JPS58209122A - 金属または半導体表面に微細に構成した金属パタ−ンを製造する方法 - Google Patents
金属または半導体表面に微細に構成した金属パタ−ンを製造する方法Info
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- JPS58209122A JPS58209122A JP8106683A JP8106683A JPS58209122A JP S58209122 A JPS58209122 A JP S58209122A JP 8106683 A JP8106683 A JP 8106683A JP 8106683 A JP8106683 A JP 8106683A JP S58209122 A JPS58209122 A JP S58209122A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- KPQDSKZQRXHKHY-UHFFFAOYSA-N gold potassium Chemical compound [K].[Au] KPQDSKZQRXHKHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
細に構成した金属パターンを製造する方法に関するもの
である。
である。
従来、金属または半導体表面内または上の金属パターン
はフォトエツチング法によって製造された(例えば、C
B−PS 1,163,Φ68)。いわゆる°「ドラ
イエツチング」すなわち、スノぐツタエツチングまたは
1−イオンエラヤング」かよく用いられた。しかし、微
細構造を製造する場合、これらの方法は分解能のロスを
伴うため役に豆だない。このロスは特に下部を切り取る
事によって起る。フォトラッカーの欠点はさらに、金属
化の間に金属コーティングが得られることである。従っ
て硬化したフォトラッカーをこの上に浴着しだ金属屑と
共Gこ除去しなければならない(「リフにオフ」法)。
はフォトエツチング法によって製造された(例えば、C
B−PS 1,163,Φ68)。いわゆる°「ドラ
イエツチング」すなわち、スノぐツタエツチングまたは
1−イオンエラヤング」かよく用いられた。しかし、微
細構造を製造する場合、これらの方法は分解能のロスを
伴うため役に豆だない。このロスは特に下部を切り取る
事によって起る。フォトラッカーの欠点はさらに、金属
化の間に金属コーティングが得られることである。従っ
て硬化したフォトラッカーをこの上に浴着しだ金属屑と
共Gこ除去しなければならない(「リフにオフ」法)。
これもまた分解能をロスする。ざらGこ、多くの基板材
料は、金属パターンの良好なボンディングおよび良好な
接触接合部を得るために、アルカリ金属水酸化物溶液を
用いて前処理する心安がある。この処理は高温で長期間
、強アルカリ金属水酸化物を用いて行われる場合が多い
。ざらに、多くの無電解金属めっき浴、例えば銅,金お
よび金銅合金浴は、パターンをつくるために用いられ、
強アルカリ性であり、80〜90°Cまでの高温で用い
られる。通常の正の感光性ラッカーは、しかし、強アル
カリ液と極めて良く接触し剛えることができない。責匂
洸箋〜檜〜樋す檜な※寸旌S.刈箇と接触を上へ耐える
母とが(外なN%負の光ラッカーは一層よくアルカリ液
と接触しよく耐えることができるが、通常の紫外線露光
H+こよって微細構造のパターンをつくるにはあまり虐
していない。
料は、金属パターンの良好なボンディングおよび良好な
接触接合部を得るために、アルカリ金属水酸化物溶液を
用いて前処理する心安がある。この処理は高温で長期間
、強アルカリ金属水酸化物を用いて行われる場合が多い
。ざらに、多くの無電解金属めっき浴、例えば銅,金お
よび金銅合金浴は、パターンをつくるために用いられ、
強アルカリ性であり、80〜90°Cまでの高温で用い
られる。通常の正の感光性ラッカーは、しかし、強アル
カリ液と極めて良く接触し剛えることができない。責匂
洸箋〜檜〜樋す檜な※寸旌S.刈箇と接触を上へ耐える
母とが(外なN%負の光ラッカーは一層よくアルカリ液
と接触しよく耐えることができるが、通常の紫外線露光
H+こよって微細構造のパターンをつくるにはあまり虐
していない。
金属または半導体化合物から成る基板表凹内または上に
、無電解金属めっき溶液によって、金属化マスクを用い
ながら金属パターンを製造する方法は、ますS1o2お
よびSi8N4から選ばれる化合物の均一層を基板表面
に蒸気相から溶着し、所望の金i化マスクパターンを、
ここから均一層をフォトエツチングすることによって製
造し、マスクした基板を、所望により基板上に貴金属核
を溶着する液体と接触させた後、無電解めっき溶液と接
触させる本発明に特徴がある。
、無電解金属めっき溶液によって、金属化マスクを用い
ながら金属パターンを製造する方法は、ますS1o2お
