JPS6216534B2 - - Google Patents
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- JPS6216534B2 JPS6216534B2 JP54013711A JP1371179A JPS6216534B2 JP S6216534 B2 JPS6216534 B2 JP S6216534B2 JP 54013711 A JP54013711 A JP 54013711A JP 1371179 A JP1371179 A JP 1371179A JP S6216534 B2 JPS6216534 B2 JP S6216534B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- resist film
- beam resist
- electrode
- film
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1371179A JPS55105326A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Manufacturing method of electrode of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1371179A JPS55105326A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Manufacturing method of electrode of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55105326A JPS55105326A (en) | 1980-08-12 |
| JPS6216534B2 true JPS6216534B2 (show.php) | 1987-04-13 |
Family
ID=11840809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1371179A Granted JPS55105326A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Manufacturing method of electrode of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55105326A (show.php) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646536A (en) * | 1979-09-22 | 1981-04-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of microminiature electrode |
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| JPS58153375A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS58199567A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Toshiba Corp | シヨツトキ障壁型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPS60145673A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0630361B2 (ja) * | 1984-09-21 | 1994-04-20 | 富士通株式会社 | パターン形成方法 |
| JPS61104675A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61125176A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2612836B2 (ja) * | 1987-09-23 | 1997-05-21 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 自己整合ゲートを備えるmesfetの製造方法 |
| JP2661237B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1997-10-08 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2667250B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1997-10-27 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5053348A (en) * | 1989-12-01 | 1991-10-01 | Hughes Aircraft Company | Fabrication of self-aligned, t-gate hemt |
| KR920007357B1 (ko) * | 1990-03-12 | 1992-08-31 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 내열성 게이트를 이용한 갈륨비소 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2626558B2 (ja) * | 1994-06-13 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | T型ゲート電極の作製方法 |
| JP2746539B2 (ja) * | 1994-12-19 | 1998-05-06 | 韓國電子通信研究院 | 電界効果トランジスタのゲート形成方法とその形成領域の形成方法 |
| US7892903B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and substrate comprising multiple resist layers |
-
1979
- 1979-02-07 JP JP1371179A patent/JPS55105326A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55105326A (en) | 1980-08-12 |
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