JPH03104873A - 電気絶縁体への無電解めっき法 - Google Patents
電気絶縁体への無電解めっき法Info
- Publication number
- JPH03104873A JPH03104873A JP24308089A JP24308089A JPH03104873A JP H03104873 A JPH03104873 A JP H03104873A JP 24308089 A JP24308089 A JP 24308089A JP 24308089 A JP24308089 A JP 24308089A JP H03104873 A JPH03104873 A JP H03104873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless plating
- boron hydride
- plating
- solution
- hydride compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 67
- 229910010277 boron hydride Inorganic materials 0.000 claims description 65
- -1 boron hydride compound Chemical class 0.000 claims description 57
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 3
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 75
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910003019 MBH4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 5
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 4
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- LUZZASVJWGRCFO-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ag]C#N Chemical compound [Na].[Ag]C#N LUZZASVJWGRCFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N boron potassium Chemical compound [B].[K] XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAXSQXIANLNZAF-UHFFFAOYSA-N boron;hydrazine Chemical compound [B].NN RAXSQXIANLNZAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- AVTYONGGKAJVTE-OLXYHTOASA-L potassium L-tartrate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O AVTYONGGKAJVTE-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 239000001472 potassium tartrate Substances 0.000 description 2
- 229940111695 potassium tartrate Drugs 0.000 description 2
- 235000011005 potassium tartrates Nutrition 0.000 description 2
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- GTGXZTMFBLKHFF-UHFFFAOYSA-M sodium;dihydrogen phosphate;hypochlorous acid Chemical compound [Na+].ClO.OP(O)([O-])=O GTGXZTMFBLKHFF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXUJWPHOPHHZLR-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2-fluoroethane Chemical compound FCC(Cl)(Cl)Cl ZXUJWPHOPHHZLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHVDTGUDJYJELY-UHFFFAOYSA-N 6-{[2-carboxy-4,5-dihydroxy-6-(phosphanyloxy)oxan-3-yl]oxy}-4,5-dihydroxy-3-phosphanyloxane-2-carboxylic acid Chemical compound O1C(C(O)=O)C(P)C(O)C(O)C1OC1C(C(O)=O)OC(OP)C(O)C1O FHVDTGUDJYJELY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRSALKUUPPMWID-UHFFFAOYSA-N B.[Ni] Chemical compound B.[Ni] PRSALKUUPPMWID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150029237 Il11 gene Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000012448 Lithium borohydride Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229940072056 alginate Drugs 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- HUQOFZLCQISTTJ-UHFFFAOYSA-N diethylaminoboron Chemical compound CCN([B])CC HUQOFZLCQISTTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電気絶縁体への無電解めっき法に関し、紙、
繊維、ガラス、セラミックス、プラスチノク等にめっき
を行う際に使用されるものである。
繊維、ガラス、セラミックス、プラスチノク等にめっき
