JPS58157958A - ポリスルホン基材の無電解金属メツキ法 - Google Patents
ポリスルホン基材の無電解金属メツキ法Info
- Publication number
- JPS58157958A JPS58157958A JP16869682A JP16869682A JPS58157958A JP S58157958 A JPS58157958 A JP S58157958A JP 16869682 A JP16869682 A JP 16869682A JP 16869682 A JP16869682 A JP 16869682A JP S58157958 A JPS58157958 A JP S58157958A
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- JP
- Japan
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- polysulfone
- substrate
- solvent
- metal plating
- plating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
- C23C18/26—Roughening, e.g. by etching using organic liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0333—Organic insulating material consisting of one material containing S
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
他の金属で無電解メッキする方法に係わる。
ボリスルホン基材の如きプラスチック基材の無電解メッ
キ法は公知である。これらの方法でに。
キ法は公知である。これらの方法でに。
初期エッチングのための基材をプラスチック用の溶媒中
に浸漬し、水洗し、ついで、さらにエッチングするため
に水性酸浴と接触させる。ついでエッチングされた基材
を公知の増感化および活性化処理し、最後にニッケルま
たに他の金属の層をメッキする。このようにしてメッキ
さ扛たボリスルホン基材は、この上への電導回路の形成
に適するものである。このよう゛な方法の例としては、
米国特許第３，Ｓ≦０． ２ ｌＩ／ 号に開示され
た方法がある。
に浸漬し、水洗し、ついで、さらにエッチングするため
に水性酸浴と接触させる。ついでエッチングされた基材
を公知の増感化および活性化処理し、最後にニッケルま
たに他の金属の層をメッキする。このようにしてメッキ
さ扛たボリスルホン基材は、この上への電導回路の形成
に適するものである。このよう゛な方法の例としては、
米国特許第３，Ｓ≦０． ２ ｌＩ／ 号に開示され
た方法がある。
この方法はコ種類の溶媒による初期溶媒処理工程を包含
している。この方法によれば、ポリスルホン基材の一部
を溶解しうる第１溶媒でまずポリスルホン体を処理し、
ついで第１溶媒と混和するものではあるが、ポリスルホ
ンを溶解し得す、したがって溶解したポリスルホンの膜
を基材上に析出する第コ溶媒で処理する。初期エツチン
グされた基材を水性酸と接触させ，水洗し、脱アルカリ
化し、中和し、つづいて基材上に金属層をメッキ形成す
る。さらに最近の方法では、ボリスルホン基材用の初期
工、ツチング剤として、ジメチルホルムアミドの如き単
一溶媒が使用されている。しかしながら、溶媒としてジ
メチルホルムアミドを単独で使用する場合には、物質の
危険性の面で問題がある。
している。この方法によれば、ポリスルホン基材の一部
を溶解しうる第１溶媒でまずポリスルホン体を処理し、
ついで第１溶媒と混和するものではあるが、ポリスルホ
ンを溶解し得す、したがって溶解したポリスルホンの膜
を基材上に析出する第コ溶媒で処理する。初期エツチン
グされた基材を水性酸と接触させ，水洗し、脱アルカリ
化し、中和し、つづいて基材上に金属層をメッキ形成す
る。さらに最近の方法では、ボリスルホン基材用の初期
工、ツチング剤として、ジメチルホルムアミドの如き単
一溶媒が使用されている。しかしながら、溶媒としてジ
メチルホルムアミドを単独で使用する場合には、物質の
危険性の面で問題がある。
本発明は、基材の初期エツチングのために、許容される
溶媒を使用するポリスルホン基材の無電解メッキ法を提
供するものである。
溶媒を使用するポリスルホン基材の無電解メッキ法を提
供するものである。
本発明は、ポリスルホン基材用初期エツチング剤として
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを使用し、ついで初期エツ
チングした基材を水性酸エツチングし、増感化および活
性化し、さらに一般的に利用できる無電解メッキ液全使
用して無電解メッキすることからなる無電解メッキ法に
より特徴づけられる。
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを使用し、ついで初期エツ
チングした基材を水性酸エツチングし、増感化および活
性化し、さらに一般的に利用できる無電解メッキ液全使
用して無電解メッキすることからなる無電解メッキ法に
より特徴づけられる。
したがって１本発明の利点は、衛生、環境のあらゆる面
から許容される初期エツチング用溶媒を使用するポリス
ルホン基材の無電解メッキ法を提供できることにある。
