JPH02111883A - 無電解金属めっき方法 - Google Patents
無電解金属めっき方法Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 16
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 8
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N palladium tin Chemical compound [Pd].[Sn] ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 alkali metal boron hydroxide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940074404 sodium succinate Drugs 0.000 description 1
- ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L sodium succinate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Sn+4] CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
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- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、無電解金属めっき方法に関するものであり、
詳しくは、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れて
いる金属めっき被膜をパラジウム等の高価な貴金属触媒
を用いることなく、経済的、工業的に有利に形成するこ
とを可能とした無電解金属めっき方法に関するものであ
る。
詳しくは、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れて
いる金属めっき被膜をパラジウム等の高価な貴金属触媒
を用いることなく、経済的、工業的に有利に形成するこ
とを可能とした無電解金属めっき方法に関するものであ
る。
本発明に係る無電解金属めっき方法の主な用途は、装飾
用材料、断熱材、電磁シールド材、プリント基板、発熱
体等である。
用材料、断熱材、電磁シールド材、プリント基板、発熱
体等である。
紙や不織布などの繊維成形物、ガラス、セラミ7クス及
び高分子材料は本来絶縁体であるが、金属材料などに比
べ軽量でかつ安価であることから、これらに金属めっき
を施して各種金属を付与することにより、磁気的性質及
び導電性等の電気的性質を持たせることが行われている
。
び高分子材料は本来絶縁体であるが、金属材料などに比
べ軽量でかつ安価であることから、これらに金属めっき
を施して各種金属を付与することにより、磁気的性質及
び導電性等の電気的性質を持たせることが行われている
。
金属めっき被膜は、優れた磁気的、電気的特性を有する
と共に、長期に亘り安定であり、且つ、固形物等の接触
により容易に脱落しにくいことが必要であり、その為に
は、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れているこ
とが強く要求されている。
と共に、長期に亘り安定であり、且つ、固形物等の接触
により容易に脱落しにくいことが必要であり、その為に
は、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れているこ
とが強く要求されている。
また、金属めっきの方法としては、経済的、工業的に有
利な方法が強く要求されている。
利な方法が強く要求されている。
従来、無電解金属めっき方法として最も代表的な方法は
、被めっき物を塩化第一錫水溶液に浸漬処理して錫の2
価イオンを被めっき物に吸着させる、所謂、感受性化処
理工程、めっき金属の成長核となり反応用開始触媒とし
て働くパラジウム等の貴金属触媒の微粒子を析出させる