を行う際に使用されるものである。
セラξツクスやプラスチックス等の電気絶縁体へ無電解
めっきをするには、予め、この絶縁体表面に、触媒とな
るパラジウム等の金属微粒子を形威し、この金属微粒子
を核にして金属析出を可能にしなければならないもので
ある。
めっきをするには、予め、この絶縁体表面に、触媒とな
るパラジウム等の金属微粒子を形威し、この金属微粒子
を核にして金属析出を可能にしなければならないもので
ある。
このため、従来にあっては、
被めっき物(絶縁体)を強酸性の塩化第一錫溶液に浸漬
したのち水洗し、次いで、強酸性の塩化パラジウム溶液
に浸漬することにより、触媒核を形成していた(米国特
許2702253号公報)。
したのち水洗し、次いで、強酸性の塩化パラジウム溶液
に浸漬することにより、触媒核を形成していた(米国特
許2702253号公報)。
又、予め、パラジウム、金、白金、銀、銅、ニソケル等
の種々の金属微粒子をコロイド生戊等によって、触媒核
として、被めっき物表面に形或する方法も存在した(米
国特許3011920号、特開昭6].− 19418
3号、特開昭62− 250180号、特開昭64−6
8478号)。
の種々の金属微粒子をコロイド生戊等によって、触媒核
として、被めっき物表面に形或する方法も存在した(米
国特許3011920号、特開昭6].− 19418
3号、特開昭62− 250180号、特開昭64−6
8478号)。
次に、この触媒核はめっき工程中において、溶解したり
脱離したりしやすいものである。このような現象で触媒
核が不均一になると、無電解めっきしても、めっき部は
緻密で均一になりにくく、よって、従来にあっては、緻
密で均一なめっきを得るために、アルゴンガス又は窒素
ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでまず処理を
し、金属核に金属を予め析出固定させ、その後に、無電
解めっきを行っていた。
脱離したりしやすいものである。このような現象で触媒
核が不均一になると、無電解めっきしても、めっき部は
緻密で均一になりにくく、よって、従来にあっては、緻
密で均一なめっきを得るために、アルゴンガス又は窒素
ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでまず処理を
し、金属核に金属を予め析出固定させ、その後に、無電
解めっきを行っていた。
しかしなから、従来にあっては、絶縁体の表面に触媒核
を生戒するために、特別の処理を必要とした。
を生戒するために、特別の処理を必要とした。
又、緻密で均一なめっきを得るためには、アルゴンガス
又は窒素ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでま
ず処理をし、金属核に金属を予め析出固定させ、その後
に、無電解めっきを行うという複雑な工程を更に必要と
した(サーキットテクノロジイνol.3,No.4(
1988) P.208〜210)。
又は窒素ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでま
ず処理をし、金属核に金属を予め析出固定させ、その後
に、無電解めっきを行うという複雑な工程を更に必要と
した(サーキットテクノロジイνol.3,No.4(
1988) P.208〜210)。
このように、従来における絶縁体への無電解めっきにあ
っては、複雑で高コストの前処理や初期金属析出用無電
解めっき工程などを必要とするにも拘わらず、導電体へ
のめっきのような均一で密着性が良く、安定した高品質
のめっきを得にくいという不都合を有した。
っては、複雑で高コストの前処理や初期金属析出用無電
解めっき工程などを必要とするにも拘わらず、導電体へ
のめっきのような均一で密着性が良く、安定した高品質
のめっきを得にくいという不都合を有した。
この発明の課題はかかる不都合を解消することである。
前記課題を解決するために、発明者は鋭意研究した結果
、被めっき絶縁物に水素化硼素化合物を付着させ、その
後、めっき液に浸せば、密着性が良いとともに均一性の
あるめっきが得られることを見出し、この発明を完威し
た。
、被めっき絶縁物に水素化硼素化合物を付着させ、その
後、めっき液に浸せば、密着性が良いとともに均一性の
あるめっきが得られることを見出し、この発明を完威し
た。
そして、この発明の構或は、水素化硼素化合物溶液に被
めっき電気絶縁体を接触せしめることにより、この電気
絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめ、その後、この
電気絶縁体を無電解めっき液に浸漬することを特徴とす
る電気絶縁体への無電解めっき法である。
めっき電気絶縁体を接触せしめることにより、この電気
絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめ、その後、この
電気絶縁体を無電解めっき液に浸漬することを特徴とす
る電気絶縁体への無電解めっき法である。
又、前記水素化硼素化合物は、一般式一般弐MBH4(
但し、Mはアルカリ金属、他の原子又は基)又はBHs
X(但し、XはBH.に付加する化合物)で示されるも
のである。
但し、Mはアルカリ金属、他の原子又は基)又はBHs
X(但し、XはBH.に付加する化合物)で示されるも
のである。
又、前記水素化硼素化合物の溶媒は、水又は有機溶剤、
又はこれらの混合液でもよい。この場合、有機溶剤はア
ルコール類、アミン類およびアミド類からなるグループ
のいずれかが適している。
又はこれらの混合液でもよい。この場合、有機溶剤はア
ルコール類、アミン類およびアミド類からなるグループ
のいずれかが適している。
又、前記水素化硼素化合物の溶媒と低沸点有機溶剤とを
同時に使用したり、 前記水素化硼素化合物の溶媒とハロゲン系炭化水素溶剤
とを同時に使用したりすることもできる。
同時に使用したり、 前記水素化硼素化合物の溶媒とハロゲン系炭化水素溶剤
とを同時に使用したりすることもできる。
又、前記水素化硼素化合物溶液に、添加物として、界面
活性剤、キレート剤および金属塩、金属コロイド又は可
溶性高分子化合物等を添加することもできる。
活性剤、キレート剤および金属塩、金属コロイド又は可
溶性高分子化合物等を添加することもできる。
又、前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめた
後、液切りをして湿ったままの状態でこの電気絶縁体を
無電解めっき液に浸漬することもできるし、 前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめ、溶媒
を蒸発乾燥した後、この電気絶縁体を無電解めっき液に
浸漬することもできる。
後、液切りをして湿ったままの状態でこの電気絶縁体を
無電解めっき液に浸漬することもできるし、 前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめ、溶媒
