JPS62230976A - 連続スパツタリング装置 - Google Patents
連続スパツタリング装置Info
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- JPS62230976A JPS62230976A JP7476786A JP7476786A JPS62230976A JP S62230976 A JPS62230976 A JP S62230976A JP 7476786 A JP7476786 A JP 7476786A JP 7476786 A JP7476786 A JP 7476786A JP S62230976 A JPS62230976 A JP S62230976A
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Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 20
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 63
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000252229 Carassius auratus Species 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、オーディオやビデオ等、高密度な磁気記録装
置に用いる金属薄膜磁気記録媒体を装置する連続スパッ
タリング装置に関するものである。
置に用いる金属薄膜磁気記録媒体を装置する連続スパッ
タリング装置に関するものである。
従来の技術
最近、高密度磁気記録方式として、垂直磁気記録方式が
提案され、磁性金属薄膜として垂直異方性を持つＣｏＣ
ｒの薄膜を高分子フィルム上に蒸着やスパッタリング方
式で成形した磁気記録媒体が利用されるようになってき
た（例えば、Ｓ−Ｉｗａｓａｋｉ ｅｔａｌ、アイ イ
ーイーイー トランズアクションズオンマグネティクス
： Ｉ ＥＥＥ Ｍａｇ−１６ア７１−７６．１９８０
．Ｓ、 Ｉｗａｓａｋｉ ｅｔ ａｌ、 アイ
イーイーイー トランズアクションズオン マグネティ
クス： Ｉ ＥＥＥ Ｍａｇ−１６Ｐｌｌｌｌ−１１１
３゜１９８０）。まだ磁気記録媒体の生産性を考慮して
量産に適した連続マグネトロンスパッタリング方式も提
案されている（例えば、東北大・通研第１８回シンポジ
ウム、Ｐ、１４３−１４８．１９８２ 小林等）。以
下、第３図を参照して上記従来のスパッタリングによる
成膜方式について説明する。
提案され、磁性金属薄膜として垂直異方性を持つＣｏＣ
ｒの薄膜を高分子フィルム上に蒸着やスパッタリング方
式で成形した磁気記録媒体が利用されるようになってき
た（例えば、Ｓ−Ｉｗａｓａｋｉ ｅｔａｌ、アイ イ
ーイーイー トランズアクションズオンマグネティクス
： Ｉ ＥＥＥ Ｍａｇ−１６ア７１−７６．１９８０
．Ｓ、 Ｉｗａｓａｋｉ ｅｔ ａｌ、 アイ
イーイーイー トランズアクションズオン マグネティ
クス： Ｉ ＥＥＥ Ｍａｇ−１６Ｐｌｌｌｌ−１１１
３゜１９８０）。まだ磁気記録媒体の生産性を考慮して
量産に適した連続マグネトロンスパッタリング方式も提
案されている（例えば、東北大・通研第１８回シンポジ
ウム、Ｐ、１４３−１４８．１９８２ 小林等）。以
下、第３図を参照して上記従来のスパッタリングによる
成膜方式について説明する。
第３図において、１０１はクーリングキャン、１０２は
クーリングキャン１０１上を加温されて走行し、磁気記
録媒体を構成する下地となるベースフィルム、１０３は
マクネトロンスパッタガン、１０４は記碌層となる材料
（原料）としての合金製のターゲット、１０５はスパッ
タプラズマの集中部１０６から記録材料となるスパッタ
粒子、すなわち成膜材料粒子が飛来する空間、１０７は
飛来する成膜材料粒子の斜め成分を遮断する防着板であ
る。
クーリングキャン１０１上を加温されて走行し、磁気記
録媒体を構成する下地となるベースフィルム、１０３は
マクネトロンスパッタガン、１０４は記碌層となる材料
（原料）としての合金製のターゲット、１０５はスパッ
タプラズマの集中部１０６から記録材料となるスパッタ
粒子、すなわち成膜材料粒子が飛来する空間、１０７は
飛来する成膜材料粒子の斜め成分を遮断する防着板であ
る。
次に上記従来例の成膜動作について説明する。アルゴン
ガスイオン等によりターゲット１０４の表面にプラズマ
１０６が生じ、この中から記録材料となる成膜材料粒子
がクーリングギヤ／１０１上を走行するベースフィルム
１０２上に耐着、積！−シ、これにより磁性金属薄膜を
有する磁気記録媒体を形成することができる。このとき
、ベースフィルム１０２面上に積層する成膜材料粒子の
入射角が大きくなると、磁性金属薄膜のＣ軸配向度が悪
くなり、その結果、高密妾記禄を行うことができなくな
るので、これを防止するため、飛来する成膜材料粒子の
入射角として垂直成分が増えるように、飛来する成膜材
料粒子の方向を防着板１０７により規制している。
ガスイオン等によりターゲット１０４の表面にプラズマ
１０６が生じ、この中から記録材料となる成膜材料粒子
がクーリングギヤ／１０１上を走行するベースフィルム
１０２上に耐着、積！−シ、これにより磁性金属薄膜を
有する磁気記録媒体を形成することができる。このとき
、ベースフィルム１０２面上に積層する成膜材料粒子の
入射角が大きくなると、磁性金属薄膜のＣ軸配向度が悪
くなり、その結果、高密妾記禄を行うことができなくな
るので、これを防止するため、飛来する成膜材料粒子の
入射角として垂直成分が増えるように、飛来する成膜材
料粒子の方向を防着板１０７により規制している。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の平板型マグネトロンスパッタリング方式ハ、
ベースフィルム１０２に連続成膜する場合、対向ターゲ
ント方式（Ｍ、 Ｎａｏｅ ｅ ｔａ Ｉ アイイ
ー（−（−１−ランズアクションズオンマグネティクス
：ａｇ−１６Ｐ、６４６−６４８．１９８０）等と比較
して簡素で、操作性も良く、また膜の耐着効率の点から
も優れている。しかし、対向ターゲット方式では直接、
プラズマ中の荷電粒子（特にγ−電子）がベースフィル
ムに到達しない位置に設計されているので、磁性金属薄
膜の成長初期からからり良い配向性を示すが、上記従来
の平板型マグネトロンスパッタリング方式では、プラズ
マ１０６中から荷電粒子が飛散し、それがベースフィル
ム１０２の表面に到達すると、結晶化する膜のＣ軸方向
を乱すことが推測されている。このＣ軸配向は垂直磁気
記録には必要な条件であり、磁性金属薄膜の成長初期か
ら良好な配向性を持たせる成膜方式としては、上記従来
ノ平板型マグネトロンスパッタリング方式は望ましくな
かった。
ベースフィルム１０２に連続成膜する場合、対向ターゲ
ント方式（Ｍ、 Ｎａｏｅ ｅ ｔａ Ｉ アイイ
ー（−（−１−ランズアクションズオンマグネティクス
：ａｇ−１６Ｐ、６４６−６４８．１９８０）等と比較
して簡素で、操作性も良く、また膜の耐着効率の点から
も優れている。しかし、対向ターゲット方式では直接、
プラズマ中の荷電粒子（特にγ−電子）がベースフィル
ムに到達しない位置に設計されているので、磁性金属薄
膜の成長初期からからり良い配向性を示すが、上記従来
の平板型マグネトロンスパッタリング方式では、プラズ
マ１０６中から荷電粒子が飛散し、それがベースフィル
ム１０２の表面に到達すると、結晶化する膜のＣ軸方向
を乱すことが推測されている。このＣ軸配向は垂直磁気
記録には必要な条件であり、磁性金属薄膜の成長初期か
ら良好な配向性を持たせる成膜方式としては、上記従来
ノ平板型マグネトロンスパッタリング方式は望ましくな
かった。
そこで、本発明は、平板型マグネトロンスパッタリング
方式において、磁性金属Ｒ膜の初期成長段階から配向性
を良くシ、磁気特性も良くすることができるようにした
連続スパッタリング装置を提供しようとするものである
。
方式において、磁性金属Ｒ膜の初期成長段階から配向性
を良くシ、磁気特性も良くすることができるようにした
連続スパッタリング装置を提供しようとするものである
。
問題点を解決するための手段
そして上記問題点を解決するだめの本発明の技術的な手
段は、ベースフィルムが接触して回転走行するクーリン
グキャンと、このクーリングキャン上を走行するベース
フィルムて対向して設けられ、成膜ｔｔ料ヲベースフィ
ルムにスパッタリングさせる平板型のマグネトロンスパ