から許容される初期エツチング用溶媒を使用するポリス
ルホン基材の無電解メッキ法を提供できることにある。
本発明の他の利点は、より安定な初期エツチング用溶媒
を使用するポリスルホン基材の改良無電解メッキ法にあ
る。
を使用するポリスルホン基材の改良無電解メッキ法にあ
る。
前記米国特許＠ 、？、 ！； Ａ Ｏ，２ダｌ 号明
細書に記載されている如く、ポリスルホンは、その優′
ｎた熱安定性のため、プリント回路を形成における基材
として好適である。このような回路の形成においては、
つづく導電回路形成のために金網が基材上に結合されな
ければならない。この棟のポリスルホン組成物としては
、たとえばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄ’ｅ社製のＭＩ’
ＮＤＥＬ Ｍ−ｇ ２ ｇがある。ポリスルホン基材上
でのプリント回路の形成法についてに、ＵｎｉｏｎＣａ
ｒｂｉｄｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｉｅｒｓ
Ａ ／ ＯＡ 「プリント回路用基材としてのポリス
ルホンＪ（／９’）’）年Ｓ月ダ日発行）に詳述されて
おり、ここでにその内容を参考とする。
細書に記載されている如く、ポリスルホンは、その優′
ｎた熱安定性のため、プリント回路を形成における基材
として好適である。このような回路の形成においては、
つづく導電回路形成のために金網が基材上に結合されな
ければならない。この棟のポリスルホン組成物としては
、たとえばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄ’ｅ社製のＭＩ’
ＮＤＥＬ Ｍ−ｇ ２ ｇがある。ポリスルホン基材上
でのプリント回路の形成法についてに、ＵｎｉｏｎＣａ
ｒｂｉｄｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｉｅｒｓ
Ａ ／ ＯＡ 「プリント回路用基材としてのポリス
ルホンＪ（／９’）’）年Ｓ月ダ日発行）に詳述されて
おり、ここでにその内容を参考とする。
この技報に記載されている如く、ポリスルホンの無電解
メッキは、ジメチルホルムアミドの如き有機溶媒（前処
理剤）中に浸漬することからなる基材の前処理（初期エ
ツチング剤により行なわれる。ついで基材をクロム酸−
硫酸混合物の如き制酸化性酸中へ浸漬することにより酸
エツチングし、ついで公知の溶液へ浸漬することによ、
り増感化および活性化し、最後に無電解金属メッキする
。
メッキは、ジメチルホルムアミドの如き有機溶媒（前処
理剤）中に浸漬することからなる基材の前処理（初期エ
ツチング剤により行なわれる。ついで基材をクロム酸−
硫酸混合物の如き制酸化性酸中へ浸漬することにより酸
エツチングし、ついで公知の溶液へ浸漬することによ、
り増感化および活性化し、最後に無電解金属メッキする
。
本発明によるポリスルホン基材の無電解メッキでは、ポ
リスルホン基材をアルカリ性の非エツチング性クリーナ
ーの如きライトデユーティ−クリーナー中に浸漬し、水
洗し、乾燥する。ついでポリスルホン基材を、主として
Ｎ−メチルーコーピロリドンでなる初期エツチング用有
機溶媒（約Ｓ％（８ｉ）の水を含む）中に２５ないし３
５秒間、好ましく１−［Ｊ（７秒間浸漬する。このＮ−
メチル−２−ピロリドン中への浸漬により、ポリスルホ
ン基材の表面の初期エツチングが行なわれる。ついで、
ポリスルホン基材を冷水で洗浄し、クロム酸−硫酸コン
ディショナー中へ約１０秒間浸漬することによりコンデ
ィショニングする。冷水で洗浄後、コンディショニング
されたポリスルホン基材金、Ｅｎｐｌａｔｅ ５ｅｎｓ
ｉｔｉｚｅｒ Ｑ’３２ （Ｅｎｔｈｏｎｅ社）の如
き増感剤液中へ浸漬することにより増感化する。この増
感剤液は、水９０部（容量）およびブチルセルロンルブ
１０部（容１１）でなる溶液／Ｓ容量部中にＥｎｐｌａ
ｔｅ ５ｅｎｓｉｔｉｚｅｒ ４１Ｊ、２ 約ｌ容
量部を含有するものである。増感剤液中に４分間浸漬し
たのち、増感化されたポルスルホン基材を再び水で洗浄
し、ついでＥｎｐｌａｔｅ Ａｃｔｉｖａｔｏｒダｑθ
（Ｅｎｔｈｏｎｅ社）の如き活性化剤液中へ浸漬するこ
とによって活性化する。この活性化剤液は、水９０部（
容量）およびプチルセルロンルプ” ｔａ （容量）で
なる溶液ｌＳ容量部中にＥｎｐｌａｔｅ Ａｃｔｉｖａ
ｔｏｒｔｔｅｏ 約ｌ容量部を含有するものである。活
性化剤液中に約ｉｑｓ 秒間浸漬したのち、基材全再度
水で洗浄する。ついで、活性化されたポリスルホン基材
を、Ｅｎｐｌａｔｅ Ｎｉ ＩＩ ／ ０ （Ｅｎ
ｔｈｏｎｅ社）の如き無電解ニッケルメッキ液中に浸漬
することによりメタライズする。ニッケルメッキ後、こ
の金属フィルム上にさらに銀または金の導通路が形成さ
れる。
リスルホン基材をアルカリ性の非エツチング性クリーナ
ーの如きライトデユーティ−クリーナー中に浸漬し、水
洗し、乾燥する。ついでポリスルホン基材を、主として
Ｎ−メチルーコーピロリドンでなる初期エツチング用有
機溶媒（約Ｓ％（８ｉ）の水を含む）中に２５ないし３
５秒間、好ましく１−［Ｊ（７秒間浸漬する。このＮ−
メチル−２−ピロリドン中への浸漬により、ポリスルホ
ン基材の表面の初期エツチングが行なわれる。ついで、
ポリスルホン基材を冷水で洗浄し、クロム酸−硫酸コン
ディショナー中へ約１０秒間浸漬することによりコンデ
ィショニングする。冷水で洗浄後、コンディショニング
されたポリスルホン基材金、Ｅｎｐｌａｔｅ ５ｅｎｓ
