JPS62187189A - セラミツクスの表面粗化法 - Google Patents
セラミツクスの表面粗化法Info
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- JPS62187189A JPS62187189A JP2869986A JP2869986A JPS62187189A JP S62187189 A JPS62187189 A JP S62187189A JP 2869986 A JP2869986 A JP 2869986A JP 2869986 A JP2869986 A JP 2869986A JP S62187189 A JPS62187189 A JP S62187189A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 38
- 238000007788 roughening Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 39
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910004039 HBF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aOH Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Medical Uses (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミックスの表面粗化法に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来セラミックスの表面粗化法として、セラミックスの
表面をＨＦ、ＨＢＦ４等で処理して粗化するか、又はＮ
ａＯＨ，ＫＯＨ等の溶融アルカリで処理して粗化する方
法がある。なお上記の処理は。
表面をＨＦ、ＨＢＦ４等で処理して粗化するか、又はＮ
ａＯＨ，ＫＯＨ等の溶融アルカリで処理して粗化する方
法がある。なお上記の処理は。
セラミックスを上記に示す溶液又は融液に１回浸漬して
処理したものである。
処理したものである。
セラミックスの表面を粗化した後無電解めっき２さらに
必要に応じて行なう電解めっきでセラミックス上に直接
金属被膜を析出させ、エツチングなどの方法で導体配線
を形成してセラミック配線板とされるが、前者の方法で
粗化すると金属被膜とセラミックスとの密着力が低く金
属被膜にふくれが発生するという欠点が生じ、後者の方
法では金属被膜とセラミックスとは良好な密着力を有す
るものもあるがばらつきが多く、また無電解銅めっきの
厚さが１／Ｊｍを越えると金属被膜にふくれが発生し、
使用に耐えないという欠点がある。
必要に応じて行なう電解めっきでセラミックス上に直接
金属被膜を析出させ、エツチングなどの方法で導体配線
を形成してセラミック配線板とされるが、前者の方法で
粗化すると金属被膜とセラミックスとの密着力が低く金
属被膜にふくれが発生するという欠点が生じ、後者の方
法では金属被膜とセラミックスとは良好な密着力を有す
るものもあるがばらつきが多く、また無電解銅めっきの
厚さが１／Ｊｍを越えると金属被膜にふくれが発生し、
使用に耐えないという欠点がある。
本発明は上記した欠点のないセラミックスの表面粗化法
を提供することを目的とするものである。
を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは上記の欠点について糧々検討した結果、１
回の粗化だけではセラミックス表面の７ラツクス（ガラ
ス質）および主構成物質粒子（アルミナセラミックスで
あればアルミナの粒子）のごく一部を粗化するだけでセ
ラミックス表面に形成された副生成物を完全に除去する
ことができないと共に主構成物質粒子の粗化が不均一で
あるため上記の欠点が生じるということをつきとめ、セ
ラミックスを融液以上の温度に加熱したＮａＯＨ融液中
に３０秒以上浸漬し、中和、洗浄後再び融点以上の温度
に加熱したＮａＯＨ融液中に３０秒以上浸漬したところ
セラミックスの表面を均一に粗化できることを見出した
。
回の粗化だけではセラミックス表面の７ラツクス（ガラ
ス質）および主構成物質粒子（アルミナセラミックスで
あればアルミナの粒子）のごく一部を粗化するだけでセ
ラミックス表面に形成された副生成物を完全に除去する
ことができないと共に主構成物質粒子の粗化が不均一で
あるため上記の欠点が生じるということをつきとめ、セ
ラミックスを融液以上の温度に加熱したＮａＯＨ融液中
に３０秒以上浸漬し、中和、洗浄後再び融点以上の温度
に加熱したＮａＯＨ融液中に３０秒以上浸漬したところ
セラミックスの表面を均一に粗化できることを見出した
。
本発明はセラミックスを融点以上の温度に加熱したＮａ
ＯＨ融液中に３０秒以上浸漬し、中和、洗浄後、再び融
点以上の温度に加熱したＮａＯＨ融液中に３０秒以上浸
漬するセラミックスの表面粗化法に関する。
ＯＨ融液中に３０秒以上浸漬し、中和、洗浄後、再び融
点以上の温度に加熱したＮａＯＨ融液中に３０秒以上浸
漬するセラミックスの表面粗化法に関する。
（作用）
セラミックスは第一段階目の粗化でセラミックス表面の
フラックスおよび主構成物質粒子のごく一部を化学的に
エツチングし、ついでセラミックス表面に形成されたＮ
ａＯＨ，Ａｔ （ＯＨ）ｓ、 Ｃａ （ＯＨ）ｓ等の水
酸化物を中和、洗浄することによシ均一に粗化されたセ
ラミック表面が形成される。さらに第二段階目の粗化で
セラミックスの主構成物質粒子の微細なエツチングが行
なわれ、さらに均一に粗化されたセラミック表面が形成
される。セラミックスの粗化のメカニズムを詳しく説明
すれば。
フラックスおよび主構成物質粒子のごく一部を化学的に
エツチングし、ついでセラミックス表面に形成されたＮ
ａＯＨ，Ａｔ （ＯＨ）ｓ、 Ｃａ （ＯＨ）ｓ等の水
酸化物を中和、洗浄することによシ均一に粗化されたセ
ラミック表面が形成される。さらに第二段階目の粗化で
セラミックスの主構成物質粒子の微細なエツチングが行
なわれ、さらに均一に粗化されたセラミック表面が形成
される。セラミックスの粗化のメカニズムを詳しく説明
すれば。
第一段階目としてセラミックス表面のフラックスおよび
主構成物質粒子のごく一部の溶解があり。
主構成物質粒子のごく一部の溶解があり。
第二段階目としてセラミックス表面の主構成物質粒子の
溶解がある。
溶解がある。
本発明においてセラミックスは、融点以上の温度に加熱
した融液中に３０秒以上浸漬する必要があり、３０秒未
満であるとセラミックスの表面を均一に粗化することが
できない。またＮａ ＯＨ融液の温度はＮａＯＨの融点
以上の温度に加熱する必要があシ、融点未満の温度であ
るとセラミックスを均一に粗化することができない。な
お上限は６００℃であることが好ましい。
した融液中に３０秒以上浸漬する必要があり、３０秒未
満であるとセラミックスの表面を均一に粗化することが
できない。またＮａ ＯＨ融液の温度はＮａＯＨの融点
以上の温度に加熱する必要があシ、融点未満の温度であ
るとセラミックスを均一に粗化することができない。な
お上限は６００℃であることが好ましい。
本発明における。 ＮａＯＨ融液への浸漬工程は必要に
応じ３回以上行なってもよい。
応じ３回以上行なってもよい。
中和液としてはルＢｏａ、 ＨｓＰＯ４，ＨＣＩ等が用
いられる。
いられる。
（実施例）
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
アルミナセラミック基板（日立化成工業製、商−品名ハ
ロツクス５５２１寸法５ｏｘｓｏｘ厚さ０．８■）を脱
脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣ几２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液（濃度１００
Ｌ）に１分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
チのＨ！８０４溶液中に５分間浸漬し、超音波（出力３
ｏ ｏｗ）による振動エネルギーを付与し、セラミッ
クス表面に形成されたＮａＯＨ，Ａｌ （ＯＨ）２．
Ｃａ （ＯＨ）ｚ等の水酸化物を中和した。次に水洗、
乾燥後、再び３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液中に１分
間浸漬して再粗化を行なった。その後中和、水洗を行な
い無電解銅めっきを３時間行ない厚さ７μｍの銅の被膜
を形成した。なお無電解めっき液はｐＨ１２，４で第１
表に示す組成のものを用いた。
ロツクス５５２１寸法５ｏｘｓｏｘ厚さ０．８■）を脱
脂液（日立化成工業製、商品名ＨＣ几２０１）で洗浄し
、乾燥後３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液（濃度１００
Ｌ）に１分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
チのＨ！８０４溶液中に５分間浸漬し、超音波（出力３
ｏ ｏｗ）による振動エネルギーを付与し、セラミッ
クス表面に形成されたＮａＯＨ，Ａｌ （ＯＨ）２．
Ｃａ （ＯＨ）ｚ等の水酸化物を中和した。次に水洗、
乾燥後、再び３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液中に１分
間浸漬して再粗化を行なった。その後中和、水洗を行な
い無電解銅めっきを３時間行ない厚さ７μｍの銅の被膜
を形成した。なお無電解めっき液はｐＨ１２，４で第１
表に示す組成のものを用いた。
以下余白
第１表
めっき後感光性ドライフィルム（日立化成工業製、商品
名ＰＨＴ−８６２Ｆ−４０３を使用し、一般的なエツチ
ング法によシ寸法２×２ｆｆｌｕ＋のパターンを形成し
、試料３０’ケについて密着（接着）強度を測定した。
名ＰＨＴ−８６２Ｆ−４０３を使用し、一般的なエツチ
ング法によシ寸法２×２ｆｆｌｕ＋のパターンを形成し
、試料３０’ケについて密着（接着）強度を測定した。
その結果２−５〜４．０ ｋｇ／−の密着強度を示し良
好であった。また外観を観察したが銅の被膜にふくれは
見られなかった。。
