JPH0236070B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0236070B2 JPH0236070B2 JP60065646A JP6564685A JPH0236070B2 JP H0236070 B2 JPH0236070 B2 JP H0236070B2 JP 60065646 A JP60065646 A JP 60065646A JP 6564685 A JP6564685 A JP 6564685A JP H0236070 B2 JPH0236070 B2 JP H0236070B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- layer wiring
- lower layer
- stress
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体チツプを樹脂封止した場合、
樹脂と半導体チツプの熱膨脹の違いから特にチツ
プ周辺の下層アルミニウム配線と上層アルミニウ
ム配線との交差部において層間絶縁膜にクラツク
が生じ配線間シユートの問題を生じていた点を改
善するもので、下層、上層の配線パターンの縁部
がその交差部において従来の様に直角でなく鈍角
になるようにすることで交点でのストレス集中を
なくしクラツクの発生を抑制したものである。
樹脂と半導体チツプの熱膨脹の違いから特にチツ
プ周辺の下層アルミニウム配線と上層アルミニウ
ム配線との交差部において層間絶縁膜にクラツク
が生じ配線間シユートの問題を生じていた点を改
善するもので、下層、上層の配線パターンの縁部
がその交差部において従来の様に直角でなく鈍角
になるようにすることで交点でのストレス集中を
なくしクラツクの発生を抑制したものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は下層と上層の配線パターンを有する半
導体チツプに係るものである。
導体チツプに係るものである。
一般に半導体チツプ表面に２層のAl配線パタ
ーンを設ける場合、例えば下層は横方向のみ、上
層は縦方向のみとし、その交差部ではPSG膜の
如き層間絶縁を介して直交している。そして下層
配線と上層配線とが直交する場合両配線パターン
は通常帯状パターンのためその両縁部に注目して
も上、下層の縁部はやはり直交しているのであ
る。
ーンを設ける場合、例えば下層は横方向のみ、上
層は縦方向のみとし、その交差部ではPSG膜の
如き層間絶縁を介して直交している。そして下層
配線と上層配線とが直交する場合両配線パターン
は通常帯状パターンのためその両縁部に注目して
も上、下層の縁部はやはり直交しているのであ
る。
この様な半導体チツプを樹脂封止した場合、チ
ツプ表面を被覆する樹脂と半導体チツプとの熱膨
脹率が大きく異なることから、樹脂からのストレ
スが層間絶縁膜にかかるクラツクが生じる問題が
ある。このクラツクの生じるところは、上記スト
レスが最も大となるチツプの周辺部であり、且つ
表面に段差がある下層と上層の配線パターンの交
差部である。
ツプ表面を被覆する樹脂と半導体チツプとの熱膨
脹率が大きく異なることから、樹脂からのストレ
スが層間絶縁膜にかかるクラツクが生じる問題が
ある。このクラツクの生じるところは、上記スト
レスが最も大となるチツプの周辺部であり、且つ
表面に段差がある下層と上層の配線パターンの交
差部である。
第２図に従来のチツプ全体図とそのクラツクの
生じる方向を概略的に示した。チツプ２の周辺部
分においてチツプ中心４から外部へ向う線に直角
方向にクラツク６が生じるのが確認されている。
生じる方向を概略的に示した。チツプ２の周辺部
分においてチツプ中心４から外部へ向う線に直角
方向にクラツク６が生じるのが確認されている。
さらに第３図に示すように、クラツクは主に下
層配線Al−１と上層配線Al−２の交差部にて生
じており特に両パターン縁部の交差点でチツプ中
心４から外へ向う線に直角の方向に生じているの
である。よつてチツプ周辺部でも左側と右側とで
はクラツクの生じる場所が異なつているのであ
る。
層配線Al−１と上層配線Al−２の交差部にて生
じており特に両パターン縁部の交差点でチツプ中
心４から外へ向う線に直角の方向に生じているの
である。よつてチツプ周辺部でも左側と右側とで
はクラツクの生じる場所が異なつているのであ
る。
このようなクラツクの発生原因については、未
だ解明されていないが、本発明者らは次の様に考
えた。
だ解明されていないが、本発明者らは次の様に考
えた。
第４図に平面図、第５図は斜視図、第６図は第
５図のＡ−A′断面図を示している。第６図にあ
るように、基板８上に下層配線Al−、層間
PSG絶縁膜１０、上層配線Al−、カバーPSG
膜１２、その上に封止用の樹脂１４がある。そし
て上、下層配線の交差部ではこの断面図にあるよ
うに断差があり、樹脂からのストレスＦがその断
差部にかかり図に示す如き層間絶縁膜１０にクラ
ツク６が入るものと思われる。このストレスはチ
ツプの中心に向かう方向にかかるのである。そし
てこのクラツク６により上、下層配線Al−，
間が短絡していることが確認されている。
５図のＡ−A′断面図を示している。第６図にあ
るように、基板８上に下層配線Al−、層間
PSG絶縁膜１０、上層配線Al−、カバーPSG
膜１２、その上に封止用の樹脂１４がある。そし
て上、下層配線の交差部ではこの断面図にあるよ
うに断差があり、樹脂からのストレスＦがその断
差部にかかり図に示す如き層間絶縁膜１０にクラ
ツク６が入るものと思われる。このストレスはチ
ツプの中心に向かう方向にかかるのである。そし
てこのクラツク６により上、下層配線Al−，
間が短絡していることが確認されている。
このクラツクが生じる原因は、おそらくは上下
層配線が交差する部分の特にパターン縁部の交差
部１６に、上、下層配線に伴う段差へのストレス
が集中し、そのストレス方向がチツプ中心部へ向
かつていることから、第２図に示す如き方向への
クラツクが生じるものと思われる。すなわち、第
４，５図に示したように、交差部１６へのストレ
スはF1の他に、その周りの下層配線Al−にか
かるストレスF2と上層配線Al−にかかるスト
レスF3とにより生じる配線縁方向の成分f21，f31
とが共に交差部１６に集中するものと思われる。
そしてそのストレスの集中点である交差部１６は
２層の配線が重なりその段差が最も大でそこにあ