よびSi8N4から選ばれる化合物の均一層を基板表面
に蒸気相から溶着し、所望の金i化マスクパターンを、
ここから均一層をフォトエツチングすることによって製
造し、マスクした基板を、所望により基板上に貴金属核
を溶着する液体と接触させた後、無電解めっき溶液と接
触させる本発明に特徴がある。
所望により溶着層を温度処理によって緻密にすることが
できる。
できる。
この方法によって金属と半導体化合物上に極めて微細な
パターン(且2μm)を製造することができる。
パターン(且2μm)を製造することができる。
本発明に導く実IP!において、蒸気相力)ら基板上に
溶着し次いでフォトエツチング法Qこよってマスクか製
造される。Al208は、核の溶層後金属化Gこよる遊
離基板と同じ笠属で迅速にi情される。従ってA120
8を使用する際の選択性は全く問題外である。同じ方法
で使用したSiO□とSi,N,がA1□08と比較し
て金属溶着において愛れた選択性を示したことは意外で
あり、無電解金属めっき溶液または貴金属核溶着溶液の
いずれからも、咳をマスク材料上に溶着しなかった。マ
スク材料の金属化または非金属化におに1ていずれのフ
ァクターが役−]を演じるかは全く不明のままである。
溶着し次いでフォトエツチング法Qこよってマスクか製
造される。Al208は、核の溶層後金属化Gこよる遊
離基板と同じ笠属で迅速にi情される。従ってA120
8を使用する際の選択性は全く問題外である。同じ方法
で使用したSiO□とSi,N,がA1□08と比較し
て金属溶着において愛れた選択性を示したことは意外で
あり、無電解金属めっき溶液または貴金属核溶着溶液の
いずれからも、咳をマスク材料上に溶着しなかった。マ
スク材料の金属化または非金属化におに1ていずれのフ
ァクターが役−]を演じるかは全く不明のままである。
通常の有機フォトラッカーと比較すると、マスク材料と
してSin2とSi8N,は、通常の有機フォトラッカ
ーよりもはるかに良く高温できアノカリ金属水酸化物と
の接触に耐えることができ、また核の溶着のために使用
される酸性貴金属溶液(例えばHClで酸化した゛酢酸
)、酸性無電解ニッケルめっき溶液および金,銅および
金銅合金を浴着するためのアルカリ性無電解金属めっき
溶液Gこも耐えられる。
してSin2とSi8N,は、通常の有機フォトラッカ
ーよりもはるかに良く高温できアノカリ金属水酸化物と
の接触に耐えることができ、また核の溶着のために使用
される酸性貴金属溶液(例えばHClで酸化した゛酢酸
)、酸性無電解ニッケルめっき溶液および金,銅および
金銅合金を浴着するためのアルカリ性無電解金属めっき
溶液Gこも耐えられる。
本発明による方法を用いる場合、マスキング表面は核を
与えず、金属溶着物を含まないままである。金属溶着は
マスク表面に起らないので、くもり止め剤を使用する必
要がない。さらに、分解能のロスを生じる結果となる「
リフトオ7」法を使用する必要がない。これに対して、
マスキング層を除去しない場合大気の攻撃から持別防巣
する利点があるっまた、金疵層を攻撃しないで、エツチ
ングによってマスキング層を除去できる利点がある。
与えず、金属溶着物を含まないままである。金属溶着は
マスク表面に起らないので、くもり止め剤を使用する必
要がない。さらに、分解能のロスを生じる結果となる「
リフトオ7」法を使用する必要がない。これに対して、
マスキング層を除去しない場合大気の攻撃から持別防巣
する利点があるっまた、金疵層を攻撃しないで、エツチ
ングによってマスキング層を除去できる利点がある。
二酸化ケイ素はマスキングとして知られており、半導体
技術に使用される場合が多いことは特記すべきことであ
る。しかし堺在まで、これは常に非選択的蒸着法と組合
わせて常に使用されてきた。
技術に使用される場合が多いことは特記すべきことであ
る。しかし堺在まで、これは常に非選択的蒸着法と組合
わせて常に使用されてきた。
丁だ、本発明による方法の場合、3102を約600°
C±20°Cの温度で曇〜1時間処理し、その結果、金
R密度の増加が達成さね、る。
C±20°Cの温度で曇〜1時間処理し、その結果、金
R密度の増加が達成さね、る。
本発明の範囲内では、この種の二酸化ンリコンマスクを
1.まず基礎をなす基板材料をプロフィルするためのエ
ツチングマスクとして使用することができ、次いで基板
表面の選択的金属化のためのマスクとして使用すること
ができる。
1.まず基礎をなす基板材料をプロフィルするためのエ
ツチングマスクとして使用することができ、次いで基板
表面の選択的金属化のためのマスクとして使用すること
ができる。
本発明の範妊内で興味ある実帥例は、p −GaASか
ら成る表面に金、gipJまたは金銅合金の濯パターン
を設けることである。前記表面を金属化しこ先立って強
アルカリ液(例えばKOH20重量%の水溶液)によっ
て洗浄しなければならないことは重要である。前記金属
化の他の利点はその結果抵抗挙動を示すp−GaAsに
接触することである。また容易に結合できる全パターン
を同様の方法(こよってp −GaAs表面に設けるこ
とができる。
ら成る表面に金、gipJまたは金銅合金の濯パターン
を設けることである。前記表面を金属化しこ先立って強
アルカリ液(例えばKOH20重量%の水溶液)によっ
て洗浄しなければならないことは重要である。前記金属
化の他の利点はその結果抵抗挙動を示すp−GaAsに
接触することである。また容易に結合できる全パターン
を同様の方法(こよってp −GaAs表面に設けるこ
とができる。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
実施例1
亜鉛拡散によってp+伝導性となったp −caAsウ
エーファGこ、400°Cの温度でS iH4と酸禦の
混合物から化学蒸着によってp −にaAEi表面に厚
す15 nmの二酸化シリコン(「シロツクスJ)層を
与える。次いでアセンブリを625 ”Cにて30分間
加熱し、続いて室温まで冷却したつ所望のシロツクスマ
スクを得るためラインのパターンを、市販品として手に
入るフォトラッカーと1容量部のNH,F −HF浴液
および8容重都の水から成るエツチング液によってシロ
ツクス+= にエツチングした。M、F −I(F溶液
を、7容量部のNH,F溶液(200gのIJH,Fと
300gの水)および1容重部のHF溶液(水中49%
)を混合して得た0 @i+μmおよび深ざ274mのV字形溝を、25°C
にて1容置部のH802(30重欺%)、l容置部のア
ンモニア溶液(25重重欺)およびlO容徽部の水から
成る溶液と接触させて、GaASに工′ンチングした。
エーファGこ、400°Cの温度でS iH4と酸禦の
混合物から化学蒸着によってp −にaAEi表面に厚
す15 nmの二酸化シリコン(「シロツクスJ)層を
与える。次いでアセンブリを625 ”Cにて30分間
加熱し、続いて室温まで冷却したつ所望のシロツクスマ
スクを得るためラインのパターンを、市販品として手に
入るフォトラッカーと1容量部のNH,F −HF浴液
および8容重都の水から成るエツチング液によってシロ
ツクス+= にエツチングした。M、F −I(F溶液
を、7容量部のNH,F溶液(200gのIJH,Fと
300gの水)および1容重部のHF溶液(水中49%
)を混合して得た0 @i+μmおよび深ざ274mのV字形溝を、25°C
にて1容置部のH802(30重欺%)、l容置部のア
ンモニア溶液(25重重欺)およびlO容徽部の水から
成る溶液と接触させて、GaASに工′ンチングした。
シロ゛ンクス線パターンをもつGaAsウエーファを水
酸化カリウム20重量%の水溶液中に約4分間70°C
にて浸した。約7分間脱イオン水ですすいた復、GaA
Sウェー7アを、9−の濃塩酸溶液に0.3 !7の塩
化パラジウムを溶解し9−の水で希釈して1)z整した
溶液に浸せきさせた。
酸化カリウム20重量%の水溶液中に約4分間70°C
にて浸した。約7分間脱イオン水ですすいた復、GaA
Sウェー7アを、9−の濃塩酸溶液に0.3 !7の塩
化パラジウムを溶解し9−の水で希釈して1)z整した
溶液に浸せきさせた。
J、Electrochem、Soc、 127 19
80年9月1935〜1939頁に記載されたように、
864−の氷酢酸を添紺し、次いで、別の22.6−の
フッ化水素巖溶液(40重量%)を添加した。
80年9月1935〜1939頁に記載されたように、
864−の氷酢酸を添紺し、次いで、別の22.6−の
フッ化水素巖溶液(40重量%)を添加した。
数分間脱イオン水を流してすすいた後、にaAsウエー
ファを1一時[田、1/当り 0、f)4モルの硫酸銅 0.014モルのカリウム金CI)シアン化物0’、0
72モルのエチレンジアミン四酢酸の四ナトリウム塩 0.12モルの水酸化ナトリウム 0.10モルのホルムアルデヒド を含有する50°Cに加熱した溶液に浸せきさせた。
ファを1一時[田、1/当り 0、f)4モルの硫酸銅 0.014モルのカリウム金CI)シアン化物0’、0
72モルのエチレンジアミン四酢酸の四ナトリウム塩 0.12モルの水酸化ナトリウム 0.10モルのホルムアルデヒド を含有する50°Cに加熱した溶液に浸せきさせた。
次いでV字形溝を約1重置%の銅を含有する金合金を用
いて完全に充てんした。シロ゛ンクス00Lm金属は全
く溶着しなかった。金合金層は抵抗接触体として挙動し
結合できることがわかった。アルゴン雰囲気で325°
Cにて20分間温度処理した後の接触抵抗は1.4 X
10−5Ω10m2であり、例えば、し〜ザー技術に
用いるため、これはあらゆる点で良いと言える。
いて完全に充てんした。シロ゛ンクス00Lm金属は全
く溶着しなかった。金合金層は抵抗接触体として挙動し
結合できることがわかった。アルゴン雰囲気で325°
Cにて20分間温度処理した後の接触抵抗は1.4 X
10−5Ω10m2であり、例えば、し〜ザー技術に
用いるため、これはあらゆる点で良いと言える。
同fJ2の結果は、シロツクスの代りにマスクとして8
1 s N 4を用いることによって得られる。これは
アンモニア、屋素およびシラン(SIH+ )を含有す
る気流からにaSS表面G表面層することから成るつ実
施例2 実施例1に記載した方法で、p−GaAsウエーファに
シロツクスマスクを設け、パターンを、NH4F−HF
溶液による化学エツチングによって与えた。にaAsは
エツチングしなかった。核を設けた後・実圃例1の方法
で、 30りのグリシン 10gの次亜リン酸ナトリウムおよび sogの塩化ニッケル を水11に含有し92°Cに加熱した溶液(こ10分間
浸せきさせて、GaASウエーファを選択的に金属化し
た。
1 s N 4を用いることによって得られる。これは
アンモニア、屋素およびシラン(SIH+ )を含有す
る気流からにaSS表面G表面層することから成るつ実
施例2 実施例1に記載した方法で、p−GaAsウエーファに
シロツクスマスクを設け、パターンを、NH4F−HF
溶液による化学エツチングによって与えた。にaAsは
エツチングしなかった。核を設けた後・実圃例1の方法
で、 30りのグリシン 10gの次亜リン酸ナトリウムおよび sogの塩化ニッケル を水11に含有し92°Cに加熱した溶液(こ10分間
浸せきさせて、GaASウエーファを選択的に金属化し
た。
よぐ固着するニッケルをGaASに溶着したが、シロツ
クスマスクを金属化しなかった。
クスマスクを金属化しなかった。
実施例3
p −AIGaASウエーファQこ、実甑例1に記載し
た方法でシロツクスマスクを設(すた。実権例1による
前処理を凧した後、実施例1に記載したような溶液中で
1時間金属化を行った。選択的でよく回着する金溶N物
が、<ターンによって得られた。
た方法でシロツクスマスクを設(すた。実権例1による
前処理を凧した後、実施例1に記載したような溶液中で
1時間金属化を行った。選択的でよく回着する金溶N物
が、<ターンによって得られた。
実施例4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 金属または半導体化合物から成る基板表面内または
上に金属化マスクを用いながら無電解金属めっき溶液に
よって金属パターンを製造する方法において、まずSi
n、および5j8N。 から選ばれる化合物の均一層を基板表面に蒸気相から溶
着し、所望の金属化マスクパターンを、ここから均一層
をフォトエツチングすることによって製造し、マスクし
た基板を、所望により基板上に責金属核を溶着する液体
と接触させた後、無電解金属めっき溶液と接触させるこ
とを特徴とする金属パターンを製造する方法。 a 金属または半導体化合物から成る基板表面に選択的
に金属バター〉を設けるため、5102または5i8N
、から形成したマスクバター〉を設けた後、マスクした
基板を、無電解めっき溶液または基板上に金属核を溶着
する液体を用いる場合、このような液体と接触させる前
ニ、基板をエツチングによってまずプロフィルする特許
請求の範囲第1項記載の方法。 & 基板表面がGaASまたはAlGaAsから成り、
アルカリ金属水酸化物で処理周接を設けた後、Auまた
はAu −Cu合金を5102またはSi3N。 によってマスクした基板上に無電解めっき溶液によって
選択的に溶着する特許請求の範囲第1項または第2項記
載の方法。 表 蒸気相からの化学溶着によって基板表面に5in2
を設け、得られた相を基板と共にh〜1時間610 ’
C±20°Cの温度にて加熱することによって緻密にす
る特許請求の範囲第1゜2または3項記載の方法。 & まずSiO□および5i8N、から選ばnる化合物
の均一層を基板表面に蒸気相から浴着し、所望の金属化
マスクパターンを、ここ力)ら均一層をフォトエツチン
グすることによって製造し、マスクした基板を、所望に
より基板上に貴金属核を溶着する液体と接触させた後、
無[1属めっき溶液と接触させて得られる金属または半
導体化合物の基板上に微細に構成した金属パターンから
成る製品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8202009 | 1982-05-14 | ||
NL8202009A NL8202009A (nl) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58209122A true JPS58209122A (ja) | 1983-12-06 |
