JPS62192584A - 錯体を含むポリマ−及びポリマ−表面の活性化法、基材への金属付着法及び基材表面への金属原型又は導電パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、溶解したジベンザルアセトンパラジウム錯体
を含むポリマー組成物に、電流なしに基材表面上に金属
を付着させる方法に、並びに基材表面上に金楓被機表面
又は導電パターン（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｃｏｎ
ａｕｃｔｉｖｅ　ｐａｔｔｅｒｎｓ　）　ｉ形成するた
めの上記ポリマー組成物の使用に関する。

〔従来の技術１発明が解決しようとする問題点〕パラジ
ウム、トリフェニルホスフィツト及び炭素原子数３ない
し１６のオレフィン性又はアセチレン性不飽和有機化合
物からなる錯体の溶液、或はジベンザルアセトンパラジ
ウム錯体の溶液は、金属、酸化金属及びプラスチックの
ような基材上に電流無しに金属を付４　（ｄｅρｏｓ＋
ｔｉｏｎ）させるのに使用できることが米国４ｊ　′＃
Ｆ＠５９９ｓＢ０７号により知られているｏ４ｉｉ覆さ
れる基材はパラジウム錯体の好１しくはベンゼンまたは
トルエン溶液に１度又はそれ以上浸漬され、そして１０
０〜３００℃に加熱されることによりパラジウムは基材
表面に付着する。そのように被覆された基材は電流無し
に金属を付着させるのに〕Ａしている。しかしながら金
属被覆（ｍｅｔａｌｌ＋５ａｔｔｏｎ　）される基材を
活性化浴で前処理する場合に、これは問題（不十分な架
橋、表面の膨＠）となるであろう。

ポリマーと有機金属化合物の混合物は、公開された欧州
特許出願第１２５６１７号中に記載されている。Ｐｄ（
Ｉｔ）錯体については記述されているが、ｐｄＯ錯体、
例えばジベンザルアセトンパラジウム錯体については記
載されていない。

Ｐｄ金属は上記Ｐｄ（ＩＩ）錯体から、還元によるか相
対的に高い温度に加熱するかのいずれかにより付着させ
ることができる。公開された欧州特許出願第１２５６１
７号によると、得られた熱活性化ポリマー表面は電流な
しに金属を付着させるのに適している。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、 ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及びｌ））前記ポ
リマーに均質にｉ＠屏されるがそこでは共重合Ｐ！：を
示さない次式■゛ 〔式中、 凡ｌは水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基
、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置換
もしくは置換されたフェニル基を表わし、 几２はＢｉで定義した意味の一つを表わすか。

或はまたアミン基、ニトロ基又はシアン基、＋Ｏ−Ｃｍ
Ｈ，ｍ−）、すＩｔ４又は−（Ｊ　−ＣＨ２−ＣＨ−Ｑ
Ｒ４−ＣＨ２−０Ｒ５基或はハロゲン原子又はグリシジ
ルエーテル基を表わし、 ＩＬＩは水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル
基を表わすか、或は二つのＩｔ３が一緒になって炭素原
子数２ない（７４のポリメチレン鎖？形成し、。

几４及びル５はＩＬＩで定義した意味の一つを表わし。

ｑは１ないし５．５の値を表わし。

ｍは２ないし６の値を表わし。

ｎは０ないし２０のＩｌＮを表わす１ で表わされるジベンザルアセトンパラシウム列体を含む
組成物でろって、オレフィン性二宣結＠−を有するポリ
マーを含１ない組成物に関する。

Ｋｌ　、　ＬＬ’　、　Ｒ４及び几５のアルキル基及び
アルコキシ基は直鎖状または分枝鎖状の基、例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル羞、インプル基。

ｎ−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基。

ｎ−ペンチル基、ローヘギシル基、ｎ−へブチ”　Ｎ、
　　ｎ　−オクチル基、２−エチルヘキソル基、ｎ−デ
シル基、１１−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、　　
ＩＩ−ヘキサデシル基又はｎ−オクタデシル基、並びに
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、インプロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、第二ブトキシ基、第三ブト
キン基、べブトキシ基又はヘキンキシ基であっテヨイ。

Ｂ、ｔ　、　Ｈ，ｘ　、　Ｒ，４及びＲ５の置換フェニ
ル基は非極性置換基１例えば炭素原子数１ないし４のア
ルキル基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を有
し、好ましい置換基はメチル基、エチル基又はメトキシ
基である。

３１、几２　、　Ｉｔ４及び役の好ましい置換フェニル
基の例としては、ｏ−、ｍ−又はｐ−トリル基、０−９
ｍ−又はｐ−メトキシフェニルＭ或１ｆｉ　２　、３−
　。

２．４−．２．５−、．２．６−又は６．５−ジメチル
フェニル基が挙げられる。

＋Ｑ−Ｃｍ）１．ｍ−）ｏ（ＪＲ４基中１ｍは２ないし
４の値が好筐しく、そしでｎは好筐しくは０ないし１０
％　最も好１しくは０ないし６である。

ＣｍＨ２１ｎ基はエチレン基、１．２−又は１．３−プ
ロピレン基、又は１．４−ブチレン基であるのが好まし
い。

ハロゲン原子としては凡Ｚは７７ン原子、塩素原子、臭
素原子又はヨウ素原子であってよく。

Ｒ２の好ましいハロゲン原子は塩素原子及び臭素原子で
あり、塩素原子が最も好ましい。

グリシジルエーテル基としてのｌ（＋１は次式１１：〔
式中、几６及びｋＬｅは水素原子全表わし、その場合ル
アは水素原子又はメチル基を表わすか、或はル６及びｉ
ｔａは一緒になって一〇Ｈ２−ＣＨｚ−１−表わし、そ
の場合ルアは水素原子を表わす〕で表わされる基が好ま
しい。

グリシジルエーテル基としてのＲ２は次式■：で表わさ
れる基であるのが最も好ましい。

炭素原子ｃｉ１ないし４のアルキル基としてのＨ，ｓは
直鎖状の例えばメチル基、エチル基、プロピル基又はブ
チル基であるのが好ましく、メチル基が特に好ましい。

几３は好ましくは水素原子である。

もしｌ（，３の両層が一緒になって炭素原子数２ないし
４のポリメチレン鎖を形成する場合には該鎖は例えばエ
チレン基、トリメチレン基又はテトラメチレン基である
。

几４及び几５は水素原子であるのが好ましい。

式Ｉで表わされる化合物はまた混合物の形で存在しても
よく、その場合おのおの符ｇｑは異なる意味を有してよ
い。好ましくは、ｑは２ないし五５の値である。

好筐しい組成物は、凡ｌが水素原子を表し、ｌいが炭素
原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし
４のアルコキシ基、）・ロゲノ原子又はグリシジルエー
テル基を表わし　Ｒ３が水素原子を表わし、そしてｑが
２ないし五５の１直を表わす前記式夏の化合物を含むも
のである。

特に好ましい組成物は、ｌ（，１が水素原子を表わし、
ル冨が炭素原子数１ないし５のアルキル基、好ましくは
イソプロピル基を表わし、Ｒ３が水素原子を表わしそし
てｑが２ないし五５の値を表わす式Ｉの化合物を含むも
のである。

各１（，２基ｐ−位にあるのが好ましい。

驚ろくべきことに１式■で表わされるパラジウム錯体は
多くの市販ポリマ中に高濃度で溶解することができる。

それらポリマーは有機溶媒にｔ５Ｊ溶性或は不溶性のい
ずれかであろうし、即ちそれらポリマーは線状或は架橋
状であろう。

しかしながら架橋ポリマーの前躯体は有機溶媒に溶けな
ければならない。

式！で表わされるパラジウム錯体を分解しない溶媒が用
いられ非慣性（ａｐｏｌａｒ　）有機溶媒が好ましい。

そのような溶媒の例としては脂肪族又は芳香族炭化水累
加、例えばｎ−へキサン、ｎ−へブタン、シクロヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン又はキシレン；エーテル頑１例
えばジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチルエーテル、ジフ
ェニルニーｆル、１．４−ジオキサン、アニンール、テ
トラヒドロフラン、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールジメチルニーｆル又ハトリエ
チレングリコールジメチルエーテル；ハロゲン化炭化水
素類１例えば四塩化炭素、　／クロベンゼン。ブロモベ
ンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン又は１．２−ジ
クロロエタ／；ケトン類、例えばシクロヘキサノン、メ
チルエチルケトン、アセトフェノン又はアセトン：並ヒ
にエステル類１例えばエチルアセテートが挙げられる。

好ましい組成物は、成分ａ）として有機溶媒に溶解性の
、ポリマー又はポリマー混合物を含むものである。

それぞれのポリマーは、もしそれらが関連溶媒に室温で
少なくとも１１１９／ｌ、好ましくは少なくとも１０■
／Ｉ！の濃度で溶解する場合には溶解性があるものとみ
なす。

広範囲の異なる種類の化合物又は該化合物の混合物は、
前記で定義したものに該当する場合に、ポリマー基材と
して用いることができる。

９０℃以上のガラス転移温度を有するポリマ−が好まし
い。

本発明混合物中のポリマー成分は、オレフィン性二重結
合又は共役非芳香性二重結合系を有しないものでなけれ
ばならない。

もしポリマー成分がパラジウム錯体／プレポリマー混合
物の製造後に行なわれる架橋反応のための架橋可能な基
全含む場合には、続く架橋工程中でポリマーマトリ−ｌ
クスに混入されないパラジウム錯体が選ばれる。

使用に適するポリマーの種類の列としては以下のものが
革げられる。

１、　モノオレフィン及びジオレフィンからｓ導嘔れる
ポリマー、例えば場合により架橋していてもよいポリエ
チレン、ポリプロピレン。

ポリイノブチレン、ポリブテン−１、ポリメチルペンテ
ン−１，ｆｉび［シｐ　Ｏ、＋Ｐ　Ｌ／　フィン例えば
シクロベンテンもしくはノルボルネンのポリマー。

２．１）で示したポリマーの混付物、例えばポリプロピ
レンおよびポリイソブチレンの混合物。

＆　モノオレフィンおよびジ−オレフィン同士または他
のビニルモノマーとのコボＩＪ−７−、タトエハ、エチ
レン／プロピレンコポリマー。

プロピレン／ブテン−１コポリマー、フロピレン／イン
ブチレンコポリマー、エチレン／ブテン−１コポリマー
、エチレン／アルキルアクリレートコポリマー、エチレ
ン／アルキルメタクリレートコポリマー、エチレン／ビ
ニルアセテートコポリマー。

４、　ポリスチレン、ポリ−（ｐ−メチルスチレン）。

ｉ　スチレンまたはα−メチルスチレンとジエンまたは
アクリル誘導体とのコポリマー、たとえばスチレン／ア
クリロニトリル、スチレン／アルキルメタクリレート、
スチレン／マレイン酸無水物またはスチレン／アクリロ
ニトリル／メチルアクリレート：スチレンコポリマーと
他のポリマー、たとえばポリアクリレートから得られる
耐衝堪性樹脂混合物；さらに１だスチレンのブロックコ
ポリマー、たとえば、スチレン／ブタジェン／スチレン
。

またはスチレン／エチレン／プロピレン／スチレン。

＆　スチレンのグラフトコポリマー、たとえば。

スチレンおよびアクリロニトリルの結合したポリアルキ
ルアクリレートもしくはポリアルキルメタクリレート。

２　ハロゲン含有ポリマー、たとえばポリクロロプレン
、塩素化もしくはクロロスルホン化ポリエチレン、エビ
クロロヒドリンのホモ及びコポリマー、特にハロゲン含
有ビニル化合物から得られるポリマー、たとえば、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリマーｌ化ビニル
管たけポリマ・・ノ化ビニリデン：ならびにこれらのコ
ポリマー、たとえば塩化ビニル／塩化ビニリデン、塩化
ビニル／酢酸ビニルまたは塩化ビニリチン／酢酸ビニル
コポリマー；並びに塩素化ゴム。

ａ　α、β−不飽゛＋口酸およびその誘導体から透導さ
れるポリマー、たとえばポリアクリレート、ポリメタク
リレートおよびポリアクリロニトリル。

９．８）に挙げたモノマー同士のコポリマーまたは８）
に挙げたモノマーと他の不飽和モノマーとのコポリマー
、たとえば、アクリロニトリル／アルキルアクリレート
コポリマー、アクリロニトリル／アルコキシアルキルア
クリレートコポリマーまたはアクリロニトリル／ハロゲ
ン化ビニルコポリマー。

１α環状エーテルのホモポリマーおよびコポリマー、　
た、！：、ｔばポリアルキレングリコール、ポリエチレ
ンオキシド、ポリプロピレンオキシドまたはこれらとビ
ス−グリシジルエーテルとのコポリマー。

１１、ポリフェニレンオキシドおよびポリフェニレンス
ルフィド、並びにポリフェニレンオキシドとポリスチレ
ンの混合物。

１２、ボリイばド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
イばドおよびポリベンズイミダゾール。

１五　ジカルボン酸およびジアルコールから、および／
またはヒドロキシカルボン酸または相当するラクトンか
ら誘導されるポリエステル、たとえば、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ−１
，４−ジメチロールシクロヘキサンテレフタレート。

およびポリヒドロキシベンゾエート、ナラヒに末端水酸
基をもつポリエーテルから誘導されるブロックポリエー
テル−エステル。

１４、ポリカーボネート。

１５、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン並ヒにポリ
エーテルケトン。

１６、一方の成分としてアルデヒド、他方の成分として
フェノールから誘導された架橋ポリマー又は架橋性ポリ
マー、例えばフェノール／ホルムアルデヒド樹１指。

１７、不乾性アルキド樹脂。

１ａ［換アクリルエステル、例えばエポキシ基を含むポ
リアクリレートから誘導される架橋性アクリル樹脂。

１９　　架橋剤としてエポキシ樹脂が混合されたアルキ
ド樹脂、ポリエステル樹脂またはアクリレート樹脂。

２α　ポリエポキシド、例えばビス−グリシジルエーテ
ルまたは脂環式ジエボキシドから誘導される架橋−又は
架橋性エポキシ樹脂、ならびに線状エポキシ樹脂、たと
えばビスフェノールＡをベースとするもの。

２１、天然のポリマーを重合同族体として化学変性した
誘導体、たとえば、酢酸セルロース。

プロピオン酸セルロース、セルロースブチレート並びに
セルロースエーテル、たとえばメチルセルロース。

２２、上記のポリマーの混＠−物（ポリブレンド）、例
、ｔハＰＶｃ／ＥＶＡ０ 好ましい組成物は、その中の成分ａ）が有情溶媒に溶け
るポリマー又はポリマー混合物であるものである。

特に好ましい組成物は、その中のポリマーがポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリアリ−レ
ート及び有機溶媒に溶けるボリイばドからなる群より選
択されたものである。

本発明組成物は同様に成分ａ）として架橋ポリマー又は
架橋性ポリマー、例えばエポキシ樹脂を含んでもよい。

そのような場合１重合体の主鎖に組込まれることなく単
にそこに溶解して残るパラジウム錯体が選択されるべき
である。

従って本発明は好１しくは、その中の成分ａ）がエポキ
シ樹脂である上記定義の組成物に関するものである。

架橋基材を形成させるのに適するエポキシ樹脂の例およ
びそのような樹脂用の硬化剤の例は「ウルマルス、エン
ツイクロベデイ、デル、テヒ＝−／　’／　エフ、　　
ヒｘミー（Ｕｌｌｍａｎｎｓ　Ｅｎｚｙｋｌｏｐｌ−ｄ
ｉｅ　ｄｅｒ　ｔｅｃｈｎｉｓｈｅｎ　Ｃｈｅｒｎｉｅ
　／ウル？　７　（Ｄ工ＪＥ化学百科辞典）」第１０巻
、第５３６〜５８０頁〔第４版、化学出版（Ｖｅｒｌａ
ｇ　Ｃｈｅｍｉｅ　）　、　　グ了イ／ハイム／ヘルグ
ストラーセ（Ｗｅｉｎｈｅｉｍ　／Ｂｅｒｇｓｔｒａｓ
ｓｅ　）　：　１９７５年〕中に見い出すことができる
。

原則として１本発明組成物中の式■で表わされるジベン
ザルアセトンパラジウム錯体の配合割合は、全混合物に
基づいて（Ｌｌないし２５重量パーセント、好ましくは
α５ないし１０重量％である。

本発明組成物はまた、エポキシ樹脂の技術分野で通常使
用されている他の添加剤を含んでよい。そのような添加
剤の例としては、顔料、染料、ガラス繊維のような強化
材、＃ｌ燃剤、帯電防止剤、流れ調整剤、　１１１１Ｍ
剤、定着剤、抗酸化剤及び光安定剤が挙げられる。

他の慣用の添カロ剤に加えて１本兄明混合物はまた導［
性充填剤Ｃ）を、成分ａ）ないしＣ）の合計１に１００
重量％とする混合物の熱重量に基づき。

１−９０重量％、好ましくは４０ないし８０夏量易含ん
でもよい。適当な導電性充填剤は有機質又は無機質のも
の１例えばカーボンブラック及びグラファイト又は周期
表ｙｂ、■ｂ、■及び！ｂ族の金属、合金及びそれらの
ハライド、オキシド及びスルフィドの如き塩である。

適当な金属及び金属化合物の例は次の通りである；バナ
ジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン
、銅、またＰｔ、Ｐｄ、Ａｇ及びＡｕのような貴金属、
　ＡｇＰｄ合金、酸化銀、ヨウ化銀、硫化鋼（１０，ヨ
ウ化鋼（■）、酸化鋼（■）。

臭化金［相］、ヨウ化金［相］および酸化金■、硫化モ
リブデン動、塩化ニオブωおよび酸化ニオブ■、ヨウ化
パラジウム、酸化パラジウム、臭化白金（■および塩化
白金（■、塩化バナジウム［相］、酸化バナジウム■、
塩化タングステン（■および酸化タングステン（■。好
筐しい金属は銀、鋼、銀／パラジウム合金、パラジウム
、プラチナ、金。

タングステン及びモリブデンである。特に好ましい金属
はＡｕ　、　Ｐｔ　、　Ａｇｅｄで、Ａｇ及びＣｕ粉末
が最も好ましい。

本発明のｍ酸物は、ポリマー又は適当な架橋剤？加えた
架橋性ポリマー前駆体及び錯体を共同して溶解し、次い
で得られた溶液をそれ自体公知の方法でフィルムへと加
工するか父は該溶液を適当な基材に適用し、そして所望
により硬化式せることにより簡単な方法で製造すること
ができる。

適当な基材は、好ましくは非導電性の慣用成形物質であ
る。そのような物質の例として、紙、木、ガラス、セラ
ミーノクス、例えばシリコン、ゲルマニウム又はガリウ
ム砒化物のような半導体、及び荷にはプラスチック、好
ましくは硬化エポキシ樹脂が挙げられる。

金属基材１例えばアルハ＝ウム又は鋼もまた勿論２水晶
合物で被徨できる。

基材は慣用方法１例えば浸漬法、塗布法又は噴絣、法に
より、或は遠心コーティング、カスケードコーチインク
又はフローコーティンクニょシ被覆される。

しかしながら、シートは本発明混合物がら流延１せるこ
とができ、続いて適当な基材に接着される。

ポリマー、又はその架橋性前駆体、及び前記式■で表わ
される錯体は共同して溶媒中に溶解される。異なる溶媒
の混合物を用いることも、或はポリマー又はその架橋性
前駆体の別途溶液と異種溶媒中の錯体を用いることも可
能である。

混合溶媒の選択は、用いられるそれぞれのポリマー及び
錯体に左右され、当業者の日常的試験に基づき決定する
ことができる。

塗膜の密着性を改良するために、溶液に定着剤を加えて
もよい。定着剤として例えば線状溶解性ポリエポキシド
を用いることができる。

ポリマー又はポリマー混合物および前記式■で表わ烙れ
るパラジウム錯体の選択は各成分の互いの溶解性に左右
でれ、同様に当業者の日常的試験に基づき決定すること
ができる。

前記式Ｉで表わされる化合物は、次式■。

で表わきれる化合物ｑモルと溶解性パラジウム塩を、塩
基および所望により水素供与体の存在下で反応させるこ
とによる。それ自体公知〔例えばジャーナル、オプ、ケ
ミカル、ンサイエテ４　（Ｊ、ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）　
Ｄ　１９７０．１０６５頁及び米国特許第４３４７２５
２号参照〕の方法にょシ製造することができる。几１　
＝　Ｒ２、Ｒ３及びｑは前記式Ｉで定義した通りの意Ｉ
Ｊｔｔ表わす。

適当な塩基の例としては脂肪族モノカルボン酸のアルカ
リ金属塩、特には酢酸カリウム及び酢酸ナトリウムが挙
げられる。適当なパラジウム塩の例としてはＰｄＢｒ、
　、　ＰｄＣ１！を及びＮ　ａ　２　Ｐ　ｄ　Ｃｌ　４
が挙げられ、Ｎ３２ＰｄＣｌ！４が特に好ましく、Ｐｄ
Ｃｌ　２が最も好ましい。反応は、同時に水素供与体と
して作用する有ｍ６媒中で都合よく行なわれる。

適当な溶媒の例としては６個１での炭素原子を含むアル
カノールが挙げられ、エタノールが好１しく、メタノー
ルが最も好ましい。

前記式■で表わされる化合物はそれ自体公知の方法、例
えば米国特、ｆＦ第３２９５９７４　号明細書に記載さ
れている方法と同様な方法により製造することができる
。

本発明の組成物はプラスチックの無１！流金属被覆（ｍ
ｅｔａｌｌｉｚａｒｉｏｎ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｃｕｒｒ
ｅｎｔ　）に、又はプラスチック上への構造金属表面（
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｍｅｔａｌ　５ｕｒｆａｃｅｓ　
）の製造に用いることができる。

金属化のための表面の前処理（活性浴、還元浴）が不要
であること、複相表面上に金属を付着させることができ
ること１式Ｉで表わされる錯体はポリマーを攻城する攻
撃的成分を含んでいないこと、及びプラスチック表面に
無電流金属被覆を行なうためには式Ｉで表わされる錯体
は相対的に少量ですら充分であることが特に利点として
注目されるべきである。

電流無しに金属を付着させるための組成物の活性化は温
度を１００℃以上に、好ましくは１００１ないし２５０
℃の温度範囲に、特に好ましくは１５０′ないし２００
℃に筐で刀口熱することにより行なわれる。加熱は例え
ばそのサンプルを調質（ｔｅｍｐｅｒｉｎｇ　）するこ
とにより、或はそれを赤外線放射源１例えばＩルレーザ
ーで又は化学線照射源（例えばキセノンランプ、アルゴ
ンランプ、タングステンランプ、カーボンアーク、メタ
ルハライドランプ及び水銀燈のようなメタルアークラン
プ）の赤外線部分で照射することにより行なうことがで
きる。

ば温度処理は、＠細に分散した触媒的に活性なパラジウ
ムを分離させる原因となる。

赤外線放射源による照射は画像状に１例えば表面上に誘
褥されるレーザビームにより行なうことができる。

温度によって、調質工程は１ないし６０分間続けてよい
；鳶ろくべきことに調質時間は非常に短い、調質工程中
１式ｌで表わされるパラジウム錯体は次の反応式に従い
分解する（　ＤＢＡ−＝ジベンザルアセトンｓｅ体）： （ＤＢＡ　）　、Ｐｄ　−）５１ＪＢＡ　＋Ｐｄ”↓ 従って本発明はまた。

１）ポリマーに前記式ｌで表わされるパラジウム錯体を
溶かした溶液ｔ−基材に適用し或はは溶液から裏なしフ
ィルムを製造し、 １１）その調製物を１００ｔｌ：以上に加熱して。

そこで式Ｉで表わされる化合物を分解し、それにより微
細に分散した触媒的に活性なＰｄ″を分離させることか
らなる。無電流金属被覆のためのポリマー表面の活性化
方法にも関するものである。

このように形成されたＰｄ”果合体は触媒的に活性であ
り、そしてポリマー表面の無電流金属被覆（例えばニー
Ｉケルめっき又は銅めっき）を。

例えば次の反応式に従い触媒する。

金属フィルムの密着性は筺れでいる。電流無しに金属を
付肘嘔せることは、それ自体公知の金属化浴を用いて１
貫用方法により行なうことができる。適当な金属の例と
して、銅、ニッケル。

コバルト、＠、金および錫又はコバルト／リンおよびコ
バルト／ニッケル合金が挙げられる。

従って本発明はまた。上記したように（操作（１）及び
（１）により）ポリマー表面を活性化し、続けて …）、活性化されたポリマー表面を、それ自体公知の方
法により無電流金属被覆することからなる。ポリマー表
面へ金Ｗ４を１！流無しで付着させる方法にも関する。

もし基材表面上に金属原型（ｍｅｔａｌρａｔｔｅｒｎ
　）を作る場せには、スクリーンプリンティング（５ｃ
ｒｅｅｎ　ｐｒｉｎｔｉｎｇ　）又は選択？１１Ｊ　御
インク移送プリンティング（５ｅｌｅｃｔｉｖｅｌｙ　
ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｉｎｋ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｐ
ｒｉｎｔｉｎｇ　）　　によって基材に本発明の組成物
を構造型ワク（５ｔｒｕｃｔｕｒｅｃｉ　ｆｏｒｍ　）
中で適用するのが好都合である。適当なプリント工程は
例えば西独特許公開公報第５３２６５０８号に開示さ些
ている。

従って本発明はまた。

１）　上記で定義したような、錯体をポリマーに溶かし
た溶液を構造型ワク内で基材に適用し。

麺）　その調製物を１００　’Ｃ以上の温度に加熱し、
そこで式ｌで表わされる錯体全分解させることによすＷ
Ｌ細に分散し触媒的に活性なＰｄ″を遊離させ、そして １１１）活性化されたポリマー表面全それ自体公知の方
法によって無電流金属被覆を行なうことからなる金属原
型の装造方法にも関する。

構造化（５ｔｒｕｃｔｕｒ＋５ａｔｉｏｎ　）はフォト
レジストで行なってよい。このために、基材は公知方法
によりフォトレジストで被覆される。式Ｉで表で表さｔ
するパラジウム錯体はフォトレジスト中。

あるいけその真下のポリマー基材、好−ましくはポリマ
一層中のいずれに溶解してもよい。その調優物を化学線
で照射し、次いでフォトレジスト（ポジ型またはネガｍ
）全現像した後、そのサンプル全調装し、及び金属披慎
浴に９漬する。

それにより金属は構造化されたフォトレジスト上に又は
フォトレジストにより構造化されたポリマー基材−ヒに
付層する。

それ酸１本発明は壕だ、 １）上記で定義したような、ａ体をポリマーに溶かした
溶液を基材又は該？Ｂ液から製造された裏なしフィルム
に適用し、 １１）そのポリマーをポジ型又はネガ型のフォトレジス
トで破覆し、 １１１）該ｆＡ製物を予定パターンで化学線に露光させ Ｉｖ）　　そのフォトレジストヲ、それ自体公知の方法
で現像し。

■）その調製物を１００℃以上の温度にカロ熱し。

そこで上記式ｌで表わされる錯体を分解させることによ
り、畝細に分散し触媒的に活性なＰｄ’を遊１１を葛せ
、そして Ｖｌ　　表面の、もはやフォトレジストによって覆われ
ていない活性化部分に公知方法により無電流金属被覆を
行なうことからなる、ポリマー表面上への金属原型の形
成方法にも関する。

露光されたフォトレジストを予備硬化嘔せるために、調
質操作を操作（ｉｉｉ）と（１ｖ）の中間に行なっても
よいことは勿論である。適当なフォトレジストは当分野
で慣用されているような物質である。「フォトレジスト
」という語句はまたオレフィン性不飽和化合５ｉ！ＩＡ
をも含む。そのようなフォトレジストによる画像の形成
方法および選択された化合物の種類についての概説はバ
バス（Ｐ、　Ｓ、　Ｐａｐａｓ　）によるｒＵＶキ、７
す／グ：サイエス　アンドチクノロシイ（ＵＶ　Ｃｕｒ
ｉｎｇ　：　５ｃｉｅｎ−ｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ　）　Ｊ　第９章％　２３０〜２５５頁（１９
７５年）に示されている。

勿論、照射および現像操作により作られた構造が犬きく
歪みと起こすことなく調質されるようなフォトレジスト
を選択すべきである。そのような系は専問家には知られ
ており、或は日常的試験により選択することができる。

もし、式■で表わ嘔れる錯体を７オトレジストに溶解す
るという変形方法を採用する場合。

フォトレジストとしてはオレフィン性二恵結合のないポ
リマーを含む感光性ポリマー糸が選択される。この変形
方法によると、比較的少量のパラジウム化合物を用いて
も良い結果を得ることができる。この場合、露光及び調
賞段に触媒的に活性な表面全得るためには、ポリマー溶
液に基づいて概して１０重ｔＳ以下の式Ｉで表される錯
体で充分である。この変形方法では、ポリマー溶液に基
づき１式Ｉで表わされる錯体１ないし５ｉｉｆｉ易用い
るのが好ましい。

オレフィン性二１結合を有しないポリマーを含む感光性
ポリマー系の例としては、エポキシ樹脂及びカチオン性
重合の光重合開始剤（ρｈｏ−ｔｏ＋ｎ１ｔｉａｔｏｒ
ｓ　）の組合せを李げることができる。

このタイプの好ましい組合せは欧州特杼出頗公開＠１５
３９０４号に開示されている：これらの組合せはまた本
明細書の対象全溝底する。ビスフェノールＡｉベースと
する或ハフェノールノボラ７り又はクレゾールノボラ・
ツクをベースとするエポキシ！脂と、鉄−アレーン元Ｍ
ｆｔ　（ｉｄ始剤との組合せが時に好ましい。そのよう
な混合物も同様に欧州特許出・頭５１ｆＪ１５３９０４
号に開示されている＝ 更に本発明は、 １ｅａ）　　ポジ型又はネガ型フォトレジスト及びｂ）
前記で定義したように該フォトレジストに均質に溶解さ
れるが、そこでは共重合性を示さない式ｌで表わされる
ジベンザルアセトン錯体からなる、但し該フォトレジス
トがオレフィン性二重結合を有するポリマーを含まない
組成物を基材表面に適用し。

Ｉ）咳調夷物を予定パターンで化学線に露光させ １１１）そのフォトレジス）ｔ−１それ自体公知の方法
で現像し。

ｌｖ）　　その調製物を１００℃以上の温度に加熱し。

そこで上記式！で表わされる錯体を分解させることによ
り、＊ａに分赦し触媒的に活性なＰｄ＠を遊離させ、そ
して ｖｔ）　　フォトレジストで横われたＤ４製物の部分を
、それ自体公知の方法により無電流金属′４１１棟を行
なうことからなる、ポリマー表面上への金属原型の形成
方法にも関する。

この具体例において、真元されたフォトレジストを予備
硬化させるために、調質操作ｔ−操作（１）と（ｌｉｌ
）の間に行うこともできる。

「予定パターンで化学線に露光させる」というのは予定
パターン、例えば写真透明画（ｐｈｏ−１Ｏｇｒａｐｈ
ｉＣｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙ　）　′！ｌＩ−含むフ
ォトマスク（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　）　１１１：通して
ｉ光させルコと、並びに被覆された基材の表面に画ｉＩ
！を描くために理論制御されて動くレーザビームで露光
することの両方を意味する。

フォトレジス）ｔ−用いて画像を形成させる時は波長２
００〜６００１１１１の化学線を用いるのが好ましい。

適当な化学線の放射源はカーボンアーク、水銀蒸気ラン
プ、紫外線を放射するリン化合物を含む螢光ランプ、ア
ルゴングロウラ／ブ２キセノ／グロウランプ、タングス
テ７ランプ及び写真用溢光灯でおる。ｘ−線、電子ビー
ム及び高エネルギー放射線もまた用いられる。

選定されたフォトレジストの性質によって、適当な現像
剤が広範な種類の物質から選択されてよい。現像は例え
ば水で、塩基又は酸の水溶液又は水−有＋ＩＡ溶液で、
或は有哉溶媒又は溶媒混合物で行なうことができる。

更に本発明は、電流なしに金属を付着させるための、特
にはプラスチ−１り表面上に導電バター　ｙ　（ｅｌｅ
ｃｌｒ＋ｃａｌｌｙ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｐａｔｔ
ｅｌ’ｎｓ　）　　’２形成させるための１本発明混合
物の使用に関する。

本発明方法により高解像のパターンが得られる。

そのような製品は例えばプリント回路として用いること
ができる。

〔実施例］ 以下に実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。

激しく攪拌しながら、水６５ＩＬｌｒＣＮ化ナトリウム
１１１７ｇを入れた溶液中でＰｄＣｌ２１５　ｇを。

咳塩化パラジウムが完全に溶解するまで煮沸する。次い
で水を留置する。残漬をメタノール２００ｄ中に取って
該浴液を６０℃に加熱する。

ジベ／ザルアセトノ　ビス−ｐ　、　ｐ’−ジグリシジ
ルエーテル１０ａ９１９及び酢酸ナトリウム・３Ｈ，０
４２，８１を加え、続けて別にメタノール１７５−を加
える。更に６０℃に１５分間保った後、その混合物を冷
却する。アルゴンガス下で濾過することにより単離した
沈澱物をメタノール１００−で１度、水１００ｄで３度
、及びメタノール１００ｄで２度洗浄する。続いてその
生成物１に５０℃で減圧乾燥する。残存するジベンザル
アセトン　ビス−ｐ　、　ｐ’−ジグリシジルエーテル
を完全に除去するために、その結晶をメタノール７００
ｄＫ＠濁させて、アルゴンガス下で濾過により単離する
。続いて減圧乾燥することにより紫色結晶１０α７ｇが
得られる。

（理論値の９７％）。

分解範囲＝１２０〜１６０℃。分析ではｑは＆２の値を
示す。

この化合物を、米国特許第４．３４７．２３２号に従っ
て製造した。

ラム この化合物は、ジャーナル、オブ、ケミカルンサイエテ
ィ（Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓａｃ、）ｉ）１９７０，１０６員
に従って製造した。

応用実施例 実施レリ人 ＰＶＣ２１ＪｇをテトラヒドロフランｓｏｇｐｃＨ解し
、そしてテトラヒドロフラノ３０　ＦＩ　ＶＣ”Ａ施例
２で得られた錯体ａ、ｂｙを入れた溶液を加える。得ら
れた浴液を厚さ２００μｍのフィルムへとカロエする。

溶媒を蒸発させた後、そのフィルム全１７０Ｃで１５分
間調賞し、続けて市販の二・ンケルめっき液（５ＨＩＰ
ＬＥＹ　Ｎｔｐｏｓｉｔ■４６８又はに’Ｍ９８０）中
でニッケルｔ＊布する。　良好にｆ層したニッケル塗膜
が得らｆＬる。他のフィルム全市販の納めつき液（ＳＨ
ＩＰＬＥＹ　Ｃｕｐｏ−ｓｉｔ■ＣＰ７８又は３２８）
中に保つ。良好に密着した鋼塗膜が得られる。

次の金属被覆浴を用いると同様な結果が得られる。

ａ）鋼メッキ浴。浴組成は「プリンテッド、サーキット
、ハンドプ°シク（Ｐｒ１ｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔＨ
ａｎｄｂｏｏｋ　）　Ｊ　Ｈ２版、クームＸ’　９　（
Ｃ，Ｆ、　Ｃｏｏ−ｍｂｓ、　Ｊｒ、　ｅｔ　ａｌ　）
　、−７クグロウ、ヒル、ズック社（八１ｃ（ｊｒａｗ
　Ｈｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃｏ、）、　　二ｚ　−ヨーク
、１９７９年、第５〜７員にょる： Ｃｕ　５（Ｊ４−５Ｈ，０２５１１／　１グルコン戚ナ
トリウム　　　　６０　ｇ／ＩＮａ（ＪＨ２０ＥＩ／ｌ
！ ３７％ホルムアルデヒド水溶液　　２　ｓ　ｇ／ｅ戚索
ガス流下、操作温度：２Ｑ℃ ｂ）ニッケルめっき浴。浴組成はジャーナル。

オブ、アプライド　エレクトロケミストリー（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、）　　ｇ　１　巻（１
９ｙ　１年）第１６フ頁にょる： ＮｒＣ１２−６８，（Ｊ　　　　　　　　　３０　ｇ／
ｅＮａＨ２）’（Ｊ２−８４（Ｊ　　　　　　　　　１
０　Ｆｉ　／　ｌＮＨ４Ｃｌ　　　　　　　　　　　　
５０Ｆ／／１クエン酸ナトリウム・２　）ｉ、（Ｊ　　
　　８２．４　ｐ／ｌ：遣ｕＢなへ旦１一 実施例Ａに記載した手順に従う。実施何人ないしＥにお
ける操作条件全下記表に示す。各側において、良好に密
着したニッケル塗膜又は銅塗膜が得られる。

３）　実施せず 実施例Ｆ エポキシＷ脂シート（６０×４０×２ｔＩｒｌＲ）１ｉ
−１実施例Ｃに記載の組成物から作られるポリマーフィ
ルムで５０μｍの厚さに被覆する。　溶媒を蒸発させた
後、そのシー）ｉ１７０℃で６分間加熱し１次いで実施
例Ａに記載されているニーｔケルめっき液の１種に浸漬
する。被覆てれた樹脂の表面上に、良く密着するニッケ
ルフィルムが形成する。

実施例Ｇ 実施例Ｆに記載の手順を繰り返す。基材はガラスシート
である。

実施例）ｌ 実施例Ｆに記載の手順を繰り返す。基材はアルミニウム
シートである。

実施例１ １．２−ジクロロエタン２０ｇに線状ポリエポキシド９
５ｇを加えた溶液に、実施例１で得　′られた錯体ｌ１
２ｓｐ？ｆｆｉ解する。得られた溶液から作られる５０
μｍ厚さのポリマーフィルムでエポキシ樹脂シート（６
０×４０×２簡）を被覆する。溶媒を蒸発させた後、そ
の被覆されたエポキシ樹脂シートを１７０℃で６分間加
熱し、次いで実施例Ａに記載されているニッケルめっき
浴の一種に浸漬する。良好に密着するニッケルフィルム
が、被覆された樹脂表面上に得られる。

吻）　ポリエポキシドは、ビスフェノールＡｔ−ベース
とするジグリシジルエーテル（エポキシド１ｌｆｉ：り
、３価ん１とベンジルアミンとの。

モル比１：１からなる線状付加コポリマーである。該ポ
リエポキシドは、「ジャーナル、オブ、ポリマー、ザイ
エンス、ポリマー化学＠　（Ｊ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｃ
ｔ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｃｈｅｍ、　ｇｄ、　）　Ｊ２２
．２４９貞（１９８４年）に記載されている方法により
製造される。

実施例−Ａ− 実施例１で得られた錯体α５ｇ、実施何重で用いた線状
ポリエポキシドα５ｇ及びマクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏ
ｎ■：実施例Ｃ参ｓｉαＱｌ／ｆ１゜２−ジクロロエタ
ン７０ｇ中に溶解する。得られた溶液で、実施例Ｉに記
載したようにエポキシ樹脂シートを処理する。良好に密
着するニーｌケルフィルムが、被覆された樹脂表面上に
得られる。

ＪＬＩ！ＬＫ− ビスフェノールＡ？：ベースとするジグリシジルエーテ
ル（エポキシド価：５．２５〜５．４価／紛）　　１１
．２　ｆｉ　（５ｉ０重１優）、　ヘキサヒドロフター
ル酸無水物７．Ｂ１１（５９，０重量％）及び実施例２
の錯体１．０ｐ（ａｏ０重量％を９０℃で１５分間混合
する。次いでベンジルジメチルアミンα０６ｊｌを促進
剤として加える。更に９０℃に５分間保った後、該混合
物を予め１００℃に加熱した成形型に注ぐ。それから該
混合物を１００℃で４時間及び更に１２０℃で４時間か
けて硬化させる。脱型後、成形品を２４０℃で２時間に
わたり調質し、その後市販ニッケルめっき浴（５ｈｉｐ
ｌｅｙ　Ｎ１ｐｏｓｉ翫４６８又はＮ１ｐｏｓ１ｔ■Ｐ
Ｍ９８０）中でニー／ヶＡ［ａｔする〇密層性の良いニ
ッケル被膜が得られる。

またニッケルめっきは、実施例Ａに記載したニッケルめ
っき浴を用いても行なうことができる。匹適する結果が
得られる。

実施例Ｌ ビスフェノールＡｉベースとするジグリシジルエーテル
（エポキシド価：５．２５〜５．４１曲／　ｋｖ　）２
２、ａｇ（５０，８重世％）、ヘキサヒドロフタール酸
無水物１５．４　ｇ（５４，９ｉｔ％ン　及び実施例３
の錯体６−３ｇ（１４，３ｉｔｌを９０℃　で１５分間
混合する。次いでベンジルジメチルアミノ１．　Ｏｆｌ
　ｆ促進剤として加える。更に９０℃で５分間保った後
、該混合物を予め１００℃に加熱した成形型に注ぐ。そ
れから該混合物を１００℃で４時間及び更に１２０℃で
４時間かけて硬化嘔せる。脱型後、成形品を２４０℃で
１時間かけて調質し、その後市販のニッケルめっき浴（
５ｈｉｐｌｅｙ　Ｎ１ｐｏｓｉｔ”　４６８５１　ｎ　
Ｎ＋ｐｏｓｉｔ■ＰＭ９８０）中でニッケル被覆する。

　密着性の良い二・・Ｉケル破膜が得られる。

実施例Ａに記載したニッケルめっき浴を用いても１匹適
する程の好結果でニッケルめっき２行なうことができる
。

実施例Ｍ トリス（ｐ、ｐ’−ジインプロビルジベンザルアセト／
）パラジウムＱ、２５ｇ及びポリスチレンＱ、２ｇをト
ルエン２０ｄ中に溶解する。この溶液は、改良された印
１１１へラド１）ヲ備えたヒーーレットーパッカード社
の「スインクジエツト」プリンター（）ｌｅｗｌｅｔｔ
　−Ｐａｃｋａｒｄ　”　Ｔｈ１ｎｋｊｅｔ　’ｐｒｉ
ｎｔｅｒ　）　　のプリント用インクとして用いる。

このプリンターを用い透明シート上に通常の複写器（Ｆ
ｏｌｅｘ　（！′）Ｘ　−１，００）　　用のテキスト
全書く。

それから該シートを１７０℃で１５分間調質する。その
後、実施例Ａに記載したニッケルめっき浴の一種に８！
漬する（１５分間）。

シートに良好に密着するニッケル塗膜が、印刷面上に得
られる。

・）有機溶媒に対する耐性を増加１せるためにインク貯
蔵容器がアルミニウムで製作すれている。更に全てのボ
ンドがＡｒａｌｄｉｔｅ（りを用“°て作られており、
これもまた溶媒耐性を示す。

実施例Ｎ ジクロロエタン１５ＩＩｌに実施例２の錯体１１５ｇを
溶かした溶液を、工業用エポキシクレゾールノボラック
（エポキシド含有量４．５価／　ｋＷ　）１２ｏｉ１を
部、工業用ビスフェノール人エポキシ樹脂（エポキシド
含有量０．５価／ｋｆ）５０重量部、タルク２０重量部
、　イルガリス　グリ−ｙ　（ｉｒｇａｌｔｔｈ　（Ｊ
ｒｅｅｎ　）　１重量部、（η６−スチルベン）（η５
−シクロベ／タジェニル）鉄＜ｉｆ）ヘキサフルオロホ
スフェート２重量部およびシクロヘキサノン２００ｉｉ
部からなるフォトレジスト２０ｇに加え、そのバッチを
徹底的に攪拌する。得られた混合物全ガラスプレート（
２００ｘ　ｊ　ＯＯＸ　４　ｍ　）上に、７０μｍドク
ターナイフテ塗布する。このように適用したフォトレジ
ストを８０℃で１時間乾燥する。構造化のために。

該フォトレジストをマスクを通して４元しくｓｏｏｏｗ
水銀高圧ランプＨうｒｎｅｒ　Ｍ　０６１　）。

１３５℃で２０分かけて硬化し、その後シクロヘキサノ
ンＶＣ１分半浸漬して現像する。Ｐｄ”の付着のために
、その被覆ガラスシートｔ−循珊エアオープン中、２３
０℃で１時間調質する。次いで、実施例Ａに記載した一
種のニアケルめつき浴中で、該シートをニッケルめっき
する。密着性の良いニッケル塗膜が、フォトレジストの
構造表面上に得られる。

実施例０ 基材としてガラスシートの代わりにエポキシ炭素繊維ラ
ミネートを用い、実施例Ｎの操作を繰り返す。照射後、
硬化は１３５℃で１０分間かけて行う。現像及び金属被
覆後、密着性の良いニッケル塗膜がフォトレジストの構
造表面上に得られる。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及びｂ）前
   記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合性を示
   さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル
   基、炭素原子数１ないし１８の アルコキシ基、又は非置換もしくは置換されたフェニル
   基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
   またアミノ基、ニトロ基又はシアノ基、▲数式、化学式
   、表等があります▼又は−Ｏ−ＣＨ＿２− ＣＨ・ＯＲ＾４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或はハロゲン原
   子又はグリシジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数、ないし４のアルキル
   基を表わすか、或は二つのＲ＾３が一緒になって炭素原
   子数２ないし４のポリメチレン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾５はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
   し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセトンパラジウム錯体を含む
   組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
   ーを含まない組成物。
2. （２）前記式 I 中、Ｒ＾１が水素原子を表わし、Ｒ＾
   ２が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数
   １ないし４のアルコキシ基、ハロゲン原子又はグリシジ
   ルエーテル基を表わし、Ｒ＾３が水素原子を表わし、そ
   してｑが２ないし３．５の値を表わす特許請求の範囲第
   １項記載の組成物。
3. （３）前記式 I 中、Ｒ＾１が水素原子を表わし、Ｒ＾
   ２が炭素原子数１ないし５のアルキル基を表わし、Ｒ＾
   ３が水素原子を表わしそしてｑが２ないし３．５の値を
   表わす特許請求の範囲第１項記載の組成物。
4. （４）成分ａ）が有機溶媒に溶けるポリマー又はポリマ
   ー混合物である特許請求の範囲第１項記載の組成物。
5. （５）ポリマーがポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
   カーボネート、ポリアリーレート及び有機溶媒に溶ける
   ポリイミドからなる群より選択されたものである特許請
   求の範囲第４項記載の組成物。
6. （６）成分ａ）がエポキシ樹脂である特許請求の範囲第
   １項記載の組成物。
7. （７）ｉ）ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及びｂ
   ）前記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合性
   を示さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数、ないし１８のアルキル
   基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置
   換もしくは置換されたフェニル基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
   またアミノ基、ニトロ基又はシアノ基、▲数式、化学式
   、表等があります▼又は−Ｏ−ＣＨ＿２−ＣＨ・ＯＲ＾
   ４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或はハロゲン原子又はグリシ
   ジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル
   基を表わすか、或は二つの Ｒ＾３が一緒になって炭素原子数２ないし４０ポリメチ
   レン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾５はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
   し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセトンパラジウム錯体を含む
   組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
   ーを含まない組成物を基材に適用するか或は該組成物か
   ら裏なしフィルムを製造し、 ｉｉ）その調整物を１００℃以上の温度に加熱し、そこ
   で上記式 I で表わされる錯体を分解させることにより
   、微細に分散し触媒的に活性なＰｄ＾０を遊離させるこ
   とからなる、無電流金属被覆のためのポリマー表面の活
   性化方法。
8. （８）１００℃以上の温度への加熱を、赤外線への画像
   様露光により行う特許請求の範囲第７項記載の方法。
9. （９）ｉ）ａ）少なくとも、１種の有機ポリマー、及び
   ｂ）前記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合
   性を示さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル
   基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置
   換もしくは置換されたフェニル基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
   またアミノ基、ニトロ基又は シアノ基、▲数式、化学式、表等があります▼又は−Ｏ
   −ＣＨ＿２−ＣＨ・ＯＲ＾４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或
   はハロゲン原子又はグリシジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル
   基を表わすか、或は二つのＲ＾３が一緒になって炭素原
   子数２ないし４のポリメチレン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾５はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
   し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセトンパラジウム錯体を含む
   組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
   ーを含まない組成物を基材に適用するか或は該組成物か
   ら裏なしフィルムを製造し、 ｉｉ）その調製物を１００℃以上の温度に加熱し、そこ
   で上記式 I で表わされる錯体を分解させることにより
   、微細に分散し触媒的に活性なＰｄ＾０を遊離させてポ
   リマー表面を活性化し、続いて ｉｉｉ）活性化されたポリマー表面をそれ自体公知の方
   法によって無電流金属被覆を行なう ことからなる、ポリマー表面への金属付着方法。
10. （１０）上記組成物を構造型ワク中で基材に適用する特
    許請求の範囲第９項記載の方法。
11. （１１）ｉ）ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及び
    ｂ）前記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合
    性を示さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数、ないし１８のアルキル
    基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置
    換もしくは置換されたフェニルル基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
    またアミノ基、ニトロ基又は シアノ基、▲数式、化学式、表等があります▼又は−Ｏ
    −ＣＨ＿２−ＣＨ・ＯＲ＾４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或
    はハロゲン原子又はグリシジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル
    基を表わすか、或は二つのＲ＾３が一緒になって炭素原
    子数２ないし４のポリメチレン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾６はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
    し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセトンパラジウム錯体を含む
    組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
    ーを含まない組成物を基材に適用するか或は該組成物か
    ら裏なしフィルムを製造し、 ｉｉ）そのポリマーをポジ型又はネガ型のフォトレジス
    トで被覆し、 ｉｉｉ）該調製物を予定パターンで化学線に露光させ ｉｖ）そのフォトレジストを、それ自体公知の方法で現
    像し、 ｖ）その調整物を１００℃以上の温度に加熱し、そこで
    上記式 I で表わされる錯体を分 解させることにより、微細に分散し触媒的に活性なＰｄ
    ＾０を遊離させ、そして ｖｉ）ポリマー表面の、もはやフォトレジストによつて
    覆われていない活性化部分に公知方法により無電流金属
    被覆を行なうことからなる、ポリマー表面上への金属原
    型の形成方法。
12. （１２）ｉ）ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及び
    ｂ）前記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合
    性を示さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル
    基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置
    換もしくは置換されたフェニル基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
    またアミノ基、ニトロ基又は シアノ基、▲数式、化学式、表等があります▼又は−Ｏ
    −ＣＨ＿２−ＣＨ・ＯＲ＾４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或
    はハロゲン原子又はグリシジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル
    基を表わすか、或は二つのＲ＾３が一緒になって炭素原
    子数２ないし４のポリメチレン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾５はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
    し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセトンパラジウム錯体を含む
    組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
    ーを含まない組成物を基材表面に適用し、 ｉｉ）該調製物を予定パターンで化学線に露光させ ｉｉｉ）そのフォトレジストを、それ自体公知の方法で
    現像し、 ｉｖ）その調製物を１００℃以上の温度に加熱し、そこ
    で上記式 I で表わされる錯体を分解させることにより
    、微細に分散し触媒的に活性なＰｄ＾０を遊離させ、そ
    して ｖ）フォトレジストで覆われた調製物の部分を、それ自
    体公知の方法により無電流金属 被覆を行なうことからなる、ポリマー表面上への金属原
    型の形成方法。
13. （１３）ａ）少なくとも１種の有機ポリマー、及びｂ）
    前記ポリマーに均質に溶解されるがそこでは共重合性を
    示さない次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル
    基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、又は非置
    換もしくは置換されたフェニル基を表わし、 Ｒ＾２はＲ＾１で定義した意味の一つを表わすか、或は
    またアミノ基、ニトロ基又はシアノ基、▲数式、化学式
    、表等があります▼又は−Ｏ−ＣＨ＿２−ＣＨ・ＯＲ＾
    ４−ＣＨ＿２・ＯＲ＾５基或はハロゲン原子又はグリシ
    ジルエーテル基を表わし、 Ｒ＾３は水素原子又は炭素原子数、ないし４のアルキル
    基を表わすか、或は二つのＲ＾３が一緒になって炭素原
    子数２ないし４のポリメチレン鎖を形成し、 Ｒ＾４及びＲ＾５はＲ＾１で定義した意味の一つを表わ
    し、 ｑは１ないし３．５の値を表わし、 ｍは２ないし６の値を表わし、 ｎは０ないし２０の値を表わす〕 で表わされるジベンザルアセントパラジウム錯体を含む
    組成物であって、オレフィン性二重結合を有するポリマ
    ーを含まない組成物を使用することからなるプラスチッ
    ク表面上への導電性パターンの形成方法。