ｉｔｉｚｅｒ Ｑ’３２ （Ｅｎｔｈｏｎｅ社）の如
き増感剤液中へ浸漬することにより増感化する。この増
感剤液は、水９０部（容量）およびブチルセルロンルブ
１０部（容１１）でなる溶液／Ｓ容量部中にＥｎｐｌａ
ｔｅ ５ｅｎｓｉｔｉｚｅｒ ４１Ｊ、２ 約ｌ容
量部を含有するものである。増感剤液中に４分間浸漬し
たのち、増感化されたポルスルホン基材を再び水で洗浄
し、ついでＥｎｐｌａｔｅ Ａｃｔｉｖａｔｏｒダｑθ
（Ｅｎｔｈｏｎｅ社）の如き活性化剤液中へ浸漬するこ
とによって活性化する。この活性化剤液は、水９０部（
容量）およびプチルセルロンルプ” ｔａ （容量）で
なる溶液ｌＳ容量部中にＥｎｐｌａｔｅ Ａｃｔｉｖａ
ｔｏｒｔｔｅｏ 約ｌ容量部を含有するものである。活
性化剤液中に約ｉｑｓ 秒間浸漬したのち、基材全再度
水で洗浄する。ついで、活性化されたポリスルホン基材
を、Ｅｎｐｌａｔｅ Ｎｉ ＩＩ ／ ０ （Ｅｎ
ｔｈｏｎｅ社）の如き無電解ニッケルメッキ液中に浸漬
することによりメタライズする。ニッケルメッキ後、こ
の金属フィルム上にさらに銀または金の導通路が形成さ
れる。
ポリスルホン基材の初期エツチング用溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンを使用することにより、操作温度
で安定でありかつ他の溶媒に比べて危険性の少ない単一
初期エツチング溶媒の使用が可能となる。この溶媒は、
引火点が高いことおよび蒸気の危険性が少ないことに加
えて、化学的および熱的安定性に優れている。
チル−２−ピロリドンを使用することにより、操作温度
で安定でありかつ他の溶媒に比べて危険性の少ない単一
初期エツチング溶媒の使用が可能となる。この溶媒は、
引火点が高いことおよび蒸気の危険性が少ないことに加
えて、化学的および熱的安定性に優れている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ ポリスルホン基材を水性酸浴と接触させ、増感化し
、活性化し、ついで無電解メッキ液でメッキするに先立
ち、初期エツチング前処理のため、前記ポリスルホン基
材ヲ肩機溶媒中に浸漬する工程を包含するポリスルホン
基材の無電解金属メッキ法において、前記有機溶媒とし
てＮ−メチルーコービロリドンヲ使用することを特徴と
する、ポリスルホン基材の無電解金属メッキ法。 ユ 金属がニッケルであり、前記溶媒に約Ｓ％（容量）
の水が添加される特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30705881A | 1981-09-30 | 1981-09-30 | |
| US307058 | 1981-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157958A true JPS58157958A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=23188058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16869682A Pending JPS58157958A (ja) | 1981-09-30 | 1982-09-29 | ポリスルホン基材の無電解金属メツキ法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0076730A1 (ja) |
| JP (1) | JPS58157958A (ja) |
| CA (1) | CA1162354A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63500249A (ja) * | 1985-06-24 | 1988-01-28 | エンソ−ン、インコ−ポレ−テッド | 金属めっき前にプラスチック支持体の表面をコンディショニングする方法 |
| JPH02217477A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3560241A (en) * | 1968-03-06 | 1971-02-02 | Ibm | Method of metallizing a polysulfone body |
-
1982
- 1982-06-15 CA CA000405220A patent/CA1162354A/en not_active Expired
- 1982-09-27 EP EP82401741A patent/EP0076730A1/en not_active Withdrawn
- 1982-09-29 JP JP16869682A patent/JPS58157958A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63500249A (ja) * | 1985-06-24 | 1988-01-28 | エンソ−ン、インコ−ポレ−テッド | 金属めっき前にプラスチック支持体の表面をコンディショニングする方法 |
| JPH02217477A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1162354A (en) | 1984-02-21 |
| EP0076730A1 (en) | 1983-04-13 |
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