JPH0614517B2 JPH0614517B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=19839743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58081066A Expired - Lifetime JPH0614517B2 (ja) | 1982-05-14 | 1983-05-11 | 金属パターンを製造する方法及び金属パターンから成る製品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0094711B1 (ja) |
JP (1) | JPH0614517B2 (ja) |
DE (1) | DE3366541D1 (ja) |
NL (1) | NL8202009A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590204A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5527586A (en) * | 1992-03-18 | 1996-06-18 | Printron, Inc. | Apparatus and method for depositing metal particles on a dielectric substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5221768A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-18 | Hitachi Ltd | Producing system of semiconductor element |
US4201998A (en) * | 1977-02-18 | 1980-05-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices with Schottky metal contacts filling a depression in a semi-conductor body |
JPS5588325A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1286641B (de) * | 1966-08-26 | 1969-01-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung |
JPS5254369A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Schottky barrier semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-14 NL NL8202009A patent/NL8202009A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-05-06 EP EP19830200653 patent/EP0094711B1/en not_active Expired
- 1983-05-06 DE DE8383200653T patent/DE3366541D1/de not_active Expired
- 1983-05-11 JP JP58081066A patent/JPH0614517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5221768A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-18 | Hitachi Ltd | Producing system of semiconductor element |
US4201998A (en) * | 1977-02-18 | 1980-05-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices with Schottky metal contacts filling a depression in a semi-conductor body |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590204A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0614517B2 (ja) | 1994-02-23 |
NL8202009A (nl) | 1983-12-01 |
EP0094711B1 (en) | 1986-10-01 |
DE3366541D1 (en) | 1986-11-06 |
EP0094711A1 (en) | 1983-11-23 |
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