JPS6226436B2 - - Google Patents
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- JPS6226436B2 JPS6226436B2 JP16398278A JP16398278A JPS6226436B2 JP S6226436 B2 JPS6226436 B2 JP S6226436B2 JP 16398278 A JP16398278 A JP 16398278A JP 16398278 A JP16398278 A JP 16398278A JP S6226436 B2 JPS6226436 B2 JP S6226436B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- circuit
- mos transistor
- counter
- resistor
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Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 102220182483 rs150418267 Human genes 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、時計用回路と同一チツプ内に設けた
回路により高精度の温度補償を実現することがで
きる電子時計に関する。
回路により高精度の温度補償を実現することがで
きる電子時計に関する。
従来、電子時計、特に腕時計においては、基準
時間源として32.768KHzの共振周波数をもつ屈曲
モードの音叉型水晶振動子による発振回路が広く
用いられている。この音叉型水晶振動子は、小型
化が可能で時計用に適する反面、温度特性が良好
でない、経時変化が大きいなどの欠点を有する。
この点を改善する方法として、従来、水晶振動子
と類似した温度特性をもつチタバリコンデンサを
用いることや温度特性補正用の水晶を用いること
が行なわれている。しかし、これらの方法による
と、調整に手数がかかりすぎること、水晶やチタ
バリコンデンサに厳しい仕様が要求されること、
水晶やチタバリコンデンサを集積回路（以下IC
と略記する）の外から外付けしなくてはならない
こと等により生産性が悪く、コスト高である。
時間源として32.768KHzの共振周波数をもつ屈曲
モードの音叉型水晶振動子による発振回路が広く
用いられている。この音叉型水晶振動子は、小型
化が可能で時計用に適する反面、温度特性が良好
でない、経時変化が大きいなどの欠点を有する。
この点を改善する方法として、従来、水晶振動子
と類似した温度特性をもつチタバリコンデンサを
用いることや温度特性補正用の水晶を用いること
が行なわれている。しかし、これらの方法による
と、調整に手数がかかりすぎること、水晶やチタ
バリコンデンサに厳しい仕様が要求されること、
水晶やチタバリコンデンサを集積回路（以下IC
と略記する）の外から外付けしなくてはならない
こと等により生産性が悪く、コスト高である。
また、部品数が多く部品の大きさも大きいた
め、時計のデザインを悪くする要因にもなる。
め、時計のデザインを悪くする要因にもなる。
本発明の目的は、IC内の抵抗素子そのものを
温度検出素子としてこの欠点を解決するものであ
る。
温度検出素子としてこの欠点を解決するものであ
る。
第１図は本発明の回路構成を実現する基本的な
ブロツク図の一例である。同図において１は発振
器であり水晶振動子が振動子として用いられる。
２は分周器であり発振器１からの信号を分周して
時刻表示を行なうための時刻信号を形成する。３
は表示装置の駆動装置であり、時刻信号に基いて
表示装置４を駆動する。５はCPU，６は温度検
出及び変換器、７は記憶装置Ａ、８は演算装置、
９は記憶装置Ｂである。３５，３６，３７，３８
はコントロールバスを、３１，３２，３３，３４
はデータバスを示している。
ブロツク図の一例である。同図において１は発振
器であり水晶振動子が振動子として用いられる。
２は分周器であり発振器１からの信号を分周して
時刻表示を行なうための時刻信号を形成する。３
は表示装置の駆動装置であり、時刻信号に基いて
表示装置４を駆動する。５はCPU，６は温度検
出及び変換器、７は記憶装置Ａ、８は演算装置、
９は記憶装置Ｂである。３５，３６，３７，３８
はコントロールバスを、３１，３２，３３，３４
はデータバスを示している。
次にこれら回路の動作を説明する。分周器２は
時刻信号を形成すると共にCPU５にマスターク
ロツク信号を供給する。又、分周器２は分周比が
可変に構成され、CPU５からの情報に従つて分
周比が変化し、時計の歩度を調整することによつ
て温度補償を実行する。CPU５は温度検出及び
変換器６、記憶装置Ａ７、演算装置８、記憶装置
Ｂ９にタイミング信号やアクセス信号を供給して
これら回路の動作を制御する。温度検出及び変換
器６は温度係数の異なる二種類の抵抗を用いて温
度検出を行うと共に、検出値を温度情報で表わす
デイジタルデータとして演算装置８に出力する。
７の記憶装置Ａは温度検出器６の温度係数の異な
る二種類の抵抗の製造バラツキを補正するための
もので、外部からの書き込み可能なPROM等によ
つて構成される。この記憶装置Ａには初期調整時
に例えば水晶振動子の温度特性を表わす放物線の
頂点に相当する温度において分周器２への補正が
ゼロとなるように設定が行なわれ、以後この状態
を保持する。９の記憶装置Ｂは発振器１に用いら
れる水晶振動子の温度特性に関する情報、例えば
水晶振動子の温度特性が放物線特性を有する場合
には、この放物線特性を記憶している。この記憶
装置Ｂは、マスクROMを用いる場合には代表的
な水晶振動子の温度特性を記憶させる。PROMを
用いる場合には個々の水晶振動子の特性を記憶さ
せることができ高精度な補正が可能となる。演算
装置８は温度検出及び変換器６より受けとつた温
度情報と、記憶装置Ｂからの水晶振動子の温度特
性の情報から補正の度合（例えば分周比や、補正
パルスとして分周器２に印加すべき補正パルスの
数）を算出し、この補正信号をCPU５に伝送す
る。CPU５は演算装置８からの情報に従つて、
分周比制御信号を分周器２へ伝達し、温度に従つ
て分周器２の分周比を変化させることによつて水
晶振動子の温度補償が実行できる。
時刻信号を形成すると共にCPU５にマスターク
ロツク信号を供給する。又、分周器２は分周比が
可変に構成され、CPU５からの情報に従つて分
周比が変化し、時計の歩度を調整することによつ
て温度補償を実行する。CPU５は温度検出及び
変換器６、記憶装置Ａ７、演算装置８、記憶装置
Ｂ９にタイミング信号やアクセス信号を供給して
これら回路の動作を制御する。温度検出及び変換
器６は温度係数の異なる二種類の抵抗を用いて温
度検出を行うと共に、検出値を温度情報で表わす
デイジタルデータとして演算装置８に出力する。
７の記憶装置Ａは温度検出器６の温度係数の異な
る二種類の抵抗の製造バラツキを補正するための
もので、外部からの書き込み可能なPROM等によ
つて構成される。この記憶装置Ａには初期調整時
に例えば水晶振動子の温度特性を表わす放物線の
頂点に相当する温度において分周器２への補正が
ゼロとなるように設定が行なわれ、以後この状態
を保持する。９の記憶装置Ｂは発振器１に用いら
れる水晶振動子の温度特性に関する情報、例えば
水晶振動子の温度特性が放物線特性を有する場合
には、この放物線特性を記憶している。この記憶
装置Ｂは、マスクROMを用いる場合には代表的
な水晶振動子の温度特性を記憶させる。PROMを
用いる場合には個々の水晶振動子の特性を記憶さ
せることができ高精度な補正が可能となる。演算
装置８は温度検出及び変換器６より受けとつた温
度情報と、記憶装置Ｂからの水晶振動子の温度特
性の情報から補正の度合（例えば分周比や、補正
パルスとして分周器２に印加すべき補正パルスの
数）を算出し、この補正信号をCPU５に伝送す
る。CPU５は演算装置８からの情報に従つて、
分周比制御信号を分周器２へ伝達し、温度に従つ
て分周器２の分周比を変化させることによつて水
晶振動子の温度補償が実行できる。
次に第１図の６及び７の部分について詳しく説
明する。６及び７の部分の実現回路の例を第２図
に示す。同図で２１はカウンタ、２２はデコー
ダ、２３はカウンタ及びPROM、２４〜２６は第
３図に示す構造の差動増幅器、２７〜２９は
MOSトランジスタ、１０〜１３及びR1〜RN―１
（Ｎは自然数）は抵抗、１４〜１６はNAND回
路、T1〜TNは第４図に示す構造のトランスミツ
シヨン・ゲート、C1〜CM（Ｍは自然数）は第５
図に示す構造のセルである。破線で囲まれた部分
３０は可変電圧発生回路を構成する。第２図にお
いて、２３のカウンタ及びPROMのPROM部は第
１図７の記憶回路Ａに相当し、第２図の他の回路
部は第１図６の温度検出及び変換器に相当する。
カウンタ２１の値は温度情報としてデータバス３
１を介して演算装置８へ伝送される。また第２図
