JPH07326848A - 金メッキ成形基板の洗浄方法 - Google Patents
金メッキ成形基板の洗浄方法Info
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- JPH07326848A JPH07326848A JP11646094A JP11646094A JPH07326848A JP H07326848 A JPH07326848 A JP H07326848A JP 11646094 A JP11646094 A JP 11646094A JP 11646094 A JP11646094 A JP 11646094A JP H07326848 A JPH07326848 A JP H07326848A
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- plating
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Wire Bonding (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップオンボ−ド基板のワイヤボンディング
性を改善する事ができる金メッキ成形基板の洗浄方法に
関する 【構成】 成形基板に下地メッキと金メッキとにより回
路を形成する金メッキ成形基板の製造法において、金メ
ッキ後、過酸化水素とアンモニアを含む水溶液にて洗浄
することを特徴とする金メッキ成形基板の洗浄方法。
性を改善する事ができる金メッキ成形基板の洗浄方法に
関する 【構成】 成形基板に下地メッキと金メッキとにより回
路を形成する金メッキ成形基板の製造法において、金メ
ッキ後、過酸化水素とアンモニアを含む水溶液にて洗浄
することを特徴とする金メッキ成形基板の洗浄方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップオンボ−ド基板
（以下、 COB基板と記す）として使用される金メッキ成
形基板の製造方法に関し、ワイヤボンディング性を改善
する事ができる金メッキ成形基板の洗浄方法に関するも
のである。
（以下、 COB基板と記す）として使用される金メッキ成
形基板の製造方法に関し、ワイヤボンディング性を改善
する事ができる金メッキ成形基板の洗浄方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化、高性能、
多機能化の要求に従い、これら機器に用いるプリント基
板の高密度化、回路の微細化の対応が必要となってい
る。又、部品を搭載した基板の薄型化も求められてお
り、COB 基板では基板自体を薄型化すること或いは部品
搭載部に凹みを設ける対応がなされている。基板に部品
搭載用の凹みを設ける方法としてはざぐり加工がある
が、生産性に問題があり部品数が多い場合は経済的でな
い。
多機能化の要求に従い、これら機器に用いるプリント基
板の高密度化、回路の微細化の対応が必要となってい
る。又、部品を搭載した基板の薄型化も求められてお
り、COB 基板では基板自体を薄型化すること或いは部品
搭載部に凹みを設ける対応がなされている。基板に部品
搭載用の凹みを設ける方法としてはざぐり加工がある
が、生産性に問題があり部品数が多い場合は経済的でな
い。
【０００３】これに対し、部品搭載用の凹みを有する基
板を射出成形により形成し、その表面に直接配線を形成
する方法の実用化が検討され、量産性、経済性の点で優
れたものとされる。その方法の一つとして、成形品表面
を粗化した後、無電解メッキし電着塗装によりフォトレ
ジスト層を形成し配線パタ−ンフィルムを通し露光、現
像してメッキレジスト層を形成し、電気メッキにより金
属回路を形成し、その後メッキレジストを剥離し更にレ
ジストの下の無電解メッキ層をエッチングにより除去す
る方法がある。
板を射出成形により形成し、その表面に直接配線を形成
する方法の実用化が検討され、量産性、経済性の点で優
れたものとされる。その方法の一つとして、成形品表面
を粗化した後、無電解メッキし電着塗装によりフォトレ
ジスト層を形成し配線パタ−ンフィルムを通し露光、現
像してメッキレジスト層を形成し、電気メッキにより金
属回路を形成し、その後メッキレジストを剥離し更にレ
ジストの下の無電解メッキ層をエッチングにより除去す
る方法がある。
【０００４】この方法により、部品搭載用の凹みを設け
た COB基板に配線を形成する場合、耐熱性の熱可塑性樹
脂を用いて射出成形品を製造し、メッキと樹脂との密着
性を上げる為に、樹脂表面を粗化した後にメッキを行
う。しかし、ワイヤボンディングを行う COB基板では、
メッキ面が平滑であることが要求され、下地メッキとし
て光沢メッキを行い、表面の平滑化を行った後、金メッ
キが施される。
た COB基板に配線を形成する場合、耐熱性の熱可塑性樹
脂を用いて射出成形品を製造し、メッキと樹脂との密着
性を上げる為に、樹脂表面を粗化した後にメッキを行
う。しかし、ワイヤボンディングを行う COB基板では、
メッキ面が平滑であることが要求され、下地メッキとし
て光沢メッキを行い、表面の平滑化を行った後、金メッ
キが施される。
【０００５】上記した下地の光沢メッキ、ついで金メッ
キを施す成形基板では、下地の光沢メッキを行うために
メッキ浴中に光沢剤が添加されるが、光沢剤に起因する
有機物がメッキに取り込まれ、これによりワイヤボンデ
ィングを行うメッキ面が汚染され、ワイヤボンディング
性が低下する問題があった。又、この汚染は、電子素子
搭載時のダイボンディング、ワイヤボンディングでの基
板の加熱或いは時間経過によっても進行し、ワイヤボン
ディング性が一層低下するものであった。
キを施す成形基板では、下地の光沢メッキを行うために
メッキ浴中に光沢剤が添加されるが、光沢剤に起因する
有機物がメッキに取り込まれ、これによりワイヤボンデ
ィングを行うメッキ面が汚染され、ワイヤボンディング
性が低下する問題があった。又、この汚染は、電子素子
搭載時のダイボンディング、ワイヤボンディングでの基
板の加熱或いは時間経過によっても進行し、ワイヤボン
ディング性が一層低下するものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の欠点を解消し、金メッキ表面を洗浄して、ワイ
ヤボンディング性を向上させる金メッキ成形基板の洗浄
方法を提供することにある。
来技術の欠点を解消し、金メッキ表面を洗浄して、ワイ
ヤボンディング性を向上させる金メッキ成形基板の洗浄
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は成形
基板に下地メッキと金メッキとにより回路を形成する金
メッキ成形基板の製造方法において、金メッキ後、過酸
化水素とアンモニアとを含む水溶液にて洗浄することを
特徴とする金メッキ成形基板の洗浄方法であり、好まし
い実施態様においては該洗浄に用いる水溶液が、過酸化
水素 ５〜３５重量％、アンモニア １〜７重量％であ
る金メッキ成形基板の洗浄方法である。
基板に下地メッキと金メッキとにより回路を形成する金
メッキ成形基板の製造方法において、金メッキ後、過酸
化水素とアンモニアとを含む水溶液にて洗浄することを
特徴とする金メッキ成形基板の洗浄方法であり、好まし
い実施態様においては該洗浄に用いる水溶液が、過酸化
水素 ５〜３５重量％、アンモニア １〜７重量％であ
る金メッキ成形基板の洗浄方法である。
【０００８】本発明の成形基板とは、芳香族ポリエステ
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミド或いはポリフェニ
レンサルファイド等の耐熱性の熱可塑性樹脂、又は熱硬
化性樹脂でメッキ、イオンプレーティング、スパッタリ
ング、真空蒸着、その他の方法で成形品表面に金属膜を
形成することのできる樹脂を用いて成形した成形品であ
る。
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミド或いはポリフェニ
レンサルファイド等の耐熱性の熱可塑性樹脂、又は熱硬
化性樹脂でメッキ、イオンプレーティング、スパッタリ
ング、真空蒸着、その他の方法で成形品表面に金属膜を
形成することのできる樹脂を用いて成形した成形品であ
る。
【０００９】この成形基板にプリント配線パターンを形
成する。まず、成形基板表面を硫酸、硝酸、塩酸、弗酸
等の酸或いは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化カルシウム等のアルカリ、有機溶剤又はこれらの混合
