JPH032833B2 - - Google Patents

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JPH032833B2
JPH032833B2 JP10815986A JP10815986A JPH032833B2 JP H032833 B2 JPH032833 B2 JP H032833B2 JP 10815986 A JP10815986 A JP 10815986A JP 10815986 A JP10815986 A JP 10815986A JP H032833 B2 JPH032833 B2 JP H032833B2
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film
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ceramics
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Minoru Taniguchi
Yukihisa Hiroyama
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野） 本発明はセラミツク配線板の製造法に関する。 （従来の技術） 従来セラミツクスの表面に導体配線を形成した
セラミツク配線板を製造する場合、セラミツクス
をHF、HBF4等溶液に浸漬してセラミツクスの
表面を粗化するか、又はNaOH、KOH等の溶融
アルカリに浸漬してセラミツクスの表面を粗化し
た後無電解めつき、さらに必要に応じて行なう無
電解めつきでセラミツクス上に直接金属被膜を析
出させ、エツチングなどの方法で導体配線を形成
してセラミツク配線板を製造していた。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前者の方法で粗化すると金属被
膜とセラミツクスとの密着力が弱く金属被膜にふ
くれが発生するという欠点が生じ、後者の方法で
は金属被膜とセラミツクスとの密着力にばらつき
（良好な密着力を有するものと、密着力が弱いも
のとが存在）が多く、また無電解銅めつきの厚さ
が1μｍを越えると金属被膜にふくれが発生し、
使用に耐えないという欠点がある。 本発明は上記した欠点のないセラミツク配線板
の製造法を提供することを目的とするものであ
る。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した
結果、上記のような粗化法ではセラミツクス表面
のフラツクス（ガラス質）と主構成物質粒子（ア
ルミナセラミツクスであればアルミナの粒子）の
ごとく一部を粗化するだけで主構成物質粒子の粗
化が不十分であるため上記の欠点が生じるという
ことをつきとめ、セラミツクスをNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液中
に浸漬し、ついで十分に水洗した後NaOH融液
中に浸漬してセラミツクスの表面を均一に粗化
し、中和、水洗後粗化したセラミツクスの表面に
無電解めつき法により金属被膜を形成し、ついで
金属被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後
露光、現像、エツチング、レジスト膜の剥離を行
ない金属被膜の必要な部分のみを残して導体配線
を形成するようにしたところ、上記の欠点の生じ
ないセラミツク配線板が得られることを見出し
た。 本発明はセラミツクスをNH4F、（NH4）2SO4、
H2SO4及びH2Oを含む混合溶液中に浸漬し水洗
後、NaOH融液中に浸漬してセラミツクスの表
面を粗化し、中和、水洗後粗化したセラミツクス
の表面に無電解めつき法により金属被膜を形成
し、ついで金属被膜の上面にレジスト膜を形成
し、しかる後露光、現像、エツチング、レジスト
膜の剥離を行ない金属被膜の必要な部分のみを残
して導体配線を形成するセラミツクス配線板の製
造法に関する。 本発明における混合溶液は、粗化するセラミツ
クスの成分により異なるが、大略NH4Fを30〜60
重量％、（NH4）2SO4を１〜10重量％、H2SO4を
５〜20重量％及びH2Oを10〜64重量％の割合に
配合した混合溶液を用いることが好ましく、さら
に必要に応じHF、HBF4、HCl、NaCl等を添加
してもよい。 また上記の混合溶液中へのセラミツクスの浸漬
時間は、液温が30〜90℃の溶液中に１分以上浸漬
することが好ましい。 NaOH融液はNaOHの融点以上の温度で加熱
することにより得られる。なお加熱温度の上限に
ついては特に制限はないが、費用及び作業性の点
で600℃であることが好ましい。 NaOH融液中へのセラミツクスの浸漬時間は、
上記の温度に加熱した融液中に30秒以上とするこ
とが好ましい。 なおNaOH融液中への浸漬は必要に応じ２回
以上行なつてもよい。 NaOH溶液の中和液としては、H2SO4、
H3PO4、HCl等が用いられる。 （作用） セラミツクスは、第一段階でNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液か
ら発生するフツ化水素酸により徐々にセラミツク
ス表面のフラツクスと主構成物質粒子のごく一部
が化学的にエツチングされ、粗化されたセラミツ
クス表面が形成される。さらに水洗した後第二段
階でNaOH融液によりセラミツクス表面の主構
成物質粒子の微細なエツチングが行なわれ、均一
に粗化されたセラミツクス表面が形成される。 （実施例） 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ アルミナセラミツク基板（日立化成工業製、商
品名ハロツクス552、寸法80×80×厚さ0.8mm）を
脱脂液（日立化成工業製、商品名HCR201）で洗
浄し、乾操後NH4F10ｇ（40.5重量％）、
（NH4）2SO41ｇ（4.1重量％）、濃H2SO42ml（14.9
重量％）及びH2O10ml（40.5重量％）の混合溶液
（液温70℃）中に10分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで流水中で十分に水洗し、乾燥後350℃に加
熱したNaOH融液中に１分間浸漬して再粗化を
行なつた。その後濃度10％のH2SO4溶液中に５
分間浸漬し、超音波（出力300W）による振動エ
ネルギーを付与し、セラミツクス表面を中和し、
ついで水洗を行ない無電解銅めつきを３時間行な
い厚さ7μｍの銅の被膜を形成した。なお無電解
めつき液はPH12.4で第１表に示す組成のものを用
いた。
【表】 めつき後感光性レジストフイルム（日立化成工
業製、商品名PHT−862AF−40）を前記銅の被
膜上全面に貼付し、さらにその上面に、得られる
導体配線と同形状に透明な部分を形成したネガフ
イルムを貼付し、露光してネガフイルムの透明な
部分の下面に配設した感光性レジストフイルムを
硬化させた。ついでネガフイルムを取り除き、さ
らに現像して硬化していない部分、詳しくは露光
していない部分の感光性レジストフイルムを除去
し、濃度25％の過硫酸アンモニウムの溶液でエツ
チングして導体配線として不必要な部分の銅の被
膜を除去した。その後濃度５％のNaOH溶液で
硬化している感光性レジストフイルムを剥離し、
導体配線を形成したセラミツク配線板を得た。 次に上記で得たセラミツクス配線板30ケを使用
し、密着（接着）強度を測定した。その結果2.5
〜4.0Kg／mm2の密着強度を示し良好であつた。ま
た外観を観察したが銅の被膜にふくれは見られな
かつた。 比較例 １ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後40℃で濃度10
％のHF溶液に20分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで濃度10％のNaOH融液中に５分間浸漬し
て中和した。その後水洗し、以下実施例１と同様
の方法で無電解銅めつきを行ない、導体配線を形
成後密着強度を測定した。その結果密着強度は
0.5Kg／mm2以下で測定できないものが数個あつた。
また外観したところ銅の被膜全面にふくれが発生
していた。 比較例 ２ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後500℃に加熱
したNaOH融液に５分間浸漬して粗化を行なつ
た。ついで濃度10％のH2SO4溶液中に５分間浸
漬して中和した。その後水洗し、以下実施例１と
同様の方法で無電解銅めつきを行ない、導体配線
を形成後密着強度を測定した。その結果密着強度
が最大が3.5Kg／mm2で最小が０とばらつきが多か
つた。また外観を観察したところ銅の被膜の所々
にふくれが発生していた。 （発明の効果） 本発明によれば金属被膜（導体配線）とセラミ
ツクスとの密着力が良好で、また金属被膜にふく
れが発生しないセラミツク配線板を得ることがで
きる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ セラミツクスをNH4F、（NH4）2SO4、
    H2SO4、及びH2Oを含む混合溶液中に浸漬し水
    洗後、NaOH融液中に浸漬してセラミツクスの
    表面を粗化し、中和、水洗後粗化したセラミツク
    スの表面に無電解めつき法により金属被膜を形成
    し、ついで金属被膜の上面にレジスト膜を形成
    し、しかる後露光、現像、エツチング、レジスト
    膜の剥離を行ない金属被膜の必要な部分のみを残
    して導体配線を形成することを特徴とするセラミ
    ツク配線板の製造法。
JP61108159A 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法 Granted JPS62265191A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108159A JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法
US07/250,158 US4867843A (en) 1986-05-12 1988-09-28 Surface roughening of ceramics and application to production of ceramic wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108159A JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法

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Publication Number Publication Date
JPS62265191A JPS62265191A (ja) 1987-11-18
JPH032833B2 true JPH032833B2 (ja) 1991-01-17

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JP61108159A Granted JPS62265191A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 セラミツク配線板の製造法

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JPS62265191A (ja) 1987-11-18
US4867843A (en) 1989-09-19

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