において１０〜１１の抵抗、R1〜RN−１の抵抗
はそれぞれ温度係数が等しく、１２と１３とは温
度係数が相互に異なつていなくてはならない。
明する。６及び７の部分の実現回路の例を第２図
に示す。同図で２１はカウンタ、２２はデコー
ダ、２３はカウンタ及びPROM、２４〜２６は第
３図に示す構造の差動増幅器、２７〜２９は
MOSトランジスタ、１０〜１３及びR1〜RN―１
（Ｎは自然数）は抵抗、１４〜１６はNAND回
路、T1〜TNは第４図に示す構造のトランスミツ
シヨン・ゲート、C1〜CM（Ｍは自然数）は第５
図に示す構造のセルである。破線で囲まれた部分
３０は可変電圧発生回路を構成する。第２図にお
いて、２３のカウンタ及びPROMのPROM部は第
１図７の記憶回路Ａに相当し、第２図の他の回路
部は第１図６の温度検出及び変換器に相当する。
カウンタ２１の値は温度情報としてデータバス３
１を介して演算装置８へ伝送される。また第２図
において１０〜１１の抵抗、R1〜RN−１の抵抗
はそれぞれ温度係数が等しく、１２と１３とは温
度係数が相互に異なつていなくてはならない。
次に第２図の動作を説明する。抵抗１２，１
３，差動増幅器２５，トランジスタ２９は節点１
９に温度によつて変化する電圧Ｖ１９を発生させ
るための構成であり、セルC1〜CM及びカウンタ
及びPROM２３はＶ１９を調整するための構成で
ある。差動増幅器２５は抵抗１０，１１による分
圧電圧を一方の入力端に入力し、節点１８の電圧
Ｖ１８がこの分圧電圧に等しくなるようにトラン
ジスタ２９にゲート電圧を与える。このとき、節
点Ｖ１８の電圧は抵抗１０，１１の温度係数が等
しいので温度に対してほとんど変化しない。次に
C1〜CMは第５図のように構成され、各トランジ
スタ５２が抵抗１３に直列に接続される。ただ
し、各トランジスタ５２のうち、カウンタ及び
PROMによつて選択されたセルのトランジスタ５
２にのみ差動増幅器２５の出力がゲートに与えら
れ、他のトランジスタ５２はオフしている。即
ち、カウンタ及びPROM２３によつて選択された
セルのみがトランスミツシヨンゲート５３がオン
し、トランジスタ５１がオフしてトランジスタ５
２が動作状態となり、選択されないセルのトラン
スミツシヨンゲート５３はオフし、トランジスタ
５１はオンし、トランジスタ５２のゲートはＶDD
に接続されてオフとなる。
３，差動増幅器２５，トランジスタ２９は節点１
９に温度によつて変化する電圧Ｖ１９を発生させ
るための構成であり、セルC1〜CM及びカウンタ
及びPROM２３はＶ１９を調整するための構成で
ある。差動増幅器２５は抵抗１０，１１による分
圧電圧を一方の入力端に入力し、節点１８の電圧
Ｖ１８がこの分圧電圧に等しくなるようにトラン
ジスタ２９にゲート電圧を与える。このとき、節
点Ｖ１８の電圧は抵抗１０，１１の温度係数が等
しいので温度に対してほとんど変化しない。次に
C1〜CMは第５図のように構成され、各トランジ
スタ５２が抵抗１３に直列に接続される。ただ
し、各トランジスタ５２のうち、カウンタ及び
PROMによつて選択されたセルのトランジスタ５
２にのみ差動増幅器２５の出力がゲートに与えら
れ、他のトランジスタ５２はオフしている。即
ち、カウンタ及びPROM２３によつて選択された
セルのみがトランスミツシヨンゲート５３がオン
し、トランジスタ５１がオフしてトランジスタ５
２が動作状態となり、選択されないセルのトラン
スミツシヨンゲート５３はオフし、トランジスタ
５１はオンし、トランジスタ５２のゲートはＶDD
に接続されてオフとなる。
選択されたセルのトランジスタ５２は抵抗１３
に直列に接続されて、ゲートには差動増幅器２５
の出力が印加されることからトランジスタ２９と
同様に動作し、抵抗１３に電流を流し、節点１９
の電圧Ｖ１９を定める。ここで節点１９電圧Ｖ１
９は抵抗１２と１３の温度係数が異なり、節点１
８の電圧を一定としているため、温度に対して変
化する電圧となる。また、電圧Ｖ１９の値は選択
するセルの数、種類によつて抵抗１３に流れる電
流を変化させることにより調整ができる。この調
整のためセルC1〜CMのトランジスタ５２のβは
セルごとに異なる値に構成され、その比はC1，
C2，C3……CMで例えば、１：２：４：……２M-
1のように等比数列をなすように定める。βの値
はチヤンネル幅に比例しチヤンネル長に反比例す
るので、上述の比はMOSトランジスタのサイズ
によつて定めることができる。第５図のトランス
ミツシヨン・ゲート５３のオン・オフは、水晶振
動子の温度特性を表わす放物線の頂点付近に相当
するある周囲温度のときに第２図のＮ個のトラン
スミツシヨン・ゲートのうちほぼ中央のトランス
ミツシヨン・ゲート、即ちＮが偶数ならばトラン
スミツシヨンゲートＴＮ／２，Ｎが奇数ならばトラン スミツシヨンゲートＴＮ＋１／２またはＴＮ−１／２が
オン となつた時点で節点１９の電位が節点２０の電位
に等しくなりコンパレータとして働く差動増幅器
２６の出力がハイからローに反転するように、初
期の段階において２３のカウンタで掃引し、反転
時の状態を２３のPROMに書き込んで指定してお
く。このとき１３，１２の温度係数をそれぞれα
（１／℃）、β（１／℃）とすると周囲温度ｔ℃の
ときの節点１９の電位Ｖ１９は V19＝Ｋ・１＋αｔ／１＋βｔ となる。ただし、Ｋは温度に依存しない定数。一
方、節点２０の電位をＶ２０とすると、Ｖ２０は
カウンタ２１の値によつて制御される可変電圧発
生回路３０の出力であり、トランスミツシヨンゲ
ートT1〜TNのうちどの１つがオンしているかで
定まる可変電圧である。T1〜TNのスイツチング
はクロツク信号CLによるカウンタ２１の掃引に
より順次行なわれる。カウンタ掃引の過程におい
て、差動増幅器２６の出力信号がハイからローに
反転した時点でのカウンタ２１の値がその時の温
度を表わす信号となる。この信号を一時保持して
取り出すために、第２図に示す１４，１５により
構成されるＲ―Ｓフリツプ・フロツプおよび
NAND回路１６を付加する。第２図に示す信号
CL，φ，Ψはそれぞれ第６図に示すもので、ク
ロツク信号、温度検出を行う周期を定める信号、
Ｒ―Ｓフリツプ・フロツプのセツト信号を表わ
す。このとき、差動増幅器２の出力信号はＲ―Ｓ
フリツプ・フロツプのリセツト信号として働きＲ
―Ｓフリツプ・フロツプがリセツトの状態のと
き、NAND回路１６は閉じられカウンタ２１は停
止する。第７図において、CLは第２図のCLと同
一のクロツク信号を、CL１，CL２はそれぞれ１
段目、２段目のカウンタからの出力信号を表わ
す。いま、Ｔの時点でコンパレータの出力信号が
ハイからローに反転したとすると、Ψによつてセ
ツトされるまでの間カウンタ１の内容は第７図
ａ，ｂのように保持される。このようにして得ら
れた温度信号即ち、カウンタ２１の値は第１図の
演算装置８へ送られる。なお、第２図で、デコー
ダ２２は、カウンタ１が示している値を、対応す
るトランスミツシヨン・ゲートをオンさせる信号
に変換するためのものである。例として、16進カ
ウンタのデコーダの一部を第８図ｂに示す。第２
図において、仮に、カウンタの値とオンするべき
トランスミツシヨン・ゲートが第８図ａのように
対応しているとすると、同図ｂはトランスミツシ
ヨンゲートＴ１０をオンさせるためのデコーダで
ある。ただし、第８図ｂにおいて、８１，８２，
８３，８４はそれぞれ第２図カウンタ２１の１段
目、２段目、３段目、４段目の２進カウンタであ
り、８５はNAND回路であり。
に直列に接続されて、ゲートには差動増幅器２５
の出力が印加されることからトランジスタ２９と
同様に動作し、抵抗１３に電流を流し、節点１９
の電圧Ｖ１９を定める。ここで節点１９電圧Ｖ１
９は抵抗１２と１３の温度係数が異なり、節点１
８の電圧を一定としているため、温度に対して変
化する電圧となる。また、電圧Ｖ１９の値は選択
するセルの数、種類によつて抵抗１３に流れる電
流を変化させることにより調整ができる。この調
整のためセルC1〜CMのトランジスタ５２のβは
セルごとに異なる値に構成され、その比はC1，
C2，C3……CMで例えば、１：２：４：……２M-
1のように等比数列をなすように定める。βの値
はチヤンネル幅に比例しチヤンネル長に反比例す
るので、上述の比はMOSトランジスタのサイズ
によつて定めることができる。第５図のトランス
ミツシヨン・ゲート５３のオン・オフは、水晶振
動子の温度特性を表わす放物線の頂点付近に相当
するある周囲温度のときに第２図のＮ個のトラン
スミツシヨン・ゲートのうちほぼ中央のトランス
ミツシヨン・ゲート、即ちＮが偶数ならばトラン
スミツシヨンゲートＴＮ／２，Ｎが奇数ならばトラン スミツシヨンゲートＴＮ＋１／２またはＴＮ−１／２が
オン となつた時点で節点１９の電位が節点２０の電位
に等しくなりコンパレータとして働く差動増幅器
２６の出力がハイからローに反転するように、初
期の段階において２３のカウンタで掃引し、反転
時の状態を２３のPROMに書き込んで指定してお
く。このとき１３，１２の温度係数をそれぞれα
（１／℃）、β（１／℃）とすると周囲温度ｔ℃の