、所謂、活性化処理工程、活性化された触媒の作用によ
り、金属イオンがめつき液中の還元剤により還元析出さ
れ金属めっき被膜が形成される、所謂、金属めっき工程
の各工程を経由するものであり、この方法を基本として
種々の改良が行われており、例えば、米国特許第270
2253号公報、米国特許第3011920号公報及び
特開昭61−63780号公報に記載の方法がある。
、被めっき物を塩化第一錫水溶液に浸漬処理して錫の2
価イオンを被めっき物に吸着させる、所謂、感受性化処
理工程、めっき金属の成長核となり反応用開始触媒とし
て働くパラジウム等の貴金属触媒の微粒子を析出させる
、所謂、活性化処理工程、活性化された触媒の作用によ
り、金属イオンがめつき液中の還元剤により還元析出さ
れ金属めっき被膜が形成される、所謂、金属めっき工程
の各工程を経由するものであり、この方法を基本として
種々の改良が行われており、例えば、米国特許第270
2253号公報、米国特許第3011920号公報及び
特開昭61−63780号公報に記載の方法がある。
米国特許第2702253号公報に記載の方法は、被め
っき物を強酸性塩化第一錫溶液に浸漬させる、所謂、感
受性化処理をした後、水洗し、次いで、強酸性塩化パラ
ジウム溶液に浸漬することにより、被めっき物表面にめ
っき金属の成長核となり反応用開始触媒として働くパラ
ジウム微粒子を析出させる、所謂、活性化処理を行った
後、金属めっきする方法である。
っき物を強酸性塩化第一錫溶液に浸漬させる、所謂、感
受性化処理をした後、水洗し、次いで、強酸性塩化パラ
ジウム溶液に浸漬することにより、被めっき物表面にめ
っき金属の成長核となり反応用開始触媒として働くパラ
ジウム微粒子を析出させる、所謂、活性化処理を行った
後、金属めっきする方法である。
米国特許第3011920号公報に記載の方法は、被め
っき物にめっき金属の成長核となり反応開始触媒として
働く強酸性のパラジウム−錫コロイドを付与し、次いで
、金属めっきする方法である。
っき物にめっき金属の成長核となり反応開始触媒として
働く強酸性のパラジウム−錫コロイドを付与し、次いで
、金属めっきする方法である。
特開昭61−63780号公報に記載の方法は、吸水性
繊維成形物を、界面活性剤により安定化されたパラジウ
ムヒドロシルに浸漬処理して、パラジウムコロイドを吸
着させた後、乾燥または、水洗し、次いで、金属めっき
する方法である。
繊維成形物を、界面活性剤により安定化されたパラジウ
ムヒドロシルに浸漬処理して、パラジウムコロイドを吸
着させた後、乾燥または、水洗し、次いで、金属めっき
する方法である。
均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れている金属め
っき被膜を、経済的、工業的に有利に形成することを可
能とした金属めっき方法は、現在最も要求されていると
ころであるが、前出公知の金属めっき方法は、未だ、こ
れら緒特性を満足するものではない。
っき被膜を、経済的、工業的に有利に形成することを可
能とした金属めっき方法は、現在最も要求されていると
ころであるが、前出公知の金属めっき方法は、未だ、こ
れら緒特性を満足するものではない。
即ち、前出米国特許第2702253号公報及び米国特
許第3011920号公報に記載の方法は、何れも金属
めっき被膜が不均一となりやすく、また、高価な貴金属
パラジウムを触媒として用いるものである。更に、後者
に記載の方法は、金属めっきの還元反応を生起させる為
に必要且つ十分なパラジウムを付与する為には、工程を
数回反復しなければならず、あるいは、被めっき物から
、触媒作用の妨げとなる錫水酸化物等の不純物を除去す
る為、被めっき物を強酸性パラジウム−錫コロイド溶液
に浸漬した後、更に、アルカリ溶液中で浸漬処理する等
、工程が複雑な方法であり、経済的、工業的でない。
許第3011920号公報に記載の方法は、何れも金属
めっき被膜が不均一となりやすく、また、高価な貴金属
パラジウムを触媒として用いるものである。更に、後者
に記載の方法は、金属めっきの還元反応を生起させる為
に必要且つ十分なパラジウムを付与する為には、工程を
数回反復しなければならず、あるいは、被めっき物から
、触媒作用の妨げとなる錫水酸化物等の不純物を除去す
