JPS62126645A - Ｌｓｉチツプ実装方法 - Google Patents
Ｌｓｉチツプ実装方法Info
- Publication number
- JPS62126645A JPS62126645A JP60267638A JP26763885A JPS62126645A JP S62126645 A JPS62126645 A JP S62126645A JP 60267638 A JP60267638 A JP 60267638A JP 26763885 A JP26763885 A JP 26763885A JP S62126645 A JPS62126645 A JP S62126645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wiring
- polyester film
- conductor pattern
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、Ｌ Ｓ Ｉチップ実装方法に関する。
従来技術
従来、Ｌ Ｓ Ｉチップの実装方法として、ＬＳＩチッ
プをフィルムキャリア方式により金等の導体パターンと
インナーリードボンディングすることは知られている。
プをフィルムキャリア方式により金等の導体パターンと
インナーリードボンディングすることは知られている。
このようなＬＳＩチップを配線が形成された回路基板に
実装する場合、その配線がＩＴＯ（透明電極）やアルミ
ニニウム電極の場合には導体−ヒにニッケル層を形成し
半田付けにより接続することなる。つまり、ニッケル層
を形成する分コストアップとなる。又、これらに代えて
異方性導電膜を用いて接続を行なうものもあるが、この
方法でも異方性導電膜の分コストアップとなる。
実装する場合、その配線がＩＴＯ（透明電極）やアルミ
ニニウム電極の場合には導体−ヒにニッケル層を形成し
半田付けにより接続することなる。つまり、ニッケル層
を形成する分コストアップとなる。又、これらに代えて
異方性導電膜を用いて接続を行なうものもあるが、この
方法でも異方性導電膜の分コストアップとなる。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板の
配線導体材料が制約を受けることなく低コストなＬ Ｓ
Ｉチップ実装方法を提供することを目的とする。
配線導体材料が制約を受けることなく低コストなＬ Ｓ
Ｉチップ実装方法を提供することを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、フィルムキャリア
方式によりＬＳＩチップと導体パターンとが予めインナ
ーリードボンディングされた熱可塑性フィルムを、配線
が形成された熱可塑性フィルム基板上に位置合わせした
後、加熱及び加圧して前記熱可塑性フィルム同士を接着
してアウターリードボンディングすることを特徴とする
ものである。
方式によりＬＳＩチップと導体パターンとが予めインナ
ーリードボンディングされた熱可塑性フィルムを、配線
が形成された熱可塑性フィルム基板上に位置合わせした
後、加熱及び加圧して前記熱可塑性フィルム同士を接着
してアウターリードボンディングすることを特徴とする
ものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。ま
ず、第１図は公知のフィルムキャリア方式により熱可塑
性フィルムとしてのポリエステルフィルムｌをキアリア
フイルムとしてＬＳＪチップ２がインナーリードボンデ
ィングされた状態を示す。即ち、ＬＳＩチップ２と金又
は金メッキされた銅による導体パターン３とを接続して
なるものである。ここに、第１図の一点鎖線はインナー
リードボンディングチップの範囲を示すものであり、後
述する基板に実装される部分である。
ず、第１図は公知のフィルムキャリア方式により熱可塑
性フィルムとしてのポリエステルフィルムｌをキアリア
フイルムとしてＬＳＪチップ２がインナーリードボンデ
ィングされた状態を示す。即ち、ＬＳＩチップ２と金又
は金メッキされた銅による導体パターン３とを接続して
なるものである。ここに、第１図の一点鎖線はインナー
リードボンディングチップの範囲を示すものであり、後
述する基板に実装される部分である。
しかして、本実施例では第１図に示したようなＬＳＩチ
ップ２を熱可塑性フィルム基板としてのポリエステルフ
ィルム基板４上に実装するというものである。このポリ
エステルフィルム基板４はその表面に予め配線としての
導体パターン５が形成されたもので、まず、第２図に示
すようにこれらの導体パターン５．３が対応するように
位置合わせをする。そして、加熱加圧治具６を用いて加
熱及び加圧処理を行なう。この時の加熱温度は２００〜
２５０℃、加圧圧力は２０〜５０ｋｇ／ｃＩＴＩ程度で
ある。これにより、加熱・加圧前の第３図（ａ）に示す
状態から同図（ｂ）に示すような状態となってポリエス
テルフィルム１とポリエステルフィルム基板４との接着
面７が加熱されて接着状態となる。これにより、導体パ
ターン５，３間のアウターリードボンディングがなされ
る。つまり、この接着状態をみると、半田のような融着
によるものではなく、ポリエステルフィルム１，４間士
の弾性力（弾性パッケージ圧）を利用して接着面７が接
触しているといえる。この結果、ポリエステルフィルム
基板４上の導体パターン５には一般にＴＴ○膜やアルミ
ニウム膜が用いられるが、このような制約、従ってニッ
ケル膜を付加する等の制約を受けることなく、低コスト
にしてＬ Ｓ Ｉチップ２を実装できることになる。
ップ２を熱可塑性フィルム基板としてのポリエステルフ
ィルム基板４上に実装するというものである。このポリ
エステルフィルム基板４はその表面に予め配線としての
導体パターン５が形成されたもので、まず、第２図に示
すようにこれらの導体パターン５．３が対応するように
位置合わせをする。そして、加熱加圧治具６を用いて加
熱及び加圧処理を行なう。この時の加熱温度は２００〜
２５０℃、加圧圧力は２０〜５０ｋｇ／ｃＩＴＩ程度で
ある。これにより、加熱・加圧前の第３図（ａ）に示す
状態から同図（ｂ）に示すような状態となってポリエス
テルフィルム１とポリエステルフィルム基板４との接着
面７が加熱されて接着状態となる。これにより、導体パ
ターン５，３間のアウターリードボンディングがなされ
る。つまり、この接着状態をみると、半田のような融着
によるものではなく、ポリエステルフィルム１，４間士
の弾性力（弾性パッケージ圧）を利用して接着面７が接
触しているといえる。この結果、ポリエステルフィルム
基板４上の導体パターン５には一般にＴＴ○膜やアルミ
ニウム膜が用いられるが、このような制約、従ってニッ
ケル膜を付加する等の制約を受けることなく、低コスト
にしてＬ Ｓ Ｉチップ２を実装できることになる。
なお、本実施例では熱可塑性フィルムとしてポリエステ
ルフィルムを用いたが、これに限らず、要は熱可塑性を
有するフィルムであればよい。又、接着面７が所定の温
度となるように加熱加圧治具６のヒータにより加熱する
ようにしたが、パルス加熱方式によりヒータにパルス電
圧を流すことにより行なうようにしてもよい。
ルフィルムを用いたが、これに限らず、要は熱可塑性を
有するフィルムであればよい。又、接着面７が所定の温
度となるように加熱加圧治具６のヒータにより加熱する
ようにしたが、パルス加熱方式によりヒータにパルス電
圧を流すことにより行なうようにしてもよい。
効果
本発明は、上述したように熱可塑性フィルム基板上にフ
ィルム同士の弾性力を利用してこれらのフィルムを接着
させることにより、導体パターンと配線とを導通させて
実装するようにしたので、基板上の配線の導体材料の制
約を受けることなく、低コストで実装することができる
ものである。
ィルム同士の弾性力を利用してこれらのフィルムを接着
させることにより、導体パターンと配線とを導通させて
実装するようにしたので、基板上の配線の導体材料の制
約を受けることなく、低コストで実装することができる
ものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図はインナ
ーリードボンディングされた状態の平面図、第２図は位
置合わせ状態の縦断正面図、第３図（ａ）、（ｂ）は接
着処理工程を拡大して示す縦断側面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（熱可塑性フィルム）、
２・・・Ｌ Ｓ Ｉチップ、３・・・導体パターン、４
・・・ポリエステルフィルム基板（熱可塑性フィルム基
板）、５・・・導体パターン（配線）
ーリードボンディングされた状態の平面図、第２図は位
置合わせ状態の縦断正面図、第３図（ａ）、（ｂ）は接
着処理工程を拡大して示す縦断側面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（熱可塑性フィルム）、
２・・・Ｌ Ｓ Ｉチップ、３・・・導体パターン、４
・・・ポリエステルフィルム基板（熱可塑性フィルム基
板）、５・・・導体パターン（配線）
Claims (1)
- フィルムキャリア方式によりＬＳＩチップと導体パター
ンとが予めインナーリードボンディングされた熱可塑性
フィルムを、配線が形成された熱可塑性フィルム基板上
に位置合わせした後、加熱及び加圧して前記熱可塑性フ
ィルム同士を接着してアウターリードボンディングする
ことを特徴とするＬＳＩチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267638A JPS62126645A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | Ｌｓｉチツプ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267638A JPS62126645A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | Ｌｓｉチツプ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126645A true JPS62126645A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17447447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267638A Pending JPS62126645A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | Ｌｓｉチツプ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62126645A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4314887A1 (de) * | 1992-05-06 | 1993-11-11 | Tochigi Fuji Sangyo Kk | Differentialvorrichtung |
| US5713812A (en) * | 1995-09-19 | 1998-02-03 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5728024A (en) * | 1995-03-16 | 1998-03-17 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5728025A (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-17 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5749803A (en) * | 1995-09-13 | 1998-05-12 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267638A patent/JPS62126645A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4314887A1 (de) * | 1992-05-06 | 1993-11-11 | Tochigi Fuji Sangyo Kk | Differentialvorrichtung |
| US5366421A (en) * | 1992-05-06 | 1994-11-22 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| DE4314887C2 (de) * | 1992-05-06 | 1999-02-04 | Tochigi Fuji Sangyo Kk | Kegelrad-Differenzialgetriebe |
| US5728024A (en) * | 1995-03-16 | 1998-03-17 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5728025A (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-17 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5749803A (en) * | 1995-09-13 | 1998-05-12 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
| US5713812A (en) * | 1995-09-19 | 1998-02-03 | Tochigi Fuji Sangyo Kabushiki Kaisha | Differential apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3625646B2 (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JPH0680703B2 (ja) | 半導体チップの基板への直接取付け法 | |
| JPH0394459A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62126645A (ja) | Ｌｓｉチツプ実装方法 | |
| JPS601849A (ja) | 電子部品の接続方法 | |
| JPS5835935A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20020072151A1 (en) | Method of producing mounting structure and mounting structure produced by the same | |
| KR940027134A (ko) | 반도체집적회로장치의 제조방법 | |
| JPS62169433A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05136146A (ja) | 半導体装置の電極と検査方法 | |
| JPH04212277A (ja) | プリント配線板への端子の接続法 | |
| JPS62126646A (ja) | Ｌｓｉチツプ実装方法 | |
| JP2803211B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 | |
| JPH0888248A (ja) | フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料 | |
| JPH03129745A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP3472342B2 (ja) | 半導体装置の実装体の製造方法 | |
| JP3255796B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP2004253529A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01226162A (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
| JPS63122135A (ja) | 半導体チツプの電気的接続方法 | |
| JPH0385741A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60120588A (ja) | 印刷配線板 | |
| JP2879159B2 (ja) | 電気的接続部材及び金属バンプの形成方法 | |
| JP3265316B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000228457A (ja) | 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア |