NL8202009A - Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. - Google Patents
Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8202009A NL8202009A NL8202009A NL8202009A NL8202009A NL 8202009 A NL8202009 A NL 8202009A NL 8202009 A NL8202009 A NL 8202009A NL 8202009 A NL8202009 A NL 8202009A NL 8202009 A NL8202009 A NL 8202009A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- metallization
- solution
- mask
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000035784 germination Effects 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003923 SiC 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N [Au].[K]C#N Chemical compound [Au].[K]C#N OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000575 pesticide Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
sï ,» ♦ r . .......... _...... .
PHA 10.358 1 N,V. Philips' Gloeilampenfabrieken, te Eindhoven "Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaal-patronen qp metaal- of halfgeleider oppervlak."
De uitvinding heeft betrekking óp een verkwijze voor de vervaardiging van f ijngestructureerde metaalpatronen in of op een. metaal- of een half geleideroppervlakv
Tot nu toe werden metaalpatronen in of op metaal- of half-5 geleiderappervlakken door middel van fotoetstechnieken vervaardigd (bijvoorbeeld GB-PS 1.163.463). Ook het zgn. "droog etsen", d.i. sputteretsen, of "ion-etching" werden vaak toegepast. Wanneer men echter fijne structuren wil vervaardigen, dan schieten deze technieken door het daarmede optredende verlies aan oplossend vermogen tekort.
10. Dit wordt onder andere veroorzaakt door het optredende onderetsen.
Fotolakken vertonen bovendien het nadeel, dat zij bij de metallisering ook een metaalbedekking krijgen. De doorgeharde fotolak moet dus met de daarop af gezette metaallaag worden verwijderd ("lift-off" technieken).
Ook dit brengt weer verlies aan scheidend vermogen met zich mede. Daar-15 bij komt nog, dat vele substraatmaterialen een voorbehandeling met een alkalihydroxide-oplossing nodig hebben, teneinde een goede hechting van het metaalpatroon en een goede contactovergang te verkrijgen. Deze behandeling vindt vaak met sterke alkalihydroxyde-oplossingen bij verhoogde temperatuur en gedurende langere tijd plaats. Bovendien zijn veel 20 stroomloos verkende baden zoals koper-, goud- en gqud-koperlegerings-baden, die voor het maken van de patronen worden gebruikt, sterk alkalisch en worden daarbij bij verhoogde temperaturen tot 80 a 90°C toegepast. De gebruikelijke positieve lichtgevoelige lakken zijn tegen contact met sterke alkalische vloeistoffen echter weinig bestand.
25 Negatieve fotolakken zijn beter tegen contact met alkalische vloeistoffen bestand, doch zij zijn veer minder geschikt voor het maken van fijn-gestructureerde patronen met de gebruikelijk u.v. belichtings-werkwtjzen.
De werkwijze voor de vervaardiging van metaalpatronen op het 30 oppervlak van een uit een metaal of een halfgeleidende verbinding bestaand substraat door middel van een stroomloos verkende metalliserings-qplossing onder toepassing van een metalliseringsmasker is volgens de uitvinding daardoor gekenmerkt, dat op het substraatoppervlak allereerst 8202009 « PHN 10.358 2 via de dampfase een uniforme laag van een verbinding gekozen uit SiC>2 en Si^ wordt af gezet, die desgewenst door een temperatuur-behandeling wordt verdicht en dat hieruit door middel van een foto-. etstechniek het gewenste netalliseringsmaskerpatroon wordt vervaardigd, 5 het gemaskeerde substraat zo nodig in aanraking wordt gebracht met een bekiemingsvloeistof en vervolgens met een stroomloos verkende metalli-seringsvloeistof.
Met behulp van deze verkwijze is het mogelijk, zeer fijne patronen ( ^ 2^um) op metalen en half geleidende metaalverbindingen te 10 vervaardigen.
Bij de experimenten, die leidden tot het doen van de uitvinding bleek, dat Al^, via de dampfase op een substraat opgebracht, waaruit vervolgens door middel van een fotoets techniek een masker werd vervaardigd, bij metallisering na bekieming even snel met metaal werd 15 bedekt als het vrije substraat. Van selectiviteit is bij gebruik van A12C>2 dus in het geheel geen sprake. Verrassend was, dat het Si02 en Si^, op dezelfde wijze toegepast in tegenstelling tot het Al^ een uitstekende selectiviteit bij de metaalafzetting vertoonden: op het maskermateriaal werden geen kiemen afgezet, hetzij uit de stroomloos 2q werkende metalliseringsoplossing, hetzij uit een edelmetaalbekiemings-oplossing. Welke factoren een rol spelen bij het al dan niet gemetalliseerd worden van het maskermateriaal, is volstrekt onduidelijk gebleven.