を蒸発乾燥した後、この電気絶縁体を無電解めっき液に
浸漬することもできる。
この発明に係る電気絶縁体への無電解めっき法は、水素
化硼素化合物溶液に被めっき電気絶縁体を接触せしめる
ことによりこの電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せ
しめ、その後、この電気絶縁体を無電解めっき液に浸漬
するものであるため、絶縁体表面に付着した水素化硼素
化合物が、無電解めっき液と接したとき、直ちに、水素
化硼素化合物がめつき液中の金属イオンと反応して被め
っき物表面に金属核を形威し、この金属核をベースにし
て無電解めっきが行われるものである。即ち、本発明の
方法は無電解めっき液中で金属核形成とめっきとを同時
に行うものである。
化硼素化合物溶液に被めっき電気絶縁体を接触せしめる
ことによりこの電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せ
しめ、その後、この電気絶縁体を無電解めっき液に浸漬
するものであるため、絶縁体表面に付着した水素化硼素
化合物が、無電解めっき液と接したとき、直ちに、水素
化硼素化合物がめつき液中の金属イオンと反応して被め
っき物表面に金属核を形威し、この金属核をベースにし
て無電解めっきが行われるものである。即ち、本発明の
方法は無電解めっき液中で金属核形成とめっきとを同時
に行うものである。
このように、本発明方法は無電解めっき液中で金属核形
成とめっきとを同時に行うものであるため、金属核形或
とめっきとを別途に行っていた従来に比し、めっきの工
程が簡易になる。
成とめっきとを同時に行うものであるため、金属核形或
とめっきとを別途に行っていた従来に比し、めっきの工
程が簡易になる。
(l).水素化硼素化合物としては水素化硼素アルカリ
が好ましい。例えば、水素化硼素ナトリウム、水素化硼
素カリウム、水素化硼素リチウム、水素化硼素セリウム
等である。又、水素化硼素アルカリ中のアルカリ金属を
金属で置換した水素化硼素ニッケル等の水素化硼素金属
等も使用できる。更に、ボランに他の分子が付加したジ
エチルア旦ノボラン、ジメチルアミノボラン、ヒドラジ
ンボランなどの水素化硼素化合物も使用できる。
が好ましい。例えば、水素化硼素ナトリウム、水素化硼
素カリウム、水素化硼素リチウム、水素化硼素セリウム
等である。又、水素化硼素アルカリ中のアルカリ金属を
金属で置換した水素化硼素ニッケル等の水素化硼素金属
等も使用できる。更に、ボランに他の分子が付加したジ
エチルア旦ノボラン、ジメチルアミノボラン、ヒドラジ
ンボランなどの水素化硼素化合物も使用できる。
(2).水素化硼素化合物の溶媒としては、水、有機溶
剤、又はこれらの混合液が適している。
剤、又はこれらの混合液が適している。
ここに、有機溶剤としては、低級アルコール類(メチル
アルコール、エチルアルコール等)、アミン類(ジメチ
ルアξン、アルカノールアミン、トリエタノールアミン
等)、アミド類(ジメチルアミド、ホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド等)等が挙げられる。
アルコール、エチルアルコール等)、アミン類(ジメチ
ルアξン、アルカノールアミン、トリエタノールアミン
等)、アミド類(ジメチルアミド、ホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド等)等が挙げられる。
水素化硼素化合物の濃度は広範囲に変えることができる
が、溶液の重量に対して水素化物の活性水素が0.00
5〜0.5重量%であることが好ましい。
が、溶液の重量に対して水素化物の活性水素が0.00
5〜0.5重量%であることが好ましい。
又、水素化硼素化合物溶液のPHは、次工程の無電解め
っき液のPHに基づき、好適なPHに調整することが核
形戒や無電解めっき液の安定によい。なお、PHの調整
は無電解めっきに無害な酸、アルカリを使用する。
っき液のPHに基づき、好適なPHに調整することが核
形戒や無電解めっき液の安定によい。なお、PHの調整
は無電解めっきに無害な酸、アルカリを使用する。
又、水素化硼素化合物溶液による絶It物の処理は、常
温(10〜30℃)で行うのが好ましい。なお、高温で
行うこともできる。
温(10〜30℃)で行うのが好ましい。なお、高温で
行うこともできる。
(3).水素化硼素化合物を被めっき面に付着させる処
理は、溶媒に溶解した状態のまま均一に覆われていれば
よいが、より安定した密着性の金属核を得るためには、
溶媒を蒸発させ水素化硼素化合物を被めっき物表面に直
接固着させる方が好ましい。
理は、溶媒に溶解した状態のまま均一に覆われていれば
よいが、より安定した密着性の金属核を得るためには、
溶媒を蒸発させ水素化硼素化合物を被めっき物表面に直
接固着させる方が好ましい。
このためには、エーテル、トルエン、アセトン、キシレ
ン等の低沸点の有機溶剤やトリクロロエチレン、トリク
ロ口エタン、四塩化炭素、トリクロロフルオロエタン、
トリクロロフルオロメタン等の不燃性のハロゲン系の炭
化水素溶剤を用いることによって乾燥を容易にすること
ができる。又、これらの有機溶剤を使用した場合、かか
る有機溶剤に溶解したり、有機溶剤が浸透するプラスチ
ック等の絶縁体にあっては、水素化硼素化合物がプラス
チック等の内部にまで浸透し、基体内部に触媒核が形威
されるため、アンカー効果によって密着性を向上させる
ことができる。この作用によって、密着性を良くするた
めに従来常用されたエッチング処理を不用にすることも
できる。ところで、水素化硼素化合物はこれらの有@溶
剤に難溶性であるため、前述可溶性溶剤(アルコール等
)を同時に用いて溶解させることが必要である。かかる
可溶性有機溶剤の併用により不溶性有機溶剤中へ水素化
硼素化合物を任意に溶解させることができる。
ン等の低沸点の有機溶剤やトリクロロエチレン、トリク
ロ口エタン、四塩化炭素、トリクロロフルオロエタン、
トリクロロフルオロメタン等の不燃性のハロゲン系の炭
化水素溶剤を用いることによって乾燥を容易にすること
ができる。又、これらの有機溶剤を使用した場合、かか
る有機溶剤に溶解したり、有機溶剤が浸透するプラスチ
ック等の絶縁体にあっては、水素化硼素化合物がプラス
チック等の内部にまで浸透し、基体内部に触媒核が形威
されるため、アンカー効果によって密着性を向上させる
ことができる。この作用によって、密着性を良くするた
めに従来常用されたエッチング処理を不用にすることも
できる。ところで、水素化硼素化合物はこれらの有@溶
剤に難溶性であるため、前述可溶性溶剤(アルコール等
)を同時に用いて溶解させることが必要である。かかる
可溶性有機溶剤の併用により不溶性有機溶剤中へ水素化
硼素化合物を任意に溶解させることができる。
(4).緻密で密着性の良い金属めっきを得るには、水
素化硼素化合物を被めっき物表面へ均一に付着させるこ
とが必要である。このためには、陰イオン性界面活性剤
(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等)、陽イオ
ン性界面活性剤(テトラエチルアンモニウムクロライド
等)および非イオン性界面活性剤(ボリオキシエチレン
ノニルフェノールエーテル等〉等をo.oi〜2.00
%添加したもので処理すれば、水素化硼素化合物の表面
張力が低下して均一化され、安定した金属核を形或する
ことができる。
素化硼素化合物を被めっき物表面へ均一に付着させるこ
とが必要である。このためには、陰イオン性界面活性剤
(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等)、陽イオ
ン性界面活性剤(テトラエチルアンモニウムクロライド
等)および非イオン性界面活性剤(ボリオキシエチレン
ノニルフェノールエーテル等〉等をo.oi〜2.00
%添加したもので処理すれば、水素化硼素化合物の表面
張力が低下して均一化され、安定した金属核を形或する
ことができる。
(5),金属核形戒やめっきの密着性を向上させるには
、水素化硼素化合物の固定化が重要である。
、水素化硼素化合物の固定化が重要である。
よって、水素化硼素化合物の固定化を向上させるために
、ポリビニルアルコール、イソブチレン無水マレイン酸
共合体、ゼラチン、ベクチン、ポリアクリルアξド、ア
ルギン酸塩、ポリビニルメチルエーテル、メチルセルロ
ースなどの高分子化合物を使用することによって、水素
化硼素化合物を取込み付着力を高めることができる。し
かし、これらの高分子化合物の濃度が高すぎると逆に密
着性を損なうので注意が必要である。使用範囲は50〜
1 , OOOn+g/ lが好マシイ。
、ポリビニルアルコール、イソブチレン無水マレイン酸
共合体、ゼラチン、ベクチン、ポリアクリルアξド、ア
ルギン酸塩、ポリビニルメチルエーテル、メチルセルロ
ースなどの高分子化合物を使用することによって、水素
化硼素化合物を取込み付着力を高めることができる。し
かし、これらの高分子化合物の濃度が高すぎると逆に密
着性を損なうので注意が必要である。使用範囲は50〜
1 , OOOn+g/ lが好マシイ。
(6).又、キレートカの弱い無電解めっきにおいては
、無電解めっき初期の金属核形威の時に被めっき面に固
着する金属核のみでなく、めっき中に金属化したコロイ
ドが一部遊離することがあり、無電解めっき液の寿命を
短くするものがある。
、無電解めっき初期の金属核形威の時に被めっき面に固
着する金属核のみでなく、めっき中に金属化したコロイ
ドが一部遊離することがあり、無電解めっき液の寿命を
短くするものがある。
このような無電解めっき液、例えば、アルカリ性の無電
解銅めっき液等を使用する場合には、キレート剤として
、EDTA,}リエタノールアミン等のアξン類、クエ
ン酸ナトリウム、酒石酸カリウム等の有機酸塩類、シア
ン化合物等を水素化硼素化合物液に適量添加すれば無電
解めっき液の寿命を延ばすことができる。
解銅めっき液等を使用する場合には、キレート剤として
、EDTA,}リエタノールアミン等のアξン類、クエ
ン酸ナトリウム、酒石酸カリウム等の有機酸塩類、シア
ン化合物等を水素化硼素化合物液に適量添加すれば無電
解めっき液の寿命を延ばすことができる。
又、強いキレート剤を水素化硼素化合物溶液に使用すれ
ば、金属塩を還元することなく安定な状態を維持できる
。このことを利用して、無電解めっきと同一の金属塩、
場合によっては異種の金属塩を水素化硼素化合物へ添加
し、核形戒を支援すれば、より安定した緻密な金属核の
生戒やめっき被膜を得ることができる。
ば、金属塩を還元することなく安定な状態を維持できる
。このことを利用して、無電解めっきと同一の金属塩、
場合によっては異種の金属塩を水素化硼素化合物へ添加
し、核形戒を支援すれば、より安定した緻密な金属核の
生戒やめっき被膜を得ることができる。
しかし、無電解めっきに用いられるキレート剤によって
は、めっきに悪影響を及ぼすものがあるので注意を要す
る。
は、めっきに悪影響を及ぼすものがあるので注意を要す
る。
一方、金属コロイドが吸着しやすい被めっき物にあって
は、水素化硼素化合物溶液中に金属塩と弱いキレート剤
、例えば、硫酸ニッケルおよびアンモニアを入れると微
細な金属コロイド状のものが分散し、一層均一性の良い
緻密なめっきが可能になる。これに乾燥工程が入ると更
に緻密で密着性の良いめっき膜を得ることができる。
は、水素化硼素化合物溶液中に金属塩と弱いキレート剤
、例えば、硫酸ニッケルおよびアンモニアを入れると微
細な金属コロイド状のものが分散し、一層均一性の良い
緻密なめっきが可能になる。これに乾燥工程が入ると更
に緻密で密着性の良いめっき膜を得ることができる。
(7).本発明において使用することができる無電解め
っき液は、酸性からアルカリ性に及ぶ銅、ニッケル、コ
バルト、銀、金、白金等の無電解めっき液、又は、これ
らの金属を基本とした無電解合金めっき液である。
っき液は、酸性からアルカリ性に及ぶ銅、ニッケル、コ
バルト、銀、金、白金等の無電解めっき液、又は、これ
らの金属を基本とした無電解合金めっき液である。
(8).本発明の無電解めっきにおいて、金属を析出さ
せるために用いられる還元剤としては、次亜リン酸ナト
リウム等のリン系還元剤、ジメチルアくノボラン、水素
化硼素カリウム等の水素化硼素系還元剤、ホルムアルデ
ヒド、ヒドラジン等が存在するが、いずれのものを適用
しても良好な結果が得られる。
せるために用いられる還元剤としては、次亜リン酸ナト
リウム等のリン系還元剤、ジメチルアくノボラン、水素
化硼素カリウム等の水素化硼素系還元剤、ホルムアルデ
ヒド、ヒドラジン等が存在するが、いずれのものを適用
しても良好な結果が得られる。
(9).本発明の被めっき物としては、紙、天然繊維、
合戒繊維、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の
電気的絶縁物を対象としている。
合戒繊維、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の
電気的絶縁物を対象としている。
00).本発明のめっき手順としては、通常の前処理(
被めっき物の油脂などの汚れ除去のための洗浄や金属の
密着性向上のための表面エッチング等)を行い、充分水
洗して処理薬品を除去した後、水素化硼素化合物溶液中
に浸漬し、被めっき面を処理液で湿らせる。次いで、液
切りをして、そのままの状態または溶液を蒸発乾燥させ
たのち無電解めっき液中に浸漬してめっきを施す方法が
採られる。
被めっき物の油脂などの汚れ除去のための洗浄や金属の
密着性向上のための表面エッチング等)を行い、充分水
洗して処理薬品を除去した後、水素化硼素化合物溶液中
に浸漬し、被めっき面を処理液で湿らせる。次いで、液
切りをして、そのままの状態または溶液を蒸発乾燥させ
たのち無電解めっき液中に浸漬してめっきを施す方法が
採られる。
本発明では、被めっき面に付着した水素化硼素化合物に
より無電解めっきで金属核形或を行うものである。この
ため、従来の方法では金属核形威が不十分であったり、
無電解めっきで金属核が脱離して不均一なめっきとなる
ものについては、本法による水素化硼素化合物の付与が
効果を発揮する。即ち、本法による水素化硼素化合物の
付着処理を既存の金属核を損なうことなく行うことがで
き、且つ、無電解めっきで既存の金属核を活性化せしめ
ると共に被めっき物表面に新規な金属核を形威し、密着
性、均一性共に良好なめっきを得ることができる。
より無電解めっきで金属核形或を行うものである。この
ため、従来の方法では金属核形威が不十分であったり、
無電解めっきで金属核が脱離して不均一なめっきとなる
ものについては、本法による水素化硼素化合物の付与が
効果を発揮する。即ち、本法による水素化硼素化合物の
付着処理を既存の金属核を損なうことなく行うことがで
き、且つ、無電解めっきで既存の金属核を活性化せしめ
ると共に被めっき物表面に新規な金属核を形威し、密着
性、均一性共に良好なめっきを得ることができる。
このように本発明は絶縁体表面への密着性の優れためっ
き法として広く利用できる。
き法として広く利用できる。
〔実施例]
次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
純水280m ll中に46%弗化水素酸50mj!,
硝酸120ml、31%過酸化水素水50n &を加え
た常温の工・ソチング液を用意する。そして、このエッ
チング液でチタン酸バリウムセラミックス(10 XI
OXIOmm)を30分処理した後、超音波洗浄器を用
いて5分間づつ3回洗浄を繰り返す。その後、この洗浄
したチタン酸バリウムセラミックス(10 X 10
X 10mm)を、水素化硼素カリウム1gが熔解した
200m lの水素化硼素水溶液中に攪拌しながら30
秒間浸漬し、セラミソクス表面を液に充分ふれさせる。
硝酸120ml、31%過酸化水素水50n &を加え
た常温の工・ソチング液を用意する。そして、このエッ
チング液でチタン酸バリウムセラミックス(10 XI
OXIOmm)を30分処理した後、超音波洗浄器を用
いて5分間づつ3回洗浄を繰り返す。その後、この洗浄
したチタン酸バリウムセラミックス(10 X 10
X 10mm)を、水素化硼素カリウム1gが熔解した
200m lの水素化硼素水溶液中に攪拌しながら30
秒間浸漬し、セラミソクス表面を液に充分ふれさせる。
その後、液切りをして80゜Cで10分間乾燥した。次
いで、塩化ニッケル30g/ 1次亜塩リン酸ナトリウ
ムLog/ # ,クエン酸ナトリウムLog/ 1、
PH5.0からなる90″Cの無電解ニソケルめっき液
500m l中に浸漬し、30分間めっきを施したもの
を水洗した後乾燥した。
いで、塩化ニッケル30g/ 1次亜塩リン酸ナトリウ
ムLog/ # ,クエン酸ナトリウムLog/ 1、
PH5.0からなる90″Cの無電解ニソケルめっき液
500m l中に浸漬し、30分間めっきを施したもの
を水洗した後乾燥した。
このめっき面に錫めっき銅線材(φ0.8mm)の平滑
にした断面をハンダ付けをし、引っ張り試験で密着強度
を調べた。その結果、1.2kg/mm2の密着強度で
あった。
にした断面をハンダ付けをし、引っ張り試験で密着強度
を調べた。その結果、1.2kg/mm2の密着強度で
あった。
次に、従来の処理法と密着強度を比較するため、センシ
タイジング、アクチベイティング法でめっきを行った。
タイジング、アクチベイティング法でめっきを行った。
そのめっき条件は、水素化硼素水溶液処理のところをの
みをセンシタイジング、アクチベイティング、無電解ニ
ッケルストライクめっき処理に変えたもので他は全て前
述のめっき法と同し処理をした。
みをセンシタイジング、アクチベイティング、無電解ニ
ッケルストライクめっき処理に変えたもので他は全て前
述のめっき法と同し処理をした。
変えたところのめっき前処理部分は次の通りである。
塩化第一錫30g/ l、塩酸15mj2/j2からな
る500Il11のセンシタイジング処理液に常温で3
分間浸漬し、1分間の純水洗浄を3回繰り返し、次いで
、塩化パラジウム0.4g/1塩酸4m 12 / (
lの組成の500m lのアクチベイティング処理液に
常温で3分間 浸漬し、1分間の純水洗浄を3回繰り返
した。この処理を2回繰り返した後、更に、塩化ニノケ
ル6g/ 7!、次亜塩リン酸ナトリウム2g/1、ク
エン酸ナトリウム2g/1、P H4.5からなる90
℃の無電解ニッケルストライクめっき液500m !!
中に窒素ガスを吹き込み脱気したものへ5分間浸漬した
。
る500Il11のセンシタイジング処理液に常温で3
分間浸漬し、1分間の純水洗浄を3回繰り返し、次いで
、塩化パラジウム0.4g/1塩酸4m 12 / (
lの組成の500m lのアクチベイティング処理液に
常温で3分間 浸漬し、1分間の純水洗浄を3回繰り返
した。この処理を2回繰り返した後、更に、塩化ニノケ
ル6g/ 7!、次亜塩リン酸ナトリウム2g/1、ク
エン酸ナトリウム2g/1、P H4.5からなる90
℃の無電解ニッケルストライクめっき液500m !!
中に窒素ガスを吹き込み脱気したものへ5分間浸漬した
。
この従来法の処理で得ためっき面に前述と同様の無電解
ニンケルめっきを施したものへハンダ付け引っ張り試験
を行ったところ、密着強度は1.0kg/m一の密着強
度であった。
ニンケルめっきを施したものへハンダ付け引っ張り試験
を行ったところ、密着強度は1.0kg/m一の密着強
度であった。
この両試験結果を比較すると本発明による処理の法が簡
単である上、密着強度でも優れている。
単である上、密着強度でも優れている。
実施例2
実施例1と同様のエフチング処理をしたチタン酸バリウ
ムセラミックスを、水素化硼素カリウム1g、酒石酸カ
リウム9g, ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム
20n+gをメチルアルコール20%の水溶液200m
lに溶解した常温のキレート・界面活性剤系水素化硼
素水溶液中に30秒間浸漬した。次いで、水洗せずに水
切りをして、直ちに硫酸it2.5g/1、ホルマリン
25g/ 12、ロッセル塩30g/ l、PH12.
3からなる60℃の無電解めっき液500m j2中に
浸漬し、30分間めっきを施した。
ムセラミックスを、水素化硼素カリウム1g、酒石酸カ
リウム9g, ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム
20n+gをメチルアルコール20%の水溶液200m
lに溶解した常温のキレート・界面活性剤系水素化硼
素水溶液中に30秒間浸漬した。次いで、水洗せずに水
切りをして、直ちに硫酸it2.5g/1、ホルマリン
25g/ 12、ロッセル塩30g/ l、PH12.
3からなる60℃の無電解めっき液500m j2中に
浸漬し、30分間めっきを施した。
このめっき試料を実施例1と同様に水洗乾燥したのち、
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.8kg/m
n+”の密着強度であった。
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.8kg/m
n+”の密着強度であった。
比較のために実施例1と同様、従来法のセンシタイジン
グ、アクチベイティング処理を行い、無電解ニソケルス
トライクめっきと同様に硫酸銅4g/j2、ロソセル塩
9.5g/ it ,ホルマリン10g/ 1、PH1
2.3からなる60℃の無電解銅ストライクめっき液5
001n l中に窒素ガスを吹き込み脱気したものへ5
分間浸漬したのち、上述の無電解銅めっきと全く同じ条
件でめっきした。
グ、アクチベイティング処理を行い、無電解ニソケルス
トライクめっきと同様に硫酸銅4g/j2、ロソセル塩
9.5g/ it ,ホルマリン10g/ 1、PH1
2.3からなる60℃の無電解銅ストライクめっき液5
001n l中に窒素ガスを吹き込み脱気したものへ5
分間浸漬したのち、上述の無電解銅めっきと全く同じ条
件でめっきした。
この結果、密着強度は0.8kg/mm”であり、両め
っき法に差は認められなかった。
っき法に差は認められなかった。
実施例3
チタン酸バリウムセラミックスを、水素化硼素カリウム
2g,シアン化ナトリウムIg,シアン化銀ナトリウム
5gを20%エチルアルコール水溶液200mkに溶解
したキレート金属系水素化硼素水溶液中に30件間攪拌
しながら浸漬し、セラトノクス表面を液と充分接触させ
たのち、液切りをして80℃で10分間乾燥した。次い
で、シアン化銀ナトリウム14g/ l、シアン化ナト
リウム6g/ II水素化硼素ナトリウム4g/ It
からなる70℃の無電解銀めっき液中に浸漬し、30分
間めっきを施した。
2g,シアン化ナトリウムIg,シアン化銀ナトリウム
5gを20%エチルアルコール水溶液200mkに溶解
したキレート金属系水素化硼素水溶液中に30件間攪拌
しながら浸漬し、セラトノクス表面を液と充分接触させ
たのち、液切りをして80℃で10分間乾燥した。次い
で、シアン化銀ナトリウム14g/ l、シアン化ナト
リウム6g/ II水素化硼素ナトリウム4g/ It
からなる70℃の無電解銀めっき液中に浸漬し、30分
間めっきを施した。
このめっき試料を実施例lと同様に水洗乾燥したのち、
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.7kg/m
m”の密着強度であった。
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.7kg/m
m”の密着強度であった。
比較のために同一試料で実施例1と同様に従来からのセ
ンシタイジング、アクチベイテイング処理ののち、上述
の試験と全く同じ条件で無電解銀めっきを行ったところ
、非めっき部分ができて、完全なめっきを施すことがで
きなかった。
ンシタイジング、アクチベイテイング処理ののち、上述
の試験と全く同じ条件で無電解銀めっきを行ったところ
、非めっき部分ができて、完全なめっきを施すことがで
きなかった。
実施例4
水素化硼素ナトリウム2gをメチルアルコール30%、
アセトン30%の水溶液200m lに溶解した有機溶
剤系水素化硼素溶液中に、予め家庭用中性洗剤で脱脂し
、純水で充分洗浄しておいたABS樹脂板(50問X5
Qmm)を常温で5分間浸漬し、60℃で30分間乾燥
させる。次いで、塩化ニソケル30g/l1マロン酸4
0g/ 1、硝酸テルル70mg/ /l、ジエチルア
ミンボラン3.5 g/l,PH6からなる65℃の無
電解ニフケルめっき液中に浸漬し、30分間めっきを施
した。
アセトン30%の水溶液200m lに溶解した有機溶
剤系水素化硼素溶液中に、予め家庭用中性洗剤で脱脂し
、純水で充分洗浄しておいたABS樹脂板(50問X5
Qmm)を常温で5分間浸漬し、60℃で30分間乾燥
させる。次いで、塩化ニソケル30g/l1マロン酸4
0g/ 1、硝酸テルル70mg/ /l、ジエチルア
ミンボラン3.5 g/l,PH6からなる65℃の無
電解ニフケルめっき液中に浸漬し、30分間めっきを施
した。
このめっきの密着試験はめっき終了後、充分水洗し、乾
燥した後、碁盤目テスト(めっき基体に施されためっき
に縦横方向に1mm間隔で切込みを入れて、1mmの多
数の碁盤目を作り、粘着テープによる引き剥がし試験を
行い、碁盤目の数の比から密着性を評価する)を行った
結果、引き剥がされるものはなかった。
燥した後、碁盤目テスト(めっき基体に施されためっき
に縦横方向に1mm間隔で切込みを入れて、1mmの多
数の碁盤目を作り、粘着テープによる引き剥がし試験を
行い、碁盤目の数の比から密着性を評価する)を行った
結果、引き剥がされるものはなかった。
水素化硼素溶液中の溶剤の影響と従来法の密着強度を知
るため、同一試料、同一条件でアセトン溶剤を除いて試
験を行ったものと、実施例1での従来法のセンシタイジ
ング、アクチベイテイングに無電解ニッケルストライク
めっき以外の無電解ニソケルめっきなどは全て上述と同
条件で行ったものを作り、比較試験した。
るため、同一試料、同一条件でアセトン溶剤を除いて試
験を行ったものと、実施例1での従来法のセンシタイジ
ング、アクチベイテイングに無電解ニッケルストライク
めっき以外の無電解ニソケルめっきなどは全て上述と同
条件で行ったものを作り、比較試験した。
その結果、水素化硼素溶液中の溶剤を除いたものと従来
法でめっきしたものは、50〜60%の碁盤目が引き剥
がされた。しかし、溶剤を除いたものと従来法との密着
性は殆ど差は認められなかった。
法でめっきしたものは、50〜60%の碁盤目が引き剥
がされた。しかし、溶剤を除いたものと従来法との密着
性は殆ど差は認められなかった。
実施例5
2.5%アンモニア水に硫酸ニッケル1gを溶解した溶
液へ、別にヒドラジンボラン1gを水50mlに溶解さ
せた溶液を注入し、よく攪拌して金属コロイド系水素化
硼素溶液をつくる。これに、予め家庭用中性洗剤で脱脂
し、純水でよく洗浄したのち乾燥しておいた木綿布(5
0mm X 50mm)を入れ、常温で攪拌しながら、
30秒間浸漬する。次いで、充分液切りをしたのち、8
0℃で60分間乾燥して、硫酸ニッケル25g/ 1、
ビロリン酸ナトリウム50g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム25g/ j! , P H 10.5の無電解ニッ
ケルめっき液500m l中に60℃で30分間浸清し
、めっきを施した。
液へ、別にヒドラジンボラン1gを水50mlに溶解さ
せた溶液を注入し、よく攪拌して金属コロイド系水素化
硼素溶液をつくる。これに、予め家庭用中性洗剤で脱脂
し、純水でよく洗浄したのち乾燥しておいた木綿布(5
0mm X 50mm)を入れ、常温で攪拌しながら、
30秒間浸漬する。次いで、充分液切りをしたのち、8
0℃で60分間乾燥して、硫酸ニッケル25g/ 1、
ビロリン酸ナトリウム50g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム25g/ j! , P H 10.5の無電解ニッ
ケルめっき液500m l中に60℃で30分間浸清し
、めっきを施した。
めっき後、水洗乾燥してテープ引き剥がし試験を行った
が剥がれなかった。
が剥がれなかった。
実施例6
クエン酸ナトリウム4gと水素化硼素ナトリウム2gを
常温の純水200m lに溶解した溶液をよく撹拌しな
がらポリビニルアルコール100mgを添加して溶解さ
せて高分子系水素化硼素溶液をつくる。次いで、アセト
ンでよ《脱脂した石英ガラス板(50nm X 25a
uw)をこの溶液中に入れ、30秒間液をよく接触させ
たのち、取り出し、液切りをして、80’Cで30分間
乾燥する。次いで、この石英ガラスを硫酸コバルト30
g/ 1、次亜リン酸ナトリウム21g/n、クエン酸
ナトリウム35g/ 1、硫酸アンモニウム65g/1
、PH8.7の80℃の無電解コバルトめっき液500
m j!で30分間めっきを施した。