ッタガンと、このマグネトロンスパッタガンの側方で上
記クーリングキャンとの空間に延在するように配置され
、マグネトロンスパッタガンから上記ベースフィルムに
飛来する成膜材料粒子の方向を上記クーリングキャンの
回転方向上流側で規制する防着板と、上記成膜材料粒子
の方向を上記クーリングキャンの回転方向下流側で規制
する防着板と、上記上流側の防着板の中間部に形成され
た開口部と、この上流側の防着板の開口部の背方に設け
られ、上記ベースフィルムを開口部に対向するように走
行させて上記クーリングキャンに導くロールキャンとを
備えたものである。
段は、ベースフィルムが接触して回転走行するクーリン
グキャンと、このクーリングキャン上を走行するベース
フィルムて対向して設けられ、成膜ｔｔ料ヲベースフィ
ルムにスパッタリングさせる平板型のマグネトロンスパ
ッタガンと、このマグネトロンスパッタガンの側方で上
記クーリングキャンとの空間に延在するように配置され
、マグネトロンスパッタガンから上記ベースフィルムに
飛来する成膜材料粒子の方向を上記クーリングキャンの
回転方向上流側で規制する防着板と、上記成膜材料粒子
の方向を上記クーリングキャンの回転方向下流側で規制
する防着板と、上記上流側の防着板の中間部に形成され
た開口部と、この上流側の防着板の開口部の背方に設け
られ、上記ベースフィルムを開口部に対向するように走
行させて上記クーリングキャンに導くロールキャンとを
備えたものである。
作用
上記技術的手段による作用は次のようになる。すなわち
、平板型マグネトロンスパッタガンから発生する成膜材
料粒子が平板型マグネトロンスパンタガンの側方に位置
する防着板の開口部からロールキャン上を走行するベー
スフィルムに飛来し、磁性金属薄膜の成長初期層を形成
する。この成長初期層においては、Ｃ軸配向を乱す荷電
粒子（特にＴ−電子）の飛来がないので、良好なＣ軸配
向を示す膜となる。
、平板型マグネトロンスパッタガンから発生する成膜材
料粒子が平板型マグネトロンスパンタガンの側方に位置
する防着板の開口部からロールキャン上を走行するベー
スフィルムに飛来し、磁性金属薄膜の成長初期層を形成
する。この成長初期層においては、Ｃ軸配向を乱す荷電
粒子（特にＴ−電子）の飛来がないので、良好なＣ軸配
向を示す膜となる。
この成長初期層が形成されたベースフィルムはクーリン
グキャンに導かれ、このクーリングキャン上を走行する
間に平板型マグネトロンスパッタガンから飛来する成膜
材料粒子により所望の厚さの磁性金属薄膜が形成される
。この磁性金属薄膜は全体としてＣ＠配向が良く、垂直
磁気記録媒体として好ましい特性を得ることができる。
グキャンに導かれ、このクーリングキャン上を走行する
間に平板型マグネトロンスパッタガンから飛来する成膜
材料粒子により所望の厚さの磁性金属薄膜が形成される
。この磁性金属薄膜は全体としてＣ＠配向が良く、垂直
磁気記録媒体として好ましい特性を得ることができる。
実症例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図及び第２図は本発明の一実強例における連
続スパッタリング装置を示し、第１図は原理説明用の一
部破断正面図、第２図は一部破断全体概略正面図である
。
する。第１図及び第２図は本発明の一実強例における連
続スパッタリング装置を示し、第１図は原理説明用の一
部破断正面図、第２図は一部破断全体概略正面図である
。
第２図において、１は装置外壁を構成する真空槽！、上
部に真空排気口２が設けられている。３はクーリングキ
ャンと、４は送り出しロール、５は巻き取すロール、６
はロールキャンで、クーリングキャン３、送り出しロー
ル４及びロールキャン６はそれぞれ矢印で示すように反
時計方向に回転され、巻き取りロール５は矢印で示すよ
うに時計方向に回転される。７． ８． ９． １０は
それぞれ案内ロールである。而して送り出しロール４に
巻き取られている高文子型のベースフィルム１１は案内
ロール７、クーリングキャン３、案内ロール８、ロール
キャン６、案内ロール９、クーリングキャン３及び案内
ロール１０を経て巻き取りロール５に巻き取られる。１
２゜１３．１４は第１．第２．第３の平板型マグネトロ
ンスパッタガンで、それぞれ記録層となる成膜材料であ
る合金製のターゲット１５を有している。第１゜第２．
第３の平板型マグネトａ７スバツタガン１２．１３゜１
４は案内ロール９と１０の間で、クーリングキャ／３の
回転方向の上流側より下流側に向って順次配置され、そ
れぞれクーリングキャン３、すなわちクーリングキャン
３に沿って走行するベースフィルム１１に対向されてい
る。１６は平板型マグネトロンスパッタガン１２，１３
．１４によるスパッタプラズマの集中部１７（第１図参
照）から成膜材料粒子がクーリングキャン３上のベース
フィルム１１に飛来する空間である。１８，１９，２０
．２１は各平板型マグネトロンスパッタガン１２，１３
．１４の両側に設けられ、各平板型マグネトロンスパッ
タガン１２，１３．１４よりベースフィルム１１に飛来
する成膜材料粒子の斜め成分を遮断する防着板で、第１
と第２の平板型マグネトロンスパッタガン１２と１３及
び第２と第３の平板型マグネ条ロンスパンタガン１３と
１４の間の防着板１９及び２０ばそれぞれ一枚で兼用さ
れている。クーリングキャン３０回転方向の上流側の防
着板１８は第１の平板型マグネトロンスパッタガン１２
とクーリングキャン３との空間に延在するように配置さ
れ、中間部に開口部２２が形成されている。上記ロール
キャン６はこの防着板１８の開口部２２の背方に配置さ
れ、ベースフィルム１１を開口部２２に対向させて走行
させ、上記クーリングキャン３に導くことができる。ク
ー）ノングキャン３の回転方向の上下流側の防着板１９
２０．２１は第２図に示すようにクーリングキャン３の
半径方向に向けてもよく、また第１図に示すようにクー
リングキャン３の周方向に設けてもよい。
部に真空排気口２が設けられている。３はクーリングキ
ャンと、４は送り出しロール、５は巻き取すロール、６
はロールキャンで、クーリングキャン３、送り出しロー
ル４及びロールキャン６はそれぞれ矢印で示すように反
時計方向に回転され、巻き取りロール５は矢印で示すよ
うに時計方向に回転される。７． ８． ９． １０は
それぞれ案内ロールである。而して送り出しロール４に
巻き取られている高文子型のベースフィルム１１は案内
ロール７、クーリングキャン３、案内ロール８、ロール
キャン６、案内ロール９、クーリングキャン３及び案内
ロール１０を経て巻き取りロール５に巻き取られる。１
２゜１３．１４は第１．第２．第３の平板型マグネトロ
ンスパッタガンで、それぞれ記録層となる成膜材料であ
る合金製のターゲット１５を有している。第１゜第２．
第３の平板型マグネトａ７スバツタガン１２．１３゜１
４は案内ロール９と１０の間で、クーリングキャ／３の
回転方向の上流側より下流側に向って順次配置され、そ
れぞれクーリングキャン３、すなわちクーリングキャン
３に沿って走行するベースフィルム１１に対向されてい
る。１６は平板型マグネトロンスパッタガン１２，１３
．１４によるスパッタプラズマの集中部１７（第１図参
照）から成膜材料粒子がクーリングキャン３上のベース
フィルム１１に飛来する空間である。１８，１９，２０
．２１は各平板型マグネトロンスパッタガン１２，１３
．１４の両側に設けられ、各平板型マグネトロンスパッ
タガン１２，１３．１４よりベースフィルム１１に飛来
する成膜材料粒子の斜め成分を遮断する防着板で、第１
と第２の平板型マグネトロンスパッタガン１２と１３及
び第２と第３の平板型マグネ条ロンスパンタガン１３と
１４の間の防着板１９及び２０ばそれぞれ一枚で兼用さ
れている。クーリングキャン３０回転方向の上流側の防
着板１８は第１の平板型マグネトロンスパッタガン１２
とクーリングキャン３との空間に延在するように配置さ
れ、中間部に開口部２２が形成されている。上記ロール
キャン６はこの防着板１８の開口部２２の背方に配置さ
れ、ベースフィルム１１を開口部２２に対向させて走行
させ、上記クーリングキャン３に導くことができる。ク
ー）ノングキャン３の回転方向の上下流側の防着板１９
２０．２１は第２図に示すようにクーリングキャン３の
半径方向に向けてもよく、また第１図に示すようにクー
リングキャン３の周方向に設けてもよい。
次に上記実症例の動作について説明する。上記のように
蓚き取りロール４に巻き取られているベースフィルム１
１は案内ロール７、クーリングキャン３、案内ロール８
、ロールキャン６、案内ロール９、クーリングキャン３
及び案内ロール１０を経て巻き取りロール５に巻き取ら
れる。第１図に示すように第１の平板型マグネトロンス
パッタガン１２の作動により発生するスパッタプラズマ
の集中部１７からスパッタ粒子、すなわち成膜材料粒子
が放出され、この成膜材料粒子が平板型マグネトロンス
パンタガン１２の側方に位置する防着板１８の開口部２
２よりロールキャン６上を走行するベースフィルム１１
上に飛来し、磁性金属薄膜の成長初期層を形成する。
蓚き取りロール４に巻き取られているベースフィルム１
１は案内ロール７、クーリングキャン３、案内ロール８
、ロールキャン６、案内ロール９、クーリングキャン３
及び案内ロール１０を経て巻き取りロール５に巻き取ら
れる。第１図に示すように第１の平板型マグネトロンス
パッタガン１２の作動により発生するスパッタプラズマ
の集中部１７からスパッタ粒子、すなわち成膜材料粒子
が放出され、この成膜材料粒子が平板型マグネトロンス
パンタガン１２の側方に位置する防着板１８の開口部２
２よりロールキャン６上を走行するベースフィルム１１
上に飛来し、磁性金属薄膜の成長初期層を形成する。
この成長初期層においてはＣ軸配向を乱す荷電粒子（時
にγ−電子）の飛来がないので、良好なＣ軸配向を示す
膜となる。この成長初期層が形成されたベースフィルム
１１は案内ロール９を一掃でクーリングキャン３に導か
れ、このクーリングキャン３上を走行する間に、第１乃
至第３の平板型マグネトロンスパッタガン１２乃至１４
の作動により発生するスパノタガラズマの集中部１７か
ら成膜材料粒子が飛来して所望の厚さの磁性金礪薄膜が
形成される。この磁性金蛎４膜は全体としてＣ軸配向が
良く、垂直磁気記鎌媒体として好ましい特性を得ること
ができる。
にγ−電子）の飛来がないので、良好なＣ軸配向を示す
膜となる。この成長初期層が形成されたベースフィルム
１１は案内ロール９を一掃でクーリングキャン３に導か
れ、このクーリングキャン３上を走行する間に、第１乃
至第３の平板型マグネトロンスパッタガン１２乃至１４
の作動により発生するスパノタガラズマの集中部１７か
ら成膜材料粒子が飛来して所望の厚さの磁性金礪薄膜が
形成される。この磁性金蛎４膜は全体としてＣ軸配向が
良く、垂直磁気記鎌媒体として好ましい特性を得ること
ができる。
次に試験例について説明する。厚さ５０μｍのポリエス
テル製のベースフィルム１１を巻き家りロール４に袋着
し、このベースフィルム１１を上記のようにロールキャ
ン６、クーリングキャン３等に順次送って巻き取りロー
ル５にセットした。真空槽１内が１７を空度Ｉ Ｘ Ｉ
Ｏ順になるまで予めベースフィルム１１を走行させな
がら乾燥させた後、Ａ「ガスを５×１０ｔｏｒｒにして
第１の平板型マグネトロンスパッタガン１２に約４ｋＷ
の電力を投入した。この平板型マグネトロンスパッタガ
ン１２のターゲット１５にはＣ０３ｏ Ｃｒ ２ｏの合
金板を用いた。而してクーリングキャン３を１２０℃に
加温し、ベースフィルム１１を送り連間、約１ｒｒＬＺ
分で走行させた。ロールキャン３上を走行するベースフ
ィルム１１上に成長初期層を形成中る場合と、形成しな
い場合とを比較するため、先ず防着板１８の開口板２２
を閉じてクーリングキャン３上を走行するベースフィル
ム１１上に成膜した。この場合、ＣＯＣ「の膜厚は０．
２μｍであったが、Ｘ線回折装置によるＣ軸配方度は、
ロッキング曲線の半値幅から測定して約１０’（２θ）
であった。次に本発明のように防着板１８の開口部２２
を開放し、ロールキャン６上を走行するベースフィルム
ｌｌ上に初期層を約２０ＯＡ積層させた後、クーリング
キャン３上を走行するベースフィルム１１の初期層上で
、計０．２μｍ積層させたＣｏＣｒ膜のロッキング半値
幅を測定したところ約４° （２θ）になった。また本
発明によって作成したＣｏＣｒ膜は磁気特性も良好であ
った。
テル製のベースフィルム１１を巻き家りロール４に袋着
し、このベースフィルム１１を上記のようにロールキャ
ン６、クーリングキャン３等に順次送って巻き取りロー
ル５にセットした。真空槽１内が１７を空度Ｉ Ｘ Ｉ
Ｏ順になるまで予めベースフィルム１１を走行させな
がら乾燥させた後、Ａ「ガスを５×１０ｔｏｒｒにして
第１の平板型マグネトロンスパッタガン１２に約４ｋＷ
の電力を投入した。この平板型マグネトロンスパッタガ
ン１２のターゲット１５にはＣ０３ｏ Ｃｒ ２ｏの合
金板を用いた。而してクーリングキャン３を１２０℃に
加温し、ベースフィルム１１を送り連間、約１ｒｒＬＺ
分で走行させた。ロールキャン３上を走行するベースフ
ィルム１１上に成長初期層を形成中る場合と、形成しな
い場合とを比較するため、先ず防着板１８の開口板２２
を閉じてクーリングキャン３上を走行するベースフィル
ム１１上に成膜した。この場合、ＣＯＣ「の膜厚は０．
２μｍであったが、Ｘ線回折装置によるＣ軸配方度は、
ロッキング曲線の半値幅から測定して約１０’（２θ）
であった。次に本発明のように防着板１８の開口部２２
を開放し、ロールキャン６上を走行するベースフィルム
ｌｌ上に初期層を約２０ＯＡ積層させた後、クーリング
キャン３上を走行するベースフィルム１１の初期層上で
、計０．２μｍ積層させたＣｏＣｒ膜のロッキング半値
幅を測定したところ約４° （２θ）になった。また本
発明によって作成したＣｏＣｒ膜は磁気特性も良好であ
った。
そして上記のようにＣ＠配向性が良好で、磁気特性が良
好な磁性金蛎薄膜を得るには、防着板１８の開口部２２
を、飛来する成膜材料粒子のロールキャンに対する入射
角が±１０度以内になるような幅に設定し、しかもロー
ルキャン６上でベースフィルム１１に成°膜する成長初
期層が全体の膜厚の１７１０以下の膜厚になるように設
定するのが望ましい。
好な磁性金蛎薄膜を得るには、防着板１８の開口部２２
を、飛来する成膜材料粒子のロールキャンに対する入射
角が±１０度以内になるような幅に設定し、しかもロー
ルキャン６上でベースフィルム１１に成°膜する成長初
期層が全体の膜厚の１７１０以下の膜厚になるように設
定するのが望ましい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、平板型マグネトロンスパ
ッタリングガンからクーリングキャン上を走行するベー
スフィルムに飛来する成膜材料粒子の方向を規制し、ク
ーリングキャンの回転方向上流側に設けられた防着板を
平板型マグネトロンスパッタガンとクーリングキャンと
の空間に延在するように配置し、この防着板の中間部に
開口部を形成し、この開口部の背方にロールキャンを設
け、ベースフィルムを開口部に対向するように走行させ
てクーリングキャンに導くようにしている。従って先ず
、ロールキャン上を走行するベースフィルムに開口部を
利用シ、平板型マグネトロンスパッタガンにより発生す
るプラズマから飛来する荷電粒子の影響を受けない位置
で極く薄い初期層を形成し、その後、クーリングキャン
上で初期層上に普通の状態で成］■することができ、こ
れにより全体の結晶配向を良くすることができ、磁気特
性も良くすることができる。
ッタリングガンからクーリングキャン上を走行するベー
スフィルムに飛来する成膜材料粒子の方向を規制し、ク
ーリングキャンの回転方向上流側に設けられた防着板を
平板型マグネトロンスパッタガンとクーリングキャンと
の空間に延在するように配置し、この防着板の中間部に
開口部を形成し、この開口部の背方にロールキャンを設
け、ベースフィルムを開口部に対向するように走行させ
てクーリングキャンに導くようにしている。従って先ず
、ロールキャン上を走行するベースフィルムに開口部を
利用シ、平板型マグネトロンスパッタガンにより発生す
るプラズマから飛来する荷電粒子の影響を受けない位置
で極く薄い初期層を形成し、その後、クーリングキャン
上で初期層上に普通の状態で成］■することができ、こ
れにより全体の結晶配向を良くすることができ、磁気特
性も良くすることができる。
第１図及び第２図は本発明の一実捲例における連続スパ
ッタリング装置を示し、第１図は原理説明用の一部破断
正面図、第２図は一部破断全体概略正面図、第３図は従
来の連続スパッタリング装置の一部破断正面図である。 ■・・・真空槽、３・・・クーリングキャン、６・・・
ロールキャン、１１・・・ベースフィルム、１２．１３
・・・１４・・・平板型マグネトロンスパッタガン、１
５・・・ターゲット、１８． １９．２０．２１・・・
防着板、２２・・・開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１Ｕ 第２図
ッタリング装置を示し、第１図は原理説明用の一部破断
正面図、第２図は一部破断全体概略正面図、第３図は従
来の連続スパッタリング装置の一部破断正面図である。 ■・・・真空槽、３・・・クーリングキャン、６・・・
ロールキャン、１１・・・ベースフィルム、１２．１３
・・・１４・・・平板型マグネトロンスパッタガン、１
５・・・ターゲット、１８． １９．２０．２１・・・
防着板、２２・・・開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１Ｕ 第２図
Claims (3)
- （１）ベースフィルムが接触して回転走行するクーリン
グキャンと、このクーリングキャン上を走行するベース
フィルムに対向して設けられ、成膜材料をベースフィル
ムにスパッタリングさせる平板型のマグネトロンスパッ
タガンと、このマグネトロンスパッタガンの側方で上記
クーリングキャンとの空間に延在するように配置され、
マグネトロンスパッタガンから上記ベースフィルムに飛
来する成膜材料粒子の方向を上記クーリングキャンの回
転方向上流側で規制する防着板と、上記成膜材料粒子の
方向を上記クーリングキャンの回転方向下流側で規制す
る防着板と、上記上流側の防着板の中間部に形成された
開口部と、この上流側の防着板の開口部の背方に設けら
れ、上記ベースフィルムを開口部に対向するように走行
させて上記クーリングキャンに導くロールキャンとを備
えたことを特徴とする連続スパッタリング装置。 - （２）防着板の開口部は、飛来する成膜材料粒子のロー
ルキャンに対する入射角が±１０度以内になるような幅
を有する特許請求の範囲第１項記載の連続スパッタリン
グ装置。 - （３）防着板の開口部の幅は、ロールキャン上でベース
フィルムに成膜する成長初期層が全体の膜厚の１／１０
以下の膜厚になるように設定されている特許請求の範囲
第２項記載の連続スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476786A JPS62230976A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 連続スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476786A JPS62230976A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 連続スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230976A true JPS62230976A (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=13556760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7476786A Pending JPS62230976A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 連続スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018043127A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 東レ株式会社 | 積層体 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP7476786A patent/JPS62230976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018043127A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 東レ株式会社 | 積層体 |
| KR20190045218A (ko) * | 2016-08-29 | 2019-05-02 | 도레이 카부시키가이샤 | 적층체 |
| JPWO2018043127A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2019-06-24 | 東レ株式会社 | 積層体 |
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