る為、被めっき物を強酸性パラジウム−錫コロイド溶液
に浸漬した後、更に、アルカリ溶液中で浸漬処理する等
、工程が複雑な方法であり、経済的、工業的でない。
また、前出−特開昭61−63780号に記載の方法は
、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れている金属
めっき被膜が得られるが、一方、パラジウムコロイド等
高価な貴金属コロイドを使用する為、経済的ではない。
、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れている金属
めっき被膜が得られるが、一方、パラジウムコロイド等
高価な貴金属コロイドを使用する為、経済的ではない。
上述した通り、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優
れている金属めっき被膜を高価な貴金属触媒を使用する
ことなく、経済的、工業的に有利に形成することを可能
とする無電解金属めっき方法の確立は現在最も要求され
ているところである。
れている金属めっき被膜を高価な貴金属触媒を使用する
ことなく、経済的、工業的に有利に形成することを可能
とする無電解金属めっき方法の確立は現在最も要求され
ているところである。
本発明者は、均−且つ緻密であり、しかも密着性に優れ
ている金属めっき被膜を高価な貴金属触媒を使用するこ
となく、また、経済的、工業的に有利に形成することを
可能とする無電解金属めっき方法について種々検討を重
ねた結果、本発明に到達したのである。
ている金属めっき被膜を高価な貴金属触媒を使用するこ
となく、また、経済的、工業的に有利に形成することを
可能とする無電解金属めっき方法について種々検討を重
ねた結果、本発明に到達したのである。
即ち、本発明は、被めっき物に、還元剤を吸着させた後
、自触媒性金属イオンを含む溶液に浸漬することにより
、前記被めっき物に前記自触媒性金属を析出させ、次い
で、該析出金属を還元剤で還元処理した後、金属めっき
することからなる無電解金属めっき方法である。
、自触媒性金属イオンを含む溶液に浸漬することにより
、前記被めっき物に前記自触媒性金属を析出させ、次い
で、該析出金属を還元剤で還元処理した後、金属めっき
することからなる無電解金属めっき方法である。
先ず、本発明において、最も重要な点は、被めっき物に
、還元剤を吸着させた後、自触媒性金属イオンを含む溶
液に浸漬することにより、前記被めっき物に前記自触媒
性金属を析出させ、次いで、該析出金属を還元剤で還元
処理した後、無電解金属めっきした場合には、高価な貴
金属触媒を使用しなくても、均−且つ緻密であり、しが
も密着性に優れている金属めっき被膜を形成させること
が可能となるという事実である。
、還元剤を吸着させた後、自触媒性金属イオンを含む溶
液に浸漬することにより、前記被めっき物に前記自触媒
性金属を析出させ、次いで、該析出金属を還元剤で還元
処理した後、無電解金属めっきした場合には、高価な貴
金属触媒を使用しなくても、均−且つ緻密であり、しが
も密着性に優れている金属めっき被膜を形成させること
が可能となるという事実である。
本発明において、析出金属を還元剤で還元処理するのは
、析出金属を基板に強固に定着させ、且つ、析出金属の
活性度を高め、引き続いて行われる金属めっきを円滑且
つ十分に生起させる為である。
、析出金属を基板に強固に定着させ、且つ、析出金属の
活性度を高め、引き続いて行われる金属めっきを円滑且
つ十分に生起させる為である。
本発明において、均−且つ緻密であり、しかも密着性に
優れている金属めっき被膜が形成される理由について、
本発明者は、予め被めっき物表面に還元剤を吸着させて
おく事により、被めっき物表面に金属めっきを生起させ
る成長核となりまた反応用開始触媒としての作用を有す
る自触媒性金属を強固に析出定着させ、次いで、析出し
た自触媒性金属をより強固に定着させ且つ活性度を高め
る還元剤による処理を行った後、無電解金属めっきを施
すことによるものと考えている。
優れている金属めっき被膜が形成される理由について、
本発明者は、予め被めっき物表面に還元剤を吸着させて
おく事により、被めっき物表面に金属めっきを生起させ
る成長核となりまた反応用開始触媒としての作用を有す
る自触媒性金属を強固に析出定着させ、次いで、析出し
た自触媒性金属をより強固に定着させ且つ活性度を高め
る還元剤による処理を行った後、無電解金属めっきを施
すことによるものと考えている。
また、本発明においては、高価な貴金属触媒を使用しな
いから経済的、工業的にを利である。
いから経済的、工業的にを利である。
次に、本発明方法実施にあたっての諸条件について述べ
る。
る。
本発明における被めっき物としては、祇、不織布等の繊
維成形物、ガラス、セラミックス、高分子材料、金属及
び金属酸化物等還元剤が吸着するものであればいかなる
ものでも対象とすることができる。殊に、表面が親水性
で凹凸が大きなものがよく、吸水性繊維成形物やエツチ
ング処理した無機材料及び有機高分子材料が好適である
。
維成形物、ガラス、セラミックス、高分子材料、金属及
び金属酸化物等還元剤が吸着するものであればいかなる
ものでも対象とすることができる。殊に、表面が親水性
で凹凸が大きなものがよく、吸水性繊維成形物やエツチ
ング処理した無機材料及び有機高分子材料が好適である
。
本発明における還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素カリウムなどのアルカリ金属水酸化ホ
ウ素塩、ジメチルアミンボランなどのホウ素系還元剤の
他、次亜リン酸ナトリウムなどのリン系還元剤、ヒドラ
ジンなどの水溶液が用いられる。還元剤の量は、100
μH以上3M以下が実用上好ましい。
ム、水素化ホウ素カリウムなどのアルカリ金属水酸化ホ
ウ素塩、ジメチルアミンボランなどのホウ素系還元剤の
他、次亜リン酸ナトリウムなどのリン系還元剤、ヒドラ
ジンなどの水溶液が用いられる。還元剤の量は、100
μH以上3M以下が実用上好ましい。
本発明における自触媒性金属イオンを含む溶液としては
、水溶液又は非水溶液のいずれでもよく、ニッケルイオ
ン、コバルトイオン、銅イオン等を含む溶液を使用する
ことができる。自触媒性金属イオンを含む溶液の濃度は
0,4ハ以上3M以下が実用上好ましい。
、水溶液又は非水溶液のいずれでもよく、ニッケルイオ
ン、コバルトイオン、銅イオン等を含む溶液を使用する
ことができる。自触媒性金属イオンを含む溶液の濃度は
0,4ハ以上3M以下が実用上好ましい。
本発明における析出金属の還元処理は、前出の還元剤と
同じものを使用することができる。
同じものを使用することができる。
本発明における無電解めっき溶液としては、周知のニソ
’Tル、コバルト、銅、パラジウム、白金、恨等のめっ
き溶液のいずれをも使用するこ・とができる。
’Tル、コバルト、銅、パラジウム、白金、恨等のめっ
き溶液のいずれをも使用するこ・とができる。
次に、実施例により本発明を説明する。
表面抵抗は、三菱油化■製表面抵抗針(LORESTA
)を用いて測定した値で示したものである。
)を用いて測定した値で示したものである。
めっきの密着性は、めっき終了1時間後にスコンチメン
ディングテープ(住友スリーエム■製)をめっき物上に
強く貼り付け、引きはがすことにより3周べた。
ディングテープ(住友スリーエム■製)をめっき物上に
強く貼り付け、引きはがすことにより3周べた。
実施例1
縦5.0cmX横4.5cmX厚み0.05cmのポリ
エステル不織布を15mMの水素化ホウ素ナトリウム水
溶液100m1に温度20℃で5分間浸漬した。
エステル不織布を15mMの水素化ホウ素ナトリウム水
溶液100m1に温度20℃で5分間浸漬した。
水素化ホウ素ナトリウム水溶液が吸着している上記ポリ
エステル不織布を別に用意したO、 LMの硫酸ニッケ
ル水溶液100mに温度20°Cで5分間浸漬して、硫
酸ニッケルをニッケル金属として析出させた。
エステル不織布を別に用意したO、 LMの硫酸ニッケ
ル水溶液100mに温度20°Cで5分間浸漬して、硫
酸ニッケルをニッケル金属として析出させた。
ニッケル金属が析出している上記ポリエステル不、織布
を別に用意した3、0mMの水素化ホウ素ナトリウム水
溶液100dに温度20゛Cで30秒間浸漬して析出ニ
ッケル金属を還元処理した。還元処理後のポリエステル
不織布を200mj!の無電解ニッケルめっき液(硫酸
ニッケル 0.11M 、次亜リン酸ナトリウム 0.
19M 、酢酸ナトリウム 0.29M 、クエン酸ナ
トリウム 50mM、コハク酸ナトリウム 20mM、
塩化鉛5.4μ門、チオ尿素 20μ門を含む溶液を硫
酸でpH4,5に調整)に温度90°Cで10分間浸漬
しニッケル金属めっき処理を行った後、水洗、乾燥した
。
を別に用意した3、0mMの水素化ホウ素ナトリウム水
溶液100dに温度20゛Cで30秒間浸漬して析出ニ
ッケル金属を還元処理した。還元処理後のポリエステル
不織布を200mj!の無電解ニッケルめっき液(硫酸
ニッケル 0.11M 、次亜リン酸ナトリウム 0.
19M 、酢酸ナトリウム 0.29M 、クエン酸ナ
トリウム 50mM、コハク酸ナトリウム 20mM、
塩化鉛5.4μ門、チオ尿素 20μ門を含む溶液を硫
酸でpH4,5に調整)に温度90°Cで10分間浸漬
しニッケル金属めっき処理を行った後、水洗、乾燥した
。
得られたポリエステル不織布の表面は、ニッケル金属め
っきによる金属光沢を呈していた。二・2ケル金属めっ
き被膜が形成されているポリエステル不織布の表面抵抗
値は240Ω/口であり、また、メンディングテープを
強く貼り付けはがしたところニッケル金属めっき被膜は
剥離しなかった。
っきによる金属光沢を呈していた。二・2ケル金属めっ
き被膜が形成されているポリエステル不織布の表面抵抗
値は240Ω/口であり、また、メンディングテープを
強く貼り付けはがしたところニッケル金属めっき被膜は
剥離しなかった。
実施例2
縦5.0cmx横3.0+aaX厚み0.3cmの表面
粗化したABS樹脂成形体を30mMの水素化ホウ素ナ
トリウム水溶液50戚に温度20°Cで5分間浸漬した
。
粗化したABS樹脂成形体を30mMの水素化ホウ素ナ
トリウム水溶液50戚に温度20°Cで5分間浸漬した
。
水素化ホウ素ナトリウム水溶液が吸着している上記AB
S樹脂成形体を別に用意したIMの硫酸ニッケル水溶液
50Idに温度20°Cで2分間浸漬して、硫酸ニッケ
ルをニッケル金属として析出させた。
S樹脂成形体を別に用意したIMの硫酸ニッケル水溶液
50Idに温度20°Cで2分間浸漬して、硫酸ニッケ
ルをニッケル金属として析出させた。
ニッケル金属が析出している上記ABS樹脂成形体を別
に用意した3、0mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶1
50In1に温度20’Cで10秒間浸漬して析出ニッ
ケル金属を還元処理した後、70dのイオン交換水に温
度20°Cで30秒間浸漬し、次いで、実施例1と同一
の無電解ニジケルめっき液60tn1に温度90“Cで
10分間浸漬しニッケル金属めっき処理を行った後、水
洗、乾燥した。
に用意した3、0mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶1
50In1に温度20’Cで10秒間浸漬して析出ニッ
ケル金属を還元処理した後、70dのイオン交換水に温
度20°Cで30秒間浸漬し、次いで、実施例1と同一
の無電解ニジケルめっき液60tn1に温度90“Cで
10分間浸漬しニッケル金属めっき処理を行った後、水
洗、乾燥した。
得られたABS樹脂成形体の表面は、ニッケル金属めっ
きによる金属光沢を呈していた。ニッケル金属めっき被
膜が形成されているABS樹脂成形体の表面抵抗値は0
.9Ω/口であり、また、メンディングテープを強く貼
り付けはがしたところニッケル金属めっき被膜は剥離し
なかった。
きによる金属光沢を呈していた。ニッケル金属めっき被
膜が形成されているABS樹脂成形体の表面抵抗値は0
.9Ω/口であり、また、メンディングテープを強く貼
り付けはがしたところニッケル金属めっき被膜は剥離し
なかった。
実施例3
縦5.0cmX横3.0cmX厚み0.3CII+の表
面粗化したABS樹脂成形体を30mMの水素化ホウ素
ナトリウム水溶液100rdに温度20゛cで5分間浸
漬した。
面粗化したABS樹脂成形体を30mMの水素化ホウ素
ナトリウム水溶液100rdに温度20゛cで5分間浸
漬した。
水素化ホウ素ナトリウム水溶液が吸着している上記AB
S樹脂成形体を別に用意したIMの硫酸ニッケル水溶液
100mff1に温度20°Cで3分間浸漬して、硫酸
ニッケルをニッケル金属として析出させた。
S樹脂成形体を別に用意したIMの硫酸ニッケル水溶液
100mff1に温度20°Cで3分間浸漬して、硫酸
ニッケルをニッケル金属として析出させた。
ニッケル金属が析出している上記ABS樹脂成形体を別
に用意した30mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶液1
00dに温度20°Cで10秒間浸漬して析出ニッケル
金属を還元処理した後、100m1のイオン交換水に温
度20°Cで30秒間浸漬し、次いで、1ooyの無電
解銅めっき液〔A液(ロッセル塩 0.60M、水酸化
ナトリウム・1.25M 、硫酸銅 0.14M 、炭
酸ナトリウム 0.28門、EDTA 68mM)と
B液(ホルムアルデヒド 37%)とをA/B=5の体
積比で混合したもの〕に20分間浸漬し銅金属めっき処
理を行った後、水洗、乾燥した。
に用意した30mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶液1
00dに温度20°Cで10秒間浸漬して析出ニッケル
金属を還元処理した後、100m1のイオン交換水に温
度20°Cで30秒間浸漬し、次いで、1ooyの無電
解銅めっき液〔A液(ロッセル塩 0.60M、水酸化
ナトリウム・1.25M 、硫酸銅 0.14M 、炭
酸ナトリウム 0.28門、EDTA 68mM)と
B液(ホルムアルデヒド 37%)とをA/B=5の体
積比で混合したもの〕に20分間浸漬し銅金属めっき処
理を行った後、水洗、乾燥した。
得られたABS樹脂成形体の表面は、銅金属めっきによ
る金属光沢を呈していた。銅金属めっき被膜が形成され
ているABSP4脂成形体の表面抵抗値は0.15Ω/
口であり、また、メンディングテープを強く貼り付けは
がしたところ銅金属めっき被膜は剥離しなかった。
る金属光沢を呈していた。銅金属めっき被膜が形成され
ているABSP4脂成形体の表面抵抗値は0.15Ω/
口であり、また、メンディングテープを強く貼り付けは
がしたところ銅金属めっき被膜は剥離しなかった。
実施例4
!4.Ocmx横4.0cmx厚み0.02cmのガラ
スクロス繊維を10mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶
?&100tnJ2に温度20’Cで2分間浸漬した。
スクロス繊維を10mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶
?&100tnJ2に温度20’Cで2分間浸漬した。
水素化ホウ素ナトリウム水溶液が吸着している上記ガラ
スクロス繊維を別に用意した0、5Mの硫酸ニッケル水
溶液100dに温度20°Cで2分間浸漬して、硫酸ニ
ッケルをニッケル金属として析出させた。
スクロス繊維を別に用意した0、5Mの硫酸ニッケル水
溶液100dに温度20°Cで2分間浸漬して、硫酸ニ
ッケルをニッケル金属として析出させた。
ニッケル金属が析出している上記ガラスクロス繊維を別
に用意した10mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶液1
00mfに温度20’Cで10秒間浸漬して析出ニッケ
ル金属を還元処理した後、100mのイオン交換水に温
度20℃で1分間浸漬し、次いで、100dの無電解コ
バルトめっき液(硫酸コバルト0゜03M 、q石酸ナ
トリウム 0.50M 、次亜リン酸ナトリウム 0.
