JPH0722416A - アルミニウム配線の形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線の形成方法Info
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- JPH0722416A JPH0722416A JP16367193A JP16367193A JPH0722416A JP H0722416 A JPH0722416 A JP H0722416A JP 16367193 A JP16367193 A JP 16367193A JP 16367193 A JP16367193 A JP 16367193A JP H0722416 A JPH0722416 A JP H0722416A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細なヴィア孔にＡｌを選択性良く埋め込む
ことにある。 【構成】 下層Ａｌ配線４上の層間絶縁膜６に、ドライ
エッチングを用いてヴィア孔６ａを形成する。次に、下
層Ａｌ配線４の露出表面に形成されている自然酸化膜４
ａ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂ及び汚染物８を、塩
素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングし除去す
る。次に、これらの表面を、不活性ガス雰囲気中、或い
は１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で加熱する。これに
より、層間絶縁膜６の表面に残留する塩素１０が熱脱離
して、この表面が清浄化される。したがって、この後
に、Ａｌ−ＣＤＶによってヴィア孔６ａ内にＡｌを選択
的に堆積させた場合にも、層間絶縁膜６の表面にＡｌが
堆積することはなく、良好な選択性が得られる。
ことにある。 【構成】 下層Ａｌ配線４上の層間絶縁膜６に、ドライ
エッチングを用いてヴィア孔６ａを形成する。次に、下
層Ａｌ配線４の露出表面に形成されている自然酸化膜４
ａ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂ及び汚染物８を、塩
素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングし除去す
る。次に、これらの表面を、不活性ガス雰囲気中、或い
は１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で加熱する。これに
より、層間絶縁膜６の表面に残留する塩素１０が熱脱離
して、この表面が清浄化される。したがって、この後
に、Ａｌ−ＣＤＶによってヴィア孔６ａ内にＡｌを選択
的に堆積させた場合にも、層間絶縁膜６の表面にＡｌが
堆積することはなく、良好な選択性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヴィア孔を埋め込むこ
とによって多層配線構造を形成するアルミニウム配線の
形成方法に関する。
とによって多層配線構造を形成するアルミニウム配線の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、ヴィア・コンタ
クトのＡｌ配線が選択ＣＶＤ法（例えば特開平３−１８
３７６９）で形成されるようになっている。この場合、
まず、Ａｌ配線上に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜に
対して、フッ素系の混合ガスを用いたドライエッチング
を施してヴィア孔を開孔する。そして、この工程によっ
て、ヴィア孔の底部には自然酸化膜が形成され、また、
絶縁膜の表面には変質層が形成されることとなる。そこ
で、ヴィア孔の底部に露出したＡｌ配線と絶縁膜の表面
の双方を、クリーニングする必要があった。
クトのＡｌ配線が選択ＣＶＤ法（例えば特開平３−１８
３７６９）で形成されるようになっている。この場合、
まず、Ａｌ配線上に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜に
対して、フッ素系の混合ガスを用いたドライエッチング
を施してヴィア孔を開孔する。そして、この工程によっ
て、ヴィア孔の底部には自然酸化膜が形成され、また、
絶縁膜の表面には変質層が形成されることとなる。そこ
で、ヴィア孔の底部に露出したＡｌ配線と絶縁膜の表面
の双方を、クリーニングする必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このクリーニ
ングを、塩素系ガスを用いたＲＩＥによって実施する
と、ヴィア孔底部の自然酸化膜は除去されるものの、絶
縁膜上に塩素が残留するという欠点があった。絶縁膜上
に塩素が残留することになると、この後に実施するＡｌ
−ＣＶＤにおいて、ヴィア孔のみに選択的に埋め込まれ
るべきＡｌが、この残留塩素の影響によって、絶縁膜上
にも堆積してしまい、良好な選択性が得られないという
問題があった。
ングを、塩素系ガスを用いたＲＩＥによって実施する
と、ヴィア孔底部の自然酸化膜は除去されるものの、絶
縁膜上に塩素が残留するという欠点があった。絶縁膜上
に塩素が残留することになると、この後に実施するＡｌ
−ＣＶＤにおいて、ヴィア孔のみに選択的に埋め込まれ
るべきＡｌが、この残留塩素の影響によって、絶縁膜上
にも堆積してしまい、良好な選択性が得られないという
問題があった。
【０００４】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、その目的は、Ａｌ−ＣＶＤによって
ヴィア孔の埋め込みを実施した場合に、良好な選択性が
得られるアルミニウム配線の形成方法を提供することに
ある。
されたものであり、その目的は、Ａｌ−ＣＶＤによって
ヴィア孔の埋め込みを実施した場合に、良好な選択性が
得られるアルミニウム配線の形成方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明にかかる
アルミニウム配線の形成方法は、第１工程として、アル
ミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、この
ヴィア孔の底部に前記アルミニウム配線を露出させる。
次いで、第２工程として、このアルミニウム配線の露出
表面に形成された酸化アルミニウムと第１工程によって
生じた層間絶縁膜表面の変質層とを、同時に或いは前後
して、塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングす
ることにより除去する。次いで、第３工程として、この
第２工程を経たヴィア孔底部のアルミニウム配線とこの
層間絶縁膜表面とを、不活性ガス雰囲気中で、或いは１
ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で加熱する。そして、第
４工程として、有機金属ガスを原料として用いた化学気
相成長法により、このヴィア孔内にアルミニウムを選択
的に堆積させる。なお、第３工程における加熱温度は、
１００℃〜５５０℃の範囲とすることが望ましい。また
第２工程の酸化アルミニウム除去と絶縁膜裏面変質層の
除去は同時に行ってもよく、または変質層除去後に酸化
アルミ除去あるいは酸化アルミ除去後に変質層除去を行
ってもよい。
アルミニウム配線の形成方法は、第１工程として、アル
ミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、この
ヴィア孔の底部に前記アルミニウム配線を露出させる。
次いで、第２工程として、このアルミニウム配線の露出
表面に形成された酸化アルミニウムと第１工程によって
生じた層間絶縁膜表面の変質層とを、同時に或いは前後
して、塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングす
ることにより除去する。次いで、第３工程として、この
第２工程を経たヴィア孔底部のアルミニウム配線とこの
層間絶縁膜表面とを、不活性ガス雰囲気中で、或いは１
ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で加熱する。そして、第
４工程として、有機金属ガスを原料として用いた化学気
相成長法により、このヴィア孔内にアルミニウムを選択
的に堆積させる。なお、第３工程における加熱温度は、
１００℃〜５５０℃の範囲とすることが望ましい。また
第２工程の酸化アルミニウム除去と絶縁膜裏面変質層の
除去は同時に行ってもよく、または変質層除去後に酸化
アルミ除去あるいは酸化アルミ除去後に変質層除去を行
ってもよい。
【０００６】
【作用】不活性ガス雰囲気中、或いは１ｍＴｏｒｒ以下
の真空雰囲気中で、この層間絶縁膜を加熱すると、この
層間絶縁膜の表面に存在する残留塩素（第２工程におい
て塩素系のプラズマエッチングをした際の残留塩素）が
熱脱離して、この表面が清浄化される。このため、この
後にＡｌ−ＣＶＤを施した場合にも、この層間絶縁膜の
表面にＡｌが堆積することはなく、良好な選択性が保た
れる。
の真空雰囲気中で、この層間絶縁膜を加熱すると、この
層間絶縁膜の表面に存在する残留塩素（第２工程におい
て塩素系のプラズマエッチングをした際の残留塩素）が
熱脱離して、この表面が清浄化される。このため、この
後にＡｌ−ＣＶＤを施した場合にも、この層間絶縁膜の
表面にＡｌが堆積することはなく、良好な選択性が保た
れる。
【０００７】また、不活性ガス雰囲気中で加熱した場合
にも、雰囲気中の塩素ガスの分圧が低いため同様に表面
残留塩素の熱脱離が起きるため、ヴィア孔底部に露出し
たアルミニウム配線の再酸化が防止される。
にも、雰囲気中の塩素ガスの分圧が低いため同様に表面
残留塩素の熱脱離が起きるため、ヴィア孔底部に露出し
たアルミニウム配線の再酸化が防止される。
【０００８】
＜実施例１＞以下、本発明の実施例を添付図面に基づい
て工程順に説明する。
て工程順に説明する。
【０００９】まず、半導体基板上には、ＦＥＴ等の各種
デバイスからなる下層デバイス層２が形成されており、
この下層デバイス層２上に、下層Ａｌ配線４を形成す
る。その後、この下層Ａｌ配線４上に、酸化シリコン膜
などによる層間絶縁膜６を形成する（図１（ａ））。
デバイスからなる下層デバイス層２が形成されており、
この下層デバイス層２上に、下層Ａｌ配線４を形成す
る。その後、この下層Ａｌ配線４上に、酸化シリコン膜
などによる層間絶縁膜６を形成する（図１（ａ））。
【００１０】次に、フォトリソグラフィーを用いてレジ
ストパターンを形成し、フッ素系の混合ガスを用いたド
ライエッチングによりヴィア孔６ａを開孔し、この後レ
ジストパターンを除去する（図１（ｂ））。この際、ヴ
ィア孔６ａの底に露出した下層Ａｌ配線４の表面には、
ヴィア孔形成の工程等に伴って自然酸化膜４ａが形成さ
れている。また、層間絶縁膜６の表面には、ヴィア孔形
成の工程によって変質層６ｂが形成されており、さらに
その上にはレジスト残りなどの汚染物８が付着してい
る。
ストパターンを形成し、フッ素系の混合ガスを用いたド
ライエッチングによりヴィア孔６ａを開孔し、この後レ
ジストパターンを除去する（図１（ｂ））。この際、ヴ
ィア孔６ａの底に露出した下層Ａｌ配線４の表面には、
ヴィア孔形成の工程等に伴って自然酸化膜４ａが形成さ
れている。また、層間絶縁膜６の表面には、ヴィア孔形
成の工程によって変質層６ｂが形成されており、さらに
その上にはレジスト残りなどの汚染物８が付着してい
る。
【００１１】次に、この半導体基板にＲＩＥを施すた
め、この基板を所定の収容装置内に配設し、塩素系のガ
スとしてＢＣｌ3 を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを２０ｓｃｃ
ｍ、それぞれ収容装置内に導入し、全圧０．１Ｔｏｒｒ
でプラズマエッチングを施す。これによって、ヴィア孔
６ａ底部の自然酸化膜４ａは除去される。さらに、プラ
ズマエッチングによって層間絶縁膜６の表面側が除去さ
れ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂおよびその表面上に
残っている汚染物８が取り除かれる（図１（ｃ））。た
だし、この工程によって、層間絶縁膜６の表面には、塩
素１０が残留することとなる。
め、この基板を所定の収容装置内に配設し、塩素系のガ
スとしてＢＣｌ3 を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを２０ｓｃｃ
ｍ、それぞれ収容装置内に導入し、全圧０．１Ｔｏｒｒ
でプラズマエッチングを施す。これによって、ヴィア孔
６ａ底部の自然酸化膜４ａは除去される。さらに、プラ
ズマエッチングによって層間絶縁膜６の表面側が除去さ
れ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂおよびその表面上に
残っている汚染物８が取り除かれる（図１（ｃ））。た
だし、この工程によって、層間絶縁膜６の表面には、塩
素１０が残留することとなる。
【００１２】次に、この残留塩素を除去するためのクリ
ーニング工程に移る。まず、収容装置内に不活性ガスを
導入して、この収容装置内に不活性ガス雰囲気を形成す
る。なお、導入する不活性ガスとしては、アルゴン、ヘ
リウム、キセノンなどを用いる。次に、この収容装置内
に配設された半導体基板を２５０℃程度に加熱する。こ
の加熱処理により、層間絶縁膜６表面に残留する塩素１
０が熱脱離するため、層間絶縁膜６表面が清浄化されこ
とになる。この際の加熱温度としては、１００℃以上で
あれば、塩素の熱脱離が有効に行われ、また、加熱温度
の上限は、下層Ａｌ配線４におけるＡｌの融点以下の温
度となるため、結果的に、１００℃〜５５０℃程度の範
囲が好ましいと言える。
ーニング工程に移る。まず、収容装置内に不活性ガスを
導入して、この収容装置内に不活性ガス雰囲気を形成す
る。なお、導入する不活性ガスとしては、アルゴン、ヘ
リウム、キセノンなどを用いる。次に、この収容装置内
に配設された半導体基板を２５０℃程度に加熱する。こ
の加熱処理により、層間絶縁膜６表面に残留する塩素１
０が熱脱離するため、層間絶縁膜６表面が清浄化されこ
とになる。この際の加熱温度としては、１００℃以上で
あれば、塩素の熱脱離が有効に行われ、また、加熱温度
の上限は、下層Ａｌ配線４におけるＡｌの融点以下の温
度となるため、結果的に、１００℃〜５５０℃程度の範
囲が好ましいと言える。
【００１３】また、このクリーニング工程は、半導体基
板を真空雰囲気中で加熱することにより実施することも
可能である。この場合の真空度は、下層Ａｌ配線４にお
けるＡｌの過剰な酸化が防止できればよく、通常、１ｍ
Ｔｏｒｒ以下でこのような過剰な酸化を防止でき、好ま
しくは、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気を収容装
置内に形成できればよい。
板を真空雰囲気中で加熱することにより実施することも
可能である。この場合の真空度は、下層Ａｌ配線４にお
けるＡｌの過剰な酸化が防止できればよく、通常、１ｍ
Ｔｏｒｒ以下でこのような過剰な酸化を防止でき、好ま
しくは、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気を収容装
置内に形成できればよい。
【００１４】次に、このような加熱処理を施した加熱半
導体基板に対し、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイ
ドライド）とＨ2 とを用いた選択ＣＶＤ法により、ヴィ
ア孔６ａ内へＡｌを堆積させ、Ａｌプラグ１２を形成す
る（図１（ｄ））。この場合、ＤＭＡＨはＨ2 によって
バブリングさせて供給している。成膜条件は、基板温度
を２１０℃、収容装置内の全圧を２．０Ｔｏｒｒ、ＤＭ
ＡＨ分圧を３４ｍＴｏｒｒ、キャリアＨ2 ガス流量を５
００ｓｃｃｍとした。この際、層間絶縁膜６表面には、
残留塩素が存在しないため、この部分へのＡｌ堆積は全
く認められず、ヴィア孔６ａ内にのみ堆積しており、極
めて良好な選択性が得られた。
導体基板に対し、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイ
ドライド）とＨ2 とを用いた選択ＣＶＤ法により、ヴィ
ア孔６ａ内へＡｌを堆積させ、Ａｌプラグ１２を形成す
る（図１（ｄ））。この場合、ＤＭＡＨはＨ2 によって
バブリングさせて供給している。成膜条件は、基板温度
を２１０℃、収容装置内の全圧を２．０Ｔｏｒｒ、ＤＭ
ＡＨ分圧を３４ｍＴｏｒｒ、キャリアＨ2 ガス流量を５
００ｓｃｃｍとした。この際、層間絶縁膜６表面には、
残留塩素が存在しないため、この部分へのＡｌ堆積は全
く認められず、ヴィア孔６ａ内にのみ堆積しており、極
めて良好な選択性が得られた。
【００１５】＜実施例２＞前述したクリーニング工程
を、Ａ，Ｂ，Ｃの３通りの条件で実施し、その際の層間
絶縁膜表面に残留する塩素の量と、その後に実施するＡ
ｌ−ＣＶＤでの選択性の良否を評価した。なお、その他
の方法は実施例１と同様である。
を、Ａ，Ｂ，Ｃの３通りの条件で実施し、その際の層間
絶縁膜表面に残留する塩素の量と、その後に実施するＡ
ｌ−ＣＶＤでの選択性の良否を評価した。なお、その他
の方法は実施例１と同様である。
【００１６】この結果を図２に示す。なお、層間絶縁膜
上の残留塩素の評価は、層間絶縁膜にヴィア孔を形成し
た後、ＲＩＥ、加熱処理（クリーニング工程）を順に施
した後、イオンクロマトグラフィ法で測定した。また、
この後に実施するＣＶＤでの選択性の良否は、層間絶縁
膜上に析出したＡｌ粒子を走査電子顕微鏡観察で数え、
０．１個／μｍ2 以下の場合を「選択性あり」として○
印で示し、これよりも多い場合を「選択性なし」として
×印で示した。
上の残留塩素の評価は、層間絶縁膜にヴィア孔を形成し
た後、ＲＩＥ、加熱処理（クリーニング工程）を順に施
した後、イオンクロマトグラフィ法で測定した。また、
この後に実施するＣＶＤでの選択性の良否は、層間絶縁
膜上に析出したＡｌ粒子を走査電子顕微鏡観察で数え、
０．１個／μｍ2 以下の場合を「選択性あり」として○
印で示し、これよりも多い場合を「選択性なし」として
×印で示した。
【００１７】この結果より、基板加熱を実施しない場合
（Ｄ）に比べ、基板加熱を実施した方（Ａ，Ｂ，Ｃ）
が、いずれも残留塩素は低減しており、しかもこれら残
留塩素が低減した場合には、良好な選択性が得られるこ
とが確認できた。
（Ｄ）に比べ、基板加熱を実施した方（Ａ，Ｂ，Ｃ）
が、いずれも残留塩素は低減しており、しかもこれら残
留塩素が低減した場合には、良好な選択性が得られるこ
とが確認できた。
【００１８】以上説明した実施例において、Ａｌの再酸
化や層間絶縁膜の汚染を防止するため、図１（ｃ）から
図１（ｄ）の工程は、大気に晒すことがないように、同
一の収容装置内で実施するか、或いは、ＲＩＥ−搬送−
ＣＶＤを所定の真空雰囲気下で一貫して実施することが
望ましい。
化や層間絶縁膜の汚染を防止するため、図１（ｃ）から
図１（ｄ）の工程は、大気に晒すことがないように、同
一の収容装置内で実施するか、或いは、ＲＩＥ−搬送−
ＣＶＤを所定の真空雰囲気下で一貫して実施することが
望ましい。
【００１９】また、選択ＣＶＤ法で使用する有機金属ガ
スとしてＤＭＡＨを例示したが、この他にも、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム），ＴＩＢＡ（トリイソブチ
ルアルミニウム）などを使用することも可能である。
スとしてＤＭＡＨを例示したが、この他にも、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム），ＴＩＢＡ（トリイソブチ
ルアルミニウム）などを使用することも可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるア
ルミニウム配線の形成方法によれば、不活性ガス雰囲気
中、或いは１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で、層間絶
縁膜を加熱することにより、この層間絶縁膜の表面に残
留する塩素を熱脱離させて表面を清浄化させることがで
き、この後にＡｌ−ＣＶＤを施した場合にも、この層間
絶縁膜の表面にＡｌが堆積することはなく、ヴィア孔内
にのみＡｌが堆積し、良好な選択性を得ることができ
る。
ルミニウム配線の形成方法によれば、不活性ガス雰囲気
中、或いは１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気中で、層間絶
縁膜を加熱することにより、この層間絶縁膜の表面に残
留する塩素を熱脱離させて表面を清浄化させることがで
き、この後にＡｌ−ＣＶＤを施した場合にも、この層間
絶縁膜の表面にＡｌが堆積することはなく、ヴィア孔内
にのみＡｌが堆積し、良好な選択性を得ることができ
る。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１にかかるアルミニ
ウム配線の形成方法を順に示す工程図である。
ウム配線の形成方法を順に示す工程図である。
【図２】実施例２の測定結果を示す図表である。
２…下層デバイス層、４…下層Ａｌ配線、４ａ…自然酸
化膜、６…層間絶縁膜、６ａ…ヴィア孔、６ｂ…変質
層、８…汚染物、１０…塩素（残留塩素）、１２…Ａｌ
プラグ。
化膜、６…層間絶縁膜、６ａ…ヴィア孔、６ｂ…変質
層、８…汚染物、１０…塩素（残留塩素）、１２…Ａｌ
プラグ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 8826−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ (72)発明者 近藤 英一 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィ
ア孔を形成し、このヴィア孔の底部に前記アルミニウム
配線を露出させる第１工程と、 前記アルミニウム配線の露出表面に形成された酸化アル
ミニウムと第１工程によって生じた前記層間絶縁膜表面
の変質層とを、同時に或いは前後して、塩素を含むガス
雰囲気中でプラズマエッチングすることにより除去する
第２工程と、 第２工程を経たヴィア孔底部のアルミニウム配線及び前
記層間絶縁膜表面を、不活性ガス雰囲気中、或いは１ｍ
Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中で加熱する第３工程と、 有機金属ガスを原料として用いた化学気相成長法により
前記ヴィア孔内にアルミニウムを選択的に堆積させる第
４工程と、 を備えるアルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項２】 前記第３工程における加熱温度は、１０
０℃〜５５０℃の範囲とすることを特徴とする請求項１
記載のアルミニウム配線の形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367193A JPH0722416A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367193A JPH0722416A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722416A true JPH0722416A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15778385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16367193A Pending JPH0722416A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722416A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273994A (ja) * | 1999-01-08 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| CN110571129A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种导电金属氧化物的加工方法 |
| CN113078060A (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-06 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质 |
| US11387112B2 (en) | 2018-10-04 | 2022-07-12 | Tokyo Electron Limited | Surface processing method and processing system |
| WO2023196180A1 (en) * | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated cleaning and selective molybdenum deposition processes |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP16367193A patent/JPH0722416A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273994A (ja) * | 1999-01-08 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| CN110571129A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种导电金属氧化物的加工方法 |
| US11387112B2 (en) | 2018-10-04 | 2022-07-12 | Tokyo Electron Limited | Surface processing method and processing system |
| CN113078060A (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-06 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质 |
| CN113078060B (zh) * | 2020-01-06 | 2024-03-26 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质 |
| WO2023196180A1 (en) * | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated cleaning and selective molybdenum deposition processes |
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