JPS62204539A - 半導体チツプの接着取付け方法 - Google Patents
半導体チツプの接着取付け方法Info
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- JPS62204539A JPS62204539A JP61046301A JP4630186A JPS62204539A JP S62204539 A JPS62204539 A JP S62204539A JP 61046301 A JP61046301 A JP 61046301A JP 4630186 A JP4630186 A JP 4630186A JP S62204539 A JPS62204539 A JP S62204539A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、容易に高精度な接名取付けが可能な半導体チ
ップの接着取付は方法に関する。
ップの接着取付は方法に関する。
[発明の技術的背mとその問題点]
従来、半導体チップをリードフレーム又は基板等の被取
付体に取り付ける場合は、液状の導電性又は絶縁性の接
着剤を被数イ」体の接着個所に塗布し、半導体チップを
接着する方法が採られてきた。
付体に取り付ける場合は、液状の導電性又は絶縁性の接
着剤を被数イ」体の接着個所に塗布し、半導体チップを
接着する方法が採られてきた。
即ち、第2図に示したように半導体ウェハ11には多数
の素子12が形成されている。 この半導体ウェハ11
の表面をダイサーでスクライプする。
の素子12が形成されている。 この半導体ウェハ11
の表面をダイサーでスクライプする。
つづいてウェハの表面および裏面に塩化ビニールシート
を張り付け、裏面側からローラなどにより押し上げて、
スクライブ線に沿って多数のチップに分割する。 次い
で上面の塩化ビニールをはがし、下面の塩化ビニールシ
ートを四方に伸張し、各半導体チップに分離する。 こ
うして分離した半導体チップ12を、第3図のような工
程順でリードフレーム上に取り付ける。 第3図(X)
に示したように、リードフレーム13上には銀メッキ層
14が形成されており、この銀メツキ層14上の接着部
に、液状の導電性又は絶縁性の接着剤15を塗布する。
を張り付け、裏面側からローラなどにより押し上げて、
スクライブ線に沿って多数のチップに分割する。 次い
で上面の塩化ビニールをはがし、下面の塩化ビニールシ
ートを四方に伸張し、各半導体チップに分離する。 こ
うして分離した半導体チップ12を、第3図のような工
程順でリードフレーム上に取り付ける。 第3図(X)
に示したように、リードフレーム13上には銀メッキ層
14が形成されており、この銀メツキ層14上の接着部
に、液状の導電性又は絶縁性の接着剤15を塗布する。
゛つづいて、第13図(Y)に示1ように、第2図の上
記方法で分離された半導体チップ12を接着剤上に配置
し加熱接着する。
記方法で分離された半導体チップ12を接着剤上に配置
し加熱接着する。
しかし、この接着取付は方法では、液状の接着剤をリー
ドフレーム上に塗布するのに、スタンビング又はディス
ペンサによるボッティングなどの手段が採られていたが
、次のような問題点かあっ1こ 。
ドフレーム上に塗布するのに、スタンビング又はディス
ペンサによるボッティングなどの手段が採られていたが
、次のような問題点かあっ1こ 。
(1) 導電性接着剤の場合、導電性物質の分散が不均
一になりやすく、物理的特性に悪影響を与える。
一になりやすく、物理的特性に悪影響を与える。
(2) 接着剤を塗布後、樹脂の広がり、にじみのばら
つきが大きく、高密度な実装が困難である。
つきが大きく、高密度な実装が困難である。
(3) 接着剤の粘度のばらつきにより、塗布量、塗布
面積の高精度な調整が困難である。
面積の高精度な調整が困難である。
(4) 高価な塗布装置が必要であり、塗布加工費が割
高となる。
高となる。
[発明の目的]
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもの
で、その目的は接着剤の塗布量および厚さが均一になり
、高密度実装が向上し、接着剤中の添加物質が均一に分
散され、また物理的特性が向」ニジ、高価な装置を必要
とすることなく容易に高粘度の接着が可能である半導体
デツプの接着取(=Jけ方法を提供しようとするもので
ある。
で、その目的は接着剤の塗布量および厚さが均一になり
、高密度実装が向上し、接着剤中の添加物質が均一に分
散され、また物理的特性が向」ニジ、高価な装置を必要
とすることなく容易に高粘度の接着が可能である半導体
デツプの接着取(=Jけ方法を提供しようとするもので
ある。
[発明の概要]
本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果1妄着剤付シートを使用することによって容易に
精度よく接着取り付けられることを見いだし、本発明を
完成さじたものである。 即ち、本発明は、半導体チッ
プを被取付体に接着取り付ける方法において、熱可塑性
フィルム上に接着剤を塗布して半硬化状態にした接着剤
(=Jシートを、熱可塑性フィルム面が被取付体に度合
J°るように圧着し、次いで圧着された接着剤付シート
の接着剤面上に半導体チップを配置し、熱圧着、溶融硬
化させることを特徴とする半導体チップの接着取付は方
法である。
た結果1妄着剤付シートを使用することによって容易に
精度よく接着取り付けられることを見いだし、本発明を
完成さじたものである。 即ち、本発明は、半導体チッ
プを被取付体に接着取り付ける方法において、熱可塑性
フィルム上に接着剤を塗布して半硬化状態にした接着剤
(=Jシートを、熱可塑性フィルム面が被取付体に度合
J°るように圧着し、次いで圧着された接着剤付シート
の接着剤面上に半導体チップを配置し、熱圧着、溶融硬
化させることを特徴とする半導体チップの接着取付は方
法である。
本発明に用いる半導体チップは、いかなるタイプ、形状
のものでもよく特に制限はなく広く適用することができ
る。
のものでもよく特に制限はなく広く適用することができ
る。
本発明に用いる熱可塑性フィルムとしては、軟化点が1
50℃以下で厚さが数十μl以下のものが望ましい。
具体的なフィルムとしては、ナイロン、テトロン、ポリ
プロピレン等がある。
50℃以下で厚さが数十μl以下のものが望ましい。
具体的なフィルムとしては、ナイロン、テトロン、ポリ
プロピレン等がある。
本発明に用いる接着剤としては、特に制限はなく、導電
性のもの又は絶縁性のものでもよく、樹脂成分としては
熱硬化性のものが望ましい。 熱可塑性フィルム上に接
着剤を塗布し半硬化状態にするが接着剤の塗布量は半導
体チップの大きさにより適宜選択して塗布1を定め塗布
する。 こうして得た接着剤付シートを半導体チップと
ほぼ同じ大きさに切断する。
性のもの又は絶縁性のものでもよく、樹脂成分としては
熱硬化性のものが望ましい。 熱可塑性フィルム上に接
着剤を塗布し半硬化状態にするが接着剤の塗布量は半導
体チップの大きさにより適宜選択して塗布1を定め塗布
する。 こうして得た接着剤付シートを半導体チップと
ほぼ同じ大きさに切断する。
[発明の実施例]
以下図面を用いて本発明を具体的に説明する。
第1図は半導体チップの)a着取付は方法を工程順に示
す説明図により説明する。 第1図(A)に示すように
半硬化状態の接着剤1が熱可塑性フィルム2上に形成さ
れた接着剤f9シートを使用して、第1図(B)に示し
たように接着剤付シートを接eJする半導体チップとほ
ぼ同じ大きさに切断分割する。 この熱可塑性フィルム
2は、厚さが数十μ鴨で軟化点が150℃以下であるこ
とが望ましい。
す説明図により説明する。 第1図(A)に示すように
半硬化状態の接着剤1が熱可塑性フィルム2上に形成さ
れた接着剤f9シートを使用して、第1図(B)に示し
たように接着剤付シートを接eJする半導体チップとほ
ぼ同じ大きさに切断分割する。 この熱可塑性フィルム
2は、厚さが数十μ鴨で軟化点が150℃以下であるこ
とが望ましい。
フィルムの厚さは半導体チップ大ぎさや形状によつで適
宜選択して使用される。 フィルムの軟化点は150℃
を超えると他の特性に悪影響をおよぼしたり、また加熱
が容易でなく好ましくないからである。 次いで第1図
(C)のように分割された接着剤付シートの接着剤1面
を真空吸着手段5で吸着しくC−2ステージ)、予熱ヒ
ータ9で予熱したリードフレーム3上の銀メツキパター
ン4上に軽く熱圧着する(C−1ステージ)。 そうす
ると熱可塑性フィルム2が軟化して銀メツキパターン5
に仮接着される。 次に第1図(D)に示すように塩化
ビニールシート7上で分離された半導体チップ6を、先
の真空吸着手段5で吸着し塩化ビニルシート7から引き
離す(D−2スデージ)。 この場合塩化ビニルシート
の下方から、押上げ棒8で少し突き上げて塩化ビニルシ
ー1−7上から半導体チップ6の引離しを一層容易にす
る。
宜選択して使用される。 フィルムの軟化点は150℃
を超えると他の特性に悪影響をおよぼしたり、また加熱
が容易でなく好ましくないからである。 次いで第1図
(C)のように分割された接着剤付シートの接着剤1面
を真空吸着手段5で吸着しくC−2ステージ)、予熱ヒ
ータ9で予熱したリードフレーム3上の銀メツキパター
ン4上に軽く熱圧着する(C−1ステージ)。 そうす
ると熱可塑性フィルム2が軟化して銀メツキパターン5
に仮接着される。 次に第1図(D)に示すように塩化
ビニールシート7上で分離された半導体チップ6を、先
の真空吸着手段5で吸着し塩化ビニルシート7から引き
離す(D−2スデージ)。 この場合塩化ビニルシート
の下方から、押上げ棒8で少し突き上げて塩化ビニルシ
ー1−7上から半導体チップ6の引離しを一層容易にす
る。
真空吸着手段5に吸着された半導体チップ6は、予熱ヒ
ータ9で予熱したリードフレーム3の銀メツキパターン
4上に熱圧着されている熱可塑性フィルム2上の接着剤
1面に強く熱圧着する(D−1ステージ)。 半硬化状
態の接着剤1および熱可塑性フィルム2が溶融硬化し半
導体チップ6が強固に接着取り付(プることができる。
ータ9で予熱したリードフレーム3の銀メツキパターン
4上に熱圧着されている熱可塑性フィルム2上の接着剤
1面に強く熱圧着する(D−1ステージ)。 半硬化状
態の接着剤1および熱可塑性フィルム2が溶融硬化し半
導体チップ6が強固に接着取り付(プることができる。
ここでは半導体チップをリードフレームに接着する場合
を示したが被取付体としては、これに限定されることは
なく絶縁基板、電極パターン付き基板等が挙げられる。
を示したが被取付体としては、これに限定されることは
なく絶縁基板、電極パターン付き基板等が挙げられる。
また接着剤は、必要条件、状態に応じて導電性、絶縁
性又は熱伝導性等適切なものを選択使用する。 半導体
チップもICに限らず、他の種類の半導体チップも接着
取付けすることができる。
性又は熱伝導性等適切なものを選択使用する。 半導体
チップもICに限らず、他の種類の半導体チップも接着
取付けすることができる。
[発明の効果]
本発明の半導体チップの接着取付1ノ方法によれば、接
着剤付シートを使用しており、かつ瞬時にダイボンディ
ングするため、樹脂の広がりやにじみができなく、高密
度実装が向上される。 また、接着剤中の添加物質が均
一に分散され、物理的特性のばらつきが少なくなって特
性が向上し、多数個に対する接着が一度にでき、従来の
にうな高価な塗布装置を要せず、製造費および設備費が
低減されるなどのメリッ]〜がある。
着剤付シートを使用しており、かつ瞬時にダイボンディ
ングするため、樹脂の広がりやにじみができなく、高密
度実装が向上される。 また、接着剤中の添加物質が均
一に分散され、物理的特性のばらつきが少なくなって特
性が向上し、多数個に対する接着が一度にでき、従来の
にうな高価な塗布装置を要せず、製造費および設備費が
低減されるなどのメリッ]〜がある。
第1図は本発明の一実施例を示ず半導体チップの取付は
方法を工程順に示す説明図、第2図は半導体ウェハの斜
視図、第3図は、従来の半導体チップの接着取付は方法
を主要工程順に示す説明図である。 1・・・接着剤、 2・・・熱可塑性フィルム、 3・
・・リードフレーム、 4・・・銀メツキパターン、
5・・・真空吸着手段、 6・・・半導体チップ、
7・・・塩化ビニルシート、 8・・・押上げ棒、 9
・・・予熱ヒータ。 第1図 AI 第2図 第3図 (X) (Y)
方法を工程順に示す説明図、第2図は半導体ウェハの斜
視図、第3図は、従来の半導体チップの接着取付は方法
を主要工程順に示す説明図である。 1・・・接着剤、 2・・・熱可塑性フィルム、 3・
・・リードフレーム、 4・・・銀メツキパターン、
5・・・真空吸着手段、 6・・・半導体チップ、
7・・・塩化ビニルシート、 8・・・押上げ棒、 9
・・・予熱ヒータ。 第1図 AI 第2図 第3図 (X) (Y)
Claims (1)
- 1 半導体チップを被取付体に接着取り付ける方法にお
いて、熱可塑性フィルム上に接着剤を塗布して半硬化状
態にした接着剤付シートを、熱可塑性フィルム面が被取
付体に接合するように圧着し、次いで圧着された接着剤
付シートの接着剤面上に半導体チップを配置し、熱圧着
、溶融硬化させることを特徴とする半導体チップの接着
取付け方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61046301A JPH06101486B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体チツプの接着取付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61046301A JPH06101486B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体チツプの接着取付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62204539A true JPS62204539A (ja) | 1987-09-09 |
JPH06101486B2 JPH06101486B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12743376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61046301A Expired - Fee Related JPH06101486B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体チツプの接着取付け方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06101486B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0239919A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品実装装置 |
WO2003036715A2 (en) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Adhesive wafers for die attach application |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS55123462A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Nitto Electric Ind Co | Thermal hardening adhesive sheet and its incorporation working adhesive article |
JPS58222530A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Hitachi Ltd | ペレツト付け方法 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61046301A patent/JPH06101486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2003036715A3 (en) * | 2001-10-23 | 2003-11-13 | Nat Starch Chem Invest | Adhesive wafers for die attach application |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06101486B2 (ja) | 1994-12-12 |
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