JPS6261164B2 - - Google Patents
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- JPS6261164B2 JPS6261164B2 JP54130477A JP13047779A JPS6261164B2 JP S6261164 B2 JPS6261164 B2 JP S6261164B2 JP 54130477 A JP54130477 A JP 54130477A JP 13047779 A JP13047779 A JP 13047779A JP S6261164 B2 JPS6261164 B2 JP S6261164B2
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- JP
- Japan
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- reference voltage
- circuit
- crystal resonator
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- XUFQPHANEAPEMJ-UHFFFAOYSA-N famotidine Chemical compound NC(N)=NC1=NC(CSCCC(N)=NS(N)(=O)=O)=CS1 XUFQPHANEAPEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度特性が近似的に２次曲線で与えら
れる水晶振動子の頂点温度の量産ばらつきを初期
調整する回路に関する。
れる水晶振動子の頂点温度の量産ばらつきを初期
調整する回路に関する。
まず、本発明の背景及び目的について述べる。
水晶発振式ウオツチ等の発振回路に用いられる音
叉型水晶振動子は第１図ａに実線で示すような近
似的に２次曲線で与えられる発振周波数対温度特
性を有する。同図でθ０は放物線の頂点に相当す
る温度を表わす。（以下θ０を頂点温度と呼ぶ。）
第２図は時計用集積回路内に温度センサーを設け
て第１図に実線で示す温度特性を補正する場合の
温度検出部のブロツク図である。同図で、２０１
は温度センサー、２０２は比較器、２０３はカウ
ンタ及びデコーダ、２０４は２０１で得られたア
ナログの温度信号をデイジタル値に変換するため
の参照電位を与える参照電圧発生回路である。同
図の温度検出部の働きは、２０３を掃引すること
により信号２１３のレベルを順次変化させ信号２
１２の反転を検出することにより２０３の掃引を
止めてアナログの温度信号２１１をデイジタル信
号２１４に変換することである。第２図の温度検
出回路を時計の歩度緩急に利用する場合、デイジ
タル信号２１４に応じて分周回路に論理緩急を施
す。この際、第１図に示す水晶振動子の温度特性
特に頂点温度θ０が設計値からずれると歩度の緩
急が正確に行われないという問題が生ずる。現在
量産されている音叉型水晶振動子の頂点温度は±
４℃程度のばらつきを含んでおり、これは正確な
歩度暖急を行う際に大きな支障を来たす。
水晶発振式ウオツチ等の発振回路に用いられる音
叉型水晶振動子は第１図ａに実線で示すような近
似的に２次曲線で与えられる発振周波数対温度特
性を有する。同図でθ０は放物線の頂点に相当す
る温度を表わす。（以下θ０を頂点温度と呼ぶ。）
第２図は時計用集積回路内に温度センサーを設け
て第１図に実線で示す温度特性を補正する場合の
温度検出部のブロツク図である。同図で、２０１
は温度センサー、２０２は比較器、２０３はカウ
ンタ及びデコーダ、２０４は２０１で得られたア
ナログの温度信号をデイジタル値に変換するため
の参照電位を与える参照電圧発生回路である。同
図の温度検出部の働きは、２０３を掃引すること
により信号２１３のレベルを順次変化させ信号２
１２の反転を検出することにより２０３の掃引を
止めてアナログの温度信号２１１をデイジタル信
号２１４に変換することである。第２図の温度検
出回路を時計の歩度緩急に利用する場合、デイジ
タル信号２１４に応じて分周回路に論理緩急を施
す。この際、第１図に示す水晶振動子の温度特性
特に頂点温度θ０が設計値からずれると歩度の緩
急が正確に行われないという問題が生ずる。現在
量産されている音叉型水晶振動子の頂点温度は±
４℃程度のばらつきを含んでおり、これは正確な
歩度暖急を行う際に大きな支障を来たす。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し頂点温度
の量産ばらつきに起因する歩度暖急の誤差を十分
に小さな量に抑えることである。
の量産ばらつきに起因する歩度暖急の誤差を十分
に小さな量に抑えることである。
本発明は第２図の参照電圧発生回路２０４の部
分に頂点温度調整回路を設けるものである。第３
図に従来構成による第２図２０４の構成例を示
す。第３図の例では参照電位を与える節点が７
点、負電源電位を与える節点が１点設けられてい
る。同図で３０３乃至３０９は集積化された抵
抗、３１１は正電源、３１９は負電源、３１２乃
至３１８は参照電位を与える節点、３１９は負電
源電位を与える節点であり、３２１乃至３２８は
第２図２０３のカウンタの掃引によつて順次同時
に１個に限り導通するように設定されているアナ
ログ・スイツチ（例えばトランスミツシヨンゲー
ト、またはトランスフアーゲート）である。ま
た、入力端子３３１からは基準電位が供給され演
算増幅器３０１の働きにより節点３１５に該基準
電位が伝えられる。一方MOS電界効果トランジ
スタ（以下MOSFETと略記する。）３０２は節点
３１５が供給された基準電位となるように抵抗３
０３乃至３０９に電流を流す。
分に頂点温度調整回路を設けるものである。第３
図に従来構成による第２図２０４の構成例を示
す。第３図の例では参照電位を与える節点が７
点、負電源電位を与える節点が１点設けられてい
る。同図で３０３乃至３０９は集積化された抵
抗、３１１は正電源、３１９は負電源、３１２乃
至３１８は参照電位を与える節点、３１９は負電
源電位を与える節点であり、３２１乃至３２８は
第２図２０３のカウンタの掃引によつて順次同時
に１個に限り導通するように設定されているアナ
ログ・スイツチ（例えばトランスミツシヨンゲー
ト、またはトランスフアーゲート）である。ま
た、入力端子３３１からは基準電位が供給され演
算増幅器３０１の働きにより節点３１５に該基準
電位が伝えられる。一方MOS電界効果トランジ
スタ（以下MOSFETと略記する。）３０２は節点
３１５が供給された基準電位となるように抵抗３
０３乃至３０９に電流を流す。
以上の働きにより節点３３２には３１２乃至３
１９のうち選択されている節点に相当する参照電
位が得られ、第２図２０２の比較器の入力端子へ
と伝えられる。節点３１２乃至３１８に生ずる参
照電位はそれぞれ温度に対応しており、例えば３
１２が43℃、３１３が37℃、３１４が31℃、３１
５が25℃、３１６が19℃、３１７が13℃、３１８
が７℃のようになる。時計の歩度調整を行う場
合、論理緩急は、第２図２１４のデイジタル値で
表わされた温度信号に従つて、あらかじめ定めら
れたリードオンリーメモリ（以下ROMと略記す
る。）の内容を読み出すことにより成される。こ
の際、緩急の度合いを与える前記ROMの内容は
例えば、頂点温度が25℃である水晶振動子に合わ
せて設定される。ところが、先にも述べたように
量産された水晶振動子の頂点温度には最大で±４
℃程度のばらつきが含まれている。頂点温度が設
計値（ROMにあらかじめ書き込まれている設定
値）からずれた場合の歩度緩急の誤差について第
１図ａ，ｂを用いて説明しよう。頂点温度の設計
値をθ０とする。
１９のうち選択されている節点に相当する参照電
位が得られ、第２図２０２の比較器の入力端子へ
と伝えられる。節点３１２乃至３１８に生ずる参
照電位はそれぞれ温度に対応しており、例えば３
１２が43℃、３１３が37℃、３１４が31℃、３１
５が25℃、３１６が19℃、３１７が13℃、３１８
が７℃のようになる。時計の歩度調整を行う場
合、論理緩急は、第２図２１４のデイジタル値で
表わされた温度信号に従つて、あらかじめ定めら
れたリードオンリーメモリ（以下ROMと略記す
る。）の内容を読み出すことにより成される。こ
の際、緩急の度合いを与える前記ROMの内容は
例えば、頂点温度が25℃である水晶振動子に合わ
せて設定される。ところが、先にも述べたように
量産された水晶振動子の頂点温度には最大で±４
℃程度のばらつきが含まれている。頂点温度が設
計値（ROMにあらかじめ書き込まれている設定
値）からずれた場合の歩度緩急の誤差について第
１図ａ，ｂを用いて説明しよう。頂点温度の設計
値をθ０とする。
第１図ａは頂点温度が設計値に等しい水晶振動
子に関するもので、実線は論理緩急を施さない場
合、点線は論理緩急を施した場合の温度特性であ
る。次に、用いる水晶振動子の頂点温度がθ１
（θ１≠θ０）であつたとする。この場合の温度
特性は第１図ｂのようになり誤つた緩急が施され
る結果となる。
子に関するもので、実線は論理緩急を施さない場
合、点線は論理緩急を施した場合の温度特性であ
る。次に、用いる水晶振動子の頂点温度がθ１
（θ１≠θ０）であつたとする。この場合の温度
特性は第１図ｂのようになり誤つた緩急が施され
る結果となる。
第１図ｂから明らかなように、頂点温度がθ１
―θ０だけずれることは温度センサーがθ１―θ
０だけ誤つて温度を検出することと等価である。
そこで、本発明では、頂点温度がθ１―θ０だけ
ずれた水晶振動子に対しては、第２図２０４の回
路で与えられる参照電位を温度に換算してθ１―
θ０に相当する分だけずらす働きをする微調整回
路を設ける。即ち、第３図において、設計時にお
ける各節点に対する温度設定が３１２―43℃、３
１３―37℃、３１４―31℃、３１５―25℃、３１
６―19℃、３１７―13℃、３１８―７℃であり、
これが頂点温度25℃の水晶振動子に合わせて設計
されたものであるとするとき、頂点温度27℃の水
晶振動子に対しては各節点に対応する温度が、３
１２―45℃、３１３―39℃、３１４―33℃、３１
５―27℃、３１６―21℃、３１７―15℃、３１８
―９℃となるように微調整を施す。
―θ０だけずれることは温度センサーがθ１―θ
０だけ誤つて温度を検出することと等価である。
そこで、本発明では、頂点温度がθ１―θ０だけ
ずれた水晶振動子に対しては、第２図２０４の回
路で与えられる参照電位を温度に換算してθ１―
θ０に相当する分だけずらす働きをする微調整回
路を設ける。即ち、第３図において、設計時にお
ける各節点に対する温度設定が３１２―43℃、３
１３―37℃、３１４―31℃、３１５―25℃、３１
６―19℃、３１７―13℃、３１８―７℃であり、
これが頂点温度25℃の水晶振動子に合わせて設計
されたものであるとするとき、頂点温度27℃の水
晶振動子に対しては各節点に対応する温度が、３
１２―45℃、３１３―39℃、３１４―33℃、３１
５―27℃、３１６―21℃、３１７―15℃、３１８
―９℃となるように微調整を施す。
第４図に本発明の頂点温度調整回路の実施例を
示す。同図は、水晶振動子の頂点温度を例えば21
℃、23℃、25℃、27℃のように４段階で調整する
場合の例である。第４図ａにおいて、４０３〜４
０９は集積化された抵抗、４１２〜４１８は各温
度に対応する節点、４２１〜４２８は第２図２０
３のカウンタの掃引により順次同時に一個に限り
導通するように定められているアナログスイツチ
（例えばトランスミツシヨンゲートまたはトラン
スフアーゲート）、４０１は演算増幅器、４０２
はMOSFETであり、４４１は同図ｂに示す頂点
温度調整回路である。
示す。同図は、水晶振動子の頂点温度を例えば21
℃、23℃、25℃、27℃のように４段階で調整する
場合の例である。第４図ａにおいて、４０３〜４
０９は集積化された抵抗、４１２〜４１８は各温
度に対応する節点、４２１〜４２８は第２図２０
３のカウンタの掃引により順次同時に一個に限り
導通するように定められているアナログスイツチ
（例えばトランスミツシヨンゲートまたはトラン
スフアーゲート）、４０１は演算増幅器、４０２
はMOSFETであり、４４１は同図ｂに示す頂点
温度調整回路である。
第４図ｂは、同図ａ４４１の働きを説明するも
のであり、４５５〜４５７は頂点温度調整用の集
積化された抵抗、４５１〜４５４は節点４３２の
基準電位を節点４６１〜４６４のうちプログラマ
ブル・リードオンリーメモリ（以下、PROMと略
記する。また、PROMとしてはヒユーズ、
FAMOSなどを用いる。）４４２に書き込まれて
指定されている節点に与えるためのアナログスイ
ツチ（例えば、トランスミツシヨンゲート、トラ
ンスフアーゲート）である。４６１〜４６４は第
３図の従来構成では節点３１５として一点に固定
されていたものである。節点４６１〜４６４は用
いる水晶振動子の頂点温度に応じて選択され、節
点４３２は頂点温度の設計値（例えば25℃）に対
応する基準電位に固定されている。
のであり、４５５〜４５７は頂点温度調整用の集
積化された抵抗、４５１〜４５４は節点４３２の
基準電位を節点４６１〜４６４のうちプログラマ
ブル・リードオンリーメモリ（以下、PROMと略
記する。また、PROMとしてはヒユーズ、
FAMOSなどを用いる。）４４２に書き込まれて
指定されている節点に与えるためのアナログスイ
ツチ（例えば、トランスミツシヨンゲート、トラ
ンスフアーゲート）である。４６１〜４６４は第
３図の従来構成では節点３１５として一点に固定
されていたものである。節点４６１〜４６４は用
いる水晶振動子の頂点温度に応じて選択され、節
点４３２は頂点温度の設計値（例えば25℃）に対
応する基準電位に固定されている。
ところで、本発明の回路では、頂点温度調整を
施した場合、この頂点温度から大きく離れた温度
は正確に検出されない。このことを次に説明し対
象としている温度範囲では上述の温度検出誤差が
実用上支障を来たさない程度の大きさであること
を確認しよう。
施した場合、この頂点温度から大きく離れた温度
は正確に検出されない。このことを次に説明し対
象としている温度範囲では上述の温度検出誤差が
実用上支障を来たさない程度の大きさであること
を確認しよう。
第４図で抵抗列４０３〜４０９の抵抗値は頂点
温度25℃の水晶振動子に合わせて設計されてお
り、節点４６１〜４６４はそれぞれ頂点温度が21
℃、23℃、25℃、27℃の水晶振動子を用いたとき
選択されるものとする。同図において節点４１８
とｔ℃に対応する節点との間の抵抗値をRt、２
度の温度に相当する抵抗値をｒ、25℃に対応する
節点の電位即ち４３２に与えられる基準電位をＶ
とすると、ｔ℃に対応する節点の電位は次のよう
になる。
温度25℃の水晶振動子に合わせて設計されてお
り、節点４６１〜４６４はそれぞれ頂点温度が21
℃、23℃、25℃、27℃の水晶振動子を用いたとき
選択されるものとする。同図において節点４１８
とｔ℃に対応する節点との間の抵抗値をRt、２
度の温度に相当する抵抗値をｒ、25℃に対応する
節点の電位即ち４３２に与えられる基準電位をＶ
とすると、ｔ℃に対応する節点の電位は次のよう
になる。
頂点温度が25℃のとき
23℃に対応する節点の電位
Ｖ・Ｒ２５−ｒ／Ｒ２５ ……(1)
ｔ℃に対応する節点の電位
Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５ ……(2)
頂点温点が23℃のとき
23℃に対応する節点の電位
Ｖ・Ｒ２５／Ｒ２５＋ｒ〓Ｖ・Ｒ２５−ｒ／Ｒ２５…
…(3) ｔ―２℃に対応する節点の電位 Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５＋ｒ〓Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５−Ｖ・Ｒｔ
／Ｒ２５・ｒ／Ｒ２５……(4) 実際に用いる水晶振動子の頂点温度が25℃から
２℃ずれた23℃であるとする場合、上述の例から
わかる様に23℃に対応する節点の電位はR25≫ｒ
であるため頂点温度調整を施した後も正確に得ら
れる。しかし、任意の温度ｔ℃に対応する電位は
必ずしも正確には得られない。
…(3) ｔ―２℃に対応する節点の電位 Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５＋ｒ〓Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５−Ｖ・Ｒｔ
／Ｒ２５・ｒ／Ｒ２５……(4) 実際に用いる水晶振動子の頂点温度が25℃から
２℃ずれた23℃であるとする場合、上述の例から
わかる様に23℃に対応する節点の電位はR25≫ｒ
であるため頂点温度調整を施した後も正確に得ら
れる。しかし、任意の温度ｔ℃に対応する電位は
必ずしも正確には得られない。
上述の例で、式(2)よりｔ―２℃に対応する節点
の電位は次のように表わされる。
の電位は次のように表わされる。
Ｖ・Ｒｔ／Ｒ２５−Ｖ・ｒ／Ｒ２５ ……(5)
式(4)を式(5)と比較すると係数Rt／R25のために
頂点温度調整後の検出温度に誤差が生ずることが
わかる。本発明を時計の歩度緩急に応用する場合
対象とする温度範囲は−10℃〜50℃程度である。
第２図２０１の温度センサーとして集積化された
抵抗（例えばP-抵抗）を用いるとすると、第２
図２１１の温度信号は−10℃〜50℃において25℃
を中心として±20％程度変化する。従つて式(4)の
Rt／R25も±20％の範囲内に納まるものと考えて
よい。このとき検出温度に含まれる誤差の最大値
は２℃の頂点温度調整を施した場合0.4℃、４℃
の頂点温度調整を施した場合0.8℃であり、この
程度の検出誤差が時計の歩度に及ぼす影響は最悪
の場合常に−10℃の温度に放置した場合でも0.03
（秒／日）である。
頂点温度調整後の検出温度に誤差が生ずることが
わかる。本発明を時計の歩度緩急に応用する場合
対象とする温度範囲は−10℃〜50℃程度である。
第２図２０１の温度センサーとして集積化された
抵抗（例えばP-抵抗）を用いるとすると、第２
図２１１の温度信号は−10℃〜50℃において25℃
を中心として±20％程度変化する。従つて式(4)の
Rt／R25も±20％の範囲内に納まるものと考えて
よい。このとき検出温度に含まれる誤差の最大値
は２℃の頂点温度調整を施した場合0.4℃、４℃
の頂点温度調整を施した場合0.8℃であり、この
程度の検出誤差が時計の歩度に及ぼす影響は最悪
の場合常に−10℃の温度に放置した場合でも0.03
（秒／日）である。
なお、第４図の例のように頂点温度が４段階に
分類されている場合、必要なPROMのビツト数は
２である。一般に頂点温度の分類が２n-1＋１乃
至２nの段階で成されている場合、必要なPROM
のビツト数はｎである。また、第４図ａでは
MOSFETにＰ型を用いているが、この代わりに
Ｎ型を用いて正電源・負電源を逆に接続しても本
発明に該当する。
分類されている場合、必要なPROMのビツト数は
２である。一般に頂点温度の分類が２n-1＋１乃
至２nの段階で成されている場合、必要なPROM
のビツト数はｎである。また、第４図ａでは
MOSFETにＰ型を用いているが、この代わりに
Ｎ型を用いて正電源・負電源を逆に接続しても本
発明に該当する。
本発明は、時計用集積回路内に温度センサーを
設け、論理緩急を施すことにより水晶振動子に対
する温度補正を行う際に水晶振動子の頂点温度の
ばらつきに起因する歩度緩急の誤差を著しく減少
させる効果を有する。また、頂点温度調整のため
に付加する必要のある回路素子は、調整を２n-1
＋１乃至ｎ段階で行う場合、２n-1＋１乃至２n個
のアナログスイツチ及びｎビツトのPROMであ
り、頂点温度調整のために付加すべき素子の数が
少なく回路も簡単であるという利点を有する。
設け、論理緩急を施すことにより水晶振動子に対
する温度補正を行う際に水晶振動子の頂点温度の
ばらつきに起因する歩度緩急の誤差を著しく減少
させる効果を有する。また、頂点温度調整のため
に付加する必要のある回路素子は、調整を２n-1
＋１乃至ｎ段階で行う場合、２n-1＋１乃至２n個
のアナログスイツチ及びｎビツトのPROMであ
り、頂点温度調整のために付加すべき素子の数が
少なく回路も簡単であるという利点を有する。
第１図ａは水晶振動子の温度特性及び論理緩急
を施した場合の補正された温度特性を示し、同図
ｂは水晶振動子の頂点温度のずれの様子を示す。
第２図は温度検出回路のブロツク図の一例であ
る。第３図は従来構成を示し、第４図ａ，ｂは本
発明の実施例を示す。
を施した場合の補正された温度特性を示し、同図
ｂは水晶振動子の頂点温度のずれの様子を示す。
第２図は温度検出回路のブロツク図の一例であ
る。第３図は従来構成を示し、第４図ａ，ｂは本
発明の実施例を示す。
Claims (1)
- １ 温度検出回路を用いることにより近似的な２
次曲線の温度特性を有する水晶振動子の温度補償
を行なう水晶振動子の温度補償回路において、前
記温度検出回路は、温度センサー２０１と、参照
電圧発生回路２０４と、該参照電圧発生回路が出
力する参照電圧のレベルを選択するカウンタ２０
３と、前記温度センサーの出力と前記参照電圧と
を比較して前記カウンタの内容を設定する比較器
２０２とを備え、前記参照電圧発生回路は、複数
の第１抵抗４０３〜４０９を直列接続して成る第
１抵抗列と、該第１抵抗列の間に接続される調整
回路４４１と、該調整回路の出力電圧と基準電圧
とを入力する演算増幅器４０１と、該演算増幅器
により導通制御される前記第１抵抗列の電流源
MOSFET４０２とを有し、前記調整回路は、前
記第１抵抗に直列な複数の第２抵抗４５５〜４５
７を直列接続して成る第２抵抗列と、該第２抵抗
列の各節点と前記演算増幅器との間に接続される
複数のアナログスイツチ４５１〜４５４と、該ア
ナログスイツチのオン・オフを記憶する記憶回路
４４２とを含み、前記水晶振動子の頂点温度に応
じて前記アナログスイツチのオン・オフを選択し
て成り、前記カウンタにより選択された前記第１
抵抗列の節点から前記参照電圧を供給することを
特徴とする水晶振動子の温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13047779A JPS5654110A (en) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | Top temperature adjusting circuit for quartz oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13047779A JPS5654110A (en) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | Top temperature adjusting circuit for quartz oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654110A JPS5654110A (en) | 1981-05-14 |
| JPS6261164B2 true JPS6261164B2 (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=15035177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13047779A Granted JPS5654110A (en) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | Top temperature adjusting circuit for quartz oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5654110A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861047B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-01-25 | 株式会社東芝 | 電圧発生回路及びこれを備える半導体記憶装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648706A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-02 | Seiko Epson Corp | Adjusting circuit for peak temperature of quartz oscillator |
-
1979
- 1979-10-09 JP JP13047779A patent/JPS5654110A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648706A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-02 | Seiko Epson Corp | Adjusting circuit for peak temperature of quartz oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654110A (en) | 1981-05-14 |
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