JPH03201591A - セラミック回路基板及びその製造法 - Google Patents
セラミック回路基板及びその製造法Info
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- JPH03201591A JPH03201591A JP34271489A JP34271489A JPH03201591A JP H03201591 A JPH03201591 A JP H03201591A JP 34271489 A JP34271489 A JP 34271489A JP 34271489 A JP34271489 A JP 34271489A JP H03201591 A JPH03201591 A JP H03201591A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高密着強度を有し、高周波特性に優れるセラ
ミック回路基板及びその製造法に関する。
ミック回路基板及びその製造法に関する。
（従来の技術）
従来のセラミック回路基板は、＃ｔ＊（ε）及び誘電損
失（ｔａｎａ）の比較的小さなアルミナなどのセラミッ
ク基板の表面に無電解めっき法でＣｕの導体を形成する
か又は蒸着法、スパッタ法等でセラミック基板の表面に
Ｃｒ、 Ｔｉ等の薄い金属被膜を形成後、その上面に
上記と同様の蒸着法、スパッタ法等でＣｕの導体を形成
し、この後エツチングなどの方法で導体配線を形成して
製造していた。
失（ｔａｎａ）の比較的小さなアルミナなどのセラミッ
ク基板の表面に無電解めっき法でＣｕの導体を形成する
か又は蒸着法、スパッタ法等でセラミック基板の表面に
Ｃｒ、 Ｔｉ等の薄い金属被膜を形成後、その上面に
上記と同様の蒸着法、スパッタ法等でＣｕの導体を形成
し、この後エツチングなどの方法で導体配線を形成して
製造していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら前者の方法では、導体配線にふくれが発生
し易い、セラミック基板と導体配線との密着強度が弱い
という欠点が生じ、筐た後者の方法では、エツチング効
果が不充分である。製造コストが高価と女る。セラミッ
ク基板と導体配線との密着強度が弱い、高周波伝送損失
が１８ＧＨｚで０、１０ ｄＢ／ｃｍ以上になる等の欠
点が生じる。
し易い、セラミック基板と導体配線との密着強度が弱い
という欠点が生じ、筐た後者の方法では、エツチング効
果が不充分である。製造コストが高価と女る。セラミッ
ク基板と導体配線との密着強度が弱い、高周波伝送損失
が１８ＧＨｚで０、１０ ｄＢ／ｃｍ以上になる等の欠
点が生じる。
上記に示す他にセラミック基板の表面をＨＦ。
ＨＢＦ４等の溶液で粗化した後無電解めっき法でＣｕの
導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導体配線
を形成してセラミック回路基板を製造する方法があるが
、この方法にかいてもセラミック基板と導体配線との密
着強度が弱く、シかもそのばらつきが大きいため高信頼
性が要求される電子部品には使用できないという問題が
ある。
導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導体配線
を形成してセラミック回路基板を製造する方法があるが
、この方法にかいてもセラミック基板と導体配線との密
着強度が弱く、シかもそのばらつきが大きいため高信頼
性が要求される電子部品には使用できないという問題が
ある。
本発明は上記のよう々欠点のＺ−セラミック回路基板及
びその製造法を提供することを目的とするものである。
びその製造法を提供することを目的とするものである。
ｔａ題を解決するための手段）
本発明は粗化されたセラミック基板の表面にＮ１−Ｂの
被膜が形成され、さらにこの上面にＣｕの被膜が形成さ
れ、かつＮｉ−Ｈの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分の
みを残して導体配線が形成されたセラミック回路基板並
びに粗化されたセラミック基板の表面に無電解めっき法
でＮｉ −Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面に無電解
めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕの被膜を形成し
、ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しか
る後露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、
Ｎｉ−Ｈの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残し
て導体配線を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜
２１体！Ｒ貸中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度
で熱処理するセラミック回路基板の製造法に関する。
被膜が形成され、さらにこの上面にＣｕの被膜が形成さ
れ、かつＮｉ−Ｈの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分の
みを残して導体配線が形成されたセラミック回路基板並
びに粗化されたセラミック基板の表面に無電解めっき法
でＮｉ −Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面に無電解
めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕの被膜を形成し
、ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しか
る後露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、
Ｎｉ−Ｈの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残し
て導体配線を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜
２１体！Ｒ貸中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度
で熱処理するセラミック回路基板の製造法に関する。
本発明においてセラミック基板の材質としてはアルミナ
、ＰＺＴｆ鉛、ジルコニア及びチタンを主成分としたも
の）、ムライト、チッ化アルミニウム等が用いられる。
、ＰＺＴｆ鉛、ジルコニア及びチタンを主成分としたも
の）、ムライト、チッ化アルミニウム等が用いられる。
セラミック基板の表面を粗化する方法については特に制
限はないが、セラミック基板を融点以上の温度に加熱し
たアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗化すれば作業
性に優れ、またばらつきが少なく、均一に粗化すること
ができるので好ましい。
限はないが、セラミック基板を融点以上の温度に加熱し
たアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗化すれば作業
性に優れ、またばらつきが少なく、均一に粗化すること
ができるので好ましい。
Ｎ１−Ｂの被膜は、無電解めっき法で形成するものとし
・電気めっき法ではリード端子を必要とするため工程が
煩雑となシ、筐ためつきの厚さにばらつきが生じ、他の
蒸着法、スパッタ法では特殊々装置を必要とするため高
価になるという欠点が生じる。
・電気めっき法ではリード端子を必要とするため工程が
煩雑となシ、筐ためつきの厚さにばらつきが生じ、他の
蒸着法、スパッタ法では特殊々装置を必要とするため高
価になるという欠点が生じる。
Ｎｉ−Ｈの被膜の厚さについては特に制限はな−が、０
．０５〜０．８μｍの厚さであれば高周波帯域で使用す
る場合、高周波伝導送損失が少なくなるので好ましい。
．０５〜０．８μｍの厚さであれば高周波帯域で使用す
る場合、高周波伝導送損失が少なくなるので好ましい。
Ｃｕの被膜は、無電解めっき法又ｉ；ｉｔ気めっき法若
しくは無電解めっき法と電気めっき法とを組合せて形成
することができる。なお蒸着法、スパッタ法では特殊な
装置を必要とするため高価となり不適である。
しくは無電解めっき法と電気めっき法とを組合せて形成
することができる。なお蒸着法、スパッタ法では特殊な
装置を必要とするため高価となり不適である。
Ｃｕの被膜の厚さについても特に制限はなく１作業性の
面から５〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
面から５〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
レジスト膜は、熱硬化性のレジストをＣｕの被膜の上面
にスクリーン印刷し、加熱、硬化して形成してもよく、
感光性レジストフィルムを金属被膜上に貼付して形成し
てもよく特に制限はない。
にスクリーン印刷し、加熱、硬化して形成してもよく、
感光性レジストフィルムを金属被膜上に貼付して形成し
てもよく特に制限はない。
熱処理を行うときの雰囲気は、酸素含有量が０．０００
５〜２１体積修中の雰囲気中で行うことが必要とされ、
０．０００５体積ダ未満であると導体配線との密着強度
が低下し、２１体積多を越えると導体配線が酸化して回
路基板として使用できないという欠点が生じる。また熱
処理温度は。
５〜２１体積修中の雰囲気中で行うことが必要とされ、
０．０００５体積ダ未満であると導体配線との密着強度
が低下し、２１体積多を越えると導体配線が酸化して回
路基板として使用できないという欠点が生じる。また熱
処理温度は。
２００〜１１００℃の範囲とされ、この温度範囲以外の
温度で熱処理するとセラミック基板と導体配線との密着
強度が低下する。なお熱処理時間は。
温度で熱処理するとセラミック基板と導体配線との密着
強度が低下する。なお熱処理時間は。
熱処理温度によう適宜選定されるが５〜６０分で／Ｊマ
行うことば好ましい。
（実施例）
以下本発明の詳細な説明する。
実施例１
寸法が９４Ｘ１１４ｍｍで厚さが０．８ｍｍのアルミナ
セラミック基板（京セラ製、商品名Ａ−４９３）を脱脂
液（日立化或工業製、商品名ＨＣ凡−２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱した混合溶融塩３モル比でＮａ
ＯＨ： ＫＯＨ＝ ９ ： １ ）中に５分間浸漬して
アルミナセラミック基板の表面を均一に粗化した。
セラミック基板（京セラ製、商品名Ａ−４９３）を脱脂
液（日立化或工業製、商品名ＨＣ凡−２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱した混合溶融塩３モル比でＮａ
ＯＨ： ＫＯＨ＝ ９ ： １ ）中に５分間浸漬して
アルミナセラミック基板の表面を均一に粗化した。
この後濃度１０重量肇のＨｚＳＯ４溶液中に５分間浸漬
し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エネルギーを付
与し、ついでアルミナセラミック基板の表面を中和し、
水洗後熱電解Ｎ１−Ｂめつき（ワールドメタル製、商品
名二ボロン、ＭＮＰ−Ｎ２）を２０分間行い、第１図に
示すようにアルミナセラミック基板１の表面に厚さ０．
５μｍのＮ１−Ｂの被膜２を形成した。
し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エネルギーを付
与し、ついでアルミナセラミック基板の表面を中和し、
水洗後熱電解Ｎ１−Ｂめつき（ワールドメタル製、商品
名二ボロン、ＭＮＰ−Ｎ２）を２０分間行い、第１図に
示すようにアルミナセラミック基板１の表面に厚さ０．
５μｍのＮ１−Ｂの被膜２を形成した。
次に電気Ｃｕめつき（荏原電産製、商品名ＰＣ−６３６
）を３０分間行い、Ｎ１−Ｂの被膜２の上面に厚さ１５
μｍ′のＣｕの被膜３を形成した。めっき後感光性レジ
ストフィルム（日立化成工業製。商品名ＰＨＴ−８６２
ＡＦ−４０）を前記Ｃｕの被膜３上に全面貼付し、さら
にその上面の片側の面には得られる導体回路と同形状に
透明な部分を形成したネガフィルムを貼付し、會た他の
面には全面透明なネガフィルムを貼付し、しかる後貢光
してネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光レ
ジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィルムを取
り除き。
）を３０分間行い、Ｎ１−Ｂの被膜２の上面に厚さ１５
μｍ′のＣｕの被膜３を形成した。めっき後感光性レジ
ストフィルム（日立化成工業製。商品名ＰＨＴ−８６２
ＡＦ−４０）を前記Ｃｕの被膜３上に全面貼付し、さら
にその上面の片側の面には得られる導体回路と同形状に
透明な部分を形成したネガフィルムを貼付し、會た他の
面には全面透明なネガフィルムを貼付し、しかる後貢光
してネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光レ
ジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィルムを取
り除き。
さらに硬化していない部分、詳しくは露光していない部
分の感光性レジストフィルムを現像して除去し。
分の感光性レジストフィルムを現像して除去し。
ＣｕＣ１１エツチング溶液を用い、スプレーエツチング
法でエツチングを行い導体配線として不必要な部分のＮ
１−Ｂの被膜２及びＣｕの被膜３を除去した。この後濃
度５重量嘩のＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジス
トフィルムを剥離し、純水で洗浄後、乾燥して寸法が２
×２ｍの導体配線４を形成した。
法でエツチングを行い導体配線として不必要な部分のＮ
１−Ｂの被膜２及びＣｕの被膜３を除去した。この後濃
度５重量嘩のＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジス
トフィルムを剥離し、純水で洗浄後、乾燥して寸法が２
×２ｍの導体配線４を形成した。
次に連続焼成炉で酸素濃度が０．５体積嘩の条件で５０
０℃、２０分間熱処理を行いセラミック回路基板を得た
。
０℃、２０分間熱処理を行いセラミック回路基板を得た
。
この後酸化防止のため上記で得たセラミック回路基板を
濃度ｌＯ重量優のＨｚＳＯ＜溶液で酸洗し。
濃度ｌＯ重量優のＨｚＳＯ＜溶液で酸洗し。
ついで濃度１０重量簀の（ＮＨ４）ｚ Ｓ ｔ Ｏ＠浴
溶液ソフトエツチング後、無電解−次Ａｕめつき（ＥＥ
ＪＡ製、商品名レクトロレスプレツプ、液温９０℃）を
５分間行い、導体配線４の表面に厚さ０．０８μｍのＡ
ｕの被膜を形成した。ついで濃度１０重量優のＨ＊ＳＯ
ａ溶液で酸洗した後、無電解二次Ａｕめつき（上村工業
製、ゴーベル用、液温６０℃）を１２分間行い、さらに
厚さ０．５μｍのＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。
溶液ソフトエツチング後、無電解−次Ａｕめつき（ＥＥ
ＪＡ製、商品名レクトロレスプレツプ、液温９０℃）を
５分間行い、導体配線４の表面に厚さ０．０８μｍのＡ
ｕの被膜を形成した。ついで濃度１０重量優のＨ＊ＳＯ
ａ溶液で酸洗した後、無電解二次Ａｕめつき（上村工業
製、ゴーベル用、液温６０℃）を１２分間行い、さらに
厚さ０．５μｍのＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。
次にＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板２
０ケを使用し、プル試験法によう密着強度を測定した。
０ケを使用し、プル試験法によう密着強度を測定した。
以下の実施例及び比較例においても同様の方法で密着強
度を測定した。その結果３．０〜３．８に９／関２の範
囲で、平均値が３．５１ｔｏ／ｍｍ”の密着強度を示し
良好であった。また外観を観察したが導体配線にふくれ
は見られなかった。
度を測定した。その結果３．０〜３．８に９／関２の範
囲で、平均値が３．５１ｔｏ／ｍｍ”の密着強度を示し
良好であった。また外観を観察したが導体配線にふくれ
は見られなかった。
さらにウィルトロン製のスイープジュネレータ６６４７
Ａとスカラネットワークアナライザ５６０Ａとを用いて
高周波伝送損失を測定したところ１８ＧＨ２で０゜０６
ｄＢ／ａｍであった。
Ａとスカラネットワークアナライザ５６０Ａとを用いて
高周波伝送損失を測定したところ１８ＧＨ２で０゜０６
ｄＢ／ａｍであった。
比較例１
混合溶融塩でアルミナセラミック基板の表面を粗化する
工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕ
の被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。
工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕ
の被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の外観を観察したとこ
ろ導体配線にふくれが発生し、取扱い中に導体配線が剥
離した。
ろ導体配線にふくれが発生し、取扱い中に導体配線が剥
離した。
なお密着強度及び高周波伝送損失は、導体配線にふくれ
が発生したため測定はしなかった。
が発生したため測定はしなかった。
比較例２
実施例１の表面を均一に粗化したアルミナセラミック基
板を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）
で洗浄した後、濃度ｌＯ重量嘩のＨＣＩ！溶液中に・浸
漬し、ついで活性化処理溶液（日立化成工業製、商品名
Ｈ８−２０１Ｂ）で活性化処理した後めっき密着促進処
理溶液（日立化成工業製、商品名ＡＤＰ−３０１３に浸
漬してめっき密着促進処理を行った。
板を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）
で洗浄した後、濃度ｌＯ重量嘩のＨＣＩ！溶液中に・浸
漬し、ついで活性化処理溶液（日立化成工業製、商品名
Ｈ８−２０１Ｂ）で活性化処理した後めっき密着促進処
理溶液（日立化成工業製、商品名ＡＤＰ−３０１３に浸
漬してめっき密着促進処理を行った。
次に無電解Ｃｕめつき（日立化成工業製。商品名Ｃｕ５
ｔ−１０００）を７時間行い、アルミナセラミック基板
の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成した。
ｔ−１０００）を７時間行い、アルミナセラミック基板
の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成した。
以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けし
た複合セラミック回路基板を得た。
た複合セラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ、０〜１．４ ｋｇ／１ｍ？の範囲で、平均値が
０．７ ｋｇ／ｗ’と弱く、ばらつきが大きかった。
ところ、０〜１．４ ｋｇ／１ｍ？の範囲で、平均値が
０．７ ｋｇ／ｗ’と弱く、ばらつきが大きかった。
また外観を観察したところ導体配線の所々に微小なふく
れが発生していた。なお高周波伝送損失は。
れが発生していた。なお高周波伝送損失は。
導伝配線に微小なふくれが発生したため測定はしなかっ
た。
た。
比較例３
熱処理をＮ２雰囲気中で行った以外は、実施例１と同様
の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回
路基板を得た。
の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回
路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ、０．１〜１．１ ｋｇ／ｍｎ”の範囲で平均値
が０．３ ｋｇ／ｒｒｒｒｒｈ”と弱く、取扱い中に導
体配線の一部が剥離した。なお高周波伝送損失は０．０
６ｄＢ１０であった。
ところ、０．１〜１．１ ｋｇ／ｍｎ”の範囲で平均値
が０．３ ｋｇ／ｒｒｒｒｒｈ”と弱く、取扱い中に導
体配線の一部が剥離した。なお高周波伝送損失は０．０
６ｄＢ１０であった。
比較例４
アルミナセラミック基板を５０℃に加熱した濃度３０重
量優のＨＦ溶液に１０分間浸漬して、ア五 ルミナセラミック基板の表面に均一に粗化した以外は実
施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合
セラミック回路基板を得た。
量優のＨＦ溶液に１０分間浸漬して、ア五 ルミナセラミック基板の表面に均一に粗化した以外は実
施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合
セラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ、０．３〜２．５ｋｇ／−の範囲で、平均値が１
．１ ｋｇ／ｌ！ｍ”と弱く、ばらつきが大きかった。
ところ、０．３〜２．５ｋｇ／−の範囲で、平均値が１
．１ ｋｇ／ｌ！ｍ”と弱く、ばらつきが大きかった。
また外観を観察したところ、導体配線に微小なふくれが
発生していた。なお高周波伝送損失は、導体配線に微小
なふくれが発生したため測定はしなかった。
発生していた。なお高周波伝送損失は、導体配線に微小
なふくれが発生したため測定はしなかった。
比較例５
熱処理工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経
てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。
てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ＊ ０．６〜１７ ｋｇ／ｍｍ”の範囲で、平
均値が１．４ｋｇ／ｍｍ”と弱く、ばらつきが大きかっ
た。
ところ＊ ０．６〜１７ ｋｇ／ｍｍ”の範囲で、平
均値が１．４ｋｇ／ｍｍ”と弱く、ばらつきが大きかっ
た。
筐た外観を観察したが導体配線にふくれは見られなかっ
た。これは熱処理を行わないためと考えられる。なお高
周波伝送損失は０．０７ ｄＢ／ａｎ であった。
た。これは熱処理を行わないためと考えられる。なお高
周波伝送損失は０．０７ ｄＢ／ａｎ であった。
比較例６
熱処理を１２００℃の温度で行った以外は、実施例１と
同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。
同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の外観を観察したとこ
ろ、ＮｉとＢとの分解により導体配線の酸化が著しく、
クラックが生じ配線板として使用できない状態であった
。
ろ、ＮｉとＢとの分解により導体配線の酸化が著しく、
クラックが生じ配線板として使用できない状態であった
。
々お密着強度及び高周波伝送損失は、導体配線の酸化が
著しく、クラックが生じたため測定はしなかった。
著しく、クラックが生じたため測定はしなかった。
比較例７
実施例１で行った無電解Ｎｉ −Ｂめつきに代えて無電
解Ｎ１−Ｐめつき（日本カニセン製、商品名Ｓ−６８０
）を行った以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの
被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。
解Ｎ１−Ｐめつき（日本カニセン製、商品名Ｓ−６８０
）を行った以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの
被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ２０〜３．５の範囲で、平均値が２−８に９／Ｉ
Ｉ！Ｉｎ２の密着強度を示し良好で、導体配線にふくれ
は見られなかったが、高周波伝送損失は０、１２ ｄＢ
／ｃｍと損失が大きかった。
ところ２０〜３．５の範囲で、平均値が２−８に９／Ｉ
Ｉ！Ｉｎ２の密着強度を示し良好で、導体配線にふくれ
は見られなかったが、高周波伝送損失は０、１２ ｄＢ
／ｃｍと損失が大きかった。
比較例８
Ｃｒを１ｏｏｏＸの厚さに、そしてその上面にＣｕを１
μｍの厚さに蒸着法で導体配線を形成した以外は、実施
例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セ
ラミック回路基板を得た。
μｍの厚さに蒸着法で導体配線を形成した以外は、実施
例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セ
ラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
が強度が弱くほとんどが測定不可能であった。また高周
波伝送損失も０．１１ ｄＢ／ｃ＋ｎ と損失が大き
かった。また外観を観察したところ導体配線にごくわず
かに微小なりラックが生じてｈｆＣ０実施例２ 実施例１で用いたアルミナセラミック基板に代えて鉛７
ジルコニア及びチタンを主成分としたＰＺＴセラミック
基板（日立化或工業製、非売品）を用いた以外は実施例
１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラ
ミック回路基板を得た。
が強度が弱くほとんどが測定不可能であった。また高周
波伝送損失も０．１１ ｄＢ／ｃ＋ｎ と損失が大き
かった。また外観を観察したところ導体配線にごくわず
かに微小なりラックが生じてｈｆＣ０実施例２ 実施例１で用いたアルミナセラミック基板に代えて鉛７
ジルコニア及びチタンを主成分としたＰＺＴセラミック
基板（日立化或工業製、非売品）を用いた以外は実施例
１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラ
ミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ、２７〜３．７ｋｇ／Ｉ！１Ｉｎ２の範囲で、平
均値が３．３ ｋｇ／ｍｍ”の密着強度を示し、高周波
伝送損失も０．１４ ｄＢ／ｃｍと良好であった。また
外観を観察したが導体配線にふくれは見られなかった。
ところ、２７〜３．７ｋｇ／Ｉ！１Ｉｎ２の範囲で、平
均値が３．３ ｋｇ／ｍｍ”の密着強度を示し、高周波
伝送損失も０．１４ ｄＢ／ｃｍと良好であった。また
外観を観察したが導体配線にふくれは見られなかった。
比較例９
実施例２のＰＺＴセラミック基板の表面を実施例１と同
様の方法で粗化した後、比較例２と同様に脱脂、ＨＣ７
での酸洗、活性化処理及びめっき密着促進処理を行った
。
様の方法で粗化した後、比較例２と同様に脱脂、ＨＣ７
での酸洗、活性化処理及びめっき密着促進処理を行った
。
この後無電解Ｃｕめつき（日立化成工業製、商品名Ｃｕ
ａｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴセラミック基板
の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成した。
ａｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴセラミック基板
の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成した。
以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けし
た複合セラミック回路基板を得た。
た複合セラミック回路基板を得た。
得られた複合セラミック回路基板の密着強度を測定した
ところ、Ｏ〜１．５ ｋｇ／ｍｍ２の範囲で、平均値が
０．８ｋｇ／Ｍ”と弱く、ばらつきが大きかった。
ところ、Ｏ〜１．５ ｋｇ／ｍｍ２の範囲で、平均値が
０．８ｋｇ／Ｍ”と弱く、ばらつきが大きかった。
また外観を観察したところ導体配線の所々にふくれが発
生していた。なお高周波伝送損失は、導体配線の所々に
ふくれが発生したため測定はしなかった。
生していた。なお高周波伝送損失は、導体配線の所々に
ふくれが発生したため測定はしなかった。
（発明の効果）
本発明によれば、セラミック基板と導体配線との密着強
度が強く、シかも密着強度のばらつきが小さく、璽た高
周波伝送損失が０．１０ ｄＢ／ｃｍ未滴のセラミック
回路基板を安価に製造することができる。
度が強く、シかも密着強度のばらつきが小さく、璽た高
周波伝送損失が０．１０ ｄＢ／ｃｍ未滴のセラミック
回路基板を安価に製造することができる。
第１図は本発明の実施例になるセラミック回路基板の断
面図である。 符号の説明 ｌ・・・アルミナセラミック基板 ２・・・Ｎ１−Ｂの被膜 ３・・・Ｃｕの被膜４
・・・導体配線 １２ Ｎｔ −５’ｌｌ１ｌ ５１
面図である。 符号の説明 ｌ・・・アルミナセラミック基板 ２・・・Ｎ１−Ｂの被膜 ３・・・Ｃｕの被膜４
・・・導体配線 １２ Ｎｔ −５’ｌｌ１ｌ ５１
Claims (2)
- １．粗化されたセラミツク基板の表面にＮｉ−Ｂの被膜
が形成され、さらにこの上面にＣｕの被膜が形成され、
かつＮｉ−Ｂの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを
残して導体配線が形成されたセラミツク回路基板。 - ２．粗化されたセラミツク基板の表面に無電解めつき法
でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面に無電解め
つき法及び／又は電気めつき法でＣｕの被膜を形成し、
ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる
後露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎ
ｉ−Ｂの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して
導体配線を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２
１体積％中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱
処理することを特徴とするセラミツク回路基板の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34271489A JPH03201591A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | セラミック回路基板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34271489A JPH03201591A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | セラミック回路基板及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201591A true JPH03201591A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18355920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34271489A Pending JPH03201591A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | セラミック回路基板及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201591A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34271489A patent/JPH03201591A/ja active Pending
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