JPS6211852A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS6211852A JPS6211852A JP60151860A JP15186085A JPS6211852A JP S6211852 A JPS6211852 A JP S6211852A JP 60151860 A JP60151860 A JP 60151860A JP 15186085 A JP15186085 A JP 15186085A JP S6211852 A JPS6211852 A JP S6211852A
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- mac
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
側鎖にカルボキシル基をもつポリマに２価金属の酸化物
、ハロゲン化物又は有機酸塩を添加し、加熱することに
より、イオノマーを形成させて熱架橋を生じさせるポジ
形レジスト組成物を用いたパターン形成方法であって、
その現像を有機溶剤中にカルボン酸が混合されている現
像液を使用して行ない、微細、高精度なパターン形成を
可能とする。
、ハロゲン化物又は有機酸塩を添加し、加熱することに
より、イオノマーを形成させて熱架橋を生じさせるポジ
形レジスト組成物を用いたパターン形成方法であって、
その現像を有機溶剤中にカルボン酸が混合されている現
像液を使用して行ない、微細、高精度なパターン形成を
可能とする。
本発明はオ導体集積回路、光集積回路、ジゴセフソン素
子等の製造のためのパターン形成方法に関するものであ
る。
子等の製造のためのパターン形成方法に関するものであ
る。
半導体集積回路の高集積化、高性能化が進むにつれて、
ザブミクロンｆｉＪ域まで及ぶ超微細加工技術が必要と
され、かかる要求に応じて、電子線。
ザブミクロンｆｉＪ域まで及ぶ超微細加工技術が必要と
され、かかる要求に応じて、電子線。
軟Ｘ線等を用いた露光技術、並びに電子線レジスト材料
が開発されている。
が開発されている。
これらの技術と材料を用いて被加工基板にレジスト・パ
ターンを形成する場合、レジストパターン寸法の微細化
と共にレジス１−・パターンの断面形状を制御すること
が重要なことである。
ターンを形成する場合、レジストパターン寸法の微細化
と共にレジス１−・パターンの断面形状を制御すること
が重要なことである。
従来のパターン形成方法として、例えば、１． Ｓ １
（大規模集積回路）等の加工に程で被加−「材ネ１をエ
ツチングしないで所望のパターンをｆＦｉる方法として
リフトオフ法が用いられている。このプ）法では電子ビ
ーム、光、軟Ｘ線智・をこれに感応する感応材料に照射
して現像し、アンダーカッｌ−の１４１ｉ ｒｉ＋ｉ形
状を形成する。このパターンをマスクにＬ７で蒸着或い
は他の方法で被加圧伺利を付着さ−υだ後、該パターン
の形成材料を除Ｊ＝して所望のパターンを得ている。こ
の方法では砂パターンの形成材車１を除去するためにア
ンダーカットの断面形状を形成することが要求される。
（大規模集積回路）等の加工に程で被加−「材ネ１をエ
ツチングしないで所望のパターンをｆＦｉる方法として
リフトオフ法が用いられている。このプ）法では電子ビ
ーム、光、軟Ｘ線智・をこれに感応する感応材料に照射
して現像し、アンダーカッｌ−の１４１ｉ ｒｉ＋ｉ形
状を形成する。このパターンをマスクにＬ７で蒸着或い
は他の方法で被加圧伺利を付着さ−υだ後、該パターン
の形成材料を除Ｊ＝して所望のパターンを得ている。こ
の方法では砂パターンの形成材車１を除去するためにア
ンダーカットの断面形状を形成することが要求される。
一方、配線材料の断線を防くために、テヘバがついたコ
ンタクト・ホールをエツチングにより加工する場合、マ
スクとなるし・シストパターンの断面形状をテーパとす
ることが提案されている。
ンタクト・ホールをエツチングにより加工する場合、マ
スクとなるし・シストパターンの断面形状をテーパとす
ることが提案されている。
上記の様なアンダーカッ１−或いはテーパがついた断面
形状は、同一の現像液に対しン容解速度が異なるポジ形
レジストを多層構成することにより得られる。
形状は、同一の現像液に対しン容解速度が異なるポジ形
レジストを多層構成することにより得られる。
第４図Ａ、Ｂに従来のパターン形成の様子を表す模式図
を示している。図において、被加工基板１上に、溶解速
度が速いレジストを下層２に、遅いレジストを」二層３
とした２層構成により、断面形状が第４図への様なアン
ダーカッ１−なパターンが得られる。図においてｄ、が
開口寸法、ｄ２が界面寸法である。この方法では上層レ
ジスト２と下層レジスト１の溶解速度比が小さいと、下
層レジスト１の溶解中にも上層レジスト２の溶解が進行
し、微細な開口寸法がｉワ難いことや、断面形状の制御
が難しいため、上、下層レジスｌ−２，１間の熔解速度
比を大きくとれるようにすることが要求される。
を示している。図において、被加工基板１上に、溶解速
度が速いレジストを下層２に、遅いレジストを」二層３
とした２層構成により、断面形状が第４図への様なアン
ダーカッ１−なパターンが得られる。図においてｄ、が
開口寸法、ｄ２が界面寸法である。この方法では上層レ
ジスト２と下層レジスト１の溶解速度比が小さいと、下
層レジスト１の溶解中にも上層レジスト２の溶解が進行
し、微細な開口寸法がｉワ難いことや、断面形状の制御
が難しいため、上、下層レジスｌ−２，１間の熔解速度
比を大きくとれるようにすることが要求される。
又、第４図Ｂにおいて、下層レシスｌ−２と−に１層レ
ジスト３の溶解速度の関係を上記と逆にし、上層レジス
トの方が下層レジストより溶解速度が大きくすれば、図
のように上方に開いたＩ４１ｉ面形状が得られる。この
場合でも、上記と同様に断面形状の制御を容易にするた
め、上、下層間の溶解速度比を大きくとれることが要求
される。
ジスト３の溶解速度の関係を上記と逆にし、上層レジス
トの方が下層レジストより溶解速度が大きくすれば、図
のように上方に開いたＩ４１ｉ面形状が得られる。この
場合でも、上記と同様に断面形状の制御を容易にするた
め、上、下層間の溶解速度比を大きくとれることが要求
される。
先に、本発明者等により、上記要求条件を満足し、添加
剤の１度と熱処理温度で溶解速度を容易に制御できるポ
ジ形しジスト組成物（特願昭５９−１５１２６９号）が
提案され、更に該ポジ形しジスト組成物を積層すること
により、所望の断面形状のノ゛マターンを得る方法（特
願昭５９−１７６８５１号）が提案されている。
剤の１度と熱処理温度で溶解速度を容易に制御できるポ
ジ形しジスト組成物（特願昭５９−１５１２６９号）が
提案され、更に該ポジ形しジスト組成物を積層すること
により、所望の断面形状のノ゛マターンを得る方法（特
願昭５９−１７６８５１号）が提案されている。
上記特願昭５９−１５１２６９号に示されたポジ形しジ
スト組成物は、被加工基板表面に塗布し、ヘーキングし
た後、露光し、現像することによって所定のパターンを
形成するためのポジ形しジスｌ−組成物であって、側鎖
にカルボキシル基を有し、且つ高エネルギ線の照射によ
って分解するレジストと、２価金属の酸化物、ハロゲン
化物及び有機酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１
種の添加剤との均一混合物からなることを特徴とする。
スト組成物は、被加工基板表面に塗布し、ヘーキングし
た後、露光し、現像することによって所定のパターンを
形成するためのポジ形しジスｌ−組成物であって、側鎖
にカルボキシル基を有し、且つ高エネルギ線の照射によ
って分解するレジストと、２価金属の酸化物、ハロゲン
化物及び有機酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１
種の添加剤との均一混合物からなることを特徴とする。
当該ポジ形しジスト組成物において有用な、側鎖にカル
ボキシル基を有し、［１つ高エネルギ線、例えば紫外線
、電子線、Ｘ線等の照射によって分解するレジストとし
ては、以下の一般式（１）で表わされるポリマが例示さ
れる。
ボキシル基を有し、［１つ高エネルギ線、例えば紫外線
、電子線、Ｘ線等の照射によって分解するレジストとし
ては、以下の一般式（１）で表わされるポリマが例示さ
れる。
ＣＨ３ＣＨ３
一千−ＣＨ２−Ｃ−＋ｊ７ｊｖ−ｆ−ＣＨ２−Ｃ一覧一
−−−−−ＲＩ Ｒ２ （Ｉ） ＣＨ３ＣＨ３ 一←ＣＨ２Ｃｉζ←ＣＨ２−Ｃ−書： Ｒｎ Ｃ０ＯＨ 但し、該一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、・・・・
Ｒｎは炭素原子数５以下のアルキル基もしくはハロゲン
化アルキル基、アリール基、−Ｃ００Ｒａ又は−ＣＯＲ
ｂ （ここで、Ｒａ及びＲｂは炭素原子数５以下のアル
キル基もしくはハロゲン化アルキル基はアリール基であ
る）を表し、Ｍ＝（Σｍｌ＋ｍｃ）としたとき、ｍｃ／
Ｍは、ｚｔ ０．０１〜１．０であり、ｍ １７Ｍ、、ｍ ２７Ｍ、
・・・・、ｍ１７Ｍはそれぞれ０．９９〜０の範囲内の
値である。
−−−−−ＲＩ Ｒ２ （Ｉ） ＣＨ３ＣＨ３ 一←ＣＨ２Ｃｉζ←ＣＨ２−Ｃ−書： Ｒｎ Ｃ０ＯＨ 但し、該一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、・・・・
Ｒｎは炭素原子数５以下のアルキル基もしくはハロゲン
化アルキル基、アリール基、−Ｃ００Ｒａ又は−ＣＯＲ
ｂ （ここで、Ｒａ及びＲｂは炭素原子数５以下のアル
キル基もしくはハロゲン化アルキル基はアリール基であ
る）を表し、Ｍ＝（Σｍｌ＋ｍｃ）としたとき、ｍｃ／
Ｍは、ｚｔ ０．０１〜１．０であり、ｍ １７Ｍ、、ｍ ２７Ｍ、
・・・・、ｍ１７Ｍはそれぞれ０．９９〜０の範囲内の
値である。
この様なポジ形しジスト組成物において有用なポリマと
しては典型的な例としてポリ （メチルメタクリレート
−メタクリル酸）、ポリ （ブチルメタクリレート−メ
タクリル酸）、ポリ （ヘキサフルオロブチルメタクリ
レート−メタクリル酸）、ポリ （イソブチレン−メタ
クリル酸）、ポリ （メタクリロニトリルーメタクリル
酸）、ポリ （フェニルメタクリレート−メタクリル酸
）、ポリ （β−ナフチルメタクリレート−メタクリル
酸）等を挙げることができる。しかしこれらに限定され
ない。
しては典型的な例としてポリ （メチルメタクリレート
−メタクリル酸）、ポリ （ブチルメタクリレート−メ
タクリル酸）、ポリ （ヘキサフルオロブチルメタクリ
レート−メタクリル酸）、ポリ （イソブチレン−メタ
クリル酸）、ポリ （メタクリロニトリルーメタクリル
酸）、ポリ （フェニルメタクリレート−メタクリル酸
）、ポリ （β−ナフチルメタクリレート−メタクリル
酸）等を挙げることができる。しかしこれらに限定され
ない。
更に、これらのポジ形しジスト組成物において、添加物
として有用な２（ｉｌ［ｉ金属の酸化物とし°ＣはＢａ
Ｏを、ハロゲン化金属としてはＣｕ、Ｃａ。
として有用な２（ｉｌ［ｉ金属の酸化物とし°ＣはＢａ
Ｏを、ハロゲン化金属としてはＣｕ、Ｃａ。
Ｂａ、Ｚｎ及びＦｅの２（ｉ［ｉの塩化物、臭化物及び
ヨウ化物を、又有機酸塩としてはＣｕ、Ｃａ−Ｂａ、’
Ｚｎの２（１１′ｉのギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩
を挙げることができる。
ヨウ化物を、又有機酸塩としてはＣｕ、Ｃａ−Ｂａ、’
Ｚｎの２（１１′ｉのギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩
を挙げることができる。
しかしながら、上記の側鎖にカルボキシル基を有し、高
エネルギ線の照射によって分解するレジストと熱処理す
ることにより、イオノマーを形成し得る物質であれば特
に制限されず、同様の効果を期待することができる。
エネルギ線の照射によって分解するレジストと熱処理す
ることにより、イオノマーを形成し得る物質であれば特
に制限されず、同様の効果を期待することができる。
この添加剤の添加量は、レジストのメタクリル酸成分の
割合、熱処理温度によって多少変動するが、通常は０．
１〜５重量％の範囲で高い効果を達成することができる
。
割合、熱処理温度によって多少変動するが、通常は０．
１〜５重量％の範囲で高い効果を達成することができる
。
以上に示したポジ形しジスト組成物は、側鎖にカルボキ
シル基をもつポリマに２価金属の酸化物、ハロゲン化物
や有機酸塩を添加し、加熱することにより、イオンの橋
かけであるイオノマーを形成させて熱架橋を生じさせる
から、添加剤の濃度と熱処理温度によって分子間架橋密
度を制御できる。
シル基をもつポリマに２価金属の酸化物、ハロゲン化物
や有機酸塩を添加し、加熱することにより、イオンの橋
かけであるイオノマーを形成させて熱架橋を生じさせる
から、添加剤の濃度と熱処理温度によって分子間架橋密
度を制御できる。
そこで、前記特願昭５９−１７６８５１号に示したよう
に、このポジ形しジスト組成物、すなわち、側鎖にカル
ボキシル基をもつレジストと２価金属の酸化物、ハロゲ
ン化物又は有機酸塩の中から選ばれる添加剤との混合物
よりなるポジ形しジスト組成物を使用し、添加濃度が異
なる該ポジ形しジスト組成物を熱処理積層するか、又は
、添加濃度が等しい該ポジ形しジスト組成物を異なる温
度で熱処理して積層した上記パターン材料に、上記高エ
ネルギを照射し、その後現像してパターンを形成するこ
とにより、所望の断面形状のパターンを得ることが可能
となる。
に、このポジ形しジスト組成物、すなわち、側鎖にカル
ボキシル基をもつレジストと２価金属の酸化物、ハロゲ
ン化物又は有機酸塩の中から選ばれる添加剤との混合物
よりなるポジ形しジスト組成物を使用し、添加濃度が異
なる該ポジ形しジスト組成物を熱処理積層するか、又は
、添加濃度が等しい該ポジ形しジスト組成物を異なる温
度で熱処理して積層した上記パターン材料に、上記高エ
ネルギを照射し、その後現像してパターンを形成するこ
とにより、所望の断面形状のパターンを得ることが可能
となる。
従来、露光後の上記ポジ形しジスト組成物は、良溶媒の
１，４−ジオキサンと貧溶媒のジイソブチルケトンの混
合液を、形成膜が最も高い耐溶媒性を示す混合割合を求
めて現像を行なっていた。
１，４−ジオキサンと貧溶媒のジイソブチルケトンの混
合液を、形成膜が最も高い耐溶媒性を示す混合割合を求
めて現像を行なっていた。
現像液としては上記例の他に各種のものを使用でき、例
えば上記例の混合液におけるジイソブチルケトンをヘキ
サン、シクロヘキサン等で置き換えたもの等を例示でき
る。
えば上記例の混合液におけるジイソブチルケトンをヘキ
サン、シクロヘキサン等で置き換えたもの等を例示でき
る。
しかし、上記に示した従来の混合液を用いた現像では、
現（を後に股が残存したり、パターンのエツジがシャー
プにならなかったりする欠点があった。
現（を後に股が残存したり、パターンのエツジがシャー
プにならなかったりする欠点があった。
例えば、第１図に従来の現像液よってフェニルメタクリ
レートメタクリル酸共重合体（φ〜ＭＡＣ）からなるポ
ジ形しジスト組成物を現像した場合の感度曲線を示して
いる。第１図おいて、φ−ＭＡＣからなるポジ形レジス
トに、添加濃度が０及び３重量％（レジストに対する市
Ｖ％）の臭化亜鉛を添加したポジ形しジスト組成物を２
００℃で熱処理して加速電圧３０ＫＶＫの電子線を照射
後、従来の現像液である１、４−ジオキサンとジイソブ
チルケトンとの容量比３０ニア０の混合液で現像して求
めた感度曲線（それぞれＢ２．Ａ２と指示する）を示し
ている。第１図において、横軸は、電子ビームの照射量
で、縦軸はφ−ＭＡＣの残存膜量である。Ａ２の曲線の
臭化亜鉛の添加濃度が３重量％の場合、感度曲線が下部
でテールをひいており、薄皮状の膜が残存していること
がわかる。一方臭化亜鉛の添加濃度が０電縫％の場合ず
なわちＢ２の曲線に示す無添加のφ−Ｍ Ａ Ｃ：の場
合にはそれが生していない。
レートメタクリル酸共重合体（φ〜ＭＡＣ）からなるポ
ジ形しジスト組成物を現像した場合の感度曲線を示して
いる。第１図おいて、φ−ＭＡＣからなるポジ形レジス
トに、添加濃度が０及び３重量％（レジストに対する市
Ｖ％）の臭化亜鉛を添加したポジ形しジスト組成物を２
００℃で熱処理して加速電圧３０ＫＶＫの電子線を照射
後、従来の現像液である１、４−ジオキサンとジイソブ
チルケトンとの容量比３０ニア０の混合液で現像して求
めた感度曲線（それぞれＢ２．Ａ２と指示する）を示し
ている。第１図において、横軸は、電子ビームの照射量
で、縦軸はφ−ＭＡＣの残存膜量である。Ａ２の曲線の
臭化亜鉛の添加濃度が３重量％の場合、感度曲線が下部
でテールをひいており、薄皮状の膜が残存していること
がわかる。一方臭化亜鉛の添加濃度が０電縫％の場合ず
なわちＢ２の曲線に示す無添加のφ−Ｍ Ａ Ｃ：の場
合にはそれが生していない。
このように、従来の現像液を使用すると特に測鎖にカル
ボキシル基をもも、高エネルギ線照射で分解するレジス
トと、２ ｆｉｌｆｉ金属の酸化物３ハロゲン化物又は
有機酸塩のなかから選ばれる少なくとも１種の添加材と
の均一混合物よりなるポジ形しジスト組成物を使用した
パターンの形成において現像後に膜が残存したり、パタ
ーンのエツジがシャープにならなかったりする欠点があ
る。
ボキシル基をもも、高エネルギ線照射で分解するレジス
トと、２ ｆｉｌｆｉ金属の酸化物３ハロゲン化物又は
有機酸塩のなかから選ばれる少なくとも１種の添加材と
の均一混合物よりなるポジ形しジスト組成物を使用した
パターンの形成において現像後に膜が残存したり、パタ
ーンのエツジがシャープにならなかったりする欠点があ
る。
本発明はこれらの欠点を除去し、微細で［１一つ所望の
断面形状が得られるパターン形成方法を提供しようとす
るものである。
断面形状が得られるパターン形成方法を提供しようとす
るものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明においては、側鎖にカルボキシル基をもち、高エ
ネルギ線照射で分量″するレジストと、２価金属の酸化
物、ハロゲン化物又は有機酸塩のなかから選ばれる少な
くとも１種の添加１４との均一混合物よりなるポジ形し
ジスト組成物を、被加１゜基板表面に塗布し、ベーキン
グ後に、高エネルギ線を照射し、該照射部分を現像液で
熔解し、所望のパターンを形成するパターン形成方法に
おいて該現像液として、有機溶剤中にカルボン酸が混合
されている現像液を使用することを特徴とするパターン
形成方法を提供する。
ネルギ線照射で分量″するレジストと、２価金属の酸化
物、ハロゲン化物又は有機酸塩のなかから選ばれる少な
くとも１種の添加１４との均一混合物よりなるポジ形し
ジスト組成物を、被加１゜基板表面に塗布し、ベーキン
グ後に、高エネルギ線を照射し、該照射部分を現像液で
熔解し、所望のパターンを形成するパターン形成方法に
おいて該現像液として、有機溶剤中にカルボン酸が混合
されている現像液を使用することを特徴とするパターン
形成方法を提供する。
又、該ポジ形しジスト組成物の塗布及びベーキングによ
り形成される層を各々該添加剤の濃度或いは種類を異な
らせた少なくとも２層とし、前記現像液として、有機溶
剤中にカルホン酸が混合されている現像液と、有機溶剤
中にカルボン酸が混合されていない現像液とをそれぞれ
少なくとも１度ずつ使用することを特徴とするパターン
形成方法を提供する。
り形成される層を各々該添加剤の濃度或いは種類を異な
らせた少なくとも２層とし、前記現像液として、有機溶
剤中にカルホン酸が混合されている現像液と、有機溶剤
中にカルボン酸が混合されていない現像液とをそれぞれ
少なくとも１度ずつ使用することを特徴とするパターン
形成方法を提供する。
本発明者等は前記問題点を解決すべく種々現像方法につ
いて実験と検削を繰返した結果、上記のように、現像液
にカルボン酸を添加することによできることを見出した
。
いて実験と検削を繰返した結果、上記のように、現像液
にカルボン酸を添加することによできることを見出した
。
本発明でいうカルボン酸とはカルボキシル基（−ＣＯＯ
Ｈ）を持つ有機化合物の総称である。
Ｈ）を持つ有機化合物の総称である。
本発明において現像液に添加したカルボン酸がイオノマ
ー結合を解剖することにより、現像液による熔解を促進
するものと考えられる。
ー結合を解剖することにより、現像液による熔解を促進
するものと考えられる。
本発明によれば、現像残りの薄膜を除去し、微細でエツ
ジがシャープなパターンが形成できる。
ジがシャープなパターンが形成できる。
また、一方、側鎖にカルボキシル基をもち、高エネルギ
線照射で分解するレジストに２価金属の酸化物、ハロゲ
ン化物又は有機酸塩の少なくとも１種を添加したポジ形
しジスト組成物による塗布層は従来のカルボン酸を添加
しない現像液を用いり変化しない。ところが、無添加の
ポジ形しジスト組成物を用いた塗布層では現像液にカル
ボン酸が添加しであるときと、無添加のときとで溶解速
度が異なり、現像液にカルボン酸が添加しであるときは
溶解速度が遅くなる現象がみられる。
線照射で分解するレジストに２価金属の酸化物、ハロゲ
ン化物又は有機酸塩の少なくとも１種を添加したポジ形
しジスト組成物による塗布層は従来のカルボン酸を添加
しない現像液を用いり変化しない。ところが、無添加の
ポジ形しジスト組成物を用いた塗布層では現像液にカル
ボン酸が添加しであるときと、無添加のときとで溶解速
度が異なり、現像液にカルボン酸が添加しであるときは
溶解速度が遅くなる現象がみられる。
本発明においては、この現象を利用し、カルボン酸を含
む現像液とカルボン酸を含まない現像液とを併用し、両
者の現像時間を適当に選ぶことによりパターンの断面形
状の制御を行なうようすることもでき、それにより、パ
ターンの断面形状を制御できる範囲を従来より拡大する
ことが可能になる。
む現像液とカルボン酸を含まない現像液とを併用し、両
者の現像時間を適当に選ぶことによりパターンの断面形
状の制御を行なうようすることもでき、それにより、パ
ターンの断面形状を制御できる範囲を従来より拡大する
ことが可能になる。
以下に本発明の実施例を第１図を用いて説明する。第１
図は本発明の実施例である酢酸を添加した現像液により
フェニルメククリレートメタクリル酸共重合体（φ−Ｍ
ＡＣ）からなるポジ形しジスト組成物を現像した結果を
先に示した従来の現像液により現像した結果と共に示し
である。
図は本発明の実施例である酢酸を添加した現像液により
フェニルメククリレートメタクリル酸共重合体（φ−Ｍ
ＡＣ）からなるポジ形しジスト組成物を現像した結果を
先に示した従来の現像液により現像した結果と共に示し
である。
第１図において、横軸は、電子ビームの照射量で、縦軸
はφ−ＭＡＣの残存膜量である。
はφ−ＭＡＣの残存膜量である。
第１図に表しているのはフェニルメタクリレ−トメタク
リル酸共重合体（φ−ＭＡＣ）からなるポジ形レジスト
に、添加濃度がＯ及び３重量％の臭化亜鉛を添加したポ
ジ形しジスト組成物を、２００℃でベーキングの熱処理
をして加速電圧３０ＫＶの電子線を照射後、１．４−ジ
オキサン：ジイソブチルケトン：酢酸−３０ニア０：１
（容量比）の混合液で現像して求めた感度曲線であ
り、添加濃度が０のポジ形しジスト組成物（無添加φ−
ＭＡＣ＞の場合がＢ１の曲線であり、臭化亜鉛３重量％
添加のφ−ＭＡＣの場合がＡ１の曲線である。なお、本
実施例で用いた薬品はいずれも関東化学株式会社製であ
って、１，４−ジオキサン表示規格特級、２．６−シメ
チルー４−ヘプタノン（ジイソブチルケトン）表示規格
ＥＰ、酢酸表示規格ＥＬを用いた。
リル酸共重合体（φ−ＭＡＣ）からなるポジ形レジスト
に、添加濃度がＯ及び３重量％の臭化亜鉛を添加したポ
ジ形しジスト組成物を、２００℃でベーキングの熱処理
をして加速電圧３０ＫＶの電子線を照射後、１．４−ジ
オキサン：ジイソブチルケトン：酢酸−３０ニア０：１
（容量比）の混合液で現像して求めた感度曲線であ
り、添加濃度が０のポジ形しジスト組成物（無添加φ−
ＭＡＣ＞の場合がＢ１の曲線であり、臭化亜鉛３重量％
添加のφ−ＭＡＣの場合がＡ１の曲線である。なお、本
実施例で用いた薬品はいずれも関東化学株式会社製であ
って、１，４−ジオキサン表示規格特級、２．６−シメ
チルー４−ヘプタノン（ジイソブチルケトン）表示規格
ＥＰ、酢酸表示規格ＥＬを用いた。
先ず、本発明の実施例のＡＩの曲線と従来の現像液を使
用した従来例のＡ２の曲線とを比較すると、従来例の曲
線Ａ２にあったテールが実施例の曲線ＡＩでなくなって
いる。すなわち、現像後、本発明の実施例においては、
薄皮状の膜が残存していないことを示す。これは、酢酸
がイオノマー結合を解離することによりポジ形しジスト
組成物の溶解を促進したためである。
用した従来例のＡ２の曲線とを比較すると、従来例の曲
線Ａ２にあったテールが実施例の曲線ＡＩでなくなって
いる。すなわち、現像後、本発明の実施例においては、
薄皮状の膜が残存していないことを示す。これは、酢酸
がイオノマー結合を解離することによりポジ形しジスト
組成物の溶解を促進したためである。
酢酸の添加の割合は前記容量比で３０＝７０：０．５乃
至３０ニア０：１０程度（０，５，１０が酢酸）が用い
られる。
至３０ニア０：１０程度（０，５，１０が酢酸）が用い
られる。
なお上記の他に、ジイソブチルケトンをヘキサン、シク
ロヘキサン等で置き換えたもの、酢酸を他のカルボン酸
、例えばギ酸、プロピオン酸、酢酸等で置き換えたもの
を例示できる。
ロヘキサン等で置き換えたもの、酢酸を他のカルボン酸
、例えばギ酸、プロピオン酸、酢酸等で置き換えたもの
を例示できる。
又、第１図に示すように、臭化亜鉛を３重量％添加した
φ−ＭＡＣを本発明の実施例の現像液と従来の現像液で
それぞれ現像しても感度が殆ど変化しないのに対して（
曲線Ａｔ、曲線Ａ２参照）、無添加のポジ形しジスト組
成物を本発明の現像液で現像した場合は（曲線Ｂ１）、
従来の現像液の場合（曲線Ｂ２）に比べて感度、従って
溶解速度が変化している。これは、本発明の現像液と従
来の現像液を併用して、両者の現像時間を適当に選ぶこ
とによりパターンの断面制御ができ、特に無添加φ−Ｍ
ＡＣの層における基板との界面寸法制御に有効であるこ
とを意味する。
φ−ＭＡＣを本発明の実施例の現像液と従来の現像液で
それぞれ現像しても感度が殆ど変化しないのに対して（
曲線Ａｔ、曲線Ａ２参照）、無添加のポジ形しジスト組
成物を本発明の現像液で現像した場合は（曲線Ｂ１）、
従来の現像液の場合（曲線Ｂ２）に比べて感度、従って
溶解速度が変化している。これは、本発明の現像液と従
来の現像液を併用して、両者の現像時間を適当に選ぶこ
とによりパターンの断面制御ができ、特に無添加φ−Ｍ
ＡＣの層における基板との界面寸法制御に有効であるこ
とを意味する。
上記基板との界面寸法の制御は半導体素子形成において
重要である。例えば、第３図にリフトオフによる製造工
程を示してあり、図Ａにおいて基板３１上に薄膜（例え
ば電界効果型トランジスタのソース、ドレイン電極形成
用の金属等）を形成し、レジスト層３３にアンダーカッ
ト状の開口３４を形成しておき、該レジストパターンを
マスクにして図Ｂで薄膜３２をエツチングする。このと
き、開口３４の薄膜との界面寸法で薄Ｍ９３２がパター
ニングされる。そして、図Ｃで金属３５（例えば、電界
効果型トランジスタのゲートメタル）を蒸着すると、レ
ジストパターンの上部の開口寸法により規定される形状
で被加工基板３１１に金属３５のパターンが形成される
。その後、レジストＮ３３をその上層の金属３５と共に
除去（リフトオフ）して図りの構造ができあがる。以上
のような場合、界面寸法は開口寸法と共に、素子特性に
とって重要なソース、ドレイン、ゲート等のパターン寸
法と相互間の距離を決定する要因となり、従って、開口
寸法のみならず該界面寸法の制御が極めて重要なことで
ある。
重要である。例えば、第３図にリフトオフによる製造工
程を示してあり、図Ａにおいて基板３１上に薄膜（例え
ば電界効果型トランジスタのソース、ドレイン電極形成
用の金属等）を形成し、レジスト層３３にアンダーカッ
ト状の開口３４を形成しておき、該レジストパターンを
マスクにして図Ｂで薄膜３２をエツチングする。このと
き、開口３４の薄膜との界面寸法で薄Ｍ９３２がパター
ニングされる。そして、図Ｃで金属３５（例えば、電界
効果型トランジスタのゲートメタル）を蒸着すると、レ
ジストパターンの上部の開口寸法により規定される形状
で被加工基板３１１に金属３５のパターンが形成される
。その後、レジストＮ３３をその上層の金属３５と共に
除去（リフトオフ）して図りの構造ができあがる。以上
のような場合、界面寸法は開口寸法と共に、素子特性に
とって重要なソース、ドレイン、ゲート等のパターン寸
法と相互間の距離を決定する要因となり、従って、開口
寸法のみならず該界面寸法の制御が極めて重要なことで
ある。
さて、このような観点から、なされたレジス１一層を２
層に形成した実施例を第２図に示している。第２図Ａに
おいて、被加工基板２Ｉ上に、無添加のφ−ＭＡＣの層
２２．ＺｎＢｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２３を順に
塗布形成し、電子ビーム２４を照射する。次に、第２図
Ｂの第１の現像１ユ程で、本発明による酢酸添加の現像
液を用いて現像する。このとき、上層のＺｎＢｒ２を添
加したφ−ＭＡＣの層２３は先に説明した効果により薄
膜が残存することなくシャープに開口肱下層の無添加の
φ−ＭＡＣの層２２は溶解速度が上層より大きいから下
方に拡がるような断面形状に開口する。ところが、先に
示したように、酢酸を添加した本発明による現像液では
、第１図の曲線Ａ１、Ｂ１のごとく感度差、従って熔解
速度差が十分とれない。そこで、第２図Ｃの第２現像工
程で、酢酸を添加していない従来の現像液で現像する。
層に形成した実施例を第２図に示している。第２図Ａに
おいて、被加工基板２Ｉ上に、無添加のφ−ＭＡＣの層
２２．ＺｎＢｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２３を順に
塗布形成し、電子ビーム２４を照射する。次に、第２図
Ｂの第１の現像１ユ程で、本発明による酢酸添加の現像
液を用いて現像する。このとき、上層のＺｎＢｒ２を添
加したφ−ＭＡＣの層２３は先に説明した効果により薄
膜が残存することなくシャープに開口肱下層の無添加の
φ−ＭＡＣの層２２は溶解速度が上層より大きいから下
方に拡がるような断面形状に開口する。ところが、先に
示したように、酢酸を添加した本発明による現像液では
、第１図の曲線Ａ１、Ｂ１のごとく感度差、従って熔解
速度差が十分とれない。そこで、第２図Ｃの第２現像工
程で、酢酸を添加していない従来の現像液で現像する。
その際、第１図の曲線Ａ１と曲線Ｂ２の。ｌ、うに感度
差従って熔解速度差が大きくとれるから、上層のＺｎＢ
ｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２３の開口断面はあまり
拡がることなく、下層の無添加のφ−ＭＡＣの層２２の
被加工基板２１との界面寸法を拡げることができる。
差従って熔解速度差が大きくとれるから、上層のＺｎＢ
ｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２３の開口断面はあまり
拡がることなく、下層の無添加のφ−ＭＡＣの層２２の
被加工基板２１との界面寸法を拡げることができる。
なお、第２図では最初本発明による酢酸添加の現像液を
用い、次に、従来の酢酸無添加の現像液を用いたが、こ
れは逆の順序にしても同様な断面形状のパターンが形成
される。それは、最初無添加の従来の現像液を用いて上
層のＺｎ Ｒｒ ２添加のφ−ＭＡＣの層２３に薄皮状
の膜が残っても、現像液は回り込み或いは浸透して下層
の無添加のφ−ＭＡＣの７１２２を所望のアンダーカッ
ト状に近いパターンになし、次いで酢酸添加の現像液で
上層のＺｎＢｒ２添加のφ−ＭＡＣの層２３の残存膜を
除去し、目、つ下層の無添加のφ−ＭＡＣのＦｔ２２を
付加的に溶解し、その結果第２図の場合と同様な断面形
状になるものである。
用い、次に、従来の酢酸無添加の現像液を用いたが、こ
れは逆の順序にしても同様な断面形状のパターンが形成
される。それは、最初無添加の従来の現像液を用いて上
層のＺｎ Ｒｒ ２添加のφ−ＭＡＣの層２３に薄皮状
の膜が残っても、現像液は回り込み或いは浸透して下層
の無添加のφ−ＭＡＣの７１２２を所望のアンダーカッ
ト状に近いパターンになし、次いで酢酸添加の現像液で
上層のＺｎＢｒ２添加のφ−ＭＡＣの層２３の残存膜を
除去し、目、つ下層の無添加のφ−ＭＡＣのＦｔ２２を
付加的に溶解し、その結果第２図の場合と同様な断面形
状になるものである。
一方、第２Ｍの場合と上、下層のレジストを逆にし、上
層が無添加のφ−ＭＡＣ１下層がＺｎＢｒ２添加のψ−
ＭＡＣにすれば先に第４図Ｂに示したテーパがついたレ
ジスト・パターンが得られる。
層が無添加のφ−ＭＡＣ１下層がＺｎＢｒ２添加のψ−
ＭＡＣにすれば先に第４図Ｂに示したテーパがついたレ
ジスト・パターンが得られる。
次に、より具体的な実施例を示す。
無添加のφ−ＭＡＣ）ＣＧａＡｓ基板上にスピンコーテ
ィングした後、２００℃でプリベークする。塗布膜厚は
５０００人である。塗布溶媒は、モノクロルベンゼン５
０％とジオキサン５０％のｌ見合液である。或いは該塗
布溶媒にメチルセルソブルアセテートを用いることもで
きる。メチルセルソブルアセテーｌ−は長期保存に耐え
ることができ、現像の際、溶は残りが生じることがない
。
ィングした後、２００℃でプリベークする。塗布膜厚は
５０００人である。塗布溶媒は、モノクロルベンゼン５
０％とジオキサン５０％のｌ見合液である。或いは該塗
布溶媒にメチルセルソブルアセテートを用いることもで
きる。メチルセルソブルアセテーｌ−は長期保存に耐え
ることができ、現像の際、溶は残りが生じることがない
。
次に、この試料上に臭化亜鉛を３重量％添加したφ−Ｍ
ＡＣをスピンコーティングし、２００°Ｃでプリベーク
する。該−上層の塗布膜厚は３０００人であり、塗布溶
媒はメチルイソブチルケトンである。この試料に、加速
電圧３０ＫＶの電子線を０．３μｍ幅のライン状に照射
する。照射量は２５０μＣ／Ｃｍ２である。
ＡＣをスピンコーティングし、２００°Ｃでプリベーク
する。該−上層の塗布膜厚は３０００人であり、塗布溶
媒はメチルイソブチルケトンである。この試料に、加速
電圧３０ＫＶの電子線を０．３μｍ幅のライン状に照射
する。照射量は２５０μＣ／Ｃｍ２である。
次に、この試料を、１，４−ジオキサン：ジイソブチル
ケトン：酢酸−３０ニア０：］の混合液で１２０秒現像
すると、開口寸法が０．３２ｘｒｍ、基板との界面寸法
０．５６μｍのアンダーカット状パターンを形成できた
。
ケトン：酢酸−３０ニア０：］の混合液で１２０秒現像
すると、開口寸法が０．３２ｘｒｍ、基板との界面寸法
０．５６μｍのアンダーカット状パターンを形成できた
。
次に、他の具体的な実施例を以下に示す。
無添加のφ−ＭＡＣをＧ ａ Ａ ｓ基板」二にスピン
コーティングした後、２００°Ｃでプリベークする。塗
布膜厚は５０００人である。塗布溶媒は、モノクロルヘ
ンゼア５０％とジオキサン５０％の混合液である。次に
、この試料上に、臭化亜鉛を３重量％添加したψ−ＭＡ
Ｃをスピンコーティングし、２００°Ｃでプリベークす
る。上層の塗布膜厚は３０００人であり、塗布溶媒はメ
チルイソブチルケトンである。この試料に、加速電圧３
０ Ｋ Ｖの電子線を０．３μｍ幅のライン状に照射す
る。
コーティングした後、２００°Ｃでプリベークする。塗
布膜厚は５０００人である。塗布溶媒は、モノクロルヘ
ンゼア５０％とジオキサン５０％の混合液である。次に
、この試料上に、臭化亜鉛を３重量％添加したψ−ＭＡ
Ｃをスピンコーティングし、２００°Ｃでプリベークす
る。上層の塗布膜厚は３０００人であり、塗布溶媒はメ
チルイソブチルケトンである。この試料に、加速電圧３
０ Ｋ Ｖの電子線を０．３μｍ幅のライン状に照射す
る。
照射量は２５０μＣ／Ｃｍ２である。
次に、この試料を、本発明による現像液と従来の現像液
を併用して現像する。１．４−ジオキサン：ジイソブチ
ルケトン： の混合液で３０秒現像した後、１，４−ジオキサン：ジ
イソブチルケトン−３０： ７０の混合液で９０秒現像
すると、開口寸法が０．３８μｍ、荒板との界面寸法０
．８０μｍのアンダーカット状のパターンを形成できた
。
を併用して現像する。１．４−ジオキサン：ジイソブチ
ルケトン： の混合液で３０秒現像した後、１，４−ジオキサン：ジ
イソブチルケトン−３０： ７０の混合液で９０秒現像
すると、開口寸法が０．３８μｍ、荒板との界面寸法０
．８０μｍのアンダーカット状のパターンを形成できた
。
以上、実施例を示したが、本発明は、先に従来例として
示したイオノマー結合を利用する各種ポジ形レジスト組
成物を用いたパターン形成に広く適用できるものである
。
示したイオノマー結合を利用する各種ポジ形レジスト組
成物を用いたパターン形成に広く適用できるものである
。
以上説明したように、側鎖にカルボキシル基をもつレジ
ストと２価金属の酸化物、へロゲン化金属又は有機酸塩
の中から選ばれる添加剤との混合物よりなるポジ形レジ
スト組成物を、被加工基板表面に塗布し、ヘ−キング後
、電子線やＸ線、紫外線等の高エネルギ線を照射し、照
射部分を有機溶剤からなる現像液で熔解し、所望のパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、有機溶剤中
にカルボン酸が混合されている現像液を用いることによ
り、現像残りの薄膜を除去し、微細で１つエツジがシャ
ープなパターンを得ることができる又、本発明と従来の
現像液を併用して両者の現像時間を適当に選ぶことによ
り、パターンの断面寸法を制御できる範囲を拡大できる
。特に、この方法は、リフトオフ法を用いた素子製作工
程において、開口寸法のみならず界面寸法の制御が要求
される場合に有効である。例えば、先に第３図で説明し
たように、基板上に、薄膜が積層され、この薄膜上にア
ンダーカプトな断面形状のレジスト・パターンを形成し
、このパターンをマスクにして薄膜をエツチングした後
にメタル等を蒸着しリフトオフを行なう工程では、薄膜
の加工寸法がレジスト・パターンの界面寸法に、メタル
の加工寸法がレジスト・パターンの開口寸法に依存する
。
ストと２価金属の酸化物、へロゲン化金属又は有機酸塩
の中から選ばれる添加剤との混合物よりなるポジ形レジ
スト組成物を、被加工基板表面に塗布し、ヘ−キング後
、電子線やＸ線、紫外線等の高エネルギ線を照射し、照
射部分を有機溶剤からなる現像液で熔解し、所望のパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、有機溶剤中
にカルボン酸が混合されている現像液を用いることによ
り、現像残りの薄膜を除去し、微細で１つエツジがシャ
ープなパターンを得ることができる又、本発明と従来の
現像液を併用して両者の現像時間を適当に選ぶことによ
り、パターンの断面寸法を制御できる範囲を拡大できる
。特に、この方法は、リフトオフ法を用いた素子製作工
程において、開口寸法のみならず界面寸法の制御が要求
される場合に有効である。例えば、先に第３図で説明し
たように、基板上に、薄膜が積層され、この薄膜上にア
ンダーカプトな断面形状のレジスト・パターンを形成し
、このパターンをマスクにして薄膜をエツチングした後
にメタル等を蒸着しリフトオフを行なう工程では、薄膜
の加工寸法がレジスト・パターンの界面寸法に、メタル
の加工寸法がレジスト・パターンの開口寸法に依存する
。
このような場合、本発明の適用による断面形状の制御は
特に有効である。
特に有効である。
第１図は本発明の実施例と従来例によるφ−ＭＡＣの感
度曲線を表す図、第２図Ａ−Ｃは本発明の実施例におい
てレジスト層を２層構成にして、現像液を変えた実施例
の工程断面図、第３図Ａ〜Ｄはリフトオフを用いた半導
体素子製造工程の要部断面図、第４図Ａ、Ｂは従来例の
断面図であるｄｌ：開口寸法 ｄ２：界面寸法 １ ：被加工基板 ２ ：下層レジスト ３ ：上層レジスト ２１：被加工基板 ２２：無添加のφ−ＭＡＣＯ層 ２３：ＺｎＢｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２４：電子
ビーム ３１：基板 ３２：薄膜 ３３；レジスト層 ３４：開口 ３５：金属 Ａに本発明の現像液で臭化亜鉛を３重量％添加したφ−
ＭＡＣを現像した例 Ａ２：従来の現像液で臭化亜鉛を３重量％添加したφ−
ＭＡＣを現像した例 Ｂ１：本発明の現像液で無添加のφ−ＭＡＣを現像した
例 Ｂ２：従来の現像液で無添加のφ−ＭＡＣを現像した例
度曲線を表す図、第２図Ａ−Ｃは本発明の実施例におい
てレジスト層を２層構成にして、現像液を変えた実施例
の工程断面図、第３図Ａ〜Ｄはリフトオフを用いた半導
体素子製造工程の要部断面図、第４図Ａ、Ｂは従来例の
断面図であるｄｌ：開口寸法 ｄ２：界面寸法 １ ：被加工基板 ２ ：下層レジスト ３ ：上層レジスト ２１：被加工基板 ２２：無添加のφ−ＭＡＣＯ層 ２３：ＺｎＢｒ２を添加したφ−ＭＡＣの層２４：電子
ビーム ３１：基板 ３２：薄膜 ３３；レジスト層 ３４：開口 ３５：金属 Ａに本発明の現像液で臭化亜鉛を３重量％添加したφ−
ＭＡＣを現像した例 Ａ２：従来の現像液で臭化亜鉛を３重量％添加したφ−
ＭＡＣを現像した例 Ｂ１：本発明の現像液で無添加のφ−ＭＡＣを現像した
例 Ｂ２：従来の現像液で無添加のφ−ＭＡＣを現像した例
Claims (2)
- （１）側鎖にカルボキシル基をもち、高エネルギ線照射
で分解するレジストと、２価金属の酸化物、ハロゲン化
物又は有機酸塩のなかから選ばれる少なくとも１種の添
加材との均一混合物よりなるポジ形レジスト組成物を、
被加工基板表面に塗布し、ベーキング後に、高エネルギ
線を照射し、該照射部分を現像液で溶解し、所望のパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、 該現像液として、有機溶剤中にカルボン酸が混合されて
いる現像液を使用することを特徴とするパターン形成方
法。 - （２）側鎖にカルボキシル基をもち、高エネルギ線照射
で分解するレジストと、２価金属の酸化物、ハロゲン化
物又は有機酸塩のなかから選ばれる少なくとも１種の添
加剤との均一混合物よりなるポジ形レジスト組成物を、
被加工基板表面に塗布し、ベーキング後に、高エネルギ
線を照射し、該照射部分を現像液で溶解し、所望のパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、 前記ポジ形レジスト組成物の塗布及びベーキングにより
形成される層を各々前記添加剤の濃度或いは種類を異な
らせた少なくとも２層に形成し、前記現像液として、有
機溶剤中にカルボン酸が混合されている現像液と、有機
溶剤中にカルボン酸が混合されていない現像液とを少な
くとも１度ずつ使用することを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151860A JPS6211852A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | パタ−ン形成方法 |
| PCT/JP1985/000411 WO1986001009A1 (en) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | Pattern formation |
| US06/847,907 US4699870A (en) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | Patterning method |
| DE8585903700T DE3577930D1 (de) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | Bildung von motiven. |
| EP85903700A EP0187870B1 (en) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | Pattern formation |
| KR1019860700161A KR910001590B1 (ko) | 1984-07-23 | 1985-07-22 | 패턴 형성방법 |
| US07/067,263 US4820609A (en) | 1984-07-23 | 1987-06-25 | Highly sensitive positive resist mixture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151860A JPS6211852A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211852A true JPS6211852A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15527824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151860A Pending JPS6211852A (ja) | 1984-07-23 | 1985-07-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211852A (ja) |
Cited By (4)
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| JPH03167553A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-19 | Toray Ind Inc | 水なし平版印刷版用前処理液 |
| US5754717A (en) * | 1995-10-31 | 1998-05-19 | Indigo Medical, Incorporated | Light-diffusing device for an optical fiber, methods of producing and using same, and apparatus for diffusing light from an optical fiber |
| KR100243277B1 (ko) * | 1997-01-10 | 2000-02-01 | 윤종용 | 반도체장치의 요철형 커패시터 제조방법 |
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| JPS59142547A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 溶解速度差現像液の像鮮明性増大剤 |
| JPS59501482A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-08-16 | ヘキスト アクチエンゲゼルシヤフト | ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法 |
| JPS6070449A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-04-22 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | 水−アルカリ性現像剤 |
| JPS6088945A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | Toyobo Co Ltd | 画像複製材料用水性処理液 |
| JPS60200256A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の処理方法 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60151860A patent/JPS6211852A/ja active Pending
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