るカバー絶縁膜には弱いものとなつていることも
一つの理由と考えられる。さらに縁部に沿うスト
レスf21，f31はPSG１０，１２に対しねじれる方
向へかかるためその影響は大と思われる。
層配線が交差する部分の特にパターン縁部の交差
部１６に、上、下層配線に伴う段差へのストレス
が集中し、そのストレス方向がチツプ中心部へ向
かつていることから、第２図に示す如き方向への
クラツクが生じるものと思われる。すなわち、第
４，５図に示したように、交差部１６へのストレ
スはF1の他に、その周りの下層配線Al−にか
かるストレスF2と上層配線Al−にかかるスト
レスF3とにより生じる配線縁方向の成分f21，f31
とが共に交差部１６に集中するものと思われる。
そしてそのストレスの集中点である交差部１６は
２層の配線が重なりその段差が最も大でそこにあ
るカバー絶縁膜には弱いものとなつていることも
一つの理由と考えられる。さらに縁部に沿うスト
レスf21，f31はPSG１０，１２に対しねじれる方
向へかかるためその影響は大と思われる。
本発明は上記問題点であるクラツクの発生を抑
制し、上、下配線間シユートをなくすことを目的
とし、その手段は上、下配線パターンの縁部につ
いて両配線が実質的に直交しているにもかかわら
ず、その交差部で鈍角になるようパターンを施こ
すことにある。
制し、上、下配線間シユートをなくすことを目的
とし、その手段は上、下配線パターンの縁部につ
いて両配線が実質的に直交しているにもかかわら
ず、その交差部で鈍角になるようパターンを施こ
すことにある。
このように鈍角にすることで上記したストレス
の交差部への集中が緩和され、クラツクの発生率
が抑えられるものと思われる。時にこの鈍角とい
うのは、チツプ中心点から外へ向う線を含む角に
ついて鈍角であれば良い。ストレスがその線上方
向にあるからである。
の交差部への集中が緩和され、クラツクの発生率
が抑えられるものと思われる。時にこの鈍角とい
うのは、チツプ中心点から外へ向う線を含む角に
ついて鈍角であれば良い。ストレスがその線上方
向にあるからである。
第１図に本発明の構成を示し、第７図にその詳
細図、第８図にチツプ全体の各部の配線パターン
図を示す。
細図、第８図にチツプ全体の各部の配線パターン
図を示す。
第１図に示すように、まず第１に下層配線Al
−と上層配線Al−とが実質的に直交してい
るのである。本例では上層配線Al−が横方向
に真つすぐであり、下層配線Al−はその上部
２０、下部２２の方向から明らかなように、実質
的に縦側方向に走つているので両者は実質的に直
交している。
−と上層配線Al−とが実質的に直交してい
るのである。本例では上層配線Al−が横方向
に真つすぐであり、下層配線Al−はその上部
２０、下部２２の方向から明らかなように、実質
的に縦側方向に走つているので両者は実質的に直
交している。
そして第２に下層配線パターンAl−の縁部
２４と上層配線パターンAl−の縁部２６とが
その交差部で鈍角θに交差している点である。こ
れは上層か下層のいずれか一方の縁部を曲げるこ
とにより実現でき、第７図に示す例では上層側を
曲げている。
２４と上層配線パターンAl−の縁部２６とが
その交差部で鈍角θに交差している点である。こ
れは上層か下層のいずれか一方の縁部を曲げるこ
とにより実現でき、第７図に示す例では上層側を
曲げている。
さらに第３に上記鈍角θはチツプ中心６から外
へ向かう線２８が含まれる角である点である。こ
れはストレスが線２８方向にあるため、それに伴
うストレス集中を緩和するためである。
へ向かう線２８が含まれる角である点である。こ
れはストレスが線２８方向にあるため、それに伴
うストレス集中を緩和するためである。
なお、１８はパシドでチツプ２の周辺部に設け
てある。ストレスによるクラツクが周辺部に発生
しやすいことに伴うのである。
てある。ストレスによるクラツクが周辺部に発生
しやすいことに伴うのである。
第７図でなぜストレス集中が緩和されるのかに
ついて本発明者らの考えを説明する。第７図には
ストレスF1，F2，F3について第４図と同様に示
しており、本例では下層配線Al−のの縁部２
４を曲げたことで、下層配線にかかるストレス
F2の交差部１６へ向う成分がなくなり、結果的
にその集中が緩和されるものと思われる。
ついて本発明者らの考えを説明する。第７図には
ストレスF1，F2，F3について第４図と同様に示
しており、本例では下層配線Al−のの縁部２
４を曲げたことで、下層配線にかかるストレス
F2の交差部１６へ向う成分がなくなり、結果的
にその集中が緩和されるものと思われる。
第８図はチツプ２の全体の各周辺部それぞれの
本発明の実施例を示している。
本発明の実施例を示している。
左側周辺部３０、中心周辺部３２、右側周辺部
３４においては、それぞれでチツプ中心点６から
外へ向う線（省略）が方向が異なることに伴い鈍
角θの方向が異なつているのである。
３４においては、それぞれでチツプ中心点６から
外へ向う線（省略）が方向が異なることに伴い鈍
角θの方向が異なつているのである。
なお上記実施例では上層と下層とが完全に交差
する例で説明したが、例えば下層配線が上層配線
直下で基板の拡散層等に接続されて下層配線の下
部２２が存在しない場合も、両配線が実質的に交
差しているものとし、本発明の範囲に入るのであ
る。
する例で説明したが、例えば下層配線が上層配線
直下で基板の拡散層等に接続されて下層配線の下
部２２が存在しない場合も、両配線が実質的に交
差しているものとし、本発明の範囲に入るのであ
る。
以上説明したように、本発明によれば、交差部
１６へのストレスの集中が緩和されることで、そ
の部分に生じていたクラツクの発生率を抑えるこ
とができるのである。
１６へのストレスの集中が緩和されることで、そ
の部分に生じていたクラツクの発生率を抑えるこ
とができるのである。
第１図は本発明の構成図、第２図は従来のチツ
プ全体とクラツク方向を示す平面図、第３図は従
来の２層配線パターンとクラツクを示す平面図、
第４図は従来のパターンのクラツクを示す平面
図、第５図は同斜視図、第６図は同断面図、第７
図は本発明の一実施例を示す平面図、第８図は同
他の実施例を示す平面図である。 図中、２……半導体チツプ、Al−……下層
配線パターン、Al−……上層配線パターン、
２４，２６……縁部、θ……鈍角。
プ全体とクラツク方向を示す平面図、第３図は従
来の２層配線パターンとクラツクを示す平面図、
第４図は従来のパターンのクラツクを示す平面
図、第５図は同斜視図、第６図は同断面図、第７
図は本発明の一実施例を示す平面図、第８図は同
他の実施例を示す平面図である。 図中、２……半導体チツプ、Al−……下層
配線パターン、Al−……上層配線パターン、
２４，２６……縁部、θ……鈍角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプと、 該チツプ表面に形成された下層の配線パターン
と、 該下層配線パターン上に層間絶縁膜を介して設
けられ該下層配線パターンとは実質的に直交する
上層配線パターンとを有し、 さらに該下層配線パターンの縁部と該上層配線
パターンの縁部とがその交差部で鈍角になつてい
ることを特徴とする半導体装置の配線パターン形
状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6564685A JPS61224438A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体装置の配線パタ−ン形状 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6564685A JPS61224438A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体装置の配線パタ−ン形状 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224438A JPS61224438A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0236070B2 true JPH0236070B2 (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=13292978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6564685A Granted JPS61224438A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体装置の配線パタ−ン形状 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224438A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2710252B2 (ja) * | 1988-10-18 | 1998-02-10 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414690A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6564685A patent/JPS61224438A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414690A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61224438A (ja) | 1986-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2611748B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH07201855A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226339A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH0236070B2 (ja) | ||
| JPS6114666B2 (ja) | ||
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3098333B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2867488B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62165344A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6015957A (ja) | 半導体装置 | |
| CN213752688U (zh) | 一种金属再布线结构及芯片封装结构 | |
| JPH06275401A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPS6035525A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06196478A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62242333A (ja) | 半導体装置のボンデイングパツド部の構造 | |
| JPH02297953A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62104052A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04211149A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路装置 | |
| JPS60242643A (ja) | 電子部品の配線 | |
| JPH0574770A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61187269A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02156646A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS639125A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62232940A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6345837A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |