。

次に上記で得た回路基板を各々５ケ使用し密着強度を測
定した。その結果を第１図に示す。その結果、第１図か
ら明らかなようにｐＨが２．、Ｏ〜２．５の範囲の塩化
第２銅溶液を用いてエツチングしたセラミック回路基板
は、密着強度に優れ、ばらつきが少ないことがわかる。

また外観を観察したところ導体回路の剥離は見られなか
った。これに対しｐＨが２０未満の塩化第２銅溶液を用
いてエツチングしたセラミック回路基板は、密着強度が
弱く、シかもばらつきが多いことがわかる。−方ｐＨが
２５を越える塩化第２銅溶液を用いてエツチングしたセ
ラミック回路基板は、密着強度に優れ、ばらつきも少な
かったが、エツチング効果が少なく導体回路間に接触部
分が生じ９通電時にショートするという欠点が生じる。

比較例２ アンモニア水への浸漬及び純水煮沸中での洗浄処理を除
いた以外は実施例１．比較例１と同様の工程を経てセラ
ミック回路基板を得た。

次に上記で得た回路基板を温度が８５℃で、湿度が８５
％の条件の高温高湿試験器に１０００時間入れ次後外観
を観察したところ、全てのセラミック回路基板に腐食が
確認された。

（発明の効果） 本発明の製造法によって得られるセラミック回路基板は
、金属被膜との密着強度に優れ、ｔたばらつきが少なく
、導体回路の剥離、腐食などが生じ逢いため工業的に極
めて好適なセラミック回路基板である。

【図面の簡単な説明】

第１図は塩化第２銅溶液のｐＨと密着強度との関係を示
すグラフである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　セラミツクスの表面を粗化した後無電解めつき法に
   より金属被膜を形成し，ついで金属被膜の上面にレジス
   ト膜を形成し，しかる後露光，現像，ｐＨが２．２〜２
   ．５の塩化第２銅溶液によるエツチング，さらにレジス
   ト膜の剥離を行い金属被膜の必要な部分のみを残して導
   体回路を形成後アンモニア水への浸漬及び純水煮沸洗浄
   し，ついで導体回路の上面に絶縁被膜を形成することを
   特徴とするセラミツク回路基板の製造法。