JPS59501482A - ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法 - Google Patents

ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法

Info

Publication number
JPS59501482A
JPS59501482A JP58502585A JP50258583A JPS59501482A JP S59501482 A JPS59501482 A JP S59501482A JP 58502585 A JP58502585 A JP 58502585A JP 50258583 A JP50258583 A JP 50258583A JP S59501482 A JPS59501482 A JP S59501482A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
salt
developing
aqueous alkaline
quaternary ammonium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58502585A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0431105B2 (ja
Inventor
シモン・ウルリツヒ
ボイテル・ライナ−
Original Assignee
ヘキスト アクチエンゲゼルシヤフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘキスト アクチエンゲゼルシヤフト filed Critical ヘキスト アクチエンゲゼルシヤフト
Publication of JPS59501482A publication Critical patent/JPS59501482A/ja
Publication of JPH0431105B2 publication Critical patent/JPH0431105B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ポジ形(写)鰻を現像するためのアルカリ水溶液およびこの層を現像する方法 本発明はケイ酸塩および少なくとも1つの也の取分を主体とするホゾ形感光性複 写層のた6の水性アルカリ現像液およびこのI−を現像する方法Vこ関する。
感光性複写層はたとえばオフセット印刷7反また・まホトレゾス(以下両方とも 複写材料と称する。)#造の際使用され、すなわちこの複写層は一般に消費者ま たは工菓的メーカによって層支持体に被dkされる。この複写材料の層支持体と しては亜鉛、マグネシウム、クロム、鋼、*虜、鋼、ケイ素、アルミニウムのよ うな金属もしくはこれら金属の組合せ、プラスチックシート、紙または同様の材 料が1吏用される。この層支持体は変性前処理なしに、しカーしとくcこ機械的 、化学Il+′:13よび(または)域気化学的徂面化、数比および(または) 親水性化剤による処j4(たとえばオフセット印刷版の支持体の場合)のような 表面変性実施説、感光性複写層で被榎される。普通の複写層は少なくとも1つの 感九曲化合吻のほかに多くほざらシこ有l!1頑合剤(値)」ゴ4)および場合 により可塑剤、顔料、染料、湿潤剤、渭感剤、付S収嵜剤、指示剤3よびその曲 のに用助剤を含む。複写、−はその蕗光後現1象さ孔、噛から!オが発2 特表 昭59−501482 (2)生じ、このようζこしてたとえば印刷8v また :まホトレジストが得られる。
ホゾ形復写習の現i象剤は(a放射が当った層部分(後の非11!8i1象部) を露光した層から溶出することができ、その涜放射が当らない、゛層部分(後の 画1象部)にほとんど影4を与えてはならない。列として示す西独特肝第120 0133号(−米国特許術3110596号)明細4iこは適当な現1象剤とし てたとえばリン酸省、ケイ酸塩、フルオロケイ酸塩、スズ酸塩、フルオロホウ酸 項またはフルオロチタン酸塩のアルカリ水溶液が挙げられ、これらは場合により さらに水溶性ハイrロコロイドまたは有機溶削を含むことができる。
