JP3628570B2 - タングステン薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、タングステン薄膜の形成方法と、コンタクトホール内へのタングステン堆積工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高密度化に伴い、配線についても微細化および多層化が進んでいる。
従来の多層配線構造の半導体装置の製造方法では、下部配線層の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にフォトリソグラフィー工程およびドライエッチング工程によってコンタクトホールを形成した後、上部配線層をなすアルミニウム(Al)合金からなる膜を、スパッタリング法により堆積していた。すなわち、絶縁膜上へのアルミニウム合金膜形成と同時に、コンタクトホール内にもアルミニウム合金を埋め込むことが行われていた。
【0003】
しかしながら、より一層の微細化が進んでコンタクトホールの寸法が著しく小さくなると、上述の方法で得られた多層配線構造には、配線層間の接続不良が生じやすいという問題が生じてきた。そのため、近年では、絶縁膜のコンタクトホール内に「配線プラグ」としてタングステン(W)を存在させる工程(配線プラグ形成工程)を行い、この配線プラグと絶縁膜の上にアルミニウム合金膜を形成することが行われている。
【0004】
配線プラグ形成工程は、例えば以下のようにして行われる。先ず、コンタクトホールが形成された絶縁膜上とコンタクトホールの壁面および底面に、タングステンと絶縁膜との密着性を向上させる目的で、チタン(Ti)膜と窒化チタン(TiN)膜をこの順に形成する。次に、その上に、フッ化タングステン(WF6 )ガスとモノシラン(SiH4 )ガスと水素(H2 )を材料ガスとして用いたCVD法により、タングステン膜を堆積する。その後、プラズマエッチング法により絶縁膜上のタングステン膜を除去することにより、コンタクトホール内にのみタングステンを残してタングステンプラグとする。
【0005】
このような従来の配線プラグ形成工程には、以下のような問題点がある。
上述の方法で密着層を形成すると、図3に示すように、窒化チタン膜4の膜厚は、絶縁膜2の上と比較して、コンタクトホール21の壁面21aおよび底面21bの方が薄くなる。特に、コンタクトホール21の角部21cには、窒化チタン膜4が堆積され難く、チタン膜3の露出が生じ易い。
【0006】
このように、窒化チタン膜4が著しく薄い部分やチタン膜3が露出している部分では、次工程であるタングステンの堆積時に、チタンとフッ化タングステンの反応が生じ易い。この反応により成長速度の速いTiWが生じて、コンタクトホール21の上にタングステンが異常成長する恐れがある。
その対策として、従来は、CVD法によるタングステン膜の堆積を、フッ化タングステンガスとモノシランガスを導入してタングステンの核を形成する核形成工程と、フッ化タングステンガスと水素を導入して前記核からタングステンを成長させる成長工程との2段階で行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、CVD法によるタングステン膜の堆積を核形成工程と成長工程との2段階で行う従来の方法では、コンタクトホール上でのタングステンの異常成長を防止する効果は不十分である。
本発明は、このような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、コンタクトホール内に密着層を介してタングステンプラグを形成する方法において、タングステンの堆積時に、コンタクトホール上でのタングステンの異常成長を確実に防止できるようにすることを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、フッ化タングステン(WF6 )ガスとモノシラン(SiH4 )ガスを導入してタングステンの核を形成する核形成工程と、フッ化タングステン(WF6 )ガスと水素(H2 )を導入して前記核からタングステンを成長させる成長工程と、を有する化学的気相成長法(CVD法)により、チタン(Ti)またはチタン化合物からなる薄膜の上にタングステン薄膜を形成する方法において、モノシランガスを所定時間導入する第1工程と、この第1工程の後にフッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第2工程と、を複数回繰り返すインキュベーション工程を、核形成工程の初期に行うことを特徴とするタングステン薄膜の形成方法を提供する。
【0009】
すなわち、このインキュベーション工程は、モノシランガスを所定時間導入する第1工程と、フッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第2工程とからなり、これらの工程をこの順に複数回繰り返す工程である。
この方法によれば、核形成工程の初期に前記インキュベーション工程を行うことにより、図1(a)に示すように、1回目の第2工程でチタン30とタングステンの反応によりTiW核31が生じた場合でも、図1(b)に示すように、2回目以降の第2工程で、このTiW核31の上にW核32が形成される。すなわち、TiW核31の上面がW核32で覆われる。その結果、TiW核の成長が抑制される。
【0010】
本発明はまた、上側に配線層が形成される絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、このコンタクトホール内と絶縁膜上に、チタン(Ti)およびチタン化合物からなる密着層を形成する工程と、この密着層の上にタングステンを堆積する工程とを有する半導体装置の製造方法において、タングステンの堆積は、フッ化タングステン(WF6 )ガスとモノシラン(SiH4 )ガスを導入してタングステンの核を形成する核形成工程と、フッ化タングステン(WF6 )ガスと水素(H2 )を導入して前記核からタングステンを成長させる成長工程と、を有する化学的気相成長法(CVD法)により行い、モノシランガスを所定時間導入する第1工程と、この第1工程の後にフッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第2工程と、を複数回繰り返すインキュベーション工程を、核形成工程の初期に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【0011】
この方法によれば、タングステンの堆積を、本発明のタングステン薄膜の形成方法で行うことにより、密着層の窒化チタン膜が著しく薄い部分やチタン膜が露出している部分に、チタンとタングステンの反応が生じた場合でも、上述のメカニズムによってTiW核の成長が抑制される。その結果、コンタクトホールの上にタングステンが異常成長することが抑制される。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
この実施形態では、配線プラグ形成工程のタングステン堆積工程として、本発明のタングステン薄膜の形成方法を行っている。この実施形態の配線プラグ形成工程を図2に示す。
【0013】
先ず、シリコン基板上に所定のプロセスを施すことにより、表面に下層配線10を有するウエハ1を形成し、このウエハ1の表面に、シリコン酸化膜(絶縁膜)2を形成する。
ここで、下層配線10は、膜厚300Åのチタン(Ti)膜11、膜厚1000Åの窒化チタン(TiN)膜12、膜厚200Åのチタン膜13、膜厚4000Åのアルミニウム合金膜(Si含有率:1wt%、Cu含有率:0.5wt%)14、膜厚300Åのチタン膜15、および膜厚300Åの窒化チタン膜16を順次スパッタリング法により形成した後、これらの積層膜に対してフォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程を行うことにより形成される。
【0014】
シリコン酸化膜2は、CVD法とスピンオングラス法との併用で、表面が平坦になるように形成する。また、シリコン酸化膜2の膜厚は下層配線10の上部で10000Åとする。
次に、このシリコン酸化膜2に対して、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程を行うことにより、上下の配線を接続するコンタクトホール(バイアホール)21を形成する。
【0015】
次に、コンタクトホール21の壁面および底面(下層配線10をなす窒化チタン膜16の表面)を含むウエハ全面に、スパッタリング法によりチタン膜3を300Åの膜厚で形成した後、窒化チタン膜4を1000Åの膜厚で形成する。図2(a)はこの状態を示す。
次に、この窒化チタン膜4の上に、シリコン酸化膜2上での膜厚が6000Åとなるように、CVD法によりタングステン膜5を形成する。具体的には、下記の表1に示す条件でStep1〜16を順次行う。
【0016】
【表1】
【0017】
ステップ1はウエハの加熱工程であり、図2(a)の状態のウエハをCVD装置に入れ、水素(H2 )、アルゴン(Ar)、および窒素(N2 )の混合ガス雰囲気下で、30Torr、450℃に10秒間保持する。
次のステップ2で、この雰囲気内にモノシランガスを15ml/secの流量で3秒間導入する。次のステップ3で、フッ化タングステンガスとモノシランガスを3秒間導入する。ここで、フッ化タングステンガスの流量は30ml/sec、モノシランガスの流量は15ml/secとする。次のステップ4で、全てのガスを排気することを5秒間行う。
【0018】
このステップ2〜4と同じ工程をステップ5〜7、ステップ8〜10として繰り返す。
次のステップ11で、モノシランガス、水素ガス、アルゴンガス、および窒素ガスを各流量で導入する。3秒後に、次のステップ12で、この雰囲気内にさらにフッ化タングステンガスを導入する。このステップ12は、フッ化タングステンガスの流量30ml/sec、モノシランガスの流量15ml/secで、10秒間行う。
【0019】
次のステップ13では、フッ化タングステンガスとモノシランガスの導入を止め、アルゴンガスの流量を2倍にする。この状態で10秒間保持することにより、雰囲気内に存在する気体を、水素ガス、アルゴンガス、および窒素ガスのみとする。
次のステップ14で、アルゴンガスの流量を1000ml/secに変え、水素ガスの流量を700ml/secに変えて、この雰囲気内に、フッ化タングステンガスを95ml/secの流量で65秒間導入する。次のステップ15ではステップ13と同じパージ工程を行い、次のステップ16では、ステップ4と同じ排気工程を行う。
【0020】
ここで、ステップ2〜12が核形成工程に相当し、ステップ2〜9がインキュベーション工程に相当し、ステップ14が成長工程に相当する。また、ステップ2,5,8がインキュベーション工程の第1工程に相当し、ステップ3,6,9がインキュベーション工程の第2工程に相当する。
なお、インキュベーション工程の第1工程および第2工程の時間は、それぞれ例えば1〜5秒の範囲内とする。また、雰囲気温度や圧力は通常の核形成工程と同じでよい。例えば、温度を400〜500℃、圧力を10〜40Torrとする。また、第2工程でのフッ化タングステンガスとモノシランガスの流量比も、通常の核形成工程と同じでよい。例えば、(WF6 /SiH4 )=0.5〜2.0とする。
【0021】
これにより、コンタクトホール21内とシリコン酸化膜2上に、密着層(チタン膜3および窒化チタン膜4)を介してタングステンが堆積される。図2(b)はこの状態を示す。
このようにしてタングステン膜5を形成することにより、密着層の窒化チタン膜4が著しく薄い部分やチタン膜3が露出している部分に、チタンとタングステンの反応が生じた場合でも、上述のメカニズムによってTiW核の成長が抑制される。その結果、コンタクトホール21の上にタングステンの異常成長が生じないようなる。
【0022】
次に、SF6 とArとを主たるエッチングガスとする反応性イオンエッチングにより、タングステン膜6をエッチバックする。これにより、コンタクトホール21内にのみタングステンが埋め込まれて、タングステンプラグ61が形成される。図2(c)はこの状態を示す。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のタングステン薄膜の形成方法によれば、フッ化タングステンガス、モノシランガス、水素ガスを材料ガスとして用いたCVD法により、チタン(Ti)またはチタン化合物からなる薄膜の上にタングステン薄膜を形成する方法において、TiW核の成長が抑制される。
【0024】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、コンタクトホール内に密着層を介してタングステンプラグを形成する方法において、タングステンの堆積時に、コンタクトホール上にタングステンの異常成長が生じないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のインキュベーション工程による作用を説明する図であって、(a)は、インキュベーション工程の1回目の第2工程でTiW核が生じた状態を示し、(b)は、2回目以降の第2工程でTiW核の上にW核が形成された状態を示す。
【図2】実施形態の配線プラグ形成工程を説明する図であって、(a)はタングステン堆積工程前の状態、(b)はタングステン堆積工程後の状態、(c)は絶縁膜上のタングステン膜を除去した後の状態、をそれぞれ示すウエハの部分断面図である。
【図3】従来技術の問題点を説明する図であって、コンタクトホール付近の部分拡大図である。
【符号の説明】
1 表面に下層配線を有するウエハ
10 下層配線
11 チタン膜
12 窒化チタン膜
13 チタン膜
14 アルミニウム合金膜
15 チタン膜
16 窒化チタン膜
2 シリコン酸化膜(上側に配線層が形成される絶縁膜)
21 コンタクトホール
3 チタン膜
4 窒化チタン膜
5 タングステン膜
51 タングステンプラグ
Claims (2)
- フッ化タングステン(WF6 )ガスとモノシラン(SiH4 )ガスを導入してタングステンの核を形成する核形成工程と、フッ化タングステン(WF6 )ガスと水素(H2 )を導入して前記核からタングステンを成長させる成長工程と、を有する化学的気相成長法(CVD法)により、チタン(Ti)またはチタン化合物からなる薄膜の上にタングステン薄膜を形成する方法において、
モノシランガスを所定時間導入する第1工程と、この第1工程の後にフッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第2工程と、を複数回繰り返すインキュベーション工程を、核形成工程の初期に行うことを特徴とするタングステン薄膜の形成方法。 - 上側に配線層が形成される絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、このコンタクトホール内と絶縁膜上に、チタン(Ti)およびチタン化合物からなる密着層を形成する工程と、この密着層の上にタングステンを堆積する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
タングステンの堆積は、フッ化タングステン(WF6 )ガスとモノシラン(SiH4 )ガスを導入してタングステンの核を形成する核形成工程と、フッ化タングステン(WF6 )ガスと水素(H2 )を導入して前記核からタングステンを成長させる成長工程と、を有する化学的気相成長法(CVD法)により行い、
モノシランガスを所定時間導入する第1工程と、この第1工程の後にフッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第2工程と、を複数回繰り返すインキュベーション工程を、核形成工程の初期に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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