2釦、ホウIJ 0.50Mを含む溶液を水酸化ナト
リウムでpH9,0に調整)に温度80’Cで10分間
浸漬しコバルト金属めっき処理を行った後、水洗、乾燥
した。
に用意した10mMの水素化ホウ素ナトリウム水溶液1
00mfに温度20’Cで10秒間浸漬して析出ニッケ
ル金属を還元処理した後、100mのイオン交換水に温
度20℃で1分間浸漬し、次いで、100dの無電解コ
バルトめっき液(硫酸コバルト0゜03M 、q石酸ナ
トリウム 0.50M 、次亜リン酸ナトリウム 0.
2釦、ホウIJ 0.50Mを含む溶液を水酸化ナト
リウムでpH9,0に調整)に温度80’Cで10分間
浸漬しコバルト金属めっき処理を行った後、水洗、乾燥
した。
得られたガラスクロス繊維の表面は、コバルト金属めっ
きによる金属光沢を呈していた。コバルト金属めっき被
膜が形成され′ているガラスクロス繊維の表面抵抗値は
2.5Ω/口であり、また、メンディングテープを強く
貼り付けはがしたところコバルト金属めっき被膜は剥離
しなかった。
きによる金属光沢を呈していた。コバルト金属めっき被
膜が形成され′ているガラスクロス繊維の表面抵抗値は
2.5Ω/口であり、また、メンディングテープを強く
貼り付けはがしたところコバルト金属めっき被膜は剥離
しなかった。
〔発明の効果]
本発明に係る無電解金属めっき方法は、均−且つ緻密で
あり、しかも、密着性に優れている金属めっき被膜を高
価な貴金属触媒を用いることなく、経済的、工業的に有
利に形成することが可能である。
あり、しかも、密着性に優れている金属めっき被膜を高
価な貴金属触媒を用いることなく、経済的、工業的に有
利に形成することが可能である。
Claims (1)
- (1)被めっき物に、還元剤を吸着させた後、自触媒性
金属イオンを含む溶液に浸漬することにより、前記被め
っき物に前記自触媒性金属を析出させ、次いで、該析出
金属を還元剤で還元処理した後、金属めっきすることを
特徴とする無電解金属めっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26571188A JPH02111883A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 無電解金属めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26571188A JPH02111883A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 無電解金属めっき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02111883A true JPH02111883A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17420949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26571188A Pending JPH02111883A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 無電解金属めっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02111883A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002309375A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-23 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解めっき用触媒付与方法 |
US7605082B1 (en) | 2005-10-13 | 2009-10-20 | Novellus Systems, Inc. | Capping before barrier-removal IC fabrication method |
US7897198B1 (en) * | 2002-09-03 | 2011-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Electroless layer plating process and apparatus |
US7972970B2 (en) | 2003-10-20 | 2011-07-05 | Novellus Systems, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structure |
CN102747345A (zh) * | 2012-07-19 | 2012-10-24 | 哈尔滨工业大学 | 通过浸镍活化在pcb铜电路表面化学镀镍的方法 |
US8372757B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP26571188A patent/JPH02111883A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002309375A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-23 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解めっき用触媒付与方法 |
US7897198B1 (en) * | 2002-09-03 | 2011-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Electroless layer plating process and apparatus |
US7972970B2 (en) | 2003-10-20 | 2011-07-05 | Novellus Systems, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structure |
US8372757B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
US7605082B1 (en) | 2005-10-13 | 2009-10-20 | Novellus Systems, Inc. | Capping before barrier-removal IC fabrication method |
US7811925B1 (en) | 2005-10-13 | 2010-10-12 | Novellus Systems, Inc. | Capping before barrier-removal IC fabrication method |
US8043958B1 (en) | 2005-10-13 | 2011-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Capping before barrier-removal IC fabrication method |
CN102747345A (zh) * | 2012-07-19 | 2012-10-24 | 哈尔滨工业大学 | 通过浸镍活化在pcb铜电路表面化学镀镍的方法 |
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