好であった。また外観を観察したが銅の被膜にふくれは
見られなかった。。
比較例１
実施例１と同じアルミナセラミック基板を実施例１と同
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後４０℃で濃度１０％のＨＦ溶
液に２０分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
％のＮａＯＨ溶液中に５分間浸漬して中和した。その後
水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解鋼めっきを
行ない、ついで密着強度を測定した。その結果密着強度
は０．５ ｋｇ／ｆｆｌｌ１］２以下で測定できないも
のが数個あった。また外観を観察し次ところ銅の被膜全
面にふくれが発生していた。
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後４０℃で濃度１０％のＨＦ溶
液に２０分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
％のＮａＯＨ溶液中に５分間浸漬して中和した。その後
水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解鋼めっきを
行ない、ついで密着強度を測定した。その結果密着強度
は０．５ ｋｇ／ｆｆｌｌ１］２以下で測定できないも
のが数個あった。また外観を観察し次ところ銅の被膜全
面にふくれが発生していた。
比較例２
実施例１と同じアルミナセラミック基板を実施例１と同
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後ＳＯＯ℃に加熱したＮａＯＨ
融液に５分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
％のＨｓ８０ａ溶液中に５分間浸漬して中和した。その
後水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解銅めっき
を行ない、ついで密着強度を測定した。その結果密着強
度は最大が３、５ ｋｇ／−で最小が０とばらつきが多
かった。また外観を観察したところ銅の被膜の所々にふ
くれが発生していた。
じ脱脂液で洗浄し、乾燥後ＳＯＯ℃に加熱したＮａＯＨ
融液に５分間浸漬して粗化を行なった。ついで濃度１０
％のＨｓ８０ａ溶液中に５分間浸漬して中和した。その
後水洗し、以下実施例１と同様の方法で無電解銅めっき
を行ない、ついで密着強度を測定した。その結果密着強
度は最大が３、５ ｋｇ／−で最小が０とばらつきが多
かった。また外観を観察したところ銅の被膜の所々にふ
くれが発生していた。
（発明の効果）
本発明によればセラミックスの表面を均一に粗化するこ
とができ、セラミックスの表面に導体配線を形成しても
導体配線すなわち金属被膜とセラミックスとの密着力が
良好で、またふくれが発生せず極めて好適である。
とができ、セラミックスの表面に導体配線を形成しても
導体配線すなわち金属被膜とセラミックスとの密着力が
良好で、またふくれが発生せず極めて好適である。
Claims (1)
- １、セラミックスを融点以上の温度に加熱したＮａＯＨ
融液中に３０秒以上浸漬し、中和、洗浄後再び融点以上
の温度に加熱したＮａＯＨ融液中に３０秒以上浸漬する
ことを特徴とするセラミックスの表面粗化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2869986A JPS62187189A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | セラミツクスの表面粗化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2869986A JPS62187189A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | セラミツクスの表面粗化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187189A true JPS62187189A (ja) | 1987-08-15 |
Family
ID=12255718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2869986A Pending JPS62187189A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | セラミツクスの表面粗化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62187189A (ja) |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP2869986A patent/JPS62187189A/ja active Pending
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