JPS62261155A - 基板装置の製造方法 - Google Patents
基板装置の製造方法Info
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- JPS62261155A JPS62261155A JP62074594A JP7459487A JPS62261155A JP S62261155 A JPS62261155 A JP S62261155A JP 62074594 A JP62074594 A JP 62074594A JP 7459487 A JP7459487 A JP 7459487A JP S62261155 A JPS62261155 A JP S62261155A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、耐火金属または耐火金属ケイ化物が、普通な
ら充分に接着しない基板に強く接着する構造およびかか
る構造を作成する方法、さらに具体的には、耐火金属と
基板の間に強い接漕力を確保するために、特別に作成し
た結合層ないし接着層を使用することに関するものであ
る。
ら充分に接着しない基板に強く接着する構造およびかか
る構造を作成する方法、さらに具体的には、耐火金属と
基板の間に強い接漕力を確保するために、特別に作成し
た結合層ないし接着層を使用することに関するものであ
る。
Ｂ、従来技術およびその問題点
超重形電子工業では、耐火金属などの金属層をガラスな
どの基板に付着することがしばしば望ましい。金属層は
、相互接続メタラジ（冶金術）、接点などいくつかの目
的に使われる。しかし、基板に強く接着する金Ｒ層を付
着することは、しばしば困難または不可能だった。とく
に、タングステンなどの耐火金属層をガラスなどの誘電
体層に接着することは難しかった。タングステンは電気
移動特性に秀れているためＶＬＳＩ装置のｖＪ造に好ま
しい金属なので、この問題を解決することは。
どの基板に付着することがしばしば望ましい。金属層は
、相互接続メタラジ（冶金術）、接点などいくつかの目
的に使われる。しかし、基板に強く接着する金Ｒ層を付
着することは、しばしば困難または不可能だった。とく
に、タングステンなどの耐火金属層をガラスなどの誘電
体層に接着することは難しかった。タングステンは電気
移動特性に秀れているためＶＬＳＩ装置のｖＪ造に好ま
しい金属なので、この問題を解決することは。
この技術において非常に重要である。
１９７４年１月１５日付けで授与された米国特許第３７
８５８６２号には、酸化物を金属層フッ化物でエッチし
、同時に六フッ化物の還元により耐火金属の比較的薄い
層を付着することによって。
８５８６２号には、酸化物を金属層フッ化物でエッチし
、同時に六フッ化物の還元により耐火金属の比較的薄い
層を付着することによって。
酸化物上に耐火金属を付着する方法が示されている、そ
の後、六フッ化物の還元により耐火金属の比較的厚い層
を付着する。
の後、六フッ化物の還元により耐火金属の比較的厚い層
を付着する。
米国特許第３４７７８７２号には、酸化物被覆を金属層
フッ化物でエッチし１次に六フッ化物の水素還元により
酸化物被覆に耐火金属を付着するステップを含む、半導
体基板の酸化物被覆の耐火金属を付着する方法が示され
ている。この方法では、酸化物被覆を貫いて露出したシ
リコンが六フッ化タングステンと反応し、置換反応によ
ってシリコン上に薄いタングステン層が形成される。
フッ化物でエッチし１次に六フッ化物の水素還元により
酸化物被覆に耐火金属を付着するステップを含む、半導
体基板の酸化物被覆の耐火金属を付着する方法が示され
ている。この方法では、酸化物被覆を貫いて露出したシ
リコンが六フッ化タングステンと反応し、置換反応によ
ってシリコン上に薄いタングステン層が形成される。
１９７２年３月１４日付けで授与された米国特許第３６
４９８８４号には、過剰のシリコンを含む、熱分解（Ｐ
ｙｒｏｌｙｔｉｃ）酸化物層を形成する方法が示されて
いる。
４９８８４号には、過剰のシリコンを含む、熱分解（Ｐ
ｙｒｏｌｙｔｉｃ）酸化物層を形成する方法が示されて
いる。
１９８３年９月１３日付けで授与された米国特許第４４
０４２３５号には、二酸化シリコンなどの誘電体の表面
を温度約６００℃の気状内フッ化タングステンと水素に
さらすことが示されている。
０４２３５号には、二酸化シリコンなどの誘電体の表面
を温度約６００℃の気状内フッ化タングステンと水素に
さらすことが示されている。
これによって１表面が損傷されずにｖＩ′１１体表面で
タングステン・アイランドの形成が開始される。
タングステン・アイランドの形成が開始される。
次に、タングステン・−アイランドで覆われた誘電体表
面に、適当なメタライゼーション層を気相から付着する
。次に、不連続なタングステン・アイランドの上に白金
層をスパッタする。
面に、適当なメタライゼーション層を気相から付着する
。次に、不連続なタングステン・アイランドの上に白金
層をスパッタする。
１９７２年１１月２８日付けで授与された米国特許第３
７０４１６６号には、第１の陽イオンと第１の陰イオン
を含む二酸化シリコンなどの絶縁体基板を設けるステッ
プを含む、導電層と絶縁体基板の間の接着力を改善する
方法が示されている。
７０４１６６号には、第１の陽イオンと第１の陰イオン
を含む二酸化シリコンなどの絶縁体基板を設けるステッ
プを含む、導電層と絶縁体基板の間の接着力を改善する
方法が示されている。
拡散またはイオン・ボンバードによって置換的にアルミ
ニウムなど第２の陽イオンを基板に導入する。！＆後に
、基板表面に真空蒸着またはスパッタリングによって導
体層を付着する。この導体層は。
ニウムなど第２の陽イオンを基板に導入する。！＆後に
、基板表面に真空蒸着またはスパッタリングによって導
体層を付着する。この導体層は。
第１の陰イオンに対して親和性を有する、タングステン
など第３の陽イオンを含む。第２の陽イオンの導入は、
基板の誘電特性がほとんど影響を受けないように基板の
表面層のみで行なう。この発明では、絶縁基板体中に、
付着された導電性材料と化学的に結合できる非結合原子
を含む部位を設け、それによって低温で接着力の改善を
実現することが基本的に教示されている。
など第３の陽イオンを含む。第２の陽イオンの導入は、
基板の誘電特性がほとんど影響を受けないように基板の
表面層のみで行なう。この発明では、絶縁基板体中に、
付着された導電性材料と化学的に結合できる非結合原子
を含む部位を設け、それによって低温で接着力の改善を
実現することが基本的に教示されている。
上記に引用した先行技術のどの参照文献も、耐火金属と
くにタングステンを結合するためのシリコン粒子ないし
核形成部位を内部に含む、絶縁体を利用したものはない
。タングステンでシリコンを置換する置換反応はよく知
られているが、上記に引用したどの参照文献にも、置換
反応を使用して絶縁体内部でシリコン粒子をタングステ
ン粒子に変換し１次にタングステンを付着して、今形成
されたタングステン粒子を使って酸化物層または窒化物
層の表面に接着力の強いタングステン層を形成するもの
はない。
くにタングステンを結合するためのシリコン粒子ないし
核形成部位を内部に含む、絶縁体を利用したものはない
。タングステンでシリコンを置換する置換反応はよく知
られているが、上記に引用したどの参照文献にも、置換
反応を使用して絶縁体内部でシリコン粒子をタングステ
ン粒子に変換し１次にタングステンを付着して、今形成
されたタングステン粒子を使って酸化物層または窒化物
層の表面に接着力の強いタングステン層を形成するもの
はない。
したがって、酸化物または窒化物の絶縁体表面に接着力
の強いタングステン層を形成する改良された方法を提供
することが１本発明の第１の目的である。
の強いタングステン層を形成する改良された方法を提供
することが１本発明の第１の目的である。
本発明の第２の目的は、後で高温でのアニールなどの加
ニステップ中に層が積層剥離 （ｄｅｌａｍｉｒａｔｉｏｎ）を起こさない、基板に耐
火金属および耐火金属ケイ化物を結合するための改良さ
れた方法および構造を提供することである。
ニステップ中に層が積層剥離 （ｄｅｌａｍｉｒａｔｉｏｎ）を起こさない、基板に耐
火金属および耐火金属ケイ化物を結合するための改良さ
れた方法および構造を提供することである。
本発明の第３の目的は、絶縁体に付着されたタングステ
ンなどの耐火金属が積層剥離を起こさない方法を提供す
ることである。
ンなどの耐火金属が積層剥離を起こさない方法を提供す
ることである。
本発明の第４の目的は、耐火金属の介在物（ｉｎｃｌｕ
ｓｉｏｎ）を含む中間結合層を使って、直接にそれを結
合しても充分に接着しない基板に、耐火金属層（または
耐火金属ケイ化物層）が強く結合されている。改良され
た構造およびその構造を作成するための方法を提供する
ことである。 一本発明の第５の目的は、シリコンに
富んだ二酸化シリコン層または窒化シリコン層を、六フ
ッ化タングステンと一緒に使って反応させて、過剰のシ
リコン介在物の少くとも一部分をタングステンに変換し
、それによって後で付着されたタングステンが接着でき
る同種の化学種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を形成する。耐火金
属層を付着する方法を提供することである。
ｓｉｏｎ）を含む中間結合層を使って、直接にそれを結
合しても充分に接着しない基板に、耐火金属層（または
耐火金属ケイ化物層）が強く結合されている。改良され
た構造およびその構造を作成するための方法を提供する
ことである。 一本発明の第５の目的は、シリコンに
富んだ二酸化シリコン層または窒化シリコン層を、六フ
ッ化タングステンと一緒に使って反応させて、過剰のシ
リコン介在物の少くとも一部分をタングステンに変換し
、それによって後で付着されたタングステンが接着でき
る同種の化学種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を形成する。耐火金
属層を付着する方法を提供することである。
本発明の第６の目的は、シリコンの少くとも一部分がタ
ングステンに変換されて、タングステン層に対する接着
力の強い基層となる。シリコンに富んだ酸化物または窒
化物の層に付着されたタングステン層を含む半導体と一
緒に使用するための改良された構造を提供することであ
る。
ングステンに変換されて、タングステン層に対する接着
力の強い基層となる。シリコンに富んだ酸化物または窒
化物の層に付着されたタングステン層を含む半導体と一
緒に使用するための改良された構造を提供することであ
る。
Ｃ６問題点を解決するための手段
本発明は、金属層と絶縁体層が積層剥離（ｄｅｌａ＋ｏ
ｉｎａｔｉｏｎ）を起こさないようにするため、二酸化
シリコンや窒化シリコンなどの絶縁体の表面にタングス
テンなどの耐火金属（またはケイ化物）の接着力の強い
層を形成する方法に関するものである。この方法は、基
本的に、基板上にシリコンに富んだシリコン酸化物層ま
たはシリコン窒化物層（あるいは酸化物窒化物混合層）
を形成するステップを含む。基板は、通常タングステン
などの耐火金属をそこに付着したいと思う、どんな材料
でもよい。かかる材料の一例は、ホウリンケイ酸ガラス
（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａ
ｓｓ、 Ｂ ＰＳＧ）などの材料である。通常の場合、
タングステンを耐火金属ケイ化物（ＷＳｉＸ）としてま
たはタングステン単独で付着すると、得られる層は積層
剥離を起こす。
ｉｎａｔｉｏｎ）を起こさないようにするため、二酸化
シリコンや窒化シリコンなどの絶縁体の表面にタングス
テンなどの耐火金属（またはケイ化物）の接着力の強い
層を形成する方法に関するものである。この方法は、基
本的に、基板上にシリコンに富んだシリコン酸化物層ま
たはシリコン窒化物層（あるいは酸化物窒化物混合層）
を形成するステップを含む。基板は、通常タングステン
などの耐火金属をそこに付着したいと思う、どんな材料
でもよい。かかる材料の一例は、ホウリンケイ酸ガラス
（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａ
ｓｓ、 Ｂ ＰＳＧ）などの材料である。通常の場合、
タングステンを耐火金属ケイ化物（ＷＳｉＸ）としてま
たはタングステン単独で付着すると、得られる層は積層
剥離を起こす。
シリコンに富んだシリコン酸化物またはシリコン窒化物
層を基板上に形成した後、基板を低圧化学蒸着（ＬＰＧ
ＶＤ）反応器に入れ、反応器を１０ミリトル 以下の真
空にして六フッ化タングステン（ＷＦ６）をそこに導入
する。基板を３００〜４００℃の間のある温度に保ちな
がら、六フッ化タングステンを１０〜２０ｓｅｃｍの範
囲内にある体積流量速度で２００〜３００秒の範囲内の
ある時間の間その上に流す、下記の反応によってシリコ
ン酸化物またはシリコン窒化物内にタングステンに対す
る核形成部位ができる。
層を基板上に形成した後、基板を低圧化学蒸着（ＬＰＧ
ＶＤ）反応器に入れ、反応器を１０ミリトル 以下の真
空にして六フッ化タングステン（ＷＦ６）をそこに導入
する。基板を３００〜４００℃の間のある温度に保ちな
がら、六フッ化タングステンを１０〜２０ｓｅｃｍの範
囲内にある体積流量速度で２００〜３００秒の範囲内の
ある時間の間その上に流す、下記の反応によってシリコ
ン酸化物またはシリコン窒化物内にタングステンに対す
る核形成部位ができる。
２ＷＦＧ＋３５ｉ （Ｓｉに富んだ酸化物から）→２Ｗ
↓＋３ＳｉＦ４↑ ２ＷＦＧ＋３Ｓｉ （Ｓｉに富んだ窒化物から）→２Ｗ
↓＋３ＳｉＦ、↑ 上記の反応を使って、シリコンに富んだ酸化物層または
窒化物層の表面または表面付近にある遊離のシリコン粒
子をタングステンで置換する。得られる層は、１！流が
その層中を流れるのに充分なほど遊離のシリコンおよび
タングステンを含まないため、純粋なシリコン酸化物や
シリコン窒化物のもつ基本的に絶縁体としての特性をな
お保持する。
↓＋３ＳｉＦ４↑ ２ＷＦＧ＋３Ｓｉ （Ｓｉに富んだ窒化物から）→２Ｗ
↓＋３ＳｉＦ、↑ 上記の反応を使って、シリコンに富んだ酸化物層または
窒化物層の表面または表面付近にある遊離のシリコン粒
子をタングステンで置換する。得られる層は、１！流が
その層中を流れるのに充分なほど遊離のシリコンおよび
タングステンを含まないため、純粋なシリコン酸化物や
シリコン窒化物のもつ基本的に絶縁体としての特性をな
お保持する。
最終ステップで、六フッ化タングステンと水素を、５０
０〜２０００ｓｅｃｍの範囲内のある体積流量速度、３
００〜４００’Ｃの範囲内のある温度で。
０〜２０００ｓｅｃｍの範囲内のある体積流量速度、３
００〜４００’Ｃの範囲内のある温度で。
所期の厚さの層を形成するのに充分な時間の間導入する
。
。
それ自体がシリコン酸化物またはシリコン窒化物の基質
に結合されているタングステン部位にタングステンが結
合できるため、タングステンとＢＰＳＧなどの基板の間
の結合媒体を提供することが可能となる。この結合媒体
は、シリコンに富んだ二酸化シリコン層またはシリコン
窒化物層であり、その中の遊離のシリコン粒子の少くと
も一部分がタングステンで置換されて、遊離のシリコン
および遊離のタングステンの介在物を含む結合媒体を生
成する。こうして、タングステンがタングステン介在物
に結合され、また二酸化シリコンまたはシリコン窒化物
がＢＰＳＧに結合される。
に結合されているタングステン部位にタングステンが結
合できるため、タングステンとＢＰＳＧなどの基板の間
の結合媒体を提供することが可能となる。この結合媒体
は、シリコンに富んだ二酸化シリコン層またはシリコン
窒化物層であり、その中の遊離のシリコン粒子の少くと
も一部分がタングステンで置換されて、遊離のシリコン
および遊離のタングステンの介在物を含む結合媒体を生
成する。こうして、タングステンがタングステン介在物
に結合され、また二酸化シリコンまたはシリコン窒化物
がＢＰＳＧに結合される。
Ｄ、実施例
集積回路製造の際、ある種の望ましい品質をもつ材料が
しばしば使われる。その−例は、耐火金属のタングステ
ンであり、ｔａ気移動特性に秀れているためにしばしば
選ばれる。しかし、この材料をホウリンケイ酸ガラス（
Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）などの他の材料と一緒に使用し、その
上に直接付着すると。
しばしば使われる。その−例は、耐火金属のタングステ
ンであり、ｔａ気移動特性に秀れているためにしばしば
選ばれる。しかし、この材料をホウリンケイ酸ガラス（
Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）などの他の材料と一緒に使用し、その
上に直接付着すると。
集積回路の製造中に、積層剥離などの望ましくないでき
ごとが起こりやすい、一つの対処方法は、ＢＰＳＧとそ
の上にあるタングステン層との間に、ケイ化タングステ
ン（ＷＳｉ）などの材料の中間層を設けることであった
。この方法は、高い加工温度のときＷＳｉ からのシ
リコンがその上のタングステン層に移動してその一部分
をケイ化物に変換することが起こり得る点で、満足でき
るものではないことがわかっている。第２に、ＷＳｉ
は応力が非常に高い。また、かかる構造の積層剥離特
性は余り改善されていず、かかる構造のエツチングも問
題となる可能性がある。
ごとが起こりやすい、一つの対処方法は、ＢＰＳＧとそ
の上にあるタングステン層との間に、ケイ化タングステ
ン（ＷＳｉ）などの材料の中間層を設けることであった
。この方法は、高い加工温度のときＷＳｉ からのシ
リコンがその上のタングステン層に移動してその一部分
をケイ化物に変換することが起こり得る点で、満足でき
るものではないことがわかっている。第２に、ＷＳｉ
は応力が非常に高い。また、かかる構造の積層剥離特
性は余り改善されていず、かかる構造のエツチングも問
題となる可能性がある。
第１図は、ヴアイア（ｖｉａ）構造を示す集積回路チッ
プ１の概略断面図である。この場合、耐火金属の相互接
続線２が、半導体基板３に接続され。
プ１の概略断面図である。この場合、耐火金属の相互接
続線２が、半導体基板３に接続され。
同時に遊離のシリコン粒子６と耐火金属の介在物７を含
む二酸化シリコンまたはシリコン窒化物の中間結合Ｍ５
によって、ＢＰＳＧ層４と密接に結合するように付着さ
れる。第１図ないし第３図を考察する際、耐火金属をタ
ングステンで代表させるものとする。タングステンは特
に重要な材料であり１本発明を用いて得られる利益が最
も大きなものである。
む二酸化シリコンまたはシリコン窒化物の中間結合Ｍ５
によって、ＢＰＳＧ層４と密接に結合するように付着さ
れる。第１図ないし第３図を考察する際、耐火金属をタ
ングステンで代表させるものとする。タングステンは特
に重要な材料であり１本発明を用いて得られる利益が最
も大きなものである。
第１図で、タングステン相互接続層２は、ＢＰＳＧ層４
内に作られたヴアイア・ホールを通るタングステン・ヴ
アイア２ａによって、基板３と接触する。基板３内に設
けられた埋設酸化物領域（ＲＯＸ）８は、その表面に多
結晶領域（ＰＯＬＹ）９を有する。タングステン相互接
続層２は、ＢＰＳＣＪ４内に設けられたヴアイア・ホー
ル中を通るタングステン・ヴアイア２ｂによって、多結
晶領域９に接続されることもある。タングステン相互接
続層２は、結合層５によってＢＰＳＧ層４に強く結合さ
れる。
内に作られたヴアイア・ホールを通るタングステン・ヴ
アイア２ａによって、基板３と接触する。基板３内に設
けられた埋設酸化物領域（ＲＯＸ）８は、その表面に多
結晶領域（ＰＯＬＹ）９を有する。タングステン相互接
続層２は、ＢＰＳＣＪ４内に設けられたヴアイア・ホー
ル中を通るタングステン・ヴアイア２ｂによって、多結
晶領域９に接続されることもある。タングステン相互接
続層２は、結合層５によってＢＰＳＧ層４に強く結合さ
れる。
製造工程については、下段で第２図に関連して詳しく説
明するが、その中で、Ｍ５の表面または表面付近にある
遊離のシリコン粒子６は、六フッ化タングステンとの置
換反応によって置換され。
明するが、その中で、Ｍ５の表面または表面付近にある
遊離のシリコン粒子６は、六フッ化タングステンとの置
換反応によって置換され。
この反応が起こった所にタングステン介在物７を形成す
る。次に、六フッ化タングステンの水素還元によってタ
ングステン相互接続層２が付着されると、付着するタン
グステンは核形成中心に出会い、それに強く結合されて
、積層剥離を起こさないタングステン層を形成する。遊
離のシリコン粒子６は、結合層５中に均一に分散させる
こともでき、また層５の最下部付近にはシリコン粒子が
なく１層５の最上部には最大数の粒子６が存在するよう
に、傾斜して分布させることもできる。
る。次に、六フッ化タングステンの水素還元によってタ
ングステン相互接続層２が付着されると、付着するタン
グステンは核形成中心に出会い、それに強く結合されて
、積層剥離を起こさないタングステン層を形成する。遊
離のシリコン粒子６は、結合層５中に均一に分散させる
こともでき、また層５の最下部付近にはシリコン粒子が
なく１層５の最上部には最大数の粒子６が存在するよう
に、傾斜して分布させることもできる。
第１図の構造を得るため、第２図の装置を使って、六フ
ッ化物ガスからタングステンの付着を行なう、ただし、
かかる付着の前に、最終的に埋設酸化物領域８をもたら
す周知のマスキング、フォトリソグラフィ、エツチング
、および熱成長法を用いて、表面に埋設酸化物領域８を
有する半導体基板３を作成する。埋設酸化物領域８が形
成されると、周知のやり方、たとえばシラン分解を用い
て、多結晶シリコナのブランケット層を付着させて、多
結晶領域９を形成する。次に、マスキングリソグラフィ
、およびエツチングを使って、領域９を設ける。領域９
ができた後、周知の付着技術を使ってＢＰＳＧ層４を付
着する。ガラス層の製造技術を記載している参照文献は
、Ｓ、に、ガンディ（Ｇｈａｎｄｈｉ）著ｒＶＬｓＩｌ
造原理（ｖｒ、ｓＩ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒ
ｉｎｃｉｐｌｅｓ） Ｊ 、ジョー＋／＋ウィリー（Ｊ
ｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ ５ｏｎｓ）刊、１９８３
年である。とくにリンケイ酸（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉ
ｃａｔｅ ｔｙｐｅ）ガラスの作成について記載されて
いる、ＰＰ、、４２４〜４２７およびＰＰ、４４０，４
４１を参照されたい。
ッ化物ガスからタングステンの付着を行なう、ただし、
かかる付着の前に、最終的に埋設酸化物領域８をもたら
す周知のマスキング、フォトリソグラフィ、エツチング
、および熱成長法を用いて、表面に埋設酸化物領域８を
有する半導体基板３を作成する。埋設酸化物領域８が形
成されると、周知のやり方、たとえばシラン分解を用い
て、多結晶シリコナのブランケット層を付着させて、多
結晶領域９を形成する。次に、マスキングリソグラフィ
、およびエツチングを使って、領域９を設ける。領域９
ができた後、周知の付着技術を使ってＢＰＳＧ層４を付
着する。ガラス層の製造技術を記載している参照文献は
、Ｓ、に、ガンディ（Ｇｈａｎｄｈｉ）著ｒＶＬｓＩｌ
造原理（ｖｒ、ｓＩ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒ
ｉｎｃｉｐｌｅｓ） Ｊ 、ジョー＋／＋ウィリー（Ｊ
ｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ ５ｏｎｓ）刊、１９８３
年である。とくにリンケイ酸（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉ
ｃａｔｅ ｔｙｐｅ）ガラスの作成について記載されて
いる、ＰＰ、、４２４〜４２７およびＰＰ、４４０，４
４１を参照されたい。
この時点で、シリコンに富んだ二酸化シリコンまたはシ
リコン窒化物の層を形成する。かかる層を形成する技術
は周知であり、米国特許第３６４９８８４号に詳細に記
載されている。この特許をここに引用する。簡単に要約
すると、Ｎ２０：ＳｉＨ，の比が２５〜３０：１の蒸気
相から、層５を蒸着することができる。付着された層５
は、遊離のシリコン粒子を含む。この遊離シリコン粒子
は、先に指摘したように、酸化物（または窒化物）中に
均一に分散させることもでき、また層５の表面または表
面付近で最大濃度になるように傾斜して分布させること
もできる。代表的な層５の厚さは２００〜３００人であ
る。
リコン窒化物の層を形成する。かかる層を形成する技術
は周知であり、米国特許第３６４９８８４号に詳細に記
載されている。この特許をここに引用する。簡単に要約
すると、Ｎ２０：ＳｉＨ，の比が２５〜３０：１の蒸気
相から、層５を蒸着することができる。付着された層５
は、遊離のシリコン粒子を含む。この遊離シリコン粒子
は、先に指摘したように、酸化物（または窒化物）中に
均一に分散させることもでき、また層５の表面または表
面付近で最大濃度になるように傾斜して分布させること
もできる。代表的な層５の厚さは２００〜３００人であ
る。
層５が形成されると、六フッ化タングステン・ガス（Ｗ
ＦＧ）の水素還元によってタングステン（Ｗ）を付着さ
せるために、第２図に示す付着装置に基板３を同様の他
の基板と一緒に入れる。付着装置は、基板３を載せるタ
レット（ｔｕｒｒｅｔ）形ホルダ２１を取り囲む付着処
理チェンバ２０を含んでいる。市販の六フッ化タングス
テン・ガスをポート２２からチェンバ２０に導入する。
ＦＧ）の水素還元によってタングステン（Ｗ）を付着さ
せるために、第２図に示す付着装置に基板３を同様の他
の基板と一緒に入れる。付着装置は、基板３を載せるタ
レット（ｔｕｒｒｅｔ）形ホルダ２１を取り囲む付着処
理チェンバ２０を含んでいる。市販の六フッ化タングス
テン・ガスをポート２２からチェンバ２０に導入する。
ヘリウム、アルゴン、窒素などのキャリア・ガスもポー
ト２２からチェンバ２０に導入する一方、水素を入口ポ
ート２４からチェンバ２０に導入する。励起は、タレッ
ト形ホルダ２１に接続された赤外センサ・ランプ・アセ
ンブリ２６によって行なう。
ト２２からチェンバ２０に導入する一方、水素を入口ポ
ート２４からチェンバ２０に導入する。励起は、タレッ
ト形ホルダ２１に接続された赤外センサ・ランプ・アセ
ンブリ２６によって行なう。
また、チェンバ２０に通じる管には、高真空弁２８、絞
り弁３０、送風機３２、ポンプ３４も接続されている。
り弁３０、送風機３２、ポンプ３４も接続されている。
これらの端成要素は、汚染物質を除去しかつチェンバ２
０内の圧力を適正に保つために、出口ボート３６からチ
ェンバ２０を排気するために使われる。
０内の圧力を適正に保つために、出口ボート３６からチ
ェンバ２０を排気するために使われる。
基板３の露出表面は、タングステンを付着するための核
形成中心として働くタングステン介在物を含んでいる。
形成中心として働くタングステン介在物を含んでいる。
この介在物は、圧力１０ミリトル以下の真空にした反応
器チェンバ２０にＷＦ、を導入して形成する。基板３は
約３００〜４００℃の間のある温度に保つ。体積流量速
度（流量率。
器チェンバ２０にＷＦ、を導入して形成する。基板３は
約３００〜４００℃の間のある温度に保つ。体積流量速
度（流量率。
ｆｌｏｗ ｒａｔｅ）約１０〜２０ｓｅｃ＋ａでＷＦＧ
を２００〜３００秒の範囲内のある時間の開基板上に流
す。
を２００〜３００秒の範囲内のある時間の開基板上に流
す。
下記の反応によって、シリコンに富んだシリコン酸化物
層またはシリコン窒化物層５内に、タングステンに対す
る核形成部位を設ける。
層またはシリコン窒化物層５内に、タングステンに対す
る核形成部位を設ける。
２ＷＦ、＋３５ｉ （シリコン酸化物から）→２Ｗ↓
＋３ＳｉＦ４↑ ２ＷＦ、＋３５ｉ （シリコン窒化物から）→２Ｗ↓
＋３ Ｓ ｘ Ｆ ４↑ これらの反応で、Ｍ化物層または窒化物層の表面または
表面付近の遊離のシリコン粒子がタングステンで置換さ
れる。
＋３ＳｉＦ４↑ ２ＷＦ、＋３５ｉ （シリコン窒化物から）→２Ｗ↓
＋３ Ｓ ｘ Ｆ ４↑ これらの反応で、Ｍ化物層または窒化物層の表面または
表面付近の遊離のシリコン粒子がタングステンで置換さ
れる。
タングステンを付着するには、ポート２４から水素を導
入しながら、ＷＦ、をチェンバ２ｏに導入する。これら
のガスの体積流量速度は約５００〜２ Ｑ Ｏ０ｓｃｃ
ｔａの範囲内であり、その間基板３を約３００〜４００
℃の範囲内のある温度に保つ。
入しながら、ＷＦ、をチェンバ２ｏに導入する。これら
のガスの体積流量速度は約５００〜２ Ｑ Ｏ０ｓｃｃ
ｔａの範囲内であり、その間基板３を約３００〜４００
℃の範囲内のある温度に保つ。
下記の反応にもとづ＜ＷＦａの水素還元を使って。
タングステンを所期の厚さまで付着させるのに充分な時
間の間これらの状態を保つ。
間の間これらの状態を保つ。
ＷＦＧ＋３Ｈ，→Ｗ↓＋６ ＨＦ↑
シリコン酸化物層またはシリコン窒化物層５がＢＰＳＧ
層４に強く結合するので、この方法により接着力の強い
構造ができる。Ｍ５内にある遊離のシリコンとタングス
テンの量は不充分なので。
層４に強く結合するので、この方法により接着力の強い
構造ができる。Ｍ５内にある遊離のシリコンとタングス
テンの量は不充分なので。
この層はその絶縁特性を維持する。さらに、シリコン酸
化物またはシリコン窒化物の基質に強く結合したタング
ステン部位にタングステンが結合するので、タングステ
ン層２とシリコン酸化物層またはシリコン窒化物層５と
の間に優れた接着力が生じる。その結果、最終構造を作
成するために使われる後のＶＬＳＩＬＳＩテニステップ
中り得る、加熱などの悪影響に対して構造全体が非常に
高い抵抗力をもつ。
化物またはシリコン窒化物の基質に強く結合したタング
ステン部位にタングステンが結合するので、タングステ
ン層２とシリコン酸化物層またはシリコン窒化物層５と
の間に優れた接着力が生じる。その結果、最終構造を作
成するために使われる後のＶＬＳＩＬＳＩテニステップ
中り得る、加熱などの悪影響に対して構造全体が非常に
高い抵抗力をもつ。
本発明のもう一つの利点は、シリコンに富んだ酸化物層
または窒化物層５が、ＷＦＳの水素還元中、下にあるＢ
ＰＳＧ層４を保護することである。
または窒化物層５が、ＷＦＳの水素還元中、下にあるＢ
ＰＳＧ層４を保護することである。
この反応で副生成物としてＨＦガスが発生するが、この
ＨＦはＢＰＳＧをエッチすることが知られている（Ｊ、
Ｊ、クオモ（（ｕｏｍｏ）の「タングステンの選択的化
学蒸着（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ＣＶＤ ｏｆＴｕｎｇｓ
ｔｅｎ） Ｊ 、第３回国際ＣＶＤ会議、１９７２年、
ＰＰ、２７０〜２７８を参照のこと）。この層５は、優
れた結合層である他に、保護作用もする。
ＨＦはＢＰＳＧをエッチすることが知られている（Ｊ、
Ｊ、クオモ（（ｕｏｍｏ）の「タングステンの選択的化
学蒸着（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ＣＶＤ ｏｆＴｕｎｇｓ
ｔｅｎ） Ｊ 、第３回国際ＣＶＤ会議、１９７２年、
ＰＰ、２７０〜２７８を参照のこと）。この層５は、優
れた結合層である他に、保護作用もする。
第３図は、メタライゼーション・レベルの１！！１にタ
ングステン相互接続のある。傾斜シリコン酸化物／シリ
コン窒化物ヴアイア構造への本発明の適用を示したもの
である。第３図の構造は、第１図の構造を構成する多数
の層を含み、上記の原理にもとづいて作成できる。第３
図を第１図に関連づけやすくするため、同一の層または
領域には同じ参照番号をつけるものとする。
ングステン相互接続のある。傾斜シリコン酸化物／シリ
コン窒化物ヴアイア構造への本発明の適用を示したもの
である。第３図の構造は、第１図の構造を構成する多数
の層を含み、上記の原理にもとづいて作成できる。第３
図を第１図に関連づけやすくするため、同一の層または
領域には同じ参照番号をつけるものとする。
第３図の構造は、埋設酸化物領域（ＲＯＸ）８を有する
シリコン基板３を含んでいる。酸化物領域８の上に多結
晶シリコン領域（ＰＯＬＹ）９を設け、該領域をタング
ステン（Ｗ）ヴアイア２ａおよび２ｂと接触させる。タ
ングステン相互接続層２は、ＢＰＳＧ［４中に設けられ
たヴγイア・ホールを通るタングステン・ヴアイア２ａ
によって基板３に接触し、ＢＰＳＧ層４中層設中られた
別のヴアイア・ホールを通るタングステン・ヴγイア２
ｂによって多結晶領域９と接触する。タングステン相互
接続層２は、結合層５によってＢｐＳＧ層４に強く結合
される。結合層５は、シリコンに富んだシリコン酸化物
層であり、その表面に遊離のシリコン粒子６を含み、前
述のようにこの遊離シリコン粒子は加工中タングステン
介在物で置換される。この介在物は、後でＷＦ、の水素
還元によって付着されるタングステンに対する強い結合
部位をもたらす。
シリコン基板３を含んでいる。酸化物領域８の上に多結
晶シリコン領域（ＰＯＬＹ）９を設け、該領域をタング
ステン（Ｗ）ヴアイア２ａおよび２ｂと接触させる。タ
ングステン相互接続層２は、ＢＰＳＧ［４中に設けられ
たヴγイア・ホールを通るタングステン・ヴアイア２ａ
によって基板３に接触し、ＢＰＳＧ層４中層設中られた
別のヴアイア・ホールを通るタングステン・ヴγイア２
ｂによって多結晶領域９と接触する。タングステン相互
接続層２は、結合層５によってＢｐＳＧ層４に強く結合
される。結合層５は、シリコンに富んだシリコン酸化物
層であり、その表面に遊離のシリコン粒子６を含み、前
述のようにこの遊離シリコン粒子は加工中タングステン
介在物で置換される。この介在物は、後でＷＦ、の水素
還元によって付着されるタングステンに対する強い結合
部位をもたらす。
第１図および第２図に関して既に詳しく考察したので、
前段の説明では、加ニステップについてごく一般的な形
でしか説明しなかった。第３図の残りの部分には、シリ
コンに富んだシリコン窒化物の追加的絶縁層３８が含ま
れる。この絶縁層３８は、第１のタングステン相互接続
層２と、シリコンに富んだ酸化物層５の一部分の上にあ
る。窒化物層３８は、その真中の領域３８Ｂの両側にあ
る領域３８Ａで示される、上面および下面においてシリ
コンに富む。第２のタングステン層は、タングステン・
ヴアイア４ｏと４２をそれぞれ含み、これらのヴアイア
は、窒化物層３８中のヴアイア・ホールを通して、第１
のタングステン相互接続層２の異なる部分と接触する。
前段の説明では、加ニステップについてごく一般的な形
でしか説明しなかった。第３図の残りの部分には、シリ
コンに富んだシリコン窒化物の追加的絶縁層３８が含ま
れる。この絶縁層３８は、第１のタングステン相互接続
層２と、シリコンに富んだ酸化物層５の一部分の上にあ
る。窒化物層３８は、その真中の領域３８Ｂの両側にあ
る領域３８Ａで示される、上面および下面においてシリ
コンに富む。第２のタングステン層は、タングステン・
ヴアイア４ｏと４２をそれぞれ含み、これらのヴアイア
は、窒化物層３８中のヴアイア・ホールを通して、第１
のタングステン相互接続層２の異なる部分と接触する。
酸化物層５の場合と同様に、層３８の上面付近のシリコ
ン粒子はタン −ゲステンで置換されて、タング
ステン・ヴアイア４０と４２に対する強い結合部位とな
るタングステン介在物をもたらす。窒化物層３８のシリ
コンに富んだ下面領域は、タングステン層２に対する優
れた接着力をもたらす。Ｃｕランド４４．４６は、それ
ぞれタングステン・ヴアイア４０と４２に対する接点と
なり、構造を完成する。これらのランドは、適当な接着
層を備えた固有抵抗の低い任意の金属（好ましくはＣｕ
またはＡ Ｑ−Ｃｕ）で形成できる。
ン粒子はタン −ゲステンで置換されて、タング
ステン・ヴアイア４０と４２に対する強い結合部位とな
るタングステン介在物をもたらす。窒化物層３８のシリ
コンに富んだ下面領域は、タングステン層２に対する優
れた接着力をもたらす。Ｃｕランド４４．４６は、それ
ぞれタングステン・ヴアイア４０と４２に対する接点と
なり、構造を完成する。これらのランドは、適当な接着
層を備えた固有抵抗の低い任意の金属（好ましくはＣｕ
またはＡ Ｑ−Ｃｕ）で形成できる。
シリコンに富んだ表面領域３８Ａは、シリコンに富んだ
酸化物Ｊ１５の場合と同じタイプの方法によって作成す
る。領域３８Ａ中の遊離シリコンの密度は大きくなく、
また中央の領域３８Ｂは比較的厚いままなので、ｐ！１
３８はその絶縁特性を保持する。その中のヴアイア４ｏ
および４２用のヴアイア・ホールは、標ｔ（／４的なリ
ソグラフィーおよびエツチング・ステップで作成される
。
酸化物Ｊ１５の場合と同じタイプの方法によって作成す
る。領域３８Ａ中の遊離シリコンの密度は大きくなく、
また中央の領域３８Ｂは比較的厚いままなので、ｐ！１
３８はその絶縁特性を保持する。その中のヴアイア４ｏ
および４２用のヴアイア・ホールは、標ｔ（／４的なリ
ソグラフィーおよびエツチング・ステップで作成される
。
ヴアイア４ｏおよび４２は、ヴアイア２ａおよび２ｂと
同じやり方で形成する。すなわち、構造体を再度第２図
の反応器に入れ、チェンバ圧力、基板温度、ガス流速、
露出時間を前記の値に保ちながら、ＷＦ、を反応器チェ
ンバ２０に流すことにより、上面領域３８Ａにタングス
テン介在物を導入する。
同じやり方で形成する。すなわち、構造体を再度第２図
の反応器に入れ、チェンバ圧力、基板温度、ガス流速、
露出時間を前記の値に保ちながら、ＷＦ、を反応器チェ
ンバ２０に流すことにより、上面領域３８Ａにタングス
テン介在物を導入する。
タングステン・ヴアイア４０および４２を付着するには
、反応チェンバにＷＦ、と水素を導入して、ＷＦＧの水
素還元により再度タングステン・ヴアイアを付着させる
。温度、圧力、流速の条件は、タングステン層２を付着
する場合と同じ−であり、ここで繰り返し述べる必要は
ない。ヴアイア４０．４２を付着した後、たとえばＣｕ
の接触ランド４４．４６を付着して構造を完成すること
ができる。
、反応チェンバにＷＦ、と水素を導入して、ＷＦＧの水
素還元により再度タングステン・ヴアイアを付着させる
。温度、圧力、流速の条件は、タングステン層２を付着
する場合と同じ−であり、ここで繰り返し述べる必要は
ない。ヴアイア４０．４２を付着した後、たとえばＣｕ
の接触ランド４４．４６を付着して構造を完成すること
ができる。
結合層または接着層の一例としてシリコン酸化物層また
はシリコン窒化物層を使って、本発明を説明 できたが
、他の結合層も使用できる。たとえば、シリコン酸化物
層は、シリコンに富ませたＳｉ０層またはＳｉｎ、層と
することができる。
はシリコン窒化物層を使って、本発明を説明 できたが
、他の結合層も使用できる。たとえば、シリコン酸化物
層は、シリコンに富ませたＳｉ０層またはＳｉｎ、層と
することができる。
他の適切な結合層としては、シリコンに富んだシリコン
酸化物窒化物類（ｏｘｙ−ｎｉｔｒｉｄｅｓ）や周知の
パッシベーション層オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥ０
１）が含まれる。その他のオキシケイ酸塩も使用できる
。したがって１本発明を実施する際、結合層は、その表
面領域でシリコンに富ませることができ、基板に接着さ
せたい材料（たとえばタングステン）で過剰のシリコン
粒子を置換できるような、シリコンをベースとする酸化
物、窒化物、または酸化物窒化物混合層とすることが好
ましい。
酸化物窒化物類（ｏｘｙ−ｎｉｔｒｉｄｅｓ）や周知の
パッシベーション層オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥ０
１）が含まれる。その他のオキシケイ酸塩も使用できる
。したがって１本発明を実施する際、結合層は、その表
面領域でシリコンに富ませることができ、基板に接着さ
せたい材料（たとえばタングステン）で過剰のシリコン
粒子を置換できるような、シリコンをベースとする酸化
物、窒化物、または酸化物窒化物混合層とすることが好
ましい。
本発明を実施する際、基板に接着する金属層はタングス
テンに限らず、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ。
テンに限らず、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ。
Ｃｒなど他の耐火金属とそのケイ化物
（ＷＳｉ、ケイ化モリブデンなど）も含まれる。その場
合、耐火金属を付着するための核形成部位を設けるため
に結合層に導入される介在物は、それぞれＮｂ、Ｍｏ、
Ｔｉなどの粒子となる。
合、耐火金属を付着するための核形成部位を設けるため
に結合層に導入される介在物は、それぞれＮｂ、Ｍｏ、
Ｔｉなどの粒子となる。
耐火金属の接着され基板は、シリコンに富んだ酸化物、
＋Ｅｉ化物、または酸化物窒化物混合物の結金層が強く
接着するようなどんな材料でもよい。
＋Ｅｉ化物、または酸化物窒化物混合物の結金層が強く
接着するようなどんな材料でもよい。
基板は、誘導体層、半導体層、あるいは導電層などどん
な目的にも使用できる。その例には、単結晶、多結晶、
または非晶質シリコン、ＢＰＳＧなどのガラスとシリコ
ンを含む絶縁体がある。基板はシリコンを含むので、本
発明の特別な結合層は、基板に強く接着する。
な目的にも使用できる。その例には、単結晶、多結晶、
または非晶質シリコン、ＢＰＳＧなどのガラスとシリコ
ンを含む絶縁体がある。基板はシリコンを含むので、本
発明の特別な結合層は、基板に強く接着する。
本発明をその特定の実施例に関して説明してきたが、他
の実施例としてたとえば化学蒸着以外の方法を使って耐
火金属を付着することができ、また他の加ニステップを
使って結合層中のシリコン粒子を置換して結合層内に耐
火金属介在物をもたらすことができる。
の実施例としてたとえば化学蒸着以外の方法を使って耐
火金属を付着することができ、また他の加ニステップを
使って結合層中のシリコン粒子を置換して結合層内に耐
火金属介在物をもたらすことができる。
Ｅ０発明の効果
本発明によれば、耐火金属または同金属のケイ化物から
なる層が基板に強固に接合された基板装置が得られる。
なる層が基板に強固に接合された基板装置が得られる。
第１図は、タングステン相互接続線が半導体基板に接続
され、同時にシリコンとタングステンなどの耐火金属の
介在物を含む二酸化シリコンまたは窒化物シリコンの
中間結合層によって、ＢＰＳＧ絶縁体構造に強く結合さ
れている。ヴアイア構造を示す集積回路チップの概略断
面図、第２図は１本発明の方法を実施する際に使用する
代表的な付着装置を示す概略図、 第３図は、本発明の方法にもとづいて作成される。傾斜
酸化物／窒化物ヴアイア構造の概略断面図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −（外１名） ＦＩＧ、２ ↓ （Ａ わ
され、同時にシリコンとタングステンなどの耐火金属の
介在物を含む二酸化シリコンまたは窒化物シリコンの
中間結合層によって、ＢＰＳＧ絶縁体構造に強く結合さ
れている。ヴアイア構造を示す集積回路チップの概略断
面図、第２図は１本発明の方法を実施する際に使用する
代表的な付着装置を示す概略図、 第３図は、本発明の方法にもとづいて作成される。傾斜
酸化物／窒化物ヴアイア構造の概略断面図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −（外１名） ＦＩＧ、２ ↓ （Ａ わ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 耐火金属または耐火金属のケイ化物からなる第１の層が
基板に接合された基板装置の製造方法において、 少なくとも前記第１の層と接することになる表面領域に
遊離シリコンを含む第２の層を前記基板上に付着し、 前記第１の層に関連する耐火金属原子によって前記第２
の層の中の遊離シリコンを置換して前記第２の層の中に
前記耐火金属の介在物を生成し、前記第２の層の上に前
記第１の層を付着する、ことを特徴とする基板装置の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/858,319 US4732801A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Graded oxide/nitride via structure and method of fabrication therefor |
| US858319 | 1986-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261155A true JPS62261155A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH0548935B2 JPH0548935B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=25328021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074594A Granted JPS62261155A (ja) | 1986-04-30 | 1987-03-30 | 基板装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4732801A (ja) |
| EP (1) | EP0243723B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62261155A (ja) |
| DE (1) | DE3781312T2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459346A (en) * | 1988-06-28 | 1995-10-17 | Ricoh Co., Ltd. | Semiconductor substrate with electrical contact in groove |
| JP2769331B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1998-06-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路の製造方法 |
| US5108843A (en) * | 1988-11-30 | 1992-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film semiconductor and process for producing the same |
| US5310446A (en) * | 1990-01-10 | 1994-05-10 | Ricoh Company, Ltd. | Method for producing semiconductor film |
| US5763937A (en) * | 1990-03-05 | 1998-06-09 | Vlsi Technology, Inc. | Device reliability of MOS devices using silicon rich plasma oxide films |
| US5602056A (en) * | 1990-03-05 | 1997-02-11 | Vlsi Technology, Inc. | Method for forming reliable MOS devices using silicon rich plasma oxide film |
| US5374833A (en) * | 1990-03-05 | 1994-12-20 | Vlsi Technology, Inc. | Structure for suppression of field inversion caused by charge build-up in the dielectric |
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| US5234748A (en) * | 1991-06-19 | 1993-08-10 | Ford Motor Company | Anti-reflective transparent coating with gradient zone |
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| KR101155841B1 (ko) * | 2003-03-03 | 2012-06-20 | 램 리써치 코포레이션 | 이중 도핑된 게이트 애플리케이션에서 프로파일 제어 및ｎ／ｐ 로딩을 개선하는 방법 |
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-
1986
- 1986-04-30 US US06/858,319 patent/US4732801A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62074594A patent/JPS62261155A/ja active Granted
- 1987-04-03 EP EP87104933A patent/EP0243723B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-03 DE DE8787104933T patent/DE3781312T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117719A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3781312D1 (de) | 1992-10-01 |
| JPH0548935B2 (ja) | 1993-07-22 |
| DE3781312T2 (de) | 1993-04-08 |
| EP0243723A2 (en) | 1987-11-04 |
| EP0243723A3 (en) | 1988-11-09 |
| US4732801A (en) | 1988-03-22 |
| EP0243723B1 (en) | 1992-08-26 |
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