JPS62161775A - ペルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の製造法 - Google Patents
ペルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の製造法Info
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- JPS62161775A JPS62161775A JP61213571A JP21357186A JPS62161775A JP S62161775 A JPS62161775 A JP S62161775A JP 61213571 A JP61213571 A JP 61213571A JP 21357186 A JP21357186 A JP 21357186A JP S62161775 A JPS62161775 A JP S62161775A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D281/00—Heterocyclic compounds containing rings of more than six members having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
- C07D281/02—Seven-membered rings
- C07D281/04—Seven-membered rings having the hetero atoms in positions 1 and 4
- C07D281/06—Seven-membered rings having the hetero atoms in positions 1 and 4 not condensed with other rings
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Chemistry (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
- Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアンノオテンシン変換酵素阻害作用(以下、A
CE阻害作用と略す)?宵し、抗高血圧薬として有用な
ベルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の新規な製法に
関するものである。
CE阻害作用と略す)?宵し、抗高血圧薬として有用な
ベルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の新規な製法に
関するものである。
本発明の目的
さきに本発明者等は、抗高血圧薬として有用なACE阻
害剤として、6−アミノ−5−オキソ−ベルヒドロ−1
,4−チアゼピン誘導体を見出し、特許を出願している
。(特許出願番号:特願昭59−71353号、同昭5
9−273451号および同昭60−49953号)。
害剤として、6−アミノ−5−オキソ−ベルヒドロ−1
,4−チアゼピン誘導体を見出し、特許を出願している
。(特許出願番号:特願昭59−71353号、同昭5
9−273451号および同昭60−49953号)。
本発明は上記化合物の新規な製法に関するものである。
発明の構成
本発明は、一般式
(式中、Rはアルキル基、シクロアルキルアルキル基ま
たはアラルキル基を示し、Rはカルボキシ基の保護基を
示し、Rはアリール基またはハロゲン原子で置換された
アルキル基を示す。)を有する化合物を、 一般式 と’(R(+1) (式中、RおよびRは同一または異なって水素原子、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基または複葉環
基を示す。)を有する化合物と脱スルホン酸剤の存在下
で縮合させて、一般式 (式中、R,R,RおよびRは前述したものと同意義を
示す。)を有する化合物とし、この化合物を、一般式 %式%() (式中、Xは)・ロゲン原子を示し、Rはカルボキシ基
の保護基を示す。)を有する化合物と塩基の存在下で縮
合させて、一般式 (式中、R,R,R,Rお↓びRは前述したものと同意
義を示す。)を有する化合物とし、さらにカルボキシ基
の保護基Rを除去することを特徴とする一般式 (式中、R,R,RおよびRは前述したものと同意義を
示す。)を有する化合物の製造法に関するものである。
たはアラルキル基を示し、Rはカルボキシ基の保護基を
示し、Rはアリール基またはハロゲン原子で置換された
アルキル基を示す。)を有する化合物を、 一般式 と’(R(+1) (式中、RおよびRは同一または異なって水素原子、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基または複葉環
基を示す。)を有する化合物と脱スルホン酸剤の存在下
で縮合させて、一般式 (式中、R,R,RおよびRは前述したものと同意義を
示す。)を有する化合物とし、この化合物を、一般式 %式%() (式中、Xは)・ロゲン原子を示し、Rはカルボキシ基
の保護基を示す。)を有する化合物と塩基の存在下で縮
合させて、一般式 (式中、R,R,R,Rお↓びRは前述したものと同意
義を示す。)を有する化合物とし、さらにカルボキシ基
の保護基Rを除去することを特徴とする一般式 (式中、R,R,RおよびRは前述したものと同意義を
示す。)を有する化合物の製造法に関するものである。
以下に上記一般式(I)〜(VDニオけるR、R,R。
R,R,RおよびXの定義と、各工程について説明する
。
。
一般式(I) 、 ([) 、 (V)および(VD中
のHにおけるアルキル基としては、炭素数1乃至9個の
アルキル基であり、例えばメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert
−7”チル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、オク
チル、ノニル等があげられ、シクロアルキルアルキル基
としては、炭素数5乃至7個のシクロアルキル基を賽子
る炭素数1乃至2個を有するアルキル基であり、例えば
シクロペンチルメチル、2−シクロペンチルエチル、シ
クロヘキシルメチル、2−シクロヘキシルエチル、シク
ロヘプチルメチル、2−シクロへブチルエチル等があげ
られ、アラルキル基としてはあげられる。これらのシク
ロアルキル アラルキル基は置換基を有してもよく、そのような置換
基としては、炭素数1乃至4個の低級アルキル基(例え
ばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イ′ノフ゛チル、tert−ブチル等)、炭素
数1乃至4個の低級アルコキシ基(例えばメトキシ、エ
トキシ、 n −プロポキシ、インプロポキシ、n−ブ
トキシ、イソブトキシ等)、ノ・ロゲン原子(例えばフ
ッ素、塩素、臭素等)、炭素数1乃至4個の低級アルキ
ルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ等)、があげ
られ、これらの置換基は同一または組合わされて1乃至
3個置換されていてもよい。
のHにおけるアルキル基としては、炭素数1乃至9個の
アルキル基であり、例えばメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert
−7”チル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、オク
チル、ノニル等があげられ、シクロアルキルアルキル基
としては、炭素数5乃至7個のシクロアルキル基を賽子
る炭素数1乃至2個を有するアルキル基であり、例えば
シクロペンチルメチル、2−シクロペンチルエチル、シ
クロヘキシルメチル、2−シクロヘキシルエチル、シク
ロヘプチルメチル、2−シクロへブチルエチル等があげ
られ、アラルキル基としてはあげられる。これらのシク
ロアルキル アラルキル基は置換基を有してもよく、そのような置換
基としては、炭素数1乃至4個の低級アルキル基(例え
ばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イ′ノフ゛チル、tert−ブチル等)、炭素
数1乃至4個の低級アルコキシ基(例えばメトキシ、エ
トキシ、 n −プロポキシ、インプロポキシ、n−ブ
トキシ、イソブトキシ等)、ノ・ロゲン原子(例えばフ
ッ素、塩素、臭素等)、炭素数1乃至4個の低級アルキ
ルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ等)、があげ
られ、これらの置換基は同一または組合わされて1乃至
3個置換されていてもよい。
一般式(1)、([)、(V)および(VD中のR に
おけるカルボン酸の保護基としては、有機合成化学にお
いて一般に広く知られている保護基であるかまたは薬理
学的に生体内においてカルボキシ基に変換し得るエステ
ル残基のことである。そのような保護基としては炭素数
1乃至6個のアルキル基(例えばメチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t
ert− 7’ チル、n−ペンチル、n−ヘキシル
等)、アラルキル基〔例えばベンジル、ジフェニルメチ
ル、1−インダニル、2−インダニル、1−( 1,
2, 3. 4−テトラヒドロナフチル)、2−(1、
2, 3. 4−テトラヒドロナフチル)、フタリジ
ル等〕、アリール基(例えばフェニル、ナフチル等)、
シリル基(例えばトリメチルシリル、tert−ブチル
ジメチルシリル等)があげられる。
おけるカルボン酸の保護基としては、有機合成化学にお
いて一般に広く知られている保護基であるかまたは薬理
学的に生体内においてカルボキシ基に変換し得るエステ
ル残基のことである。そのような保護基としては炭素数
1乃至6個のアルキル基(例えばメチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t
ert− 7’ チル、n−ペンチル、n−ヘキシル
等)、アラルキル基〔例えばベンジル、ジフェニルメチ
ル、1−インダニル、2−インダニル、1−( 1,
2, 3. 4−テトラヒドロナフチル)、2−(1、
2, 3. 4−テトラヒドロナフチル)、フタリジ
ル等〕、アリール基(例えばフェニル、ナフチル等)、
シリル基(例えばトリメチルシリル、tert−ブチル
ジメチルシリル等)があげられる。
上記保護基には、アルキル、ノ・ロゲン、ヒドロキシ、
アルコキシ、アシルオキシ、オキソ、カルボキシ、アル
コキシカルボニル、アルコキシカルボニルオキシ、アシ
ルアミノ、ニトロ、シアノ、アミノ、モノアルキルアミ
ノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、
アルキルスルホニル、アリールスルホニル、2−オキソ
−1,3−ジオキソレン−4−イル基等の置換基が存在
してもよく、これらの置換基は同一または組合わされて
1乃至3個置換されていてもよい。そのような置換基の
例としては例えばハロゲンにおいては2.2.2−トリ
クロルエチル、2−ヨードエチル等、ヒドロキシにおい
ては2−ヒドロキシエチル、2.3−ジヒドロキシプロ
ピル等、アルコキシにおいてはメトキシメチル、2−メ
トキシエトキシメチル、p−メトキシベンジル等、アシ
ルオキシにおいてはアセトキシメチル、1−アセトキシ
エチル、ピバロイルオキシメチル等、オキソにおいては
フェナシル等、アルコキシカルボニルにおいてはメトキ
シカルボニルメチル等、アルコキシカルボニルオキシに
おいてはエトキシカルボニルオキシメチル、1−(エト
キシカルボニルオキシ)エチル等、ニトロにおいてはp
−ニトロベンジル等、シアノにおいてはシアノエチル等
、アルキルチオにおいてはメチルチオメチル、エチルチ
オメチル等、アリールチオにおいてはフェニルチオメチ
ル等、アルキルスルホニルにおいてはメタンスルホニル
エチル、エタンスルホニルエチル等、アリールスルホニ
ルにおいてはベンゼンスルホニルエチル等、2−オキソ
−1,3−ジオキソレン−4−イルにおいては、(5−
メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソレン−4−イル
)メチル、(5−フェニル−2−オキソ−1,3−ジオ
キソレン−4−イル)メチル等があげられる。
アルコキシ、アシルオキシ、オキソ、カルボキシ、アル
コキシカルボニル、アルコキシカルボニルオキシ、アシ
ルアミノ、ニトロ、シアノ、アミノ、モノアルキルアミ
ノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、
アルキルスルホニル、アリールスルホニル、2−オキソ
−1,3−ジオキソレン−4−イル基等の置換基が存在
してもよく、これらの置換基は同一または組合わされて
1乃至3個置換されていてもよい。そのような置換基の
例としては例えばハロゲンにおいては2.2.2−トリ
クロルエチル、2−ヨードエチル等、ヒドロキシにおい
ては2−ヒドロキシエチル、2.3−ジヒドロキシプロ
ピル等、アルコキシにおいてはメトキシメチル、2−メ
トキシエトキシメチル、p−メトキシベンジル等、アシ
ルオキシにおいてはアセトキシメチル、1−アセトキシ
エチル、ピバロイルオキシメチル等、オキソにおいては
フェナシル等、アルコキシカルボニルにおいてはメトキ
シカルボニルメチル等、アルコキシカルボニルオキシに
おいてはエトキシカルボニルオキシメチル、1−(エト
キシカルボニルオキシ)エチル等、ニトロにおいてはp
−ニトロベンジル等、シアノにおいてはシアノエチル等
、アルキルチオにおいてはメチルチオメチル、エチルチ
オメチル等、アリールチオにおいてはフェニルチオメチ
ル等、アルキルスルホニルにおいてはメタンスルホニル
エチル、エタンスルホニルエチル等、アリールスルホニ
ルにおいてはベンゼンスルホニルエチル等、2−オキソ
−1,3−ジオキソレン−4−イルにおいては、(5−
メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソレン−4−イル
)メチル、(5−フェニル−2−オキソ−1,3−ジオ
キソレン−4−イル)メチル等があげられる。
これらカルボン酸の保護基は、保護の目的を達する限り
この発明の要旨を変更することなく広範な変化が可能で
ある。
この発明の要旨を変更することなく広範な変化が可能で
ある。
一般式(I)中ORにおけるハロゲンで置換されたアル
キル基としては、トリクロルメチル、トリフルオロメチ
ル、モノフルオロメチル等であり、アリール基としては
、フェニル、ナフチル等であり、これらアリール基はニ
トロ、フルオロ、クロル、ブロム等の電子吸引性の基ま
・たは原子で置換されていてもよく、例えばp−ニトロ
フェニル、0−ニトロフェニル、m−ニトロフェニル、
2.4−ジニトロフェニル、4−10ルー3−二トロフ
ェニル、p−ブロムフェニル、p−フルオロフェニル、
2.5−ジクロルフェニル等があげられる。
キル基としては、トリクロルメチル、トリフルオロメチ
ル、モノフルオロメチル等であり、アリール基としては
、フェニル、ナフチル等であり、これらアリール基はニ
トロ、フルオロ、クロル、ブロム等の電子吸引性の基ま
・たは原子で置換されていてもよく、例えばp−ニトロ
フェニル、0−ニトロフェニル、m−ニトロフェニル、
2.4−ジニトロフェニル、4−10ルー3−二トロフ
ェニル、p−ブロムフェニル、p−フルオロフェニル、
2.5−ジクロルフェニル等があげられる。
一般式(ff) 、 ([) ’、 (1)および(ロ
)中のRおよびR5におけるアルキル基としては炭素数
1乃至8個のアルキル基であり、例えばメチル、エチル
、n′−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル、5ec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、
ネオペンチル、ヘキシル、オクチル等があげられ、シク
ロアルキル基としては炭素数5乃至7個の例えばシクロ
ペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル等であ
り、アリール基としては例えば2エニル、1−ナフチル
または2−ナフチルであり、複素環基としては窒素原子
、酸素原子または硫黄原子を1個乃至3回含有する単環
または双環の複素環基であり、例えばフリル、チェニル
、イミダゾリル、チアゾリル、オキサシリル、イソオキ
サシリル、ピリジル、キノリル、イソキノリル、インド
リル等があげられる。
)中のRおよびR5におけるアルキル基としては炭素数
1乃至8個のアルキル基であり、例えばメチル、エチル
、n′−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル、5ec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、
ネオペンチル、ヘキシル、オクチル等があげられ、シク
ロアルキル基としては炭素数5乃至7個の例えばシクロ
ペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル等であ
り、アリール基としては例えば2エニル、1−ナフチル
または2−ナフチルであり、複素環基としては窒素原子
、酸素原子または硫黄原子を1個乃至3回含有する単環
または双環の複素環基であり、例えばフリル、チェニル
、イミダゾリル、チアゾリル、オキサシリル、イソオキ
サシリル、ピリジル、キノリル、イソキノリル、インド
リル等があげられる。
これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基ま
たは複素環基は置換基を有してもよく、そのような置換
基としては、炭素数1乃至4個の低級アルキル(例えば
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、tart−ブチル等)、アラルキル
基(例えばベンジル、フェネチル等)、アリール基(例
、tばフェニル、ナフチルh4 )、ヒドロキシ基、炭
素数1乃至4個の低級アルコキシ基(例えばメトキシ、
エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブト
キシ、インブトキシ等)、アラルキルオキシ基(例えば
ベンジルオキシ等)、アリールオキシ基(例えばフェノ
キシ等)、ノーロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素
等)、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシ
カルボニル基(例、tばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル等)、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基
(例えばモノメチルアミノ、モノエチルアミノ等)、ジ
アルキルアミノ基(例えばジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ等)、アシルアミノ基(例えばアセトアミノ、ベン
ズアミノ等)、カルバモイル基、N、N−ジアルキルカ
ルバモイル基(例えばN、N−ジメチルカルバモイル、
N、N−−)エチルカルバモイル等)、炭素数1乃至4
個の低級アルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチ
オ等)、アルキルチオ基(例えばフェニルチオ等)、炭
素数1乃至4個の低級アルキルスルホニル基(例えばメ
タンスルホニル、エタンスルホニルh4 ) 、 7リ
ールスルホニル基(例、tばベンゼンスルホニル等)が
あげられ、これらの置換基は同一または組合わされて1
乃至3個置換されていてもよい。
たは複素環基は置換基を有してもよく、そのような置換
基としては、炭素数1乃至4個の低級アルキル(例えば
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、tart−ブチル等)、アラルキル
基(例えばベンジル、フェネチル等)、アリール基(例
、tばフェニル、ナフチルh4 )、ヒドロキシ基、炭
素数1乃至4個の低級アルコキシ基(例えばメトキシ、
エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブト
キシ、インブトキシ等)、アラルキルオキシ基(例えば
ベンジルオキシ等)、アリールオキシ基(例えばフェノ
キシ等)、ノーロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素
等)、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシ
カルボニル基(例、tばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル等)、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基
(例えばモノメチルアミノ、モノエチルアミノ等)、ジ
アルキルアミノ基(例えばジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ等)、アシルアミノ基(例えばアセトアミノ、ベン
ズアミノ等)、カルバモイル基、N、N−ジアルキルカ
ルバモイル基(例えばN、N−ジメチルカルバモイル、
N、N−−)エチルカルバモイル等)、炭素数1乃至4
個の低級アルキルチオ基(例えばメチルチオ、エチルチ
オ等)、アルキルチオ基(例えばフェニルチオ等)、炭
素数1乃至4個の低級アルキルスルホニル基(例えばメ
タンスルホニル、エタンスルホニルh4 ) 、 7リ
ールスルホニル基(例、tばベンゼンスルホニル等)が
あげられ、これらの置換基は同一または組合わされて1
乃至3個置換されていてもよい。
一般式(至)および(V)中のRで表わされるカルボキ
シ保獲基は、すでに説明したR と同様であり、一般式
(rV)中のXで表わされるハロゲン原子は塩素、臭素
、沃素があげられる。
シ保獲基は、すでに説明したR と同様であり、一般式
(rV)中のXで表わされるハロゲン原子は塩素、臭素
、沃素があげられる。
化合物(1)は不斉炭素を有しているが、後述する化合
物([1)との縮合反応による化合物([)への製造に
おいては、この不斉炭素のワルデン反転を伴なう。一般
にACE阻害剤においては、化合物(I)における不斉
炭素の配位はS配位が好ましいので、化合物(Dにおい
てはR配位をもつ異性体が好ましい。
物([1)との縮合反応による化合物([)への製造に
おいては、この不斉炭素のワルデン反転を伴なう。一般
にACE阻害剤においては、化合物(I)における不斉
炭素の配位はS配位が好ましいので、化合物(Dにおい
てはR配位をもつ異性体が好ましい。
化合;71(1)と化合物(■)との扁合反応は、本反
応を阻害しない適当な溶媒中、好適には脱スルホン酸剤
の存在下に行われる。溶媒としては、ヘキサン、ベンゼ
ンの−ような炭化水素類、ジクロルメタン、1,2−ジ
クロルエタンのようなハロゲン化炭化水素類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸エチ
ルのようなエステル類、アセトンのようなケトン類、N
。
応を阻害しない適当な溶媒中、好適には脱スルホン酸剤
の存在下に行われる。溶媒としては、ヘキサン、ベンゼ
ンの−ような炭化水素類、ジクロルメタン、1,2−ジ
クロルエタンのようなハロゲン化炭化水素類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸エチ
ルのようなエステル類、アセトンのようなケトン類、N
。
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチル−2−
ピロリドンのようなアミド類、ジメチルスルホキシド等
があげられる。使用される脱スルホン散剤としては特に
限定はないが、フッ化カリウム、フッ化セシウム等のフ
ッ化物の塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カ
ルシウム等のアルカリ若しくはアルカリ土類金属炭酸塩
、重曹、重炭酸カリウム等のアルカリ金属重炭酸塩、水
素化ナトリウム、水素化リチウム等の水素化アルカリ金
属、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基があげられ
る。またテトラれ−ブチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルトリエチルアンモニウムヨーダイド等のような相
間移動触媒を用い、ジクロルメタン、クロロホルム等の
ような水に不溶の溶媒と水との二層系において本反応を
行う時には力性ソーダ、力性カリのような水酸化アルカ
リ金属を使うこともできる。反応温度は通常−20〜1
20℃で行われ、反応時間は溶媒、脱スルホン散剤の種
類等によって異なるが、通常は1時間乃至5日間である
。反応終了後、本反応の目的化合物口は常法に従って反
応混合物より採取することができる。例えば反応混合物
に酢酸エチルのような有機溶媒を加え、有機溶媒層を水
で洗浄し、乾燥後、溶媒を留去することにより得ること
ができ、必要ならば再結晶、カラムクロマトグラフィー
等で精製できる。
ミド、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチル−2−
ピロリドンのようなアミド類、ジメチルスルホキシド等
があげられる。使用される脱スルホン散剤としては特に
限定はないが、フッ化カリウム、フッ化セシウム等のフ
ッ化物の塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カ
ルシウム等のアルカリ若しくはアルカリ土類金属炭酸塩
、重曹、重炭酸カリウム等のアルカリ金属重炭酸塩、水
素化ナトリウム、水素化リチウム等の水素化アルカリ金
属、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基があげられ
る。またテトラれ−ブチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルトリエチルアンモニウムヨーダイド等のような相
間移動触媒を用い、ジクロルメタン、クロロホルム等の
ような水に不溶の溶媒と水との二層系において本反応を
行う時には力性ソーダ、力性カリのような水酸化アルカ
リ金属を使うこともできる。反応温度は通常−20〜1
20℃で行われ、反応時間は溶媒、脱スルホン散剤の種
類等によって異なるが、通常は1時間乃至5日間である
。反応終了後、本反応の目的化合物口は常法に従って反
応混合物より採取することができる。例えば反応混合物
に酢酸エチルのような有機溶媒を加え、有機溶媒層を水
で洗浄し、乾燥後、溶媒を留去することにより得ること
ができ、必要ならば再結晶、カラムクロマトグラフィー
等で精製できる。
前述したように本反応は化合物(I)の不斉炭素のワル
デン反転をおこすので、R配位の化合物(1)からはこ
の不斉炭素がS配位をもつ化合物(2)が製造され%ま
たS配位の化合物(1)からはR配位をもつ化合物(2
)が製造される。
デン反転をおこすので、R配位の化合物(1)からはこ
の不斉炭素がS配位をもつ化合物(2)が製造され%ま
たS配位の化合物(1)からはR配位をもつ化合物(2
)が製造される。
化合物(至)に対する化合物側によるN−アルキル化に
よる化合物(■の製造は、適当な溶媒中、塩基の存在下
知行われる。溶媒としては、ヘキサン、ベンゼンのよう
な炭化水素類、ジクロル)tp7,1.2−ジクロルエ
タンのようなノ10ゲン化炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸エチルのよ
うなエステル類、アセトンのようなケトン類、N。
よる化合物(■の製造は、適当な溶媒中、塩基の存在下
知行われる。溶媒としては、ヘキサン、ベンゼンのよう
な炭化水素類、ジクロル)tp7,1.2−ジクロルエ
タンのようなノ10ゲン化炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸エチルのよ
うなエステル類、アセトンのようなケトン類、N。
必Jレム、
N−ジメチル士≧ヨiアミド、N−メチル−2−ピロリ
ドン、ヘキサメチルホスホルアミドのようなアミド類、
ジメチルスルホキシド等があげられるが、本反応を阻害
しない溶媒なら制限はない。塩基としては、水素化ナト
リウム、水素化リチウム、水素化カリウム等の水素化ア
ルカリ金属、n−ブチルリチウム等のアルキルアルカリ
金属、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシク
ロへキシルアミド、リチウムビス(トリメチルシリル)
アミド等のアルカリ金属アミド類、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、トリエチルアミン
、トリエチレンジアミン、1.5−ジアザビシクロ〔4
゜3.0)−5−ノネン(DBN )、1,8−ジアザ
ビシクロ(5,4,0) −7−ウンデセン(DBU)
等のアミン類がらげられる。またテトラn−ブチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニウム
ヨーダイド等のような相関移動触媒を用い、ジクロルメ
タン、クロロホルム等のような水に不溶の溶媒と水系の
二相系において本反応を行う時には、力性ソーダ、力性
カリのような水酸化アルカリ金属を使うこともできる。
ドン、ヘキサメチルホスホルアミドのようなアミド類、
ジメチルスルホキシド等があげられるが、本反応を阻害
しない溶媒なら制限はない。塩基としては、水素化ナト
リウム、水素化リチウム、水素化カリウム等の水素化ア
ルカリ金属、n−ブチルリチウム等のアルキルアルカリ
金属、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシク
ロへキシルアミド、リチウムビス(トリメチルシリル)
アミド等のアルカリ金属アミド類、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、トリエチルアミン
、トリエチレンジアミン、1.5−ジアザビシクロ〔4
゜3.0)−5−ノネン(DBN )、1,8−ジアザ
ビシクロ(5,4,0) −7−ウンデセン(DBU)
等のアミン類がらげられる。またテトラn−ブチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニウム
ヨーダイド等のような相関移動触媒を用い、ジクロルメ
タン、クロロホルム等のような水に不溶の溶媒と水系の
二相系において本反応を行う時には、力性ソーダ、力性
カリのような水酸化アルカリ金属を使うこともできる。
反応@度および時間は、溶媒、塩基の種類FCより異な
るが、通常−20’C乃至100’C130分乃至−昼
夜である。反応終了後、本反応の目的化合物は常法に従
って反応混合物より採取できる。例えば反応混合物に酢
酸エチルのような有機溶媒を加え、有機溶媒層を水洗後
、乾燥し溶媒を留去することにより得ることができ、必
要なら再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製でき
る。
るが、通常−20’C乃至100’C130分乃至−昼
夜である。反応終了後、本反応の目的化合物は常法に従
って反応混合物より採取できる。例えば反応混合物に酢
酸エチルのような有機溶媒を加え、有機溶媒層を水洗後
、乾燥し溶媒を留去することにより得ることができ、必
要なら再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製でき
る。
ACE阻害剤として重要な一般式(至)で表わされる化
合物は、化合物(■の選択的なエステル残基R6の脱保
護によ)製造できる。選択的脱保護の方法としては、有
機合成化学でよく知られている方法であるが、水酸化リ
チウム、カーソーダ、水酸化カリウム等によるアルカリ
加水分解(例えばR6がメチル、エチル等)、塩酸、臭
化水素酸、トリフルオロ酢酸、塩化アルミニウム等酸に
よる脱保護(例えばR6がメトキシメチル、メトキシエ
トキシメチル、 tert −ブチル、ジフェニルメ
チル、p−メトキシベンジル、トリメチルシリル、
tert−ブチルジメチルシリル等)、接触還元による
脱保護(例えばR6がベンジル、p−ニトコペンジル等
)、亜鉛末−醗による還元による脱保護(例えばR6が
42.2−)リクロルエチル、2−ヨードエチル、フェ
ナシル、p−ブロムフェナシル等)%テトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム(0)を触媒とする脱
保fi(例えばR6がアリル等)などがあげられる。こ
れら脱保護の方法による選択的なR6の脱離としては
R6が脱離する条件では安定なエステル残基であるR2
を選べばよい。そのような−例としてはR2がメチル、
エチル、n−ブチル等のアルキル基で R6がメトキシ
メチル、 tert−ブチル、ジフェニルメチル、p−
メトキシベンジル、トリメチルシリル等である時の酸に
よる脱保護があげられる。
合物は、化合物(■の選択的なエステル残基R6の脱保
護によ)製造できる。選択的脱保護の方法としては、有
機合成化学でよく知られている方法であるが、水酸化リ
チウム、カーソーダ、水酸化カリウム等によるアルカリ
加水分解(例えばR6がメチル、エチル等)、塩酸、臭
化水素酸、トリフルオロ酢酸、塩化アルミニウム等酸に
よる脱保護(例えばR6がメトキシメチル、メトキシエ
トキシメチル、 tert −ブチル、ジフェニルメ
チル、p−メトキシベンジル、トリメチルシリル、
tert−ブチルジメチルシリル等)、接触還元による
脱保護(例えばR6がベンジル、p−ニトコペンジル等
)、亜鉛末−醗による還元による脱保護(例えばR6が
42.2−)リクロルエチル、2−ヨードエチル、フェ
ナシル、p−ブロムフェナシル等)%テトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム(0)を触媒とする脱
保fi(例えばR6がアリル等)などがあげられる。こ
れら脱保護の方法による選択的なR6の脱離としては
R6が脱離する条件では安定なエステル残基であるR2
を選べばよい。そのような−例としてはR2がメチル、
エチル、n−ブチル等のアルキル基で R6がメトキシ
メチル、 tert−ブチル、ジフェニルメチル、p−
メトキシベンジル、トリメチルシリル等である時の酸に
よる脱保護があげられる。
本反応に使用される溶媒は脱保護方法にょシ異なるが、
水、酢酸、ギ酸等の酸類、メタノール、エタノール等の
アルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニ
ソール等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン
等のケトン類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロ
ゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化
水素類等が用いられる。反応温度および反応時間は脱保
護方法により異なるが、一般に一10℃乃至100℃、
30分乃至−昼夜であるっ製造される化合物(至)は再
結晶、クロマトグラフィー等の常法の精製法によシ精製
できる。
水、酢酸、ギ酸等の酸類、メタノール、エタノール等の
アルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニ
ソール等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン
等のケトン類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロ
ゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化
水素類等が用いられる。反応温度および反応時間は脱保
護方法により異なるが、一般に一10℃乃至100℃、
30分乃至−昼夜であるっ製造される化合物(至)は再
結晶、クロマトグラフィー等の常法の精製法によシ精製
できる。
本反応によって得られる化合物(VDは、常法に従って
酸または塩基で処理することにより、薬理上許容し得る
塩に変えることができる。このような酸付加塩の例とし
ては、無機酸、例えばハロゲン化水素酸(例えば塩酸、
臭化水素酸等)、硫酸、リン酸および硝酸等の塩、およ
び有機酸(例えば−シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、
酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸およびベンゼンス
ルホン酸等)などによる付加塩があげられる。また塩基
による塩としては、アルカリ金酸化アンモニウム、水酸
化アルミニウムおよび有餞塩基(例えばトリエチルアミ
ン、ジシクロヘキシルアミン、シンコニン、クアニジン
、キニーネ等)、塩基性アミノ酸(例えばリジン、アル
ギニン等)などによる塩があげられる。
酸または塩基で処理することにより、薬理上許容し得る
塩に変えることができる。このような酸付加塩の例とし
ては、無機酸、例えばハロゲン化水素酸(例えば塩酸、
臭化水素酸等)、硫酸、リン酸および硝酸等の塩、およ
び有機酸(例えば−シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、
酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸およびベンゼンス
ルホン酸等)などによる付加塩があげられる。また塩基
による塩としては、アルカリ金酸化アンモニウム、水酸
化アルミニウムおよび有餞塩基(例えばトリエチルアミ
ン、ジシクロヘキシルアミン、シンコニン、クアニジン
、キニーネ等)、塩基性アミノ酸(例えばリジン、アル
ギニン等)などによる塩があげられる。
本発明の前記一般式(■で表わされる具体的化合物とし
て、以下に記載する化合物を例示することができる。
て、以下に記載する化合物を例示することができる。
(tl PhCH2CH2Et 、 、○(2i
n−Bu tt
uiso−Bu 〃
tt(3)。
n−Bu tt
uiso−Bu 〃
tt(3)。
(41tt ca2Ph tt
tt(61tt n−Bu 〃
tt(71tt 1so−Bu tt
tt(81tt CH2Ph
〃p(91tt Et n tt(Iα
tt n−Bu tt
ttαυ 〃 工8O
−Bu//I/(12p CH2Ph
tt 5(141tt n−Bu
tt tt(161p
n−Bu tt ttα71
n−csH,7Et D rtαgiso−B
utt 刀き 〃 (231)hca2cH2a −Plw
//Htt n=Bu tt
a@ Ph0H2CH2Et 1
so−V’r H■ ttn−Bupt
t (支) // n−Bu
tt tt@ t
t 1so−Bu t
t ttC3(1〃(H2Ph
p pG3 tt
n−Bu p ttel、I
l // n−B u
/I /1C371PhCH2CH2
Et HMe関 tt
tt tt i s o=pr
!41tt n−Bu tt
ttf4i) tt
CH2CH2tt tt<13
tt n−Bu tt
tt(441tt CH2Ph
tt tt本発明にかかわる出発
原料(1)は、例えばR1がフェネチル基である時には
次の反応径路により供せられる。
tt(61tt n−Bu 〃
tt(71tt 1so−Bu tt
tt(81tt CH2Ph
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Et HMe関 tt
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CH2CH2tt tt<13
tt n−Bu tt
tt(441tt CH2Ph
tt tt本発明にかかわる出発
原料(1)は、例えばR1がフェネチル基である時には
次の反応径路により供せられる。
α■ (1:1−TSA)
化合物(vlD (ジャーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ノサエティ74巻、 4392頁(1952ト
ルエンスルホン酸存在下、ベンゼン中還流して、!−メ
ンチルエステル化合物G’llに定量的に変換し、続い
てパラジウム炭素触媒で接触還元したのち、生成物を石
油エーテル中から再詰晶すると、R配位をもつα−ヒド
ロキシカルボン酸l−メンチルエステル(5)が容易に
製造できる。
ミカル・ノサエティ74巻、 4392頁(1952ト
ルエンスルホン酸存在下、ベンゼン中還流して、!−メ
ンチルエステル化合物G’llに定量的に変換し、続い
てパラジウム炭素触媒で接触還元したのち、生成物を石
油エーテル中から再詰晶すると、R配位をもつα−ヒド
ロキシカルボン酸l−メンチルエステル(5)が容易に
製造できる。
本化合物(2)はアナ−レス・デ・ヘミー■巻、144
頁(1933年)において、化合物■に相当するラセミ
体を大過剰のg−メントールを用い塩化水素ガスを長時
間作用させることKより合成されているが、発明者らの
方法によれば高価なg−メントールを過剰に使用する必
要がなくかつ反応操作も容易であり、また化合物へ1か
ら化合物(2)への接触還元では、必要とするR配位化
合物がS配位化合物よりや\優先的に喪遺される。(R
配位/S配位= 55〜60/40〜55 )。
頁(1933年)において、化合物■に相当するラセミ
体を大過剰のg−メントールを用い塩化水素ガスを長時
間作用させることKより合成されているが、発明者らの
方法によれば高価なg−メントールを過剰に使用する必
要がなくかつ反応操作も容易であり、また化合物へ1か
ら化合物(2)への接触還元では、必要とするR配位化
合物がS配位化合物よりや\優先的に喪遺される。(R
配位/S配位= 55〜60/40〜55 )。
化合物(2)からエチルエステル(至)への変換はアナ
−レス・デ・ヘミ−L」巻、144頁(1933年)に
記載の有機合成化学では常法である方法9行われ、化合
物(1)が製造される。
−レス・デ・ヘミ−L」巻、144頁(1933年)に
記載の有機合成化学では常法である方法9行われ、化合
物(1)が製造される。
本発明にかかわるもう一方の出発原料(It)は、下式
によシ製造できる。
によシ製造できる。
(X■)(X■)
(XV) CXvl)(廟M)
(If)
(上記式中 R4およびR5は前述したものと同意義を
有し R7およびR8は水素原子またはアミン基の保傾
基を示す。ン 上記式中 R7およびR8で表わされるアミン基の保護
基は、有機合成化学で一般によく知られている保護基で
あり、例えば2.2.2− ) ’Jジクロルトキシカ
ルボニル、2−ヨードエトキシカルボニル、トリメチル
シリルエトキシカルボニル、2−(Tl−トルエンスル
ホニル)エトキシカルボニル、 tart−ブトキシカ
ルボニル、アリルオキシカルボニル、ベンジルオキシカ
ルボなアルコキシカルボニル基、ホルミル、アセチル、
ベンゾイル、クロルアセチル、トリフルオルアセチル等
のアシル基、N−フタロイル、N−2,3−ジフェニル
マレイニル等のfM−K ジアシル基、メトキシメチル
、ベンジルオキシメチル、ベンジル、3.4−ジメトキ
シベンジル、トリチル等の置換メチル基、イングロピリ
デン、ベンジリデン、サリチリデン等のアルキリデンま
たはアラルキリデン基、1−メチル−2−アセチルビニ
ル、1−/チルー2−ベンゾイルビニル等ノアシルビニ
ル基およびトリメチルシリル、tart−ブチルジメチ
ルシリル等のシリル基などがあげられる。
有し R7およびR8は水素原子またはアミン基の保傾
基を示す。ン 上記式中 R7およびR8で表わされるアミン基の保護
基は、有機合成化学で一般によく知られている保護基で
あり、例えば2.2.2− ) ’Jジクロルトキシカ
ルボニル、2−ヨードエトキシカルボニル、トリメチル
シリルエトキシカルボニル、2−(Tl−トルエンスル
ホニル)エトキシカルボニル、 tart−ブトキシカ
ルボニル、アリルオキシカルボニル、ベンジルオキシカ
ルボなアルコキシカルボニル基、ホルミル、アセチル、
ベンゾイル、クロルアセチル、トリフルオルアセチル等
のアシル基、N−フタロイル、N−2,3−ジフェニル
マレイニル等のfM−K ジアシル基、メトキシメチル
、ベンジルオキシメチル、ベンジル、3.4−ジメトキ
シベンジル、トリチル等の置換メチル基、イングロピリ
デン、ベンジリデン、サリチリデン等のアルキリデンま
たはアラルキリデン基、1−メチル−2−アセチルビニ
ル、1−/チルー2−ベンゾイルビニル等ノアシルビニ
ル基およびトリメチルシリル、tart−ブチルジメチ
ルシリル等のシリル基などがあげられる。
システィン誘導体である化合物(XI)とニトロオレフ
ィン化合物(XIV)のマイケル付加反応は、本反応を
阻害しない適当な溶媒中、塩基の存在下に行われる。そ
のような溶媒としては、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタノー
ル等のアルコール類、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド類のアミド類、酢酸エチル等のエステル類
、ジメチルスルホキシド、水等があげられ、これらは単
一または混合溶媒として用いられる。塩基としては、ト
リエチルアミン、N−メチルモルホリン、N、N−ジシ
クロヘキシルアミン、ピリジン等のアミン類、重曹、重
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸
塩、力性ソーダ、力性カリ等の水酸化金属、フン化カリ
ウム、フン化セシウム等の7ノ化塩等があげられる。反
応温度は一20℃乃至120℃で行われ、反応時間は通
常1時間乃至3日間である。反応終了後、本反応の目的
化合物(XV)は常法に従って反応混合物より採取する
ことができる。例えば、化合物(XV)の塩を水に溶か
し、酸性物質以外をベンゼン、トルエンのような有機溶
媒で抽出除去し、続いて化合物(XV)の塩の水溶液を
酸性にして析出する化合物(XV)を酢酸エチルのよう
な有機溶媒で抽出分離し、溶媒を留去することにより得
ることができ、必要ならば再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等で精製できる。
ィン化合物(XIV)のマイケル付加反応は、本反応を
阻害しない適当な溶媒中、塩基の存在下に行われる。そ
のような溶媒としては、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタノー
ル等のアルコール類、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド類のアミド類、酢酸エチル等のエステル類
、ジメチルスルホキシド、水等があげられ、これらは単
一または混合溶媒として用いられる。塩基としては、ト
リエチルアミン、N−メチルモルホリン、N、N−ジシ
クロヘキシルアミン、ピリジン等のアミン類、重曹、重
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸
塩、力性ソーダ、力性カリ等の水酸化金属、フン化カリ
ウム、フン化セシウム等の7ノ化塩等があげられる。反
応温度は一20℃乃至120℃で行われ、反応時間は通
常1時間乃至3日間である。反応終了後、本反応の目的
化合物(XV)は常法に従って反応混合物より採取する
ことができる。例えば、化合物(XV)の塩を水に溶か
し、酸性物質以外をベンゼン、トルエンのような有機溶
媒で抽出除去し、続いて化合物(XV)の塩の水溶液を
酸性にして析出する化合物(XV)を酢酸エチルのよう
な有機溶媒で抽出分離し、溶媒を留去することにより得
ることができ、必要ならば再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等で精製できる。
化合物(XV)の還元は、例えば白金、パラジウム、ラ
ネーニッケル、ロジウム等の金属やそれらとの任意の担
体との混合物を触媒とする接触還元、例えば水素化硼素
リチウム、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム
等の水素化金属類による還元、錫、亜鉛等の金属と塩酸
、酢酸等の酸による還元等の反応条件をあげることがで
きる。上記反応は通常水または有機溶媒(例えばメタノ
ール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル、ジオキサン、ジクロルメタン、 酢&エチル、ベ
ンゼン、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、酢酸、ギ酸等)の存在下に行われ、反応温
度は還元手段により異なるが、一般には一20〜100
℃程度が好ましい。本反応は常圧で光分目的を達成でき
るが、場合によっては加圧下に反応を行ってもよい。
ネーニッケル、ロジウム等の金属やそれらとの任意の担
体との混合物を触媒とする接触還元、例えば水素化硼素
リチウム、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム
等の水素化金属類による還元、錫、亜鉛等の金属と塩酸
、酢酸等の酸による還元等の反応条件をあげることがで
きる。上記反応は通常水または有機溶媒(例えばメタノ
ール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル、ジオキサン、ジクロルメタン、 酢&エチル、ベ
ンゼン、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、酢酸、ギ酸等)の存在下に行われ、反応温
度は還元手段により異なるが、一般には一20〜100
℃程度が好ましい。本反応は常圧で光分目的を達成でき
るが、場合によっては加圧下に反応を行ってもよい。
アミノ酸(XVI)は等2点沈澱法、再結晶、種々のカ
ラムクロマト等で積装できる。
ラムクロマト等で積装できる。
次に化合物(XVI)を脱水、縮合してベルヒドロ−1
,4−チアゼピン環誘導体(’;c+’u>を製造する
方法は、ペプチドの化学で広く知られているアミノ基と
カルボキシル基のアミド結合への縮合方法である。一般
に本反応はJN’−ジシクロへキシルカルボジイミド、
カルボニルジイミダゾール、ジフェニルホスホリルアジ
ド、シアノリン酸ジエチル、五塩化リン等の脱水剤の存
在下に行われる。カルボジイミド類の脱水剤を使用する
際には1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、N−ヒドロ
キシサクシイミド等を反応系中に加えると反応は促進さ
れる。また例えばピリジン、ピコリン、トリエチルアミ
ン、N−メチルモルホリン、炭酸ナトリウム、重曹等の
ような塩基の存在下に反応をさせることもできる。反応
は一般に本反応を阻害しない溶媒を使用できる(例えば
、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキ
サメチルホスホルアミド、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、メタノール、エタノール、アセトン、ジクロルメ
タン、クロロホルム、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン
等)。
,4−チアゼピン環誘導体(’;c+’u>を製造する
方法は、ペプチドの化学で広く知られているアミノ基と
カルボキシル基のアミド結合への縮合方法である。一般
に本反応はJN’−ジシクロへキシルカルボジイミド、
カルボニルジイミダゾール、ジフェニルホスホリルアジ
ド、シアノリン酸ジエチル、五塩化リン等の脱水剤の存
在下に行われる。カルボジイミド類の脱水剤を使用する
際には1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、N−ヒドロ
キシサクシイミド等を反応系中に加えると反応は促進さ
れる。また例えばピリジン、ピコリン、トリエチルアミ
ン、N−メチルモルホリン、炭酸ナトリウム、重曹等の
ような塩基の存在下に反応をさせることもできる。反応
は一般に本反応を阻害しない溶媒を使用できる(例えば
、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキ
サメチルホスホルアミド、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、メタノール、エタノール、アセトン、ジクロルメ
タン、クロロホルム、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン
等)。
生成物は反応系中から結晶として単離されることもある
が、カラムクロマトグラフィー等で精製して得ることも
できる。
が、カラムクロマトグラフィー等で精製して得ることも
できる。
化合物(XV[)Kおけるアミノ基の保護基H7−hた
はR8の除去は、有機合成化学でよく知られている方法
であり、そのような例としては、塩酸、臭化水素酸、ト
リフルオロ酢酸、塩化アルミニウム等の酸による脱係f
fl (R’またはR8がtert−ブトキシカルボニ
ル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、ベンジル
オキシカルボニル、トリチル、tert−ブチルジメチ
ルシリル等)、接触還元による脱保護(例えばR7また
ハR8がベンジルオキシカルボニル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル等)、亜鉛末−酸による還元による
脱保護(例えばR7またはR8が2.2.2−トリクロ
ルエトキシカルボニル、2−ヨードエトキシカルボニル
等)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ハラジウ
ム(0) ヲ7di媒とする脱保護(例えばR7または
R8がアリルオキシカルボニル等)、ヒドラジン類によ
る脱係繰(例えばR7とR8が7タロイル等)、力性ソ
ーダ等のアルカリによる脱係fi ((例えば2−(p
−)ルエンスルホニル)エトキシカルボニル等〕があげ
られる。
はR8の除去は、有機合成化学でよく知られている方法
であり、そのような例としては、塩酸、臭化水素酸、ト
リフルオロ酢酸、塩化アルミニウム等の酸による脱係f
fl (R’またはR8がtert−ブトキシカルボニ
ル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、ベンジル
オキシカルボニル、トリチル、tert−ブチルジメチ
ルシリル等)、接触還元による脱保護(例えばR7また
ハR8がベンジルオキシカルボニル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル等)、亜鉛末−酸による還元による
脱保護(例えばR7またはR8が2.2.2−トリクロ
ルエトキシカルボニル、2−ヨードエトキシカルボニル
等)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ハラジウ
ム(0) ヲ7di媒とする脱保護(例えばR7または
R8がアリルオキシカルボニル等)、ヒドラジン類によ
る脱係繰(例えばR7とR8が7タロイル等)、力性ソ
ーダ等のアルカリによる脱係fi ((例えば2−(p
−)ルエンスルホニル)エトキシカルボニル等〕があげ
られる。
使用される溶媒は脱保護方法により異なるが水、酢酸、
ギ酸等の酸類、メタノール、エタノール等のアルコール
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等の
エーテル類、アセトン等のケトン類、ジクロルメタン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、 ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素類等が用いられる。
ギ酸等の酸類、メタノール、エタノール等のアルコール
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等の
エーテル類、アセトン等のケトン類、ジクロルメタン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、 ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素類等が用いられる。
反応温度および反応時間は脱保護方法によフ異なるが、
一般に一10℃乃至100℃、30分乃至−昼夜である
。このようにして製造された化合物(It)は、再結晶
、カラムクロマトグラフィー等の常法により精製される
。
一般に一10℃乃至100℃、30分乃至−昼夜である
。このようにして製造された化合物(It)