これらの水性アルカリ現像液を改善するため、技術水準Qこンますでにされbて 種々の方法または改善が記載される: Pjル虫公@特許公報第2834958号(=哨アフリカ共和国特許79/41 31号4.洲書)にはO−ナフトキノンジアジド2よびアルカIJ g性atB ″ftを主体とするホゾ形感光層の現像法が記載され、層の露光した範囲は水性 アルカリ現像液で洗い出され、この現像液ばa)水ガラス、メタケイ酸ナトリウ ム、Na3PO4、K3PO4、Na2HPO4、K2HPO,、NaOH5K OH、ジエチルアミン、エタノールアミンまたはトリエタノールアミンのような アルカリ性をこ反応する化合吻およびb)元素周期表の第11AもしくはMA族 またはIlB族の元素たとえばカルシウム、ストロンチウムまた。・マバリゲム のような元素の塩、改化物よだ(・ば水ヌ化mそ言ひ。
英i刊特許π159198−i号明114っ1ら。−ナツトキノンジアジドエス テルおよびアlレヵり各a (’JT Iff f生年とrるホゾ形1元層の現 象法が公刊でうり、現檀剤、まa)アルカリ住メタケイ酸ナトリウムまた’tl  Na 3 PO4の水溶液のようなアルカリ性水溶孜75〜99.5容量%2 よびb)アルカノールまたはアルカンジオール(またはそのモノエーテル)のよ うな胃機浴削0.5〜25容寸チを含む。他の成分としてNaOH、安息香酸ナ トリウム、ジメチルホルムアミド、ポリエチレングリコール、Na2HPO42 よびテトラナトリウムエチレンジアミンテトラアセテートら挙げらnる。
M、J、Grieco 4はIBM−Technical Disclosur eBulletin Xvoll 3.7g67.12/1970. 2009 ページをこPH1直9〜13および水酸化テトラメチルアンモニウム含量5〜2 5チの水性よた。まアルコール注−アルカリ浴g (Na+イオンを含まr)を ホゾ形ホトレゾストの現像に適するとして挙げている。
fi−開昭50−158280号(1975手12月22日公開)による半導体 lin造の場合0−ナフトキノンジアジド3よびノボラック樹脂を主体とするポ ジ形ホトレジストは水酸化テトラメチルアンモニウム1〜4貞重係を含む水浴液 で現像されるd 特公昭53−4423号(1978手2月17日公告)には水酸化テトラアルキ ルアンモニウム(01〜C,のアルキル)の水性また(まアルコール性浴液が0 −ナフトキノンジアゾrおよび)ぜラックm指を主体とするポジ形ホトレゾスト の現1象;こ一傾すると記載される。水+J jヒテトラヒドロキシエチルアン モニウムも現1家I!iIj茂汁としで挙げられているけれど、b下り適当でな いと記、J!される。
画法公開特許公4第2312499号(−英国特許41367830号)からゾ アデキノンーシロキサンぢよびアルカリ浴性結合剤を主体とするホゾ形ホトレゾ ストが公刊であり、これは水酸化テトラメチルアンモニウム1.7重量チおよび アニオン団界面活性剤を含む水浴液で現像される。
米国特許第4141733号明補4・こよるホトレジス)Eよび印刷版の分野に 3けるキノンジアゾ−言有ポジ形盛光層の現像剤は水溶液に水酸化メチルトリヒ ドロキシエチルアンモニウム1〜60重t % f含む。
比IN rl iこは水IR化化上トラメチル−2−テトラエチル2−ベンゾル ーメチル−ジヒドロ干ジエチル−3よび一ベンゾルーヒドロキシェチルーゾメチ ルアンモニウムGyv用される。少なくとも1つのヒドロキシアルキル基をMす る水酸化第4アンモニウムはヨーロッパ持訂出頑公開公報第0023.758号 (米国特許第4294911号)によれば亜#L戚項、ヒドロ亜珈曖塩またはピ ロ亜誠酸塩(ジ亜疏改塩、メタ亜瞳岐塩)のm 7JOjこよって安定化するこ とができる。
しかし公却現1象剤はまだ少し欠点を有し、たとえばし!−1’Lば印刷版の支 持材料の酸北アルミニウム壱を浸食し、または画像部のグラデーションを著しく フラットにする(軟か過ぎるグラデーション)。
そ11.ゆえ不発明の目的は印刷、坂が現象削の:史用γこより複写I層の父性 材料8はとんど受されることなく、画啄部に良好な屏家力で比改的硬いグラデー ションが得ら几る、ボッ形感光性複写+Jの現像剤を・尋ることである。
本発明、iケイ酸塩および少なくとも1つの曲の成分を正本とする感光j生ポジ 形(4層のための公知水性アルカリケイ酸塩)ら出発する。不発明(こよる現1 逮液の特畝は第4アンモニウム塩基を含むことである。−Iアンモニウム塩基” とは水性アルカリ現、#!孜外ですでに塩基として存在する化合物のみならず、 たとえば現謙液甲で解離する第4アンモニウム塩のよう(こ、アルカリ水溶液中 で・イオン平衡状態tこめる第4アンモニウムイオンf 44 Tる化合切を含 む。第4アンモニウム塩基はとくlこ水該化テトラアルキルアンモニウムであり 、そのアルキル直俣分は同じであり、または異ぼり、炭素原子を1〜6個含む。
こnに、またとえば:水ボ化テトラメチルアンモニウム (TMAH)水酸化テ トラエチ・ルアンモニウム (TEAH)水酸化テトラプロピルアンモニウム( TPAH)水酸化テトラブチルアンモニウム (TBAH)水酸化トリブチルメ チルアンモニウム(TBMAH)が挙げられる。
水性アルカリ現1象液は各剤の水のほかに主としてケイ改塩七<でメタケイ酸ナ トリウムのようなアルカリケイ酸塩をとくンこ5〜15重量%、有利(こ6〜1 3重量%含′fJ6ケイ酸塩#度が比較的低い場合q溶液中に存在する池の成分 の量に応じて現1象後にスヵミングが現nる。しかしこの効果は製電または他成 分のff1.dの変化4こよって防止することができる。
第4アンモニウム塩基はこの水性アルカリ現像液中(コ有利fコ0.001〜1 .03i量チと<lco、0112〜0.1重量係の盪で存在する。有利な現像 液は付加的に有機の、場合により置換された芳香族モノカルボン酸の塩、とくに 場合により置換された安息香酸のアルカリ塩たとえば安息香酸す) IJウムま たはサリチル酸ナトリウムを0.01〜10.0重量%とくに0.1〜5.0重 量%含む。すでに挙げた成分のほかに不発明による現像液は場合ζこよりさらに 常用添加剤たとえばイオン性もしくは非イオン性界面活性剤、消泡剤、粘度調節 剤、保存剤、錯化剤または(最高5重量%まで)水と混合しうる有機浴剤を含む ことができる。
解決すべきもう1つの目的は層の露光した範囲を本発明による現像rLIこよっ て況い出す、アルミニウム系支持材料上の4光したホゾ形感光性複写層の現諌法 である。
現憤すべき複写層:まとくにオフセット印刷版の一部(感光4 )としてよたl ・ま支持材料上イこ破覆したレジメト(ホトレジスト−)として存在する。父性 材料として;まとくにアルミニウムまたはその合金っS挙げられる。
支持体は特殊な変性前焔理なしくこ適当な連写・層をtL慢することができるけ れど、有利(ここの彼覆は@械的、化学的および(または)電気化学的粗面化、 酸化2よび(また′ま)親水性化剤による処理(とくにオフセット印刷版の支持 体の場合)のような表面変性処理後に初めて実施される。
98.5重量%を超えるAlおよび少鑓のSi、Fe。
T1、Cu18よびznを含む実地に非常に多く使用される印刷版のアルミニウ ム支持材料は、一般に銭元層破覆前に機械的(たとえばブラシおよび(または) 研削剤lこよる処理により)、化学的(たとえば+4 i @iこより)または 醒気化学的(たとえばHCAまた(まHNO3水浴液中の又流對理ζこより)に 粗面化される。粗面化した表面の平均粗さRZは、fJ1〜15μmの範囲にあ る。
粗さは1970年10月発行のDIN 4768 Itこよってめ、その際祖ざ R2は互いに隣接する5つの測定区間の谷粗さの算術平均である。
とくに使用した4気化学的粗面化法の後ζこ場合によつ適用されるもう1つの工 程として、たとえば支持材料の表面の耐摩耗性および付着性を頃書するため、ア ルミニウムの陽極酸化が続く。4極酸化にはH2SO4、H3P0.、H2C2 04、アミ−スルホンdl、スルホコハク酸、スルホサリチル酸またはその混合 物のような常用tg液を1吏用することがで吉る。たとえばアルミニウムの・場 函駿化用にH2SO4を含む水性域、4液を1吏用する場合、仄の砿4法が挙げ られる(たとえばM、SchθnkによるWerkstoff Alumini um und 5eine anodischeC)xydation 、 F rancks Verlag−Bern 、、 19413年、760ページ、 Praktische Ga1vanotechnik 、 EugenG、  Leuze Verlag−8au1gau 、 1970手、695ぺよびC ,T、SpeigerによるDie Praxis der anodisch enOxj4ation des Aluminiums 、 Alumini ums Verlag−9直流硫酸?去”、こnによれば通虜解欣11当りH2 S04−l!!J2ろOgを含む水性4屏液中で10〜22“Cおよび0.5〜 2.5A/dm2の1流tj度に8いて10〜60分場極譲1ヒが行わ几る。水 性(4液の硫酸濃度はH2SO48〜10重徽% (H2SO,約10CJI! /l)まで低下し、または30電赦%(a2so、365.li’/l)以上に 上昇することもできる。
″硬買4極設化”ハH2So、J度166 fl/l (マタは約2601/I りのH2SO,富有水性′区解漱中で0〜S−Cの作業孟夏、2〜ろA/dJn ″の一流街・更において、処理の初期の25〜30Vから来期の約40〜100 Vへ電圧を上昇しながら60〜200分間美癩される。
8]刷版支持材はのすで(こ前記した場極・滅化去のほかVこさらに次の方法を 使用することがでさる:A13+イオン含量を12g/lより高い値に調節した H2SO4含有水性4解孜中(5檀公開特許公報42811696号−米国特許 44211619号)、H2SO,およびH3P0.含有水注鑞眸夜甲(西独公 開特杆公報外2707810号−米国特許第4049504号)またlまH2S O,、H,PO,およびA13+イオン含有水性に解散中(西独公開特許公報第 2836803号−米国時n@4229226号)゛のアルミニウムの、4極酸 化。
4j酸化にはとく(こ直流が使用されるけ孔ど、父#、マたはこnらの域流形式 の組合せ(たとえば交流を重畳した直流)も使用することができる。脆化アルミ ニウムの1−重量は一般に約0.6〜6.0μmの1厚に応して1〜1Q、li t、/m2の範囲内を変動する。
アルミニ・ラムからなる印刷版支持材料の4を極戚化工程のあとに1つまたはチ 数の後処理工m /i−4けることができる。この場合後処理とはとくに酸化ア ルミニウム層の化学的または1気化学而親水性化処理、たとえば5韻特許第16 21478号(−英国荷許第1230447号)明細書によるポリビニルホスホ ン戚水浴液中の材料浸漬処理、西独特許公報第1471707号(=米国特許第 3181461号)によるアルカリケイ改塩素溶液中の浸漬処理また(・ま西洩 公開特許公報第2532769号(−米国特許第3902976号)によるアル カリケイ竣塩水溶液甲の4気化学的処理(湯匝禰化)を表わす。この後6理工哩 はとくすこ多くの使用分野のtv 、!l′)に丁でに十分な酸化アルミニウム 層の親水性をさらlこ寸DO的7こ上昇するために役立ち、その際この1嶋のそ の1也の公知曲直ンま少なくとも維持される。
本発明ζこよる水性アルカリ現1象液は原則的にすべてのポジ形複写層(こ適す るけれど、とくに0−キノンジアジド、とくに低または高分子でありうるナフト キノン−(1,2)−ジアジド−(2)−スルホンE便エステルまたは−アミド のような0−ナフトキノンジアジドを感光性化合物として含む層に適する。これ らの複写層はこれらのO−キノンジアゾPの少なくとも1つのほかにアルカリ浴 性樹脂たとえばフェノール樹脂、アクリルまたはメタクリル酸コーポリマー、マ レイン鍍コー?リマーおよび塩を形成しうる基を含む他のポリマーを含む。とく にフェノール樹脂、有利にノざラックを含む。他の可能な層成分はとくに少量の アルカリ浴性樹脂、染料、可塑剤、付看改嵜剤デたは界面活性剤である。このよ うな複写ノーはたとえば西独将許第854890号、865109号、8792 03号、894959号、938233号、1109521号1144705号 、1118606号、1120273号、1124817号3よび2ろ3137 7号ならびにヨーロッパ特許出頭公開公報第0021428号2よび00558 14号ρこ記載される。
不発明Qこよ/)現像後のlaJ鐵部が比較的硬いグラデーション3よび良好な 、導砿力を示すことが達成される。
この場合面1象部と非面1象部が明りょう−こ区別され、すなりち溶イすべき層 成分゛ま面象部のζこじみを生ずることなく、残渣なしに除去さ几る。良好な現 !−4目力にもかかわらず不発OAlとよる現−1Ii液は榎写蕎の支持材料と くに酸化アルミニウム層を、実際に普通の現像時間を適用する限り浸食しない。
技術水準の現・象液と比較して、同等の激しい酸化物浸食を生ずることなく、も つと1砧a更のケイ酸塩を1更用するこ七ができる。
以下の一重で予直は1教に、、、ii、L、事漣部、ま容★部(こ対しJ対m3 の関係にある。
P11〜10U′6よび比較例■1〜■16二酸中で電気化学的に粗面化し、陽 極酸化したアルミニウム板(敵化物順直重約3.V/i”)をポリビニルホスホ ン酸7に湛液による浸直工哩で親水圧に杖匙埋し、乾蒙する。このように前処理 した支持材料へナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スルホクロ リド、クレゾール−ホルムアルデヒドノボラックおよび2.3.4−トリヒrロ キシーペンゾフエノンから塩基存在の5とに製造したジアゾチッ素含量4.7% のナフトキノンジアジドスルホン敵エステル 1.82重4置部 ナフトキノンー(1,2)−シアシト−(2)−4−スルホクロリ)F 0.2 2重重部 融点範1用(DIN 53181による)105〜120 ’Cのタレデールー ホルムアルヂヒrノズラツク0.07重量部 テトラヒげロフランSgyt部、エチレングリコールモノメチルエーテル4容量 部および酢酸ブチルエステル1容を部からなる混合物 91.19重量部甲のク リスタルバイオレット 0.08重量部からのポジ形感光性被di(ヨーロッパ 特許出願公開公報第0055814号参照)を乾燥後2.3 g/ m2の一重 量を有するように被覆する。このように製造した連写材料を憫どりしたポジオリ ジナルの下で橡に応じて1分間露光し、次に表に示す現!象液の1つで現像する 。現像時間は2または10分であり、すべての場合に2分後酸化物層侵食はほと んど認めら孔なかった。
不発明による組成の現鐵液とケイ酸塩および第4アンモニウム@基成分の1つを 除いた現鐵液との比較により、不発明による進歩Tなわら画像部の硬いグラデー ションおよび酸化物浸食の有利な影4i!(すなわち減少)が明ら力)iこなっ た。不発明の現I象液に安息香酸塩を添加せす、または添刀0孟をノ戚する場合 、グラデーション3よび解1象力に関する測足1直に大きい変化は生じないけれ ど、安息香酸塩添加の場合、酸化物層侵食が低くなる方向への影響がある程度認 められる。比較向■6〜V15では第4アンモニウム塩基としてTEARもTB MAHt−、使用した。
グラデーションの硬さの尺度として16階段3よびクサビ定数0.15の露光試 験クサビ(第1段の濃度0.15、最終段のdel、95、たとえ・1Kall e、Ni Qd−e rlassung der HOchst AG力)ら市 販されるKalle露光試磯クサビBりO1)上の−A1ペタ段と最後の透明段 の差がめらnる、差が小ざいほどグラデーションは硬い。
解1象力はFograff密測定ストリツ7°” PMS−K ”のいわゆるに 領域で測定するC Deutschen Forschungs−gesell schaft fur Druck−und Reproduktionste chni”、cena、V、(Fogra )、1979年1月−Munche n発行の” fogra praxis report ” 4 2 4 、D ie FOGRA −Pr’Azisions −Messtreifen″参 照〕。K領域は4〜4参照層の9種の;嘔のギャップ8よび、腺を有する9つの 部分領域を市む。各部分領域は線幅またはギャップll1gをμ扉で示す数字φ こよって表わされる。4〜40の値を■するいわゆる”K値″(表参照)はそれ ぞn複写されたもつとも細い線領域を表わす。K櫃がたとえば4すなわち解は刀 が4μmの場合、@4μ扉の線およびヤヤツゾは複写に3いて明らかに分離して 複写される。
例イこおいてケイ酸塩としてはつねにNa2SiO3・9H20、安息香酸塩と しては安息香酸すl−IJウムを使用した。
5 17 1 j ! 1 詩表昭59−501482 (6) 21 国際調査報告

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 第4アンモニウム塩基を含ひことを特徴とする、ケイ酸塩、8よび少なく とも1つの他の成分を王手とするメジ形感光性4写層のたろの水性アルカリ現1 象液。 2、第4アンモニウム塩Iとして水酸化テトラアルキルアンモニウムを含み、そ のアルキル48分が同じであるかまたは異なり、かつ炭素原子1〜6個を含むこ とを特徴とする請求の範囲$11項記載現像液。 ろ、 付刀口的に有機の、場合により置換された芳香族モノカルfフ酸の塩を含 むことを特徴とする請求の範囲第1項またlま第2頃記載の現慎液。 4、場合により置換された安息香酸の塩を含むことを特徴とする請求の範囲第6 項記載の現像液。 5、 ケイ酸塩5〜15重着%3よび第4アンモニウム塩4.o、o o i〜 1.0重噴チを含むことを特徴とする請求の範囲第1項から第4項までのいずれ か1項に記4の現鐵液°。 6、 塩を0.01〜10.0重着チ含むことを特徴とする請求の範囲第3項か ら第5項までのいずちか1項に2戒の現像液。 Z アルミニウム系支持材料上の露光したポジ形感光性複写ノーを、層の露光し た範囲を、ケイ酸塩2よび少なくとも1つの也の成分を含む水性アルカリ現謙液 で況い出すことにより現漂する方法において、第4アするポジ形複写層を現像す る方法。 8、 現1象液が付加的(こ有機の、場合によi/)置換された芳香族モノカル ぜン憤の塩を含むことを特徴とする請求の範囲第7項記載の方法。 94写層が感光性化合物としてのO−ナフトキノン−ジアジド3よびアルカリ溶 性樹・信を吉むことを特徴とする請求の範囲第7項または第8頃記載の方法。 10、支持材料つS少なくとも1つの4蝋酸化・てより製造した酸化アルミニウ ム層を有することを特徴とする請求の@帽第7項から茗9項までのいずれか1項 lこ2戒の方法。