In vergelijk tot de gebruikelijke organische fotolakken zijn Si02 en Si^ als roastennaterlaal veel beter bestand tegen contact met 25 geconcentreerde alkalihydroxide bij verhoogde temperatuur dan de gebruikelijke organische fotolakken en eveneens zijn ze bestand tegen zure edelmetaaloplossingen (HC1, azijnzuur), die voor de bekieming worden gebruikt, tegen zure stroomloos verkende vernikkeloplossingen en ook tegen de alkalische stroomloze metalliseringsoploss ingen voor het afzetten van 3Q goud, koper en goud-koper-legeringen.
Het maskeringsoppervlak wordt bij toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding niet van kiemen voorzien en blijft vrij van metaalaf zetting. Doordat op het masker oppervlak geen metaalaf zetting plaatsvindt behoeft geen sluierbestrijdingsmiddel toegepast te warden. Boven-35 dien behoeft geen "lift-off" methode te worden gebruikt waardoor verlies aan scheidend vermogen op zou kunnen treden. In tegendeel heeft het laten zitten van de maskeringslaag soms het voordeel van een extra bescherming tegen atmosferische aantasting. In andere gevallen kan het juist van voordeel zijn, dat de maskeringslaag door etsen verwijderd 8202009 * * PHN 10.358 3 kan worden, zonder dat de iretaallaag aangetast wordt.
Cpgemerkt wordt, dat siliciumdioxide in de halfgeleider-techniek als maskering bekend is en veel wordt toegepast. Tot nu toe werd dit echter altijd in combinatie net niet-selectieve opdamptech-5 nièken toegepast. Hierbij wordt het SiC^, zoals trouwens ook bij de werkwijze volgens de uitvinding aan een temperatuurbehandeling gedurende 1/4 - 1 uur bij ca. 600 °C + 20OC gedurende een half uur onderworpen, waardoor verdichting van het materiaal bereikt wordt.
Een dergelijk siliciumdioxide-masker kan in het kader van de 10 uitvinding eerst gebruikt worden als etsmasker voor het profileren van het ondergelegen substraatmateriaal en vervolgens als masker voor de selectieve metallisering van het substraatoppervlak.
Een in het kader van de uitvinding interessante uitvoeringsvorm betreft het aanbrengen van een lijnenpatroon uit goud, koper of 15 een goud-kpperlegering op een oppervlak, dat uit p-GaAs bestaat. Het is essentieel, dat dit oppervlak vóór de metallisering gereinigd wordt met behulp van een sterk alkalische vloeistof (b.v. 20 gew. % KOH-oplossing in water). Een extra voordeel van deze metallisering is, dat de verkregen contacten op P-GaAs een Ohms gedrag vertonen. Met soort-' 2o gelijke werkwijzen kunnen ook op p-AlGaAs oppervlakken goed hechtende goud-patronen worden aangebracht.
Ter illustratie van de uitvinding volgen thans enige uitvoer ingsvoor beelden .
Voorbeeld 1 25 Een p-GaAs-plak, die door middel van een extra diffusie van zink p+-geleidend was gemaakt, werd door middel van pyrolyse van sili-ciumhydride aan het p-GaAs oppervlak bij een temperatuur van 400°C in aanwezigheid van zuurstof voorzien van een 150 nm dikke siliciumdioxide ("Silox,,)-laag. Hierna werd het geheel gedurende 30 minuten bij 625°C 30 verwarmd en vervolgens tot omgevingstemperatuur afgekoeld. Met behulp van een in de handel verkrijgbare fotolak en een etsvloeistof bestaande uit 1 vol deel NH^F-HF oplossing en 3 delen water werd een lijnenpatroon in de Siloxlaag uitgeëtst ter verkrijging van het gewenste Silox-masker. De NH^F-HF oplossing werd verkregen door mengen van 7 vol delen NH^F-35 oplossing (200 g NH^F en 300 g water) en 1 vol deel HF-oplossing (49% in water).
Door contact met een oplossing van 25°C bestaande uit 1 vól deel H202 (30 gew.%), 1 vol deel aitmoniaoplossing (25 gew.%) en 10 vol 8202009 PHN 10.358 4
X
delen water ward een wigvormige groef van 4 urn breed en 2 ^,um diep in het GaAs uitgeëtst.
De GaAs-plak met het Silox-lijnenpatroon werd gedurende ca.
4 minuten bij 70°C ondergedompeld gehouden in een oplossing van 20 gew,% g kaliumhydroxide in water. Na gedurende ca. ¼ minuut spoelen in gede-ioniseerd water werd de GaAs-plak ondergedompeld gehouden in een oplossing die werd bereid door 0,3 g palladiuirchloride in 9 ml geconcentreerde zoutzuuroplossing op te lossen en met 9 ml water te verdunnen. Vervolgens werd hieraan 864 ml ijsazijn toegevoegd en daarna nog eens 10 22,6 ml fluorwaterstofzuur-oplossing (40 gew.%), zoals beschreven door L.A. d'Asaro c.s. in J. Electrochem. Soc. 127, Sept. 1980, p. 1935-1939.
Na spoelen gedurende enkele minuten in stromend gedeioniseerd water werd de Ga-As plak gedurende 1½ uur ondergedompeld gehouden in 15 een qp 50°C verwarmde oplossing die per liter bevatte: 0,04 mol. kopersulfaat 0,014 mol. kaliumgoud(I) cyanide 0,072 mol. tetra Na-zout van ethyleendiamine-tetra-azijnzuur 20 0,12 mol. natriumhydroxide 0,10 mol. formaldehyde
De wigvormige spleet was hierna geheel gevuld met een goudlegering, die ca. 1 gew.% Cu bevatte. Op het Silox had zich in het geheel geen metaal af gezet. De goudlegeringslaag gedroeg zich als Ohm’s contact 25 en bleek bondbaar te zijn. Na een ternperatuurbehandeling gedurende 20 minuten qp 325°C in argonatmosfeer was de contactweerstand —5 2 1,4 x 10 Λ/cm , hetgeen b.v. voor toepassing in de lasertechnologie alleszins goed genoemd kan worden.
Overeenkomstige resultaten kunnen worden verkregen, door in 30 plaats van Silox Si3N4 als masker toe te passen. Dit wordt door pyrolyse qp het GaAs-oppervlak af gezet uit een gasstroom, die airmoniak, stikstof en siliciumhydride (Siïï4) bevat.
Voorbeeld 2
Een p-GaAs-plak ward op de wijze zoals in Voorbeeld 1 be-35 schreven van een Silox-masker voorzien, waarbij door chemisch etsen het patroon ward aangebracht. Het GaAs werd niet geëtst. Na het aanbrengen van kiemen, eveneens op de wijze van Voorbeeld 1, werd de GaAs-plak selectief gemetalliseerd door de plak gedurende 10 minuten onderge- 8202009 PHN 10.358 5 * dompeld te houden in een op 92°C verwarmde oplossing die per liter oplossing in water bevatte: 30 g glycine 10 g natriumhypofosfiet en 5 30 g nikkelchloride
Op het GaAs was nikkel hechtend neergeslagen, terwijl het Silox-masker niet was gemetalliseerd.
Voorbeeld 3
Een p-AlGaAs-plak werd van een Silox-masker voorzien, zoals 10 in Voorbeeld 1 beschreven. Na een ireermalige voorbehandeling volgens Voorbeeld 1 werd gedurende 1 uur gemetalliseerd in een oplossing, zoals eveneens in Voorbeeld 1 beschreven. Er werd een selectieve goudafzetting volgens het patroon en met een goede hechting verkregen.
Voorbeeld 4 15 Een goudpatroon zoals bij de metallisering van Voorbeeld 1 werd verkregen, werd ook vervaardigd op een metallische koperlaag met daarop een Silox-masker in plaats van (¾) het p-GaAs. Dezelfde stroomloos werkende goudlegeringsoplossing werd daartoe gebruikt.
20 25 » 30 35 8202009
Claims (5)
1. Werkwijze voor de vervaardiging van metaalpatronen op het oppervlak van een uit een metaal of een halfgeleidende verbinding bestaand substraat door middel van een stroomloos werkende metalliserings-oplossing onder toepassing van een metalliseringsmasker, met het kenmerk, 5 dat qp het substraatqppervlak allereerst via de dampfase een uniforme laag van een verbinding, gekozen uit SiOj en Si^N^ wordt af gezet en hieruit door middel van een fotoetstechniek het gewenste metalliserings-maskerpatroon wordt vervaardigd, het gemaskeerde substraat zo nodig in aanraking wordt gebracht met een bekiemingsvloeistof en vervolgens met 10 een stroomloos verkende metalliseringsvloeistof.
2. Werkwijze volgens conclusie 1 voor het selectief aanbrengen van metaalpatronen in het oppervlak van een uit een metaal of een halfgeleidende verbinding bestaand substraat, met het kenmerk, dat na het aanbrengen van het uit SiCL, of Si^ gevormde maskerpatroon allereerst 15 het substraat door etsen geprofileerd wordt.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2 voor de vervaardiging van metaalpatronen op het oppervlak van een uit GaAs of AlGaAs bestaand substraat, met het kenmerk, dat qp het met behulp van SiC^ of Si^N^ gemaskeerde substraat na een behandeling met een alkalihydroxideoplossing 20 en na het aanbrengen van kiemen selectief door middel van een stroomloos •werkende oplossing Au of een Au-Cu-legering wordt afgezet.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat op het substraatoppervlak SiC^ door middel van chemische afzetting via de dampfase wordt aangebracht en de verkregen laag wordt verdicht door het 2g substraat met de laag gedurende een tijd van 1/4 - 1 uur qp een temperatuur van 610¾ + 20°C te verhitten.
5. Produkten bestaande uit een fij ngestructureerd metaalpatroon op een substraat van metaal of van een halfgeleidende metaalverbinding, verkregen volgens een van de voorgaande conclusies. 30 35 8202009
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8202009A NL8202009A (nl) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. |
| DE8383200653T DE3366541D1 (en) | 1982-05-14 | 1983-05-06 | Method of manufacturing finely structured metal patterns on metal or semiconductor surfaces |
| EP19830200653 EP0094711B1 (en) | 1982-05-14 | 1983-05-06 | Method of manufacturing finely structured metal patterns on metal or semiconductor surfaces |
| JP58081066A JPH0614517B2 (ja) | 1982-05-14 | 1983-05-11 | 金属パターンを製造する方法及び金属パターンから成る製品 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8202009A NL8202009A (nl) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. |
| NL8202009 | 1982-05-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8202009A true NL8202009A (nl) | 1983-12-01 |
Family
ID=19839743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8202009A NL8202009A (nl) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0094711B1 (nl) |
| JP (1) | JPH0614517B2 (nl) |
| DE (1) | DE3366541D1 (nl) |
| NL (1) | NL8202009A (nl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9105943D0 (en) * | 1991-03-20 | 1991-05-08 | Philips Nv | A method of manufacturing a semiconductor device |
| US5527586A (en) * | 1992-03-18 | 1996-06-18 | Printron, Inc. | Apparatus and method for depositing metal particles on a dielectric substrate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1286641B (de) * | 1966-08-26 | 1969-01-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung |
| JPS5221768A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-18 | Hitachi Ltd | Producing system of semiconductor element |
| JPS5254369A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Schottky barrier semiconductor device |
| US4201998A (en) * | 1977-02-18 | 1980-05-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices with Schottky metal contacts filling a depression in a semi-conductor body |
| JPS5588325A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-14 NL NL8202009A patent/NL8202009A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-05-06 DE DE8383200653T patent/DE3366541D1/de not_active Expired
- 1983-05-06 EP EP19830200653 patent/EP0094711B1/en not_active Expired
- 1983-05-11 JP JP58081066A patent/JPH0614517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0094711B1 (en) | 1986-10-01 |
| JPS58209122A (ja) | 1983-12-06 |
| JPH0614517B2 (ja) | 1994-02-23 |
| DE3366541D1 (en) | 1986-11-06 |
| EP0094711A1 (en) | 1983-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5380560A (en) | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition | |
| EP0510711B1 (en) | Processes and compositions for electroless metallization | |
| US6486055B1 (en) | Method for forming copper interconnections in semiconductor component using electroless plating system | |
| JP4713290B2 (ja) | 金バンプ又は金配線の形成方法 | |
| EP0687136A1 (en) | Method for selectively metallizing a substrate | |
| IE922078A1 (en) | Improved method of applying metal coatings on diamond and¹articles made therefrom | |
| EP0570432A1 (en) | Selective process for printed circuit board manufacturing | |
| US9932676B2 (en) | Pretreatment solution for electroless plating and electroless plating method | |
| EP0518422B1 (en) | Method of selectively metallizing a pattern of a material other than glass on a glass substrate by electroless metallization | |
| US5527566A (en) | Conditioning of a polymeric substrate | |
| KR100362866B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| NL8202009A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak. | |
| US5206055A (en) | Method for enhancing the uniform electroless deposition of gold onto a palladium substrate | |
| US7158708B2 (en) | Method of metallizing non-conductive substrates and metallized non-conductive substrates formed thereby | |
| JP2000349417A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| EP0290577A1 (en) | An improved photo-selective plating method | |
| JPS591667A (ja) | シリコンに対する白金の無電解めつき法 | |
| JPS5979550A (ja) | 配線構造体の製造方法 | |
| KR100532515B1 (ko) | 기판에 금속을 무전해 석출하고 패터닝하는 방법 | |
| JP2001303254A (ja) | ガラス基板表面のパターンメッキ方法及びパターンメッキしたガラス基板 | |
| JP3086762B2 (ja) | 無電解銅メッキ液および該メッキ液を用いた銅薄膜の形成方法 | |
| JP3376420B2 (ja) | 酸化亜鉛基化合物パターン化膜の製造方法 | |
| KR20150126705A (ko) | 금속 부품의 제조 방법 그리고 그것에 사용되는 주형 및 이형막 | |
| JP3726126B2 (ja) | 酸化物セラミックスパターン化膜の製造方法 | |
| FR2523952A1 (fr) | Procede de formation d'une electrode sur une piece de ceramique dielectrique pour des applications en haute frequence |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |