JPH04209591A - セラミック回路基板の製造法 - Google Patents
セラミック回路基板の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１１
【産業上の利用分野］本発明は、高密着強度を有し高周
波特性に優れるセラミック回路基板の製造法に関する。 ［０００２］ 【従来の技術】従来のセラミック回路基板は、誘電率（
ε）及び誘電損失（ｔａｎδ）の比較的小さなアルミナ
などのセラミック基板の表面に無電解めっき法でＣｕの
導体を形成するか又は蒸着法、スパッタ法等でセラミッ
ク基板の表面にＣｒ、Ｔｉ等の薄い金属被膜を形成後、
その上面に上記と同様の蒸着法、スパッタ法等でＣＵの
導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導体配線
を形成して製造していた。 ［０００３］
波特性に優れるセラミック回路基板の製造法に関する。 ［０００２］ 【従来の技術】従来のセラミック回路基板は、誘電率（
ε）及び誘電損失（ｔａｎδ）の比較的小さなアルミナ
などのセラミック基板の表面に無電解めっき法でＣｕの
導体を形成するか又は蒸着法、スパッタ法等でセラミッ
ク基板の表面にＣｒ、Ｔｉ等の薄い金属被膜を形成後、
その上面に上記と同様の蒸着法、スパッタ法等でＣＵの
導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導体配線
を形成して製造していた。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者の方
法では、導体配線にふくれが発生し易い、セラミック基
板と導体配線との密着強度が弱いという欠点が生じ、ま
た後者の方法では、エツチング効果が不充分である、製
造コストが高価となる、セラミック基板と導体配線との
密着強度が弱い、高周波伝送損失が１８ＧＨｚで０．
１０ｄＢ／ｃｍ以上になる等の欠点が生じる。 ［０００４］上記に示す他にセラミック基板の表面をＨ
Ｆ、 ＨＢＦ、等の溶液で粗化した後無電解めっき法で
ＣＵの導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導
体配線を形成してセラミック回路基板を製造する方法が
あるが、この方法においてもセラミック基板と導体配線
との密着強度が弱く、しかもそのばらつきが大きいため
高信頼性が要求される電子部品には使用できないという
問題がある。 ［０００５］本発明は上記のような欠点のないセラミッ
ク回路基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 ［０００６］
法では、導体配線にふくれが発生し易い、セラミック基
板と導体配線との密着強度が弱いという欠点が生じ、ま
た後者の方法では、エツチング効果が不充分である、製
造コストが高価となる、セラミック基板と導体配線との
密着強度が弱い、高周波伝送損失が１８ＧＨｚで０．
１０ｄＢ／ｃｍ以上になる等の欠点が生じる。 ［０００４］上記に示す他にセラミック基板の表面をＨ
Ｆ、 ＨＢＦ、等の溶液で粗化した後無電解めっき法で
ＣＵの導体を形成し、この後エツチングなどの方法で導
体配線を形成してセラミック回路基板を製造する方法が
あるが、この方法においてもセラミック基板と導体配線
との密着強度が弱く、しかもそのばらつきが大きいため
高信頼性が要求される電子部品には使用できないという
問題がある。 ［０００５］本発明は上記のような欠点のないセラミッ
ク回路基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 ［０００６］
【課題を解決するための手段】本発明は粗化されたセラ
ミック基板の表面に無電解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を
形成し、さらにこの上面に無電解めっき法及び／又は電
気めっき法でＣｕの被膜を形成した後、酸素含有量が０
．０００５〜２１体積％中の雰囲気中で２００〜１１０
０℃の温度で熱処理し、ついでＣｕの被膜の上面にレジ
スト膜を形成し、しかる後Ｃｕの被膜の上面にレジスト
膜を形成し、露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥
離をし、ＮｉＢの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみ
を残して導体配線を形成するセラミック回路基板の製造
法に関する。 ［０００７］本発明においてセラミック基板の材質とし
てはアルミナ、ＰＺＴ （鉛、ジルコニア及びチタンを
主成分としたもの）、ムライト、チッ化アルミニウム等
が用いられる。 ［０００８］セラミツク基板の表面を粗化する方法につ
いては特に制限はないが、セラミック基板を融点以上の
温度に加熱したアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗
化すれば作業性に優れ、またばらつきが少なく、均一に
粗化することができるので好ましい。 ［０００９］ Ｎｉ−Ｂの被膜は、無電解めっき法で形
成するものとし、電気めっき法ではリード端子を必要と
するため工程が煩雑となり、まためっきの厚さにばらつ
きが生じ、他の蒸着法、スパッタ法では特殊な装置を必
要とするため高価になるという欠点が生じる。 ［００１０］Ｎｉ−Ｂの被膜の厚さについては特に制限
はないが、０．０５〜０４８μｍの厚さであれば高周波
帯域で使用する場合、高周波伝送損失が少なくなるので
好ましい。 ［００１１］Ｃｕの被膜は、無電解めっき法又は電気め
っき法若しくは無電解めっき法と電気めっき法とを組み
合わせて形成することができる。なお、蒸着法、スパッ
タ法では特殊な装置を必要とするため高価となり不適で
ある。 ［００１２］Ｃｕの被膜の厚さについても特に制限はな
く、作業性の面から５〜３０μｍの範囲であることが好
ましい。 ［００１３］熱処理を行うときの雰囲気は、酸素含有量
がｏ、ｏｏｏｓ〜２１体積に中の雰囲気中で行うことが
必要とされ、０．０００５体積％未満であると導体配線
との密着強度が低下し、２１体積％を越えると導体配線
が酸化して回路基板として使用できないという欠点が生
じる。また熱処理温度は、２００〜１１００℃の範囲と
され、この温度範囲以外の温度で熱処理するとセラミッ
ク基板と導体配線との密着強度が低下する。なお熱処理
時間は、熱処理温度により適宜選定されるが５〜６０分
で行うことが好ましい。 ［００１４］ レジスト膜は、熱硬化性のレジストをＣ
ｕの被膜の上面にスクリーン印刷し、加熱、硬化して形
成してもよく、感光性レジストフィルムを金属被膜上に
貼付して形成してもよく特に制限はない。 ［００１５］
ミック基板の表面に無電解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を
形成し、さらにこの上面に無電解めっき法及び／又は電
気めっき法でＣｕの被膜を形成した後、酸素含有量が０
．０００５〜２１体積％中の雰囲気中で２００〜１１０
０℃の温度で熱処理し、ついでＣｕの被膜の上面にレジ
スト膜を形成し、しかる後Ｃｕの被膜の上面にレジスト
膜を形成し、露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥
離をし、ＮｉＢの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみ
を残して導体配線を形成するセラミック回路基板の製造
法に関する。 ［０００７］本発明においてセラミック基板の材質とし
てはアルミナ、ＰＺＴ （鉛、ジルコニア及びチタンを
主成分としたもの）、ムライト、チッ化アルミニウム等
が用いられる。 ［０００８］セラミツク基板の表面を粗化する方法につ
いては特に制限はないが、セラミック基板を融点以上の
温度に加熱したアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗
化すれば作業性に優れ、またばらつきが少なく、均一に
粗化することができるので好ましい。 ［０００９］ Ｎｉ−Ｂの被膜は、無電解めっき法で形
成するものとし、電気めっき法ではリード端子を必要と
するため工程が煩雑となり、まためっきの厚さにばらつ
きが生じ、他の蒸着法、スパッタ法では特殊な装置を必
要とするため高価になるという欠点が生じる。 ［００１０］Ｎｉ−Ｂの被膜の厚さについては特に制限
はないが、０．０５〜０４８μｍの厚さであれば高周波
帯域で使用する場合、高周波伝送損失が少なくなるので
好ましい。 ［００１１］Ｃｕの被膜は、無電解めっき法又は電気め
っき法若しくは無電解めっき法と電気めっき法とを組み
合わせて形成することができる。なお、蒸着法、スパッ
タ法では特殊な装置を必要とするため高価となり不適で
ある。 ［００１２］Ｃｕの被膜の厚さについても特に制限はな
く、作業性の面から５〜３０μｍの範囲であることが好
ましい。 ［００１３］熱処理を行うときの雰囲気は、酸素含有量
がｏ、ｏｏｏｓ〜２１体積に中の雰囲気中で行うことが
必要とされ、０．０００５体積％未満であると導体配線
との密着強度が低下し、２１体積％を越えると導体配線
が酸化して回路基板として使用できないという欠点が生
じる。また熱処理温度は、２００〜１１００℃の範囲と
され、この温度範囲以外の温度で熱処理するとセラミッ
ク基板と導体配線との密着強度が低下する。なお熱処理
時間は、熱処理温度により適宜選定されるが５〜６０分
で行うことが好ましい。 ［００１４］ レジスト膜は、熱硬化性のレジストをＣ
ｕの被膜の上面にスクリーン印刷し、加熱、硬化して形
成してもよく、感光性レジストフィルムを金属被膜上に
貼付して形成してもよく特に制限はない。 ［００１５］
【実施例】以下本発明の詳細な説明する。
［００１６］実施例１
寸法が９４Ｘ１１４ｍｍで厚さが０．８ｍｍのアルミナ
セラミック基板（京セラ製、商品名Ａ−４９３）を脱脂
液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱した混合溶融塩（モル比でＮａ
ＯＨ：ＫＯＨ＝９ ： １）中に５分間浸漬してアルミ
ナセラミック基板の表面を均一に粗化した。 ［００１７］この後濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中
に５分間浸漬し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エ
ネルギーを付与し、ついでアルミナセラミック基板の表
面を中和し、水洗後熱電解Ｎｉ−Ｂめっき（ワールドメ
タル製、商品名二ポロン、ＭＮＰ Ｎ２）を３０分間
行い、図１に示すようにアルミナセラミック基板１の表
面に厚さ０． ５μｍのＮｉ−Ｂの被膜２を形成した。 ［００１８］次に電気Ｃｕめつき（荏原電産製、商品名
ＰＣ−６３６）を３０分間行い、Ｎｉ−Ｂの被膜２の上
面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜３を形成した。 ［００１９］この後連続焼成炉で酸素濃度が０． ５体
積％の条件で５００℃、２０分間熱処理を行い、ついで
濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗後、感光性レジ
ストフィルム（日立化成工業製、商品名ＰＨＴ−８６２
ＡＦ−４０）を前記Ｃｕの被膜３上に全面貼付し、さら
にその上面の片側の面には得られる導体回路と同形状に
透明な部分を形成したネガフィルム貼付し、また他の面
には全面透明なネガフィルムを貼付し、しかる後露光し
てネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光レジ
ストフィルムを硬化させた。 ［００２０１次にネガフィルムを取り除き、さらに硬化
していない部分、詳しくは露光していない部分の感光性
レジストフィルムを現像して除去し、ＣｕＣｌ２エツチ
ング溶液を用い、スプレーエツチング法でエツチングを
行い導体配線として不必要な部分のＮｉ−Ｂの被膜２及
びＣｕの被膜３を除去した。 ［００２１］この後濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化
している感光性レジストフィルムを剥離し、純水で洗浄
後、乾燥して寸法が２×２Ｍの導体配線４を形成したセ
ラミック回路基板を得た。 ［００２２］上記で得たセラミック回路基板を濃度１０
重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗し、ついで濃度１０重量
％の（ＮＨ４） ｚ Ｓｚ Ｏｓ溶液でソフトエツチン
グ後、無電解−次Ａｕめっき（ＥＥＪＡ製、商品名レク
トロレスプレップ、液温９０℃）を５分間行い、導体配
線４の表面に厚さ０．０８μｍのＡｕの被膜を形成した
。ついで濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗した後
、無電解二次ＡＵめっき（上材工業製、ゴーベルＩＩ、
液温６０℃）を１２分間行い、さらに厚さ０． ５μｍ
のＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。 ［００２３］次にＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板２０ケを使用し、プル試験法により密着強度
を測定した。以下の実施例及び比較例においても同様の
方法で密着強度を測定した。その結果２８〜３６ＭＰａ
の範囲で、平均値が３３ＭＰａの密着強度を示し良好で
あった。また外観を観察したが導体配線にふくれは見ら
れなかった。 ［００２４］さらにウィルトロン製のスイーブジュネレ
ータ６６４７Ａとスカラネットワークアナライザ５６０
Ａとを用いて高周波伝送損失を測定したところ１８ＧＨ
２で０．０６ｄＢ／ｃｍであった。 ［００２５］比較例１ 混合溶融塩でアルミナセラミック基板の表面を粗化する
工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経てＡＵ
の被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００２６］得られた複合セラミック回路基板の外観を
観察したところ導体配線にふくれが発生し、取り扱い中
に導体配線が剥離した。なお密着強度及び高周波伝送損
失は、導体配線にふくれが発生したため測定はしなかっ
た。 ［００２７］比較例２ 実施例１の表面を均一に粗化したアルミナセラミック基
板を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）
で洗浄した後、濃度１０重量％のＨＣＩ溶液中に浸漬し
、ついで活性化処理溶液（日立化成工業製、商品名Ｈ３
−２０１Ｂ）で活性化処理した後、めっき密着促進処理
溶液（日立化成工業製、商品名ＡＤＰ−３０１）に浸漬
してめっき密着促進処理を行った。 ［００２８１次に無電解Ｃｕめっき（日立化成工業製、
商品名Ｃｕ５ｔ−１０００）を７時間行い、アルミナセ
ラミック基板の表面に厚さ１５μｍ（７）Ｃｕの被膜を
形成した ［００２９］以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被
膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００３０１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、０〜１１ＭＰａの範囲で、平均値
が５．９ＭＰａと弱く、ばらつきが大きかった。また外
観を観察したところ導体配線の所々に微小なふくれが発
生していた。なお高周波伝送損失は、導伝配線に微小な
ふくれが発生したため測定はしなかった。 ［００３１］比較例３ 熱処理をＮ２雰囲気中で行った以外は、実施例１と同様
の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回
路基板を得た。 ［００３２］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、１． ０〜１１．８ＭＰａの範囲
で平均値が３．９ＭＰａと弱く、取り扱い中に導体配線
の一部が剥離した。なお高周波伝送損失は０．０６ｄＢ
／ｃｍであった。 ［００３３］比較例４ 熱処理工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経
てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。 ［００３４］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、４．９〜２４．５ＭＰａの範囲で
平均値が１２．７ＭＰａと弱く、ばらつきが太きかった
。また外観を観察したが導体配線にふくれは見られなか
った。これは熱処理を行わないためと考えられる。なお
高周波伝送損失は０．０７ｄＢ／ｃｍてあった。 （００３５］比較例５ 熱処理を１２００℃の温度で行った以外は、実施例１と
同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。 ［００３６］得られた複合セラミック回路基板の外観を
観察したところ、ＮｉとＢとの分解により導体配線の酸
化が著しく、クラックが生じ配線板として使用できない
状態であった。なお密着強度及び高周波伝送損失は、導
体配線の酸化が著しく、クラックが生じたため測定はし
なかった。 ［００３７］比較例６ 実施例１で行った無電解Ｎｉ−Ｂめっきに代えて無電解
Ｎｉ−Ｐめっき（日本カニゼン製、商品名Ｓ−６８０）
を行った以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの被
膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００３８］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ１７．６〜３２．３ＭＰａの範囲で
、平均値が２４．５ＭＰａの密着強度を示し良好で、導
体配線にふくれは見られなかったが、高周波伝送損失は
０．１３ｄＢ／ｃｍと損失が大きかった。 ［００３９］Ｃｒを１０００への厚さに、そしてその上
面にＣｕを１μｍの厚さに蒸着法で導体配線を形成した
以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付
けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００４０１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したが強度が弱くほとんどが測定不可能であっ
た。また高周波伝送損失も０．１１ｄＢ／ｃｍと損失が
大きかった。また外観を観察したところ導体配線にごく
わずかに微妙なりラックが生じていた。 ［００４１１実施例２ 実施例１で用いたアルミナセラミック基板に代えて鉛、
ジルコニア及びチタンを主成分としたＰＺＴセラミック
基板（日立化成工業製、非売品）を用いた以外は、実施
例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セ
ラミック回路基板を得た。 ［００４２］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、２４．５〜３５．３ＭＰａの範囲
で、平均値が３１．４ＭＰａの密着強度を示し、高周波
伝送損失も０．１４ｄＢ／ｃｍと良好であった。また外
観を観察したが導体配線にふくれは見られなかった。 （００４３］比較例８ 実施例２のＰＺＴセラミック基板の表面を実施例１と同
様の方法で粗化した後、比較例２と同様に脱脂、ＨＣｌ
での酸洗、活性化処理及びめっき密着促進処理を行った
。 ［００４４］この後無電解Ｃｕめつき （日立化成工業
製、商品名Ｃｕａｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴ
セラミック基板の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形
成した。以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を
厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００４５１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、０〜１５．７ＭＰａの範囲で、平
均値が８．８ＭＰａと弱く、ばらつきが大きかった。ま
た外観を観察したところ導体配線の所々にふくれが発生
していた。なお高周波伝送損失は、導体配線の所々にふ
くれが発生したため測定はしなかった。 ［００４６１ 【発明の効果］本発明によれば、セラミック基板と導体
配線板との密着強度が強く、しかも密着強度のばらつき
が小さく、また高周波伝送損失が０．１０ｄＢ／ｃｍ未
満のセラミック回路基板を安価に製造することができる
。
セラミック基板（京セラ製、商品名Ａ−４９３）を脱脂
液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱した混合溶融塩（モル比でＮａ
ＯＨ：ＫＯＨ＝９ ： １）中に５分間浸漬してアルミ
ナセラミック基板の表面を均一に粗化した。 ［００１７］この後濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中
に５分間浸漬し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エ
ネルギーを付与し、ついでアルミナセラミック基板の表
面を中和し、水洗後熱電解Ｎｉ−Ｂめっき（ワールドメ
タル製、商品名二ポロン、ＭＮＰ Ｎ２）を３０分間
行い、図１に示すようにアルミナセラミック基板１の表
面に厚さ０． ５μｍのＮｉ−Ｂの被膜２を形成した。 ［００１８］次に電気Ｃｕめつき（荏原電産製、商品名
ＰＣ−６３６）を３０分間行い、Ｎｉ−Ｂの被膜２の上
面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜３を形成した。 ［００１９］この後連続焼成炉で酸素濃度が０． ５体
積％の条件で５００℃、２０分間熱処理を行い、ついで
濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗後、感光性レジ
ストフィルム（日立化成工業製、商品名ＰＨＴ−８６２
ＡＦ−４０）を前記Ｃｕの被膜３上に全面貼付し、さら
にその上面の片側の面には得られる導体回路と同形状に
透明な部分を形成したネガフィルム貼付し、また他の面
には全面透明なネガフィルムを貼付し、しかる後露光し
てネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光レジ
ストフィルムを硬化させた。 ［００２０１次にネガフィルムを取り除き、さらに硬化
していない部分、詳しくは露光していない部分の感光性
レジストフィルムを現像して除去し、ＣｕＣｌ２エツチ
ング溶液を用い、スプレーエツチング法でエツチングを
行い導体配線として不必要な部分のＮｉ−Ｂの被膜２及
びＣｕの被膜３を除去した。 ［００２１］この後濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化
している感光性レジストフィルムを剥離し、純水で洗浄
後、乾燥して寸法が２×２Ｍの導体配線４を形成したセ
ラミック回路基板を得た。 ［００２２］上記で得たセラミック回路基板を濃度１０
重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗し、ついで濃度１０重量
％の（ＮＨ４） ｚ Ｓｚ Ｏｓ溶液でソフトエツチン
グ後、無電解−次Ａｕめっき（ＥＥＪＡ製、商品名レク
トロレスプレップ、液温９０℃）を５分間行い、導体配
線４の表面に厚さ０．０８μｍのＡｕの被膜を形成した
。ついで濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液で酸洗した後
、無電解二次ＡＵめっき（上材工業製、ゴーベルＩＩ、
液温６０℃）を１２分間行い、さらに厚さ０． ５μｍ
のＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。 ［００２３］次にＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板２０ケを使用し、プル試験法により密着強度
を測定した。以下の実施例及び比較例においても同様の
方法で密着強度を測定した。その結果２８〜３６ＭＰａ
の範囲で、平均値が３３ＭＰａの密着強度を示し良好で
あった。また外観を観察したが導体配線にふくれは見ら
れなかった。 ［００２４］さらにウィルトロン製のスイーブジュネレ
ータ６６４７Ａとスカラネットワークアナライザ５６０
Ａとを用いて高周波伝送損失を測定したところ１８ＧＨ
２で０．０６ｄＢ／ｃｍであった。 ［００２５］比較例１ 混合溶融塩でアルミナセラミック基板の表面を粗化する
工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経てＡＵ
の被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００２６］得られた複合セラミック回路基板の外観を
観察したところ導体配線にふくれが発生し、取り扱い中
に導体配線が剥離した。なお密着強度及び高周波伝送損
失は、導体配線にふくれが発生したため測定はしなかっ
た。 ［００２７］比較例２ 実施例１の表面を均一に粗化したアルミナセラミック基
板を脱脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ−２０１）
で洗浄した後、濃度１０重量％のＨＣＩ溶液中に浸漬し
、ついで活性化処理溶液（日立化成工業製、商品名Ｈ３
−２０１Ｂ）で活性化処理した後、めっき密着促進処理
溶液（日立化成工業製、商品名ＡＤＰ−３０１）に浸漬
してめっき密着促進処理を行った。 ［００２８１次に無電解Ｃｕめっき（日立化成工業製、
商品名Ｃｕ５ｔ−１０００）を７時間行い、アルミナセ
ラミック基板の表面に厚さ１５μｍ（７）Ｃｕの被膜を
形成した ［００２９］以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被
膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００３０１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、０〜１１ＭＰａの範囲で、平均値
が５．９ＭＰａと弱く、ばらつきが大きかった。また外
観を観察したところ導体配線の所々に微小なふくれが発
生していた。なお高周波伝送損失は、導伝配線に微小な
ふくれが発生したため測定はしなかった。 ［００３１］比較例３ 熱処理をＮ２雰囲気中で行った以外は、実施例１と同様
の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回
路基板を得た。 ［００３２］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、１． ０〜１１．８ＭＰａの範囲
で平均値が３．９ＭＰａと弱く、取り扱い中に導体配線
の一部が剥離した。なお高周波伝送損失は０．０６ｄＢ
／ｃｍであった。 ［００３３］比較例４ 熱処理工程を省いた以外は、実施例１と同様の工程を経
てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得
た。 ［００３４］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、４．９〜２４．５ＭＰａの範囲で
平均値が１２．７ＭＰａと弱く、ばらつきが太きかった
。また外観を観察したが導体配線にふくれは見られなか
った。これは熱処理を行わないためと考えられる。なお
高周波伝送損失は０．０７ｄＢ／ｃｍてあった。 （００３５］比較例５ 熱処理を１２００℃の温度で行った以外は、実施例１と
同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セラミッ
ク回路基板を得た。 ［００３６］得られた複合セラミック回路基板の外観を
観察したところ、ＮｉとＢとの分解により導体配線の酸
化が著しく、クラックが生じ配線板として使用できない
状態であった。なお密着強度及び高周波伝送損失は、導
体配線の酸化が著しく、クラックが生じたため測定はし
なかった。 ［００３７］比較例６ 実施例１で行った無電解Ｎｉ−Ｂめっきに代えて無電解
Ｎｉ−Ｐめっき（日本カニゼン製、商品名Ｓ−６８０）
を行った以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの被
膜を厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００３８］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ１７．６〜３２．３ＭＰａの範囲で
、平均値が２４．５ＭＰａの密着強度を示し良好で、導
体配線にふくれは見られなかったが、高周波伝送損失は
０．１３ｄＢ／ｃｍと損失が大きかった。 ［００３９］Ｃｒを１０００への厚さに、そしてその上
面にＣｕを１μｍの厚さに蒸着法で導体配線を形成した
以外は、実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付
けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００４０１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したが強度が弱くほとんどが測定不可能であっ
た。また高周波伝送損失も０．１１ｄＢ／ｃｍと損失が
大きかった。また外観を観察したところ導体配線にごく
わずかに微妙なりラックが生じていた。 ［００４１１実施例２ 実施例１で用いたアルミナセラミック基板に代えて鉛、
ジルコニア及びチタンを主成分としたＰＺＴセラミック
基板（日立化成工業製、非売品）を用いた以外は、実施
例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚付けした複合セ
ラミック回路基板を得た。 ［００４２］得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、２４．５〜３５．３ＭＰａの範囲
で、平均値が３１．４ＭＰａの密着強度を示し、高周波
伝送損失も０．１４ｄＢ／ｃｍと良好であった。また外
観を観察したが導体配線にふくれは見られなかった。 （００４３］比較例８ 実施例２のＰＺＴセラミック基板の表面を実施例１と同
様の方法で粗化した後、比較例２と同様に脱脂、ＨＣｌ
での酸洗、活性化処理及びめっき密着促進処理を行った
。 ［００４４］この後無電解Ｃｕめつき （日立化成工業
製、商品名Ｃｕａｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴ
セラミック基板の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形
成した。以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を
厚付けした複合セラミック回路基板を得た。 ［００４５１得られた複合セラミック回路基板の密着強
度を測定したところ、０〜１５．７ＭＰａの範囲で、平
均値が８．８ＭＰａと弱く、ばらつきが大きかった。ま
た外観を観察したところ導体配線の所々にふくれが発生
していた。なお高周波伝送損失は、導体配線の所々にふ
くれが発生したため測定はしなかった。 ［００４６１ 【発明の効果］本発明によれば、セラミック基板と導体
配線板との密着強度が強く、しかも密着強度のばらつき
が小さく、また高周波伝送損失が０．１０ｄＢ／ｃｍ未
満のセラミック回路基板を安価に製造することができる
。
【図１】本発明の実施例になるセラミック回路基板の断
面図である。
面図である。
１ アルミナセラミック基板
２Ｎｉ−Ｂの被膜
３ Ｃｕの被膜
４ 導体配線
【提出日】平成３年２月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類色】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【請求項１】 粗化されたセラミック基板の表面に無電
解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面
に無電解めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕの被膜
を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２１体積％
中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱処理し、
ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、露光、
現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎｉ−Ｂの
被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して導体配線
を形成することを特徴とするセラミック回路基板の製造
法。
解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面
に無電解めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕの被膜
を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２１体積％
中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱処理し、
ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、露光、
現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎｉ−Ｂの
被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して導体配線
を形成することを特徴とするセラミック回路基板の製造
法。
【手続補正２】
【補正対象書類色】明細書
［補正対象項目名］ ０００６
【補正方法】変更
［０００６１本発明は粗化されたセラミック基板の表面
に無電解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこ
の上面に無電解めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕ
の被膜を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２１
体積％中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱処
理し、ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、
露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎｉ
−Ｂの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して導
体配線を形成するセラミック回路基板の製造法に関する
。
に無電解めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこ
の上面に無電解めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕ
の被膜を形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２１
体積％中の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱処
理し、ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、
露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎｉ
−Ｂの被膜及びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して導
体配線を形成するセラミック回路基板の製造法に関する
。
【手続補正３］
【補正対象書類色】明細書
【補正対象項目名］ ００４４
【補正方法】変更
［００４４］この後無電解Ｃｕめっき（日立化成工業製
、商品名Ｃｕ５ｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴセ
ラミック基板の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成
した。以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚
付けした複合セラミック回路基板を得た。
、商品名Ｃｕ５ｔ−１０００）を７時間行い、ＰＺＴセ
ラミック基板の表面に厚さ１５μｍのＣｕの被膜を形成
した。以下実施例１と同様の工程を経てＡｕの被膜を厚
付けした複合セラミック回路基板を得た。
Claims (1)
- 【請求項１】粗化されたセラミック基板の表面に無電解
めっき法でＮｉ−Ｂの被膜を形成し、さらにこの上面に
無電解めっき法及び／又は電気めっき法でＣｕの被膜を
形成した後、酸素含有量が０．０００５〜２１体積％中
の雰囲気中で２００〜１１００℃の温度で熱処理し、つ
いでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後
Ｃｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、露光、現像、
エッチング、レジスト膜の剥離をし、Ｎｉ−Ｂの被膜及
びＣｕの被膜の必要な部分のみを残して導体配線を形成
することを特徴とするセラミック回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40022690A JPH04209591A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | セラミック回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40022690A JPH04209591A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | セラミック回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209591A true JPH04209591A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40022690A Pending JPH04209591A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | セラミック回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708581A2 (en) * | 1994-10-18 | 1996-04-24 | AT&T Corp. | A process for the electroless deposition of metal on a substrate |
-
1990
- 1990-12-03 JP JP40022690A patent/JPH04209591A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708581A2 (en) * | 1994-10-18 | 1996-04-24 | AT&T Corp. | A process for the electroless deposition of metal on a substrate |
| EP0708581A3 (en) * | 1994-10-18 | 1997-10-29 | At & T Corp | Method for depositing a metal stream without current |
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