JP58502585A 1982-08-13 1983-08-03 ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法 Granted JPS59501482A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823230171 DE3230171A1 (de) 1982-08-13 1982-08-13 Waessrig-alkalische loesung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten
DE3230171.5 1982-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59501482A true JPS59501482A (ja) 1984-08-16
JPH0431105B2 JPH0431105B2 (ja) 1992-05-25

Family

ID=6170811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58502585A Granted JPS59501482A (ja) 1982-08-13 1983-08-03 ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4530895A (ja)
EP (2) EP0131575B1 (ja)
JP (1) JPS59501482A (ja)
AU (1) AU556217B2 (ja)
CA (1) CA1251678A (ja)
DE (2) DE3230171A1 (ja)
DK (1) DK189184A (ja)
FI (1) FI75680C (ja)
WO (1) WO1984000826A1 (ja)
ZA (1) ZA835090B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6211852A (ja) * 1985-07-10 1987-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成方法
JPS63271256A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Konica Corp 感光材料の現像液組成物
JPH01223449A (ja) * 1988-03-03 1989-09-06 Konica Corp 0−キノンジアジド化合物を含有する感光材料の現像液
US6432621B1 (en) 1999-01-07 2002-08-13 Kao Corporation Resist developer

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3569703D1 (en) * 1984-01-17 1989-06-01 Fuji Photo Film Co Ltd Presensitized plate having an anodized aluminum base with an improved hydrophilic layer
DE3409888A1 (de) * 1984-03-17 1985-09-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und dessen verwendung in einem verfahren zum herstellen einer druckform oder einer gedruckten schaltung
US4784937A (en) * 1985-08-06 1988-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant
DE3705896A1 (de) * 1986-02-24 1987-08-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel
JPH0638159B2 (ja) * 1986-07-18 1994-05-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用現像液
DE3884825D1 (de) * 1987-02-16 1993-11-18 Konishiroku Photo Ind Entwickler für lichtempfindliche lithographische Druckplatte, gemeinschaftlich verarbeitungsfähig für den Negativ-Typ und den Positiv-Typ und Entwicklerzusammensetzung für lichtempfindliches Material.
US5126230A (en) * 1987-04-06 1992-06-30 Morton International, Inc. High contrast, positive photoresist developer containing alkanolamine
US5094934A (en) * 1987-04-06 1992-03-10 Morton International, Inc. Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine
US4808513A (en) * 1987-04-06 1989-02-28 Morton Thiokol, Inc. Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine
US4931103A (en) * 1988-08-11 1990-06-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tricholine phosphate surface treating agent
JPH0470756A (ja) * 1990-07-11 1992-03-05 Konica Corp 感光性平版印刷版の現像方法及び現像液
DE4027299A1 (de) * 1990-08-29 1992-03-05 Hoechst Ag Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten
KR100573560B1 (ko) 1997-10-30 2006-08-30 가오가부시끼가이샤 레지스트용현상액
DE69901642T3 (de) 1998-03-14 2019-03-21 Agfa Nv Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial
US6511790B2 (en) 2000-08-25 2003-01-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate
DE60126461T2 (de) 2000-11-15 2007-10-25 Canon K.K. Bilderzeugungsverfahren und Bilderzeugungsvorrichtung
ATE532106T1 (de) 2002-09-20 2011-11-15 Fujifilm Corp Verfahren zur herstellung einer flachdruckplatte
WO2007109126A2 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Duke University Monte carlo based model of fluorescence
TWI678596B (zh) 2018-09-13 2019-12-01 新應材股份有限公司 正型光阻組成物及圖案化聚醯亞胺層之形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5875152A (ja) * 1981-10-06 1983-05-06 ポリクロム・コ−ポレイシヨン ポジチブ写真平版製品の改良現像剤

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE143920C (ja) *
DE56092C (de) * 1890-03-09 1891-04-29 C. P. ELIESON in London, England Gasdruckvorrichtung bei elektrolytischen Elektricitätszählern
BE581434A (ja) * 1958-08-08
BE793490A (fr) * 1972-05-23 1973-06-29 Hunt Chem Corp Philip A Article sensible a la lumiere comprenant un phenolate de diazoquinone, un liant polymerique, et une diazoquinone-siloxane
JPS50158280A (ja) * 1974-06-10 1975-12-22
JPS5156226A (ja) * 1974-11-11 1976-05-17 Sanei Kagaku Kogyo Kk Hojitaipukankoseijushino genzozai
JPS534423A (en) * 1976-07-02 1978-01-17 Hitachi Ltd Surface plate for color pick up tube
US4141733A (en) * 1977-10-25 1979-02-27 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions
GB1591988A (en) * 1977-12-29 1981-07-01 Vickers Ltd Lithographic printing
DE2834958A1 (de) * 1978-08-10 1980-02-21 Hoechst Ag Verfahren zum entwickeln von belichteten lichtempfindlichen druckplatten
US4294911A (en) * 1979-06-18 1981-10-13 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer
JPS56122130A (en) * 1980-02-28 1981-09-25 Sharp Corp Method for forming pattern of thin film transistor
DE3100856A1 (de) * 1981-01-14 1982-08-12 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch auf basis von o-napthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
EP0062733B1 (en) * 1981-04-10 1986-01-02 Shipley Company Inc. Metal ion-free photoresist developer composition
US4423138A (en) * 1982-01-21 1983-12-27 Eastman Kodak Company Resist developer with ammonium or phosphonium compound and method of use to develop o-quinone diazide and novolac resist
US4464461A (en) * 1983-07-22 1984-08-07 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5875152A (ja) * 1981-10-06 1983-05-06 ポリクロム・コ−ポレイシヨン ポジチブ写真平版製品の改良現像剤

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6211852A (ja) * 1985-07-10 1987-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成方法
JPS63271256A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Konica Corp 感光材料の現像液組成物
JPH01223449A (ja) * 1988-03-03 1989-09-06 Konica Corp 0−キノンジアジド化合物を含有する感光材料の現像液
US6432621B1 (en) 1999-01-07 2002-08-13 Kao Corporation Resist developer

Also Published As

Publication number Publication date
DE3230171A1 (de) 1984-02-16
CA1251678A (en) 1989-03-28
FI75680C (fi) 1988-07-11
EP0101010A1 (de) 1984-02-22
US4530895A (en) 1985-07-23
FI75680B (fi) 1988-03-31
FI843564A0 (fi) 1984-09-11
ZA835090B (en) 1984-03-28
AU1825083A (en) 1984-03-07
FI843564L (fi) 1984-09-11
DK189184D0 (da) 1984-04-12
EP0131575B1 (de) 1987-09-02
EP0131575A1 (de) 1985-01-23
JPH0431105B2 (ja) 1992-05-25
AU556217B2 (en) 1986-10-23
DE3373370D1 (en) 1987-10-08
WO1984000826A1 (en) 1984-03-01
DK189184A (da) 1984-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59501482A (ja) ポジ形複写層用の水性アルカリ現像液およびポジ形複写層の現像法
JPH0213293B2 (ja)
SE423003B (sv) Desensibiliseringslosning och anvendning derav for att behandla en framkallad, ljuskenslig diazotryckplat
JPS60234895A (ja) 印刷板支持体として使用するためのアルミニウムまたはアルミニウム合金の電気化学的粗面化法
US3958994A (en) Photosensitive diazo steel lithoplate structure
JPS5924847A (ja) 照射されたネガチブ作用を有する感光性複写膜の水性アルカリ性現像剤及び該複写膜の現像方法
CA1145190A (en) Process for the development of exposed light-sensitive printing plates based on o-naphthoquinone-diazides
JPH0375639B2 (ja)
JPH0567025B2 (ja)
JPS58171596A (ja) 金属製支持体上に施される少なくとも1種の化合物を含有する電解質水溶液中で支持体材料の片面もしくは両面に電気泳動的に塗布する方法
JPS58153699A (ja) オフセツト印刷版用支持体材料の製法
JPS63134292A (ja) オフセツト印刷板用プレート、シートまたはウエブー形支持体材料および支持体材料の製法
JP2775534B2 (ja) 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH0534158B2 (ja)
RU2660664C1 (ru) Способ получения структурированных покрытий
DE1817107A1 (de) Lichtempfindliches Material fuer die Herstellung einer Mehrmetall-Offsetdruckplatte
DE4203010C1 (ja)
US2333221A (en) Etching solution for lithographic plates
US2245052A (en) Liquid cleaning composition
JPS63112193A (ja) 平版印刷用アルミニウム基板の製造方法
US4937170A (en) Coupling agents for photographic elements
JPS6280663A (ja) 平版印刷版の修正剤
DE3117358A1 (de) Mittel und verfahren zum reinigen und rehydrophilieren von offsetdruckformen
US1014740A (en) Process for preparing printing-plates in a grained manner.
RU2021393C1 (ru) Раствор для травления форм высокой печати на микроцинке