ときの節点１９の電位Ｖ１９は V19＝Ｋ・１＋αｔ／１＋βｔ となる。ただし、Ｋは温度に依存しない定数。一
方、節点２０の電位をＶ２０とすると、Ｖ２０は
カウンタ２１の値によつて制御される可変電圧発
生回路３０の出力であり、トランスミツシヨンゲ
ートT1〜TNのうちどの１つがオンしているかで
定まる可変電圧である。T1〜TNのスイツチング
はクロツク信号CLによるカウンタ２１の掃引に
より順次行なわれる。カウンタ掃引の過程におい
て、差動増幅器２６の出力信号がハイからローに
反転した時点でのカウンタ２１の値がその時の温
度を表わす信号となる。この信号を一時保持して
取り出すために、第２図に示す１４，１５により
構成されるＲ―Ｓフリツプ・フロツプおよび
NAND回路１６を付加する。第２図に示す信号
CL，φ，Ψはそれぞれ第６図に示すもので、ク
ロツク信号、温度検出を行う周期を定める信号、
Ｒ―Ｓフリツプ・フロツプのセツト信号を表わ
す。このとき、差動増幅器２の出力信号はＲ―Ｓ
フリツプ・フロツプのリセツト信号として働きＲ
―Ｓフリツプ・フロツプがリセツトの状態のと
き、NAND回路１６は閉じられカウンタ２１は停
止する。第７図において、CLは第２図のCLと同
一のクロツク信号を、CL１，CL２はそれぞれ１
段目、２段目のカウンタからの出力信号を表わ
す。いま、Ｔの時点でコンパレータの出力信号が
ハイからローに反転したとすると、Ψによつてセ
ツトされるまでの間カウンタ１の内容は第７図
ａ，ｂのように保持される。このようにして得ら
れた温度信号即ち、カウンタ２１の値は第１図の
演算装置８へ送られる。なお、第２図で、デコー
ダ２２は、カウンタ１が示している値を、対応す
るトランスミツシヨン・ゲートをオンさせる信号
に変換するためのものである。例として、16進カ
ウンタのデコーダの一部を第８図ｂに示す。第２
図において、仮に、カウンタの値とオンするべき
トランスミツシヨン・ゲートが第８図ａのように
対応しているとすると、同図ｂはトランスミツシ
ヨンゲートＴ１０をオンさせるためのデコーダで
ある。ただし、第８図ｂにおいて、８１，８２，
８３，８４はそれぞれ第２図カウンタ２１の１段
目、２段目、３段目、４段目の２進カウンタであ
り、８５はNAND回路であり。
本発明は、温度センサー部及び論理緩急部を
IC化し時計用ICと同一のチツプ内に設けるもの
で、これにより時計の小型化、低コスト化が容易
になる。また、記憶装置及び演算装置を用いて緩
急を行うため高精度の温度補正を達成することが
できる。更に、記憶装置、演算装置がCMOSで構
成されるうえに、センサーとなる抵抗にはカウン
タの掃引により短期間パルス電流が流れるにすぎ
ないため、低い消費電流で温度補正を行うことが
できる。
IC化し時計用ICと同一のチツプ内に設けるもの
で、これにより時計の小型化、低コスト化が容易
になる。また、記憶装置及び演算装置を用いて緩
急を行うため高精度の温度補正を達成することが
できる。更に、記憶装置、演算装置がCMOSで構
成されるうえに、センサーとなる抵抗にはカウン
タの掃引により短期間パルス電流が流れるにすぎ
ないため、低い消費電流で温度補正を行うことが
できる。
第１図は、本発明による温度補正機構を備えた
電子時計のブロツク図。第２図は、温度センサー
部。第３図は、第２図に用いられている差動増幅
器の構成例。第４図は、第２図中のT1，T2…TN
を表わす図。第５図は、第２図中のC1，C2…，
CMを表わす図。第６図は、第２図中の信号CL，
φ，Ψの波形。第７図は、第２図において差動増
幅器２６の出力信号によりカウンタ２１の値が保
持される様子を表わした図。第８図は、第２図の
デコーダ２２の一例を示す夫々略図である。
電子時計のブロツク図。第２図は、温度センサー
部。第３図は、第２図に用いられている差動増幅
器の構成例。第４図は、第２図中のT1，T2…TN
を表わす図。第５図は、第２図中のC1，C2…，
CMを表わす図。第６図は、第２図中の信号CL，
φ，Ψの波形。第７図は、第２図において差動増
幅器２６の出力信号によりカウンタ２１の値が保
持される様子を表わした図。第８図は、第２図の
デコーダ２２の一例を示す夫々略図である。
Claims (1)
- １ 水晶振動子を用いた発振回路１、前記発振回
路の信号を分周する分周回路２、表示装置駆動回
路３、及び表示装置４よりなる電子時計におい
て、温度を検出し、温度情報を出力する温度検出
及び変換器６、前記水晶振動子の温度特性を記憶
する第１の記憶装置９、前記温度検出及び変換器
と前記第１の記憶回路からの情報に基づいて歩度
緩急させるための補正信号を作成する演算装置８
及び前記温度検出及び変換器の初期調整データを
記憶する第２の記憶装置７を具備し、前記温度検
出及び変換器は第１のMOSトランジスタ２９と
前記第１のMOSトランジスタ２９に直列接続さ
れた第１の抵抗１２よりなる第１の直列回路と、
基準電圧を一方の入力端に入力し、他方の入力端
に前記第１の抵抗の一端の電圧を入力し、出力を
前記第１のMOSトランジスタのゲートに接続し
た第１の差動増幅器２５と、ゲートに前記第１の
差動増幅器２５の出力を接続した第２のMOSト
ランジスタ５２と前記第２のMOSトランジスタ
５２に直列接続され前記第１の抵抗１２とは異な
る温度係数を有する第２の抵抗１３よりなる第２
の直列回路と、カウンタ２１と、前記カウンタ２
１の掃引により可変電圧を発生させる可変電圧発
生回路３０と、前記可変電圧を一方の入力端に、
他方の入力端に前記第２の抵抗１３の一端の電圧
をそれぞれ入力し、反転時に前記カウンタ２１の
掃引を停止させ計数値を温度情報として出力させ
る第２の差動増幅器２６よりなることを特徴とす
る電子時計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16398278A JPS5590889A (en) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Integrated circuit of semiconductors for clock |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16398278A JPS5590889A (en) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Integrated circuit of semiconductors for clock |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5590889A JPS5590889A (en) | 1980-07-09 |
| JPS6226436B2 true JPS6226436B2 (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=15784497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16398278A Granted JPS5590889A (en) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Integrated circuit of semiconductors for clock |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5590889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007024667A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | 温度検出回路およびそれを用いた発振周波数補正装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728227A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-15 | Seiko Epson Corp | Semiconductor integrated circuit having temperature sensing function |
-
1978
- 1978-12-29 JP JP16398278A patent/JPS5590889A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007024667A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | 温度検出回路およびそれを用いた発振周波数補正装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5590889A (en) | 1980-07-09 |
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