JPS62232940A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62232940A JPS62232940A JP7697686A JP7697686A JPS62232940A JP S62232940 A JPS62232940 A JP S62232940A JP 7697686 A JP7697686 A JP 7697686A JP 7697686 A JP7697686 A JP 7697686A JP S62232940 A JPS62232940 A JP S62232940A
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- JP
- Japan
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- metal wiring
- interconnection layer
- internal
- metallic interconnection
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に外部接続用金属配線
と内部金属配線とを別にする装置の両配線の接続関係に
関する。
と内部金属配線とを別にする装置の両配線の接続関係に
関する。
従来の半導体装置は、外部接続金属配線は装置内部の金
属配線と同一である単一金属配線層を使用していたが、
近来より性能のよい半導体装置への賛求が高まり、装置
内部の金属配線層として多重金属配線層を使用するもの
が開発されている。したがって、上記半導体装置では、
内部金属配線と外部接続金属配線は別個に形成され、両
配線の接続はその間の絶縁保護膜に窓あけをしてなされ
る。
属配線と同一である単一金属配線層を使用していたが、
近来より性能のよい半導体装置への賛求が高まり、装置
内部の金属配線層として多重金属配線層を使用するもの
が開発されている。したがって、上記半導体装置では、
内部金属配線と外部接続金属配線は別個に形成され、両
配線の接続はその間の絶縁保護膜に窓あけをしてなされ
る。
従来の外部接続電極における配線は、第２図・第３図に
示すようになされていた。
示すようになされていた。
ｌは外部との接続をなす外部接続金属配線部でほぼ方形
をなし、一部に突出部ＩＡを有する。
をなし、一部に突出部ＩＡを有する。
そして方形部分に外部端子用の開孔窓３を有し、突出部
ＩＡに内部金属配線２との接触用の開孔窓４とを設けて
いる。
ＩＡに内部金属配線２との接触用の開孔窓４とを設けて
いる。
内部金属配線２は、第２図、第３図で、外部接続金属配
線部１と絶縁保護膜を介しての重ね合わせの位置が異な
っているが、いずれも突出部ＩＡの基端部のＸ点で重な
っている。
線部１と絶縁保護膜を介しての重ね合わせの位置が異な
っているが、いずれも突出部ＩＡの基端部のＸ点で重な
っている。
単−の金属配線層の場合と異なり、複数の金属配線層を
重ねるので、熱膨張率などの差異から応力が加わり、二
層間の最終絶縁保ｍｋにひずみ・割れなどが生じやすい
。このことが半導体装置の品質・信頼性の劣化原因の１
つとなっていた。
重ねるので、熱膨張率などの差異から応力が加わり、二
層間の最終絶縁保ｍｋにひずみ・割れなどが生じやすい
。このことが半導体装置の品質・信頼性の劣化原因の１
つとなっていた。
この金属配線層の重ね合わせに起因する欠陥は、特徴的
に表われ、図のＸ点附近に特に生じ易い。この原因は突
出部ＩＡの基端部で外部接続金属配線部１の金属配線の
外郭線が外部に対して張る角度αが９０°になっている
ためと推量される。αが９０°以下の鋭角の場合も同様
である。
に表われ、図のＸ点附近に特に生じ易い。この原因は突
出部ＩＡの基端部で外部接続金属配線部１の金属配線の
外郭線が外部に対して張る角度αが９０°になっている
ためと推量される。αが９０°以下の鋭角の場合も同様
である。
本発明の目的は、内部金属配線と外部接続金属配線部の
突出部との位置関係を考慮して、信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
突出部との位置関係を考慮して、信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明における外部接続金属配線部は、内部金属配線と
１１（ねて接続させる突出部を有し、前記内部金属配線
は、前記突出部の基端部における金属配線の外郭線が外
部に対して直角または鋭角に張る角の頂点から、間隔を
おいた部位に布線されるようにしている。
１１（ねて接続させる突出部を有し、前記内部金属配線
は、前記突出部の基端部における金属配線の外郭線が外
部に対して直角または鋭角に張る角の頂点から、間隔を
おいた部位に布線されるようにしている。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第１図（ａｔにおいて、外部接続金属配線部１は、
第２図と同じ形状で方形部分と台状の突出部ＩＡとを有
し、前者には外部端子用に、後者には内部金属配線２の
接触用にそれぞれ絶縁膜をエツチングして開孔窓３，４
を設けている。
る。第１図（ａｔにおいて、外部接続金属配線部１は、
第２図と同じ形状で方形部分と台状の突出部ＩＡとを有
し、前者には外部端子用に、後者には内部金属配線２の
接触用にそれぞれ絶縁膜をエツチングして開孔窓３，４
を設けている。
内部金属配線２は、その先端Ｐが台状の突出部ＩＡの基
端部のＸ点から、（（５ｍ）の間隔を有するように布線
さｎる。前述したようＹＣＸ点は図示のように外部に対
して張る角度が９０°でこの部分で絶縁膜のひずみ・割
ｎがおこシ易い。
端部のＸ点から、（（５ｍ）の間隔を有するように布線
さｎる。前述したようＹＣＸ点は図示のように外部に対
して張る角度が９０°でこの部分で絶縁膜のひずみ・割
ｎがおこシ易い。
突出部ＩＡの先端部のＹ、Ｚ点では、内部に対して９０
°の角度を張り、角度の急変がある場所であるから、そ
の下部の絶縁膜に応力がか〜シ易いように見えるが、実
際にはそれ程の問題はないようである。したがって、第
１図（ａｌではこの部分の下には内部金属配線２が位置
しないようにしたが、第１図（ｂｌでは特にそのような
配慮をせずＹ点の下に位置している。
°の角度を張り、角度の急変がある場所であるから、そ
の下部の絶縁膜に応力がか〜シ易いように見えるが、実
際にはそれ程の問題はないようである。したがって、第
１図（ａｌではこの部分の下には内部金属配線２が位置
しないようにしたが、第１図（ｂｌでは特にそのような
配慮をせずＹ点の下に位置している。
なお第１図は、角度αが９０°または９０°以下の点は
Ｘ点の一点だけであって、対向するＸ７点では全く角度
変化がない例を示したが、突出部ＩＡが上方にずれ、Ｘ
７点が角度９０°になれば本発明のように、Ｘ７点から
内部金属配線２の間隔をとる。
Ｘ点の一点だけであって、対向するＸ７点では全く角度
変化がない例を示したが、突出部ＩＡが上方にずれ、Ｘ
７点が角度９０°になれば本発明のように、Ｘ７点から
内部金属配線２の間隔をとる。
以上、詳しく説明したように、外部接続金属配線部の内
部金属配線との接触をとる突出部の基端部において、応
力集中の大きい鋭角（外部に対して張る角）をなす点か
ら離して、下部の内部配線を配置し、この点においては
複数の金属配線が重なり合わないようにしている。これ
によってこの部分において絶縁保繰膜のひずみ・割れが
生じないようになり、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができるようになった。
部金属配線との接触をとる突出部の基端部において、応
力集中の大きい鋭角（外部に対して張る角）をなす点か
ら離して、下部の内部配線を配置し、この点においては
複数の金属配線が重なり合わないようにしている。これ
によってこの部分において絶縁保繰膜のひずみ・割れが
生じないようになり、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができるようになった。
Ｗ、１図は本発明の一実施例、第２図、第３図は従来例
の平面図である。 ｌ・・・外部接続金属配線部、 ２・・・内部金属配線、 ３・・・外部端子用の開口窓、 ４・・・内部金属配線との接触用の開口窓。
の平面図である。 ｌ・・・外部接続金属配線部、 ２・・・内部金属配線、 ３・・・外部端子用の開口窓、 ４・・・内部金属配線との接触用の開口窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内部金属配線と外部接続金属配線とを別にする半導体装
置において、 外部接続金属配線部は、前記内部金属配線と重ねて接続
させる突出部を有し、 前記内部金属配線は、前記突出部の基端部における金属
配線の外郭線が外部に対して直角または鋭角に張る角の
頂点から、間隔をおいた部位に布線されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7697686A JPS62232940A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7697686A JPS62232940A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232940A true JPS62232940A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13620814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7697686A Pending JPS62232940A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62232940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150118550A (ko) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52150966A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57115838A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP7697686A patent/JPS62232940A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52150966A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57115838A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150118550A (ko) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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