液にて処理し表面を粗面化した後、無電解メッキ、イオ
ンプレーティング、真空蒸着、スパッタリング等の方法
により表面に薄い下地金属膜を形成する。無電解メッキ
の例としては、無電解銅、無電解ニッケル等が挙げられ
る。
成する。まず、成形基板表面を硫酸、硝酸、塩酸、弗酸
等の酸或いは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化カルシウム等のアルカリ、有機溶剤又はこれらの混合
液にて処理し表面を粗面化した後、無電解メッキ、イオ
ンプレーティング、真空蒸着、スパッタリング等の方法
により表面に薄い下地金属膜を形成する。無電解メッキ
の例としては、無電解銅、無電解ニッケル等が挙げられ
る。
【００１０】金属膜を形成した成形基板表面に均一なネ
ガ型或いはポジ型のフォトレジスト層を形成する。つい
で、平面状或いは基板形状に対応した三次元形状のフォ
トマスクを用い、所望部分を適宜、平行光、散乱光を照
射して露光した後、現像し、メッキレジスト陰パタ−ン
を形成する。ここに、フォトレジスト層の形成方法とし
ては、電着法、スプレー法などが挙げられ、レジスト膜
厚の均一性の点から電着法が好ましい。
ガ型或いはポジ型のフォトレジスト層を形成する。つい
で、平面状或いは基板形状に対応した三次元形状のフォ
トマスクを用い、所望部分を適宜、平行光、散乱光を照
射して露光した後、現像し、メッキレジスト陰パタ−ン
を形成する。ここに、フォトレジスト層の形成方法とし
ては、電着法、スプレー法などが挙げられ、レジスト膜
厚の均一性の点から電着法が好ましい。
【００１１】電解メッキして、プリント配線パターンに
相当する露出下地金属膜上に電気メッキ層を形成する。
電解メッキとしては、まず、光沢ニッケル、光沢銅、光
沢スズ等の表面平滑性の下地メッキを行い、次に、金メ
ッキを施す。ついで、メッキレジスト及びその下の薄い
下地金属膜を剥離して、所望のプリント配線パターンを
形成した成形基板とする。なお、適宜、この成形基板表
面には、熱硬化型或いは光硬化型のソルダーレジストを
塗布・硬化したものとする。
相当する露出下地金属膜上に電気メッキ層を形成する。
電解メッキとしては、まず、光沢ニッケル、光沢銅、光
沢スズ等の表面平滑性の下地メッキを行い、次に、金メ
ッキを施す。ついで、メッキレジスト及びその下の薄い
下地金属膜を剥離して、所望のプリント配線パターンを
形成した成形基板とする。なお、適宜、この成形基板表
面には、熱硬化型或いは光硬化型のソルダーレジストを
塗布・硬化したものとする。
【００１２】ここで、上記した COB基板の場合、電子素
子搭載時のダイボンディング、ワイヤボンディング等で
加熱処理が施されると、ワイヤボンディング性が低下す
る傾向がある。この為、浸出するおそれのある光沢剤を
予め金メッキ表面に浸出させ洗浄によって除去すること
を目的として、基板の加熱処理を行う。この場合の加熱
処理としては、 120〜180 ℃にて、１〜10時間行う。
子搭載時のダイボンディング、ワイヤボンディング等で
加熱処理が施されると、ワイヤボンディング性が低下す
る傾向がある。この為、浸出するおそれのある光沢剤を
予め金メッキ表面に浸出させ洗浄によって除去すること
を目的として、基板の加熱処理を行う。この場合の加熱
処理としては、 120〜180 ℃にて、１〜10時間行う。
【００１３】次に、この COB基板を洗浄する。洗浄液
は、過酸化水素 5〜35重量％、アンモニア 1〜7 重量％
の濃度範囲の水溶液を用いる。水溶液中の過酸化水素と
アンモニアとの濃度の比は、過酸化水素／アンモニア＝
10〜2 の範囲、特に過酸化水素／アンモニア＝５が好ま
しい。過酸化水素が 5重量％未満、アンモニアが 1重量
％未満では洗浄効果が不十分であり好ましくない。ま
た、過酸化水素が 35 重量％を超え、アンモニアが 7重
量％を超えても、洗浄反応の急激な進行による洗浄液の
突沸が起こり得るため好ましくない。
は、過酸化水素 5〜35重量％、アンモニア 1〜7 重量％
の濃度範囲の水溶液を用いる。水溶液中の過酸化水素と
アンモニアとの濃度の比は、過酸化水素／アンモニア＝
10〜2 の範囲、特に過酸化水素／アンモニア＝５が好ま
しい。過酸化水素が 5重量％未満、アンモニアが 1重量
％未満では洗浄効果が不十分であり好ましくない。ま
た、過酸化水素が 35 重量％を超え、アンモニアが 7重
量％を超えても、洗浄反応の急激な進行による洗浄液の
突沸が起こり得るため好ましくない。
【００１４】洗浄は、洗浄槽に COB基板を投入し洗浄液
との接触により洗浄し、これを洗浄槽から取り出し、イ
オン交換水、蒸留水などにて洗浄し、空気吹きつけ、ア
ルコール等によて水置換、熱風、その他にて乾燥する方
法、またはスプレー等にて被洗浄物に洗浄液など吹きつ
けなどする洗浄部を有する装置に COB基板を連続的に導
入し、本発明の洗浄液にて洗浄し、ついで、イオン交換
水、蒸留水などにて洗浄し、さらにこれを乾燥する連続
法などに行うことができる。
との接触により洗浄し、これを洗浄槽から取り出し、イ
オン交換水、蒸留水などにて洗浄し、空気吹きつけ、ア
ルコール等によて水置換、熱風、その他にて乾燥する方
法、またはスプレー等にて被洗浄物に洗浄液など吹きつ
けなどする洗浄部を有する装置に COB基板を連続的に導
入し、本発明の洗浄液にて洗浄し、ついで、イオン交換
水、蒸留水などにて洗浄し、さらにこれを乾燥する連続
法などに行うことができる。
【００１５】ここで、本発明の洗浄液による洗浄は、通
常、40℃〜90℃で、 1〜30分間、好ましくは60℃〜80℃
で、 3〜10分間の範囲である。温度が40℃未満では、長
時間が必要か又は洗浄不充分となる。また、温度が90℃
を越えると洗浄液が沸騰状態となり、洗浄反応と同時に
洗浄液成分の分解反応も急激に進行するため安定した洗
浄効果が得られない。
常、40℃〜90℃で、 1〜30分間、好ましくは60℃〜80℃
で、 3〜10分間の範囲である。温度が40℃未満では、長
時間が必要か又は洗浄不充分となる。また、温度が90℃
を越えると洗浄液が沸騰状態となり、洗浄反応と同時に
洗浄液成分の分解反応も急激に進行するため安定した洗
浄効果が得られない。
【００１６】
【実施例】次に、本発明を実施例、比較例により更に詳
細に説明する。 実施例１ 無機フィラ−を含有する液晶ポリマ−（ポリプラスッチ
ックス社製、商品名：ベクトラ C-820）を用い、射出成
形により成形品を得た。この成形品全面に無電解メッキ
を施す。次に、電着型フォトレジストを用いて、メッキ
レジストパタ−ンを形成した。こうして得られた基板に
光沢ニッケルメッキ（荏原ユ−ジライト社製、#66)を10
〜30μｍ付け回路パタ−ンを形成し、更に金ストライク
メッキ（日本高純度化学社製、アシッドストライク）を
行った後、金メッキ（日本高純度化学社製、テンペレジ
スト 7T)にて 0.3μｍ付けた。この後、基板から、メッ
キレジスト、非回路部の無電解銅メッキを除去した。
細に説明する。 実施例１ 無機フィラ−を含有する液晶ポリマ−（ポリプラスッチ
ックス社製、商品名：ベクトラ C-820）を用い、射出成
形により成形品を得た。この成形品全面に無電解メッキ
を施す。次に、電着型フォトレジストを用いて、メッキ
レジストパタ−ンを形成した。こうして得られた基板に
光沢ニッケルメッキ（荏原ユ−ジライト社製、#66)を10
〜30μｍ付け回路パタ−ンを形成し、更に金ストライク
メッキ（日本高純度化学社製、アシッドストライク）を
行った後、金メッキ（日本高純度化学社製、テンペレジ
スト 7T)にて 0.3μｍ付けた。この後、基板から、メッ
キレジスト、非回路部の無電解銅メッキを除去した。
【００１７】上記の工程を経て作製された基板を75℃に
加熱した下記組成の洗浄液１に５分間浸漬した後、取り
出し、１分間水洗し、乾燥した。 洗浄液１： 過酸化水素 280 g/l(ク゛ラム/リットル) 、アン
モニア 56 g/l 。得られた洗浄基板の金メッキ表面
に、サ−モソニック式のボ−ルボンディングを行った。
その結果を表１に示した。尚、表１におけるボンディン
グ性の評価では、ボンディングしたワイヤの引っ張り強
度が８ｇ以上のものを良、８ｇ未満のものを不良とし、
ボンディング点数中の不良率を示した。
加熱した下記組成の洗浄液１に５分間浸漬した後、取り
出し、１分間水洗し、乾燥した。 洗浄液１： 過酸化水素 280 g/l(ク゛ラム/リットル) 、アン
モニア 56 g/l 。得られた洗浄基板の金メッキ表面
に、サ−モソニック式のボ−ルボンディングを行った。
その結果を表１に示した。尚、表１におけるボンディン
グ性の評価では、ボンディングしたワイヤの引っ張り強
度が８ｇ以上のものを良、８ｇ未満のものを不良とし、
ボンディング点数中の不良率を示した。
【００１８】実施例２ 実施例１と同様にして作製した基板を75℃に加熱した下
記組成の洗浄液２に５分間浸漬した後、取り出し、１分
間水洗し、乾燥した。 洗浄液２： 過酸化水素 140 g/l 、アンモニア 28 g
/l。得られた洗浄基板の金メッキ表面に、ワイヤボンデ
ィングを行った。その結果を表１に示した。
記組成の洗浄液２に５分間浸漬した後、取り出し、１分
間水洗し、乾燥した。 洗浄液２： 過酸化水素 140 g/l 、アンモニア 28 g
/l。得られた洗浄基板の金メッキ表面に、ワイヤボンデ
ィングを行った。その結果を表１に示した。
【００１９】比較例１ 実施例１に同様にして作製した基板を 25℃で下記組成
の洗浄液３に10秒間浸漬した後、取り出し、１分間水洗
し、乾燥した。 洗浄液３： ＫＣＮ ５重量％。得られた洗浄基板の金
メッキ表面に、ワイヤボンディングを行った。その結果
を表１に示した。
の洗浄液３に10秒間浸漬した後、取り出し、１分間水洗
し、乾燥した。 洗浄液３： ＫＣＮ ５重量％。得られた洗浄基板の金
メッキ表面に、ワイヤボンディングを行った。その結果
を表１に示した。
【００２０】比較例２ 実施例１に同様にして作製した基板を 25℃で下記組成
の洗浄液４に超音波照射しながら３分間浸漬した後、取
り出し、１分間水洗し、乾燥した。 洗浄液４： 代替フロン 100％ (商品名：AK-225AES
、旭硝子社製) 。得られた洗浄基板の金メッキ表面
に、ワイヤボンディングを行った。その結果を表１に示
した。 比較例３ 実施例１に同様にして作製した基板を用い、洗浄せずに
その金メッキ表面に、ワイヤボンディングを行った。そ
の結果を表１に示した。
の洗浄液４に超音波照射しながら３分間浸漬した後、取
り出し、１分間水洗し、乾燥した。 洗浄液４： 代替フロン 100％ (商品名：AK-225AES
、旭硝子社製) 。得られた洗浄基板の金メッキ表面
に、ワイヤボンディングを行った。その結果を表１に示
した。 比較例３ 実施例１に同様にして作製した基板を用い、洗浄せずに
その金メッキ表面に、ワイヤボンディングを行った。そ
の結果を表１に示した。
【００２１】
【表１】実施例＆比較例 実１ 実２ 比１ 比２ 比３ 洗浄液 H2O2 (g/l) 280 140 − − − NH3 (g/l) 56 28 − − − KCN (wt%) − − 5 − − 代替フロン (wt%) − − − 100 −ボンディング性*1 ○ ○ × × × *1 : ボンディング率で評価した。 ○： 100％、 △：95〜100 ％、 ×：95％未満
【００２２】尚、上記に実施例１、２及び比較例１〜３
のワイヤボンディング性試験に使用した機器、材料を以
下に示す。 ワイヤボンディング機 ： ボ−ル・ボンダ− ４１
２４型(キュ−リック・アンド・ソファ−社製) 金線 ：M2-30(ワイヤ径 30μｍ、
田中貴金属工業社製) ワイヤボンドプルテスター：ウルトラプル−I （ユニテ
ック社製）
のワイヤボンディング性試験に使用した機器、材料を以
下に示す。 ワイヤボンディング機 ： ボ−ル・ボンダ− ４１
２４型(キュ−リック・アンド・ソファ−社製) 金線 ：M2-30(ワイヤ径 30μｍ、
田中貴金属工業社製) ワイヤボンドプルテスター：ウルトラプル−I （ユニテ
ック社製）
【００２３】
【発明の効果】以上の発明の詳細な説明、実施例及び比
較例から、本発明の過酸化水素とアンモニアを含む水溶
液を用いた洗浄により、メッキ表面が清浄になり、良好
なワイヤボンディング性を示す金メッキ成形基板が製造
できる。
較例から、本発明の過酸化水素とアンモニアを含む水溶
液を用いた洗浄により、メッキ表面が清浄になり、良好
なワイヤボンディング性を示す金メッキ成形基板が製造
できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 成形基板に下地メッキと金メッキとによ
り回路を形成する金メッキ成形基板の製造法において、
金メッキ後、過酸化水素とアンモニアを含む水溶液にて
洗浄することを特徴とする金メッキ成形基板の洗浄方法 - 【請求項２】 該洗浄に用いる水溶液が、過酸化水素
５〜３５重量％、アンモニア １〜７重量％である請求
項１記載の金メッキ成形基板の洗浄方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646094A JPH07326848A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金メッキ成形基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646094A JPH07326848A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金メッキ成形基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326848A true JPH07326848A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14687668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11646094A Pending JPH07326848A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金メッキ成形基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326848A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495211B2 (en) | 2000-06-19 | 2002-12-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for producing a substrate and plating apparatus |
| US6518162B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US8247702B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-08-21 | Denso Corporation | Integrated circuit mounted board, printed wiring board, and method of manufacturing integrated circuit mounted board |
| CN109574292A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-05 | 徐州瑞马智能技术有限公司 | 一种助剂处理系统和方法 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11646094A patent/JPH07326848A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495211B2 (en) | 2000-06-19 | 2002-12-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for producing a substrate and plating apparatus |
| US6518162B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US8247702B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-08-21 | Denso Corporation | Integrated circuit mounted board, printed wiring board, and method of manufacturing integrated circuit mounted board |
| CN109574292A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-05 | 徐州瑞马智能技术有限公司 | 一种助剂处理系统和方法 |
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