JP2701722B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2701722B2 JP2701722B2 JP33043093A JP33043093A JP2701722B2 JP 2701722 B2 JP2701722 B2 JP 2701722B2 JP 33043093 A JP33043093 A JP 33043093A JP 33043093 A JP33043093 A JP 33043093A JP 2701722 B2 JP2701722 B2 JP 2701722B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に層間接続を有する配線の形成方法に関す
る。
に関し、特に層間接続を有する配線の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法の第１の例
としては、特願平５−１２１７４号に記載されているよ
うに、半導体装置上に設けた絶縁膜の上に高融点金属膜
あるいは高融点金属化合物膜を形成し、これら絶縁膜と
金属膜をエッチングして接続孔を形成し、四塩化チタン
に曝した後、有機アルミニウムを用いた選択気相化学成
長により、接続孔内にのみ、アルミニウム膜を形成する
方法がある。この方法では、四塩化チタンに曝された基
板上には塩素が残留する。
としては、特願平５−１２１７４号に記載されているよ
うに、半導体装置上に設けた絶縁膜の上に高融点金属膜
あるいは高融点金属化合物膜を形成し、これら絶縁膜と
金属膜をエッチングして接続孔を形成し、四塩化チタン
に曝した後、有機アルミニウムを用いた選択気相化学成
長により、接続孔内にのみ、アルミニウム膜を形成する
方法がある。この方法では、四塩化チタンに曝された基
板上には塩素が残留する。
【０００３】従来の半導体装置の製造方法の第２の例と
しては、月刊セミコンダクター・ワールド（Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ）誌１９９３年６月号３
６頁に記載されているように、半導体装置上に設けた絶
縁膜をエッチングして、接続孔と配線溝を形成した後、
金属膜を基板全面に堆積させ、さらに化学機械研磨によ
って、接続孔と溝以外に堆積した金属膜を除去し、配線
を形成する方法がある。この方法では、配線部以外の不
要な金属膜を除去するために、化学機械研磨の工程が必
要である。
しては、月刊セミコンダクター・ワールド（Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ）誌１９９３年６月号３
６頁に記載されているように、半導体装置上に設けた絶
縁膜をエッチングして、接続孔と配線溝を形成した後、
金属膜を基板全面に堆積させ、さらに化学機械研磨によ
って、接続孔と溝以外に堆積した金属膜を除去し、配線
を形成する方法がある。この方法では、配線部以外の不
要な金属膜を除去するために、化学機械研磨の工程が必
要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第１の
例では、残留した塩素は水分が存在するとアルミニウム
膜と容易に反応し、アルミニウム膜を腐食する。このた
め、配線の断線を引き起こすので、配線の信頼性を著し
く劣化させる。
例では、残留した塩素は水分が存在するとアルミニウム
膜と容易に反応し、アルミニウム膜を腐食する。このた
め、配線の断線を引き起こすので、配線の信頼性を著し
く劣化させる。
【０００５】また、第２の例では、化学機械研磨の工程
には高価な専用の設備が必要な上に、スループットが低
いために生産性が悪いという欠点がある。また、化学機
械研磨の終点検出が困難なために制御性が悪いという欠
点もある。
には高価な専用の設備が必要な上に、スループットが低
いために生産性が悪いという欠点がある。また、化学機
械研磨の終点検出が困難なために制御性が悪いという欠
点もある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、絶縁膜上に開口部を持ったシリコン膜あるい
は高融点金属化合物膜が形成された半導体装置をハロゲ
ンを含まないチタン化合物ガスに曝した後に、有機アル
ミニウムを用いた気相化学成長法により絶縁膜上だけに
アルミニウム膜を形成することを特徴とする。また半導
体装置上に設けた絶縁膜の上にシリコン膜あるいは高融
点金属化合物膜を形成する工程と、前記シリコン膜ある
いは前記高融点金属化合物膜と前記絶縁膜とを選択的に
順次エッチングして接続孔と配線溝を形成する工程と、
前記接続孔内および前記配線溝内を含む表面をハロゲン
を含まないチタン化合物ガスに曝す工程と、有機アルミ
ニウムを用いた気相化学成長法により、前記シリコン膜
あるいは前記高融点金属化合物膜の上にはアルミニウム
膜の成長を抑止し前記接続孔内および前記配線溝内にの
み選択的にアルミニウム膜を堆積する工程とを含んで構
成される。または、半導体装置上に設けた絶縁膜の上に
シリコン膜あるいは高融点金属化合物膜を形成する工程
と、前記シリコン膜あるいは前記高融点金属化合物膜と
前記絶縁膜とを選択的に順次エッチングして接続孔を形
成する工程と、前記接続孔を含む表面をハロゲンを含ま
ないチタン化合物ガスに曝す工程と、有機アルミニウム
を用いた気相化学成長法により、前記シリコン膜あるい
は高融点金属化合物膜の上にはアルミニウム膜の成長を
抑止し前記接続孔内にのみ選択的にアルミニウム膜を堆
積する工程と、前記アルミニウム膜を含む表面に金属膜
を堆積する工程と、前記金属膜と前記シリコン膜あるい
は前記高融点金属化合物膜とを選択的にエッチングする
工程とを含んで構成される。上記の半導体装置の製造方
法において、有機チタンガスとして、ジシクロペンタジ
エニルアジ化チタン Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）2（Ｎ3 ）2 、
ビスジメチルアミノジシクロペンタジエニルチタンＴｉ
（Ｃ5 Ｈ5）2 ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］2 、テトラトリメチ
ルシリルメチルチタン Ｔｉ［ＣＨ2 Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ］4 、テトラジメチルアミノチタン Ｔｉ［Ｎ
（ＣＨ3 ）2］4 、テトラジエチルアミノチタン Ｔｉ
［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4のうちいずれか、またはこれら
の混合ガスを用いる。また高融点金属化合物膜としてタ
ングステンシリサイドＷＳｉ膜を用いる。
造方法は、絶縁膜上に開口部を持ったシリコン膜あるい
は高融点金属化合物膜が形成された半導体装置をハロゲ
ンを含まないチタン化合物ガスに曝した後に、有機アル
ミニウムを用いた気相化学成長法により絶縁膜上だけに
アルミニウム膜を形成することを特徴とする。また半導
体装置上に設けた絶縁膜の上にシリコン膜あるいは高融
点金属化合物膜を形成する工程と、前記シリコン膜ある
いは前記高融点金属化合物膜と前記絶縁膜とを選択的に
順次エッチングして接続孔と配線溝を形成する工程と、
前記接続孔内および前記配線溝内を含む表面をハロゲン
を含まないチタン化合物ガスに曝す工程と、有機アルミ
ニウムを用いた気相化学成長法により、前記シリコン膜
あるいは前記高融点金属化合物膜の上にはアルミニウム
膜の成長を抑止し前記接続孔内および前記配線溝内にの
み選択的にアルミニウム膜を堆積する工程とを含んで構
成される。または、半導体装置上に設けた絶縁膜の上に
シリコン膜あるいは高融点金属化合物膜を形成する工程
と、前記シリコン膜あるいは前記高融点金属化合物膜と
前記絶縁膜とを選択的に順次エッチングして接続孔を形
成する工程と、前記接続孔を含む表面をハロゲンを含ま
ないチタン化合物ガスに曝す工程と、有機アルミニウム
を用いた気相化学成長法により、前記シリコン膜あるい
は高融点金属化合物膜の上にはアルミニウム膜の成長を
抑止し前記接続孔内にのみ選択的にアルミニウム膜を堆
積する工程と、前記アルミニウム膜を含む表面に金属膜
を堆積する工程と、前記金属膜と前記シリコン膜あるい
は前記高融点金属化合物膜とを選択的にエッチングする
工程とを含んで構成される。上記の半導体装置の製造方
法において、有機チタンガスとして、ジシクロペンタジ
エニルアジ化チタン Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）2（Ｎ3 ）2 、
ビスジメチルアミノジシクロペンタジエニルチタンＴｉ
（Ｃ5 Ｈ5）2 ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］2 、テトラトリメチ
ルシリルメチルチタン Ｔｉ［ＣＨ2 Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ］4 、テトラジメチルアミノチタン Ｔｉ［Ｎ
（ＣＨ3 ）2］4 、テトラジエチルアミノチタン Ｔｉ
［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4のうちいずれか、またはこれら
の混合ガスを用いる。また高融点金属化合物膜としてタ
ングステンシリサイドＷＳｉ膜を用いる。
【０００７】
【作用】半導体装置上に設けた絶縁膜の上にシリコン膜
を形成し、そのシリコン膜と絶縁膜とを選択的に順次エ
ッチングして接続孔と配線溝をを形成する。続いて、接
続孔を含む表面をハロゲンを含まないチタン化合物ガス
に曝すと、シリコン膜の表面が有機アルミニウムの分解
に関して不活性になると同時に、絶縁膜の表面は有機ア
ルミニウムの分解に関して活性になることを初めて見い
だした。この後、有機アルミニウムを用いた気相化学成
長法を行うと、接続孔内および配線溝内にのみアルミニ
ウム膜が選択的に堆積し、アルミニウム配線が形成でき
た。この時、配線と絶縁膜の界面にはわずかなチタン、
炭素、窒素が観測されたが、これによるアルミニウム配
線の腐食はなく、接続抵抗にも影響がなかった。また、
シリコン膜の代わりにタングステンシリサイド膜を用い
て上記と同様の構造の半導体装置を形成し、ハロゲンを
含まないチタン化合物ガスに曝し、有機アルミニウムの
気相化学成長を行った場合にも、タングステンシリサイ
ド上にアルミニウム膜が堆積せず、接続孔と配線溝内に
のみアルミニウム膜が形成できた。
を形成し、そのシリコン膜と絶縁膜とを選択的に順次エ
ッチングして接続孔と配線溝をを形成する。続いて、接
続孔を含む表面をハロゲンを含まないチタン化合物ガス
に曝すと、シリコン膜の表面が有機アルミニウムの分解
に関して不活性になると同時に、絶縁膜の表面は有機ア
ルミニウムの分解に関して活性になることを初めて見い
だした。この後、有機アルミニウムを用いた気相化学成
長法を行うと、接続孔内および配線溝内にのみアルミニ
ウム膜が選択的に堆積し、アルミニウム配線が形成でき
た。この時、配線と絶縁膜の界面にはわずかなチタン、
炭素、窒素が観測されたが、これによるアルミニウム配
線の腐食はなく、接続抵抗にも影響がなかった。また、
シリコン膜の代わりにタングステンシリサイド膜を用い
て上記と同様の構造の半導体装置を形成し、ハロゲンを
含まないチタン化合物ガスに曝し、有機アルミニウムの
気相化学成長を行った場合にも、タングステンシリサイ
ド上にアルミニウム膜が堆積せず、接続孔と配線溝内に
のみアルミニウム膜が形成できた。
【０００８】
【実施例】次に請求項１記載の発明の実施例について図
面を参照して説明する。図１は実施例の主要工程におけ
る半導体装置の断面図である。本実施例はシリコン集積
回路における配線工程に適用した場合を例示する。
面を参照して説明する。図１は実施例の主要工程におけ
る半導体装置の断面図である。本実施例はシリコン集積
回路における配線工程に適用した場合を例示する。
【０００９】標準的な集積回路製作方法を用いて形成し
た、接続孔形成前の構造を有する基板を図１（ａ）に示
す。図において、１はシリコン基板、２は酸化シリコン
膜、３は窒化チタン膜である。続いて図１（ｂ）に示す
ように前記基板１の全面にシリコン膜４を形成する。次
に図１（ｃ）に示すように接続孔５と溝６を反応性イオ
ンエッチング法を用いて形成する。接続孔５の底面は窒
化チタン膜３で側面は酸化シリコン膜２で、溝６の底面
および側面は酸化シリコン膜２ある。さらに図１（ｄ）
に示すように前記基板１を気相化学成長装置に設置し真
空排気した後、ガス圧力１ｍＴｏｒｒでテトラジメチル
アミノチタン７に５分間曝す。すると接続孔５と溝６の
内面の窒化チタン膜３と酸化シリコン膜２は、テトラジ
メチルアミノチタンガス７に曝さない場合に比べて、有
機アルミニウムを用いた気相化学成長に対してはるかに
活性になる。一方、シリコン膜４は、テトラジメチルア
ミノチタンガス７に曝すと、曝さない場合に比べて有機
アルミニウムを用いた気相化学成長に対してはるかに不
活性になる。続いてジメチルアルミニウムハイドライド
を用い、成長室圧力１．３Ｔｏｒｒ、キャリア水素流量
３００ｓｃｃｍ、基板温度１８０℃で気相化学成長を行
う。すると図１（ｅ）に示すように、接続孔５内と溝６
内にのみ選択的に第１のアルミニウム膜８が形成され
る。続いて、図１（ｆ）に示すようにシリコン膜３をエ
ッチングすると、溝６に堆積した第１のアルミニウム膜
８が配線９となる。
た、接続孔形成前の構造を有する基板を図１（ａ）に示
す。図において、１はシリコン基板、２は酸化シリコン
膜、３は窒化チタン膜である。続いて図１（ｂ）に示す
ように前記基板１の全面にシリコン膜４を形成する。次
に図１（ｃ）に示すように接続孔５と溝６を反応性イオ
ンエッチング法を用いて形成する。接続孔５の底面は窒
化チタン膜３で側面は酸化シリコン膜２で、溝６の底面
および側面は酸化シリコン膜２ある。さらに図１（ｄ）
に示すように前記基板１を気相化学成長装置に設置し真
空排気した後、ガス圧力１ｍＴｏｒｒでテトラジメチル
アミノチタン７に５分間曝す。すると接続孔５と溝６の
内面の窒化チタン膜３と酸化シリコン膜２は、テトラジ
メチルアミノチタンガス７に曝さない場合に比べて、有
機アルミニウムを用いた気相化学成長に対してはるかに
活性になる。一方、シリコン膜４は、テトラジメチルア
ミノチタンガス７に曝すと、曝さない場合に比べて有機
アルミニウムを用いた気相化学成長に対してはるかに不
活性になる。続いてジメチルアルミニウムハイドライド
を用い、成長室圧力１．３Ｔｏｒｒ、キャリア水素流量
３００ｓｃｃｍ、基板温度１８０℃で気相化学成長を行
う。すると図１（ｅ）に示すように、接続孔５内と溝６
内にのみ選択的に第１のアルミニウム膜８が形成され
る。続いて、図１（ｆ）に示すようにシリコン膜３をエ
ッチングすると、溝６に堆積した第１のアルミニウム膜
８が配線９となる。
【００１０】次に請求項２記載の発明の実施例について
図面を参照して説明する。図２は実施例の主要工程にお
ける半導体装置の断面図である。本実施例はシリコン集
積回路における配線形成に適用した場合を示す。
図面を参照して説明する。図２は実施例の主要工程にお
ける半導体装置の断面図である。本実施例はシリコン集
積回路における配線形成に適用した場合を示す。
【００１１】実施例１と同様な方法で形成した、接続孔
形成前の構造を有する基板を図２（ａ）に示す。図にお
いて、１はシリコン基板、２は酸化シリコン膜、３は窒
化チタン膜である。続いて図２（ｂ）に示すように前記
基板１の全面にシリコン膜４を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように接続孔５を反応性イオンエッチング
法を用いて開口する。接続孔５の底面は窒化チタン膜３
で側面は酸化シリコン膜２である。さらに図２（ｄ）に
示すように前記基板１を実施例１と同様に、テトラジメ
チルアミノチタン７に曝す。続いてジメチルアルミニウ
ムハイドライドを用い、実施例１と同様の条件で気相化
学成長を行う。すると図２（ｅ）に示すように、接続孔
５内にのみ第１のアルミニウム膜８が形成される。さら
に通常のスパッタリング法により前記基板全面に第２の
アルミニウム膜を堆積させる。この後、図２（ｆ）に示
すように第２のアルミニウム膜とシリコン膜４を同時に
エッチングするとアルミニウム配線９ができる。
形成前の構造を有する基板を図２（ａ）に示す。図にお
いて、１はシリコン基板、２は酸化シリコン膜、３は窒
化チタン膜である。続いて図２（ｂ）に示すように前記
基板１の全面にシリコン膜４を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように接続孔５を反応性イオンエッチング
法を用いて開口する。接続孔５の底面は窒化チタン膜３
で側面は酸化シリコン膜２である。さらに図２（ｄ）に
示すように前記基板１を実施例１と同様に、テトラジメ
チルアミノチタン７に曝す。続いてジメチルアルミニウ
ムハイドライドを用い、実施例１と同様の条件で気相化
学成長を行う。すると図２（ｅ）に示すように、接続孔
５内にのみ第１のアルミニウム膜８が形成される。さら
に通常のスパッタリング法により前記基板全面に第２の
アルミニウム膜を堆積させる。この後、図２（ｆ）に示
すように第２のアルミニウム膜とシリコン膜４を同時に
エッチングするとアルミニウム配線９ができる。
【００１２】上記二つの実施例ではシリコン膜を用いた
場合を例示したが、第１の金属膜としてタングステンシ
リサイドや窒化タングステン、チタンシリサイド、白金
シリサイドなどを用いても同様の効果が得られる。
場合を例示したが、第１の金属膜としてタングステンシ
リサイドや窒化タングステン、チタンシリサイド、白金
シリサイドなどを用いても同様の効果が得られる。
【００１３】また、上記二つの実施例ではハロゲンを含
まないチタン化合物ガスとしてテトラジメチルアミノチ
タンＴｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 を用いた場合を例示した
が、テトラジエチルアミノチタン Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 ］4 、ジシクロペンタジエニルアジ化チタン
Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 （Ｎ3 ）2 、ビスジメチルアミノ
ジシクロペンタジエニルチタン Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）
2 ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］2 、テトラトリメチルシリルメチ
ルチタン Ｔｉ［ＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ］4 のうちい
ずれかまたはこれらの組合せでも同様の効果が得られ
る。
まないチタン化合物ガスとしてテトラジメチルアミノチ
タンＴｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 を用いた場合を例示した
が、テトラジエチルアミノチタン Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 ］4 、ジシクロペンタジエニルアジ化チタン
Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 （Ｎ3 ）2 、ビスジメチルアミノ
ジシクロペンタジエニルチタン Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）
2 ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］2 、テトラトリメチルシリルメチ
ルチタン Ｔｉ［ＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ］4 のうちい
ずれかまたはこれらの組合せでも同様の効果が得られ
る。
【００１４】基板をハロゲンを含まないチタン化合物ガ
スに曝す時の圧力、時間は基板表面にガスの吸着が起こ
る範囲で任意に選ぶことができる。
スに曝す時の圧力、時間は基板表面にガスの吸着が起こ
る範囲で任意に選ぶことができる。
【００１５】有機アルミニウム原料としては例示したジ
メチルアルミニウムハイドライド（ＣＨ3 ）2 ＡｌＨの
他に、ジエチルアルミニウムハイドライド （Ｃ
2 Ｈ5 ）2 ＡｌＨ、トリイソブチルアルミニウム Ａｌ
（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、トリメチルアミンアラン ＡｌＨ
3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 、トリエチルアミンアラン ＡｌＨ3
Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、ジメチルエチルアミンアラン Ａｌ
Ｈ3 Ｎ（ＣＨ3 ）2 （Ｃ2Ｈ5 ）あるいはこれらの混合
物などを用いても同様の効果がある。
メチルアルミニウムハイドライド（ＣＨ3 ）2 ＡｌＨの
他に、ジエチルアルミニウムハイドライド （Ｃ
2 Ｈ5 ）2 ＡｌＨ、トリイソブチルアルミニウム Ａｌ
（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、トリメチルアミンアラン ＡｌＨ
3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 、トリエチルアミンアラン ＡｌＨ3
Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、ジメチルエチルアミンアラン Ａｌ
Ｈ3 Ｎ（ＣＨ3 ）2 （Ｃ2Ｈ5 ）あるいはこれらの混合
物などを用いても同様の効果がある。
【００１６】さらに選択成長条件はアルミニウムの選択
成長がおこる範囲内で任意に選ぶことができる。
成長がおこる範囲内で任意に選ぶことができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ハロゲン
を含まないチタン化合物ガス前処理を用い、高制御性と
高スループットを有する工程の組合せで、高信頼性を有
する微細配線を形成できるので、半導体装置の生産コス
トを低減できる効果がある。
を含まないチタン化合物ガス前処理を用い、高制御性と
高スループットを有する工程の組合せで、高信頼性を有
する微細配線を形成できるので、半導体装置の生産コス
トを低減できる効果がある。
【図１】請求項１記載の本発明の実施例の主要工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】請求項２記載の本発明の実施例の主要工程を示
す断面図である。
す断面図である。
１ シリコン基板 ２ 酸化シリコン膜 ３ 窒化チタン膜 ４ シリコン膜 ５ 接続孔 ６ 溝 ７ テトラジメチルアミノチタン ８ 第１のアルミニウム膜 ９ アルミニウム配線
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁膜上に開口部を持ったシリコン膜あ
るいは高融点金属化合物膜が形成された半導体装置をハ
ロゲンを含まないチタン化合物ガスに曝した後に、有機
アルミニウムを用いた気相化学成長法により絶縁膜上だ
けにアルミニウム膜を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体装置上に設けた絶縁膜の上にシリ
コン膜あるいは高融点金属化合物膜を形成する工程と、
前記シリコン膜あるいは前記高融点金属化合物膜と前記
絶縁膜とを選択的に順次エッチングして接続孔と配線溝
を形成する工程と、前記接続孔内および前記配線溝内を
含む表面をハロゲンを含まないチタン化合物ガスに曝す
工程と、有機アルミニウムを用いた気相化学成長法によ
り、前記シリコン膜あるいは前記高融点金属化合物膜の
上にはアルミニウム膜の成長を抑止し前記接続孔内およ
び前記配線溝内にのみ選択的にアルミニウム膜を堆積す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 半導体装置上に設けた絶縁膜の上にシリ
コン膜あるいは高融点金属化合物膜を形成する工程と、
前記シリコン膜あるいは前記高融点金属化合物膜と前記
絶縁膜とを選択的に順次エッチングして接続孔を形成す
る工程と、前記接続孔を含む表面をハロゲンを含まない
チタン化合物ガスに曝す工程と、有機アルミニウムを用
いた気相化学成長法により、前記シリコン膜あるいは高
融点金属化合物膜の上にはアルミニウム膜の成長を抑止
し前記接続孔内にのみ選択的にアルミニウム膜を堆積す
る工程と、前記アルミニウム膜を含む表面に金属膜を堆
積する工程と、前記金属膜と前記シリコン膜あるいは前
記高融点金属化合物膜とを選択的にエッチングする工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記ハロゲンを含まないチタン化合物ガ
スとして、ジシクロペンタジエニルアジ化チタン Ｔｉ
（Ｃ5 Ｈ5 ）2 （Ｎ3 ）2 、ビスジメチルアミノジシク
ロペンタジエニルチタンＴｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ［Ｎ（ＣＨ
3 ）2 ］2 、テトラトリメチルシリルメチルチタン Ｔ
ｉ［ＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ］4 、テトラジメチルアミ
ノチタン Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 、テトラジエチル
アミノチタン Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4のうちいず
れか、またはこれらの混合ガスを用いることを特徴とす
る請求項１または請求項２または請求項３記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記高融点金属化合物膜としてタングス
テンシリサイドＷＳｉ膜を用いることを特徴とする請求
項１または請求項２または請求項３または請求項４記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043093A JP2701722B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043093A JP2701722B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193064A JPH07193064A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2701722B2 true JP2701722B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=18232532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33043093A Expired - Lifetime JP2701722B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701722B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33043093A patent/JP2701722B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07193064A (ja) | 1995-07-28 |
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