常温の純水200m lに溶解した溶液をよく撹拌しな
がらポリビニルアルコール100mgを添加して溶解さ
せて高分子系水素化硼素溶液をつくる。次いで、アセト
ンでよ《脱脂した石英ガラス板(50nm X 25a
uw)をこの溶液中に入れ、30秒間液をよく接触させ
たのち、取り出し、液切りをして、80’Cで30分間
乾燥する。次いで、この石英ガラスを硫酸コバルト30
g/ 1、次亜リン酸ナトリウム21g/n、クエン酸
ナトリウム35g/ 1、硫酸アンモニウム65g/1
、PH8.7の80℃の無電解コバルトめっき液500
m j!で30分間めっきを施した。
めっき外観は良好で、フクレやハガレは認められなかっ
た。
た。
比較のため、実施例1と同様に、水素化硼素溶液処理の
ところのみ従来法のセンシタイジング、アクチベイテイ
ングに変え、それ以外は上述と同じ条件でめっきを施し
た。このめっき試料はめっき中にフクレを生じ、良好な
密着のめっきは得られなかった。
ところのみ従来法のセンシタイジング、アクチベイテイ
ングに変え、それ以外は上述と同じ条件でめっきを施し
た。このめっき試料はめっき中にフクレを生じ、良好な
密着のめっきは得られなかった。
実施例7
ヂメチルホルムアミド5mff,エチルエーテル50m
l、水素化硼素カリウムIgを純水Loom l中に入
れてよく攪拌し溶解させたのち、更に、酢酸エチル50
m Rを加え、よく攪拌して有機溶剤系水素化硼素溶液
を作る。
l、水素化硼素カリウムIgを純水Loom l中に入
れてよく攪拌し溶解させたのち、更に、酢酸エチル50
m Rを加え、よく攪拌して有機溶剤系水素化硼素溶液
を作る。
この溶液中に、予め、家庭用中性洗剤で脱脂し、洗浄し
ておいたスチレン樹脂板(501Im X 20mm)
ヲ常温で10分間浸漬したのち、60℃で30分間乾
燥する。次いで、硫酸コバルト15g/ l、硫酸ニッ
ケル15g/l、次亜リン酸ナトリウム20g/ l、
硫酸アンモニウム65g/ l ..P H4.5の無
電解コバルトめっき500m e中に80℃で30分間
浸漬しめっきを施した。
ておいたスチレン樹脂板(501Im X 20mm)
ヲ常温で10分間浸漬したのち、60℃で30分間乾
燥する。次いで、硫酸コバルト15g/ l、硫酸ニッ
ケル15g/l、次亜リン酸ナトリウム20g/ l、
硫酸アンモニウム65g/ l ..P H4.5の無
電解コバルトめっき500m e中に80℃で30分間
浸漬しめっきを施した。
めっきの密着強度はテープ引き剥がし試験で行ったが、
異常は認められなかった。
異常は認められなかった。
比較試験のため、実施例3と同様に従来法のセンシタイ
ジング、アクチベイテイング処理を入れて、めっきを行
ったが、めっき中にフクレが発生し、良好なめっきは得
られなかった。
ジング、アクチベイテイング処理を入れて、めっきを行
ったが、めっき中にフクレが発生し、良好なめっきは得
られなかった。
本発明に係わる絶縁体への無電解めっき方法は、前出の
実施例に示した通り、予め金属核を付与する方法や金属
コロイドを吸着させておく従来法のような複雑で手間の
掛かる処理を行わなくても、水素化硼素化合物を主とす
る溶液をただ単に付着させるだけで、金属核付与などの
処理をしたものと同等またはそれ以上の均一性、密着性
共に優れためっきを得ることができる。
実施例に示した通り、予め金属核を付与する方法や金属
コロイドを吸着させておく従来法のような複雑で手間の
掛かる処理を行わなくても、水素化硼素化合物を主とす
る溶液をただ単に付着させるだけで、金属核付与などの
処理をしたものと同等またはそれ以上の均一性、密着性
共に優れためっきを得ることができる。
また、プラスチック等のように、溶剤により水素化硼素
化合物を浸透させることができるものについては、大幅
な密着性の改善が可能であり、未着性をよくするために
従来行われていた種々のエソチング処理を不用にするこ
とも可能である。
化合物を浸透させることができるものについては、大幅
な密着性の改善が可能であり、未着性をよくするために
従来行われていた種々のエソチング処理を不用にするこ
とも可能である。
Claims (12)
- (1).水素化硼素化合物溶液に被めっき電気絶縁体を
接触せしめることによりこの電気絶縁体に水素化硼素化
合物を付着せしめ、その後、この電気絶縁体を無電解め
っき液に浸漬することを特徴とする電気絶縁体への無電
解めっき法。 - (2).前記水素化硼素化合物が、一般式MBH_4(
但し、Mはアルカリ金属、他の原子又は基)又はBH_
3X(但し、XはBH_3に付加する化合物)で示され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気絶
縁体への無電解めっき法。 - (3).前記水素化硼素化合物の溶媒が、水又は有機溶
剤であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。 - (4).前記水素化硼素化合物の溶媒が、水と有機溶剤
の混合溶液であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。 - (5).前記有機溶剤がアルコール類、アミン類および
アミド類から構成されるグループのいずれかであること
を特徴とする特許請求の範囲第3項又は第4項記載の電
気絶縁体への無電解めっき法。 - (6).前記水素化硼素化合物の溶媒と低沸点有機溶剤
とを同時に使用することを特徴とする特許請求の範囲第
3項、第4項又は第5項記載の電気絶縁体への無電解め
っき法。 - (7).前記水素化硼素化合物の溶媒とハロゲン系炭化
水素溶剤とを同時に使用することを特徴とする特許請求
の範囲第3項、第4項又は第5項記載の電気絶縁体への
無電解めっき法。 - (8).前記水素化硼素化合物溶液に、添加物として界
面活性剤を添加することを特徴とする特許請求の範囲第
3項、第4項、第5項、第6項又は第7項記載の電気絶
縁体への無電解めっき法。 - (9).前記水素化硼素化合物溶液に、添加物としてキ
レート剤および金属塩を添加することを特徴とする特許
請求の範囲第3項、第4項、第5項、第6項又は第7項
記載の電気絶縁体への無電解めっき法。 - (10)前記水素化硼素化合物溶液に、添加物として金
属コロイド又は可溶性高分子化合物を添加することを特
徴とする特許請求の範囲第3項、第4項、第5項、第6
項又は第7項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。 - (11)前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せし
めた後、液切りをして湿ったままの状態でこの電気絶縁
体を無電解めっき液に浸漬することを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。 - (12)前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せし
めた後、溶媒を蒸発乾燥した後、この電気絶縁体を無電
解めっき液に浸漬することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1243080A JPH0757907B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 電気絶縁体への無電解めっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1243080A JPH0757907B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 電気絶縁体への無電解めっき法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03104873A true JPH03104873A (ja) | 1991-05-01 |
JPH0757907B2 JPH0757907B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17098482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1243080A Expired - Fee Related JPH0757907B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 電気絶縁体への無電解めっき法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0757907B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014164994A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 導電用銀被覆硝子粉末及びその製造方法、並びに導電性ペースト及び導電膜 |
CN105803433A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-27 | 青岛科技大学 | 一种氧化铝陶瓷表面无钯活化化学镀镍工艺 |
JP2021014615A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解めっきの前処理のための組成物 |
CN114959666A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-30 | 李正新 | 化学镀银液以及化学镀银新方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5066439A (ja) * | 1973-10-16 | 1975-06-04 | ||
JPS6015701A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Toshiba Corp | 制御インタ−フエ−ス装置 |
JPS61194183A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めつき法 |
JPS62199793A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Seiko Epson Corp | めつきする基材へのコ−ト剤塗布方法 |
JPS6468478A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Agency Ind Science Techn | Metal plating method using silver hydrosol |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1243080A patent/JPH0757907B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5066439A (ja) * | 1973-10-16 | 1975-06-04 | ||
JPS6015701A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Toshiba Corp | 制御インタ−フエ−ス装置 |
JPS61194183A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めつき法 |
JPS62199793A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Seiko Epson Corp | めつきする基材へのコ−ト剤塗布方法 |
JPS6468478A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Agency Ind Science Techn | Metal plating method using silver hydrosol |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014164994A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 導電用銀被覆硝子粉末及びその製造方法、並びに導電性ペースト及び導電膜 |
CN105803433A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-27 | 青岛科技大学 | 一种氧化铝陶瓷表面无钯活化化学镀镍工艺 |
JP2021014615A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解めっきの前処理のための組成物 |
CN114959666A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-30 | 李正新 | 化学镀银液以及化学镀银新方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0757907B2 (ja) | 1995-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4078096A (en) | Method of making sensitized polyimide polymers, having catalyst and electroless metal, metal deposits thereon and circuit patterns of various metallization schemes | |
US6902765B2 (en) | Method for electroless metal plating | |
US5147692A (en) | Electroless plating of nickel onto surfaces such as copper or fused tungston | |
US4232060A (en) | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby | |
JPH022949B2 (ja) | ||
KR100188481B1 (ko) | 유전기질과 도금기질을 직접 전기도금 하는 방법 | |
JP2769954B2 (ja) | プラスチック基質上に直接的に金属メッキを電着させるための方法 | |
KR100759452B1 (ko) | 니켈 패턴이 형성된 질화알루미늄 기판의 제조방법 | |
JP2007177268A (ja) | 無電解ニッケルめっき用貴金属表面活性化液 | |
JPH03104873A (ja) | 電気絶縁体への無電解めっき法 | |
US4180602A (en) | Electroless plating of polyvinylidene fluoride | |
JPS61194183A (ja) | 無電解めつき法 | |
JP2881871B2 (ja) | 光ディスクの原盤作成方法 | |
JP2000256866A (ja) | 無電解ニッケルめっき浴 | |
JP2747321B2 (ja) | 金属被覆された合成樹脂製構造物の製造方法 | |
JPH0553873B2 (ja) | ||
JPH02111883A (ja) | 無電解金属めっき方法 | |
KR100469666B1 (ko) | 전자파 차폐 섬유의 제조방법 및 그 방법에 사용되는 롤러바 | |
JPH0426771A (ja) | 無電解めっきの前処理液 | |
JP3117216B2 (ja) | 酸化薄層の選択的形成手段 | |
JPH07173636A (ja) | 無電解メッキ繊維の製造方法 | |
JPS58157958A (ja) | ポリスルホン基材の無電解金属メツキ法 | |
US20050241953A1 (en) | Electroless nickel plating method for the preparation of zirconia ceramic | |
JPS6221869A (ja) | 無電解めつき繊維の製造法 | |
JP6524459B1 (ja) | 無電解めっき用銀触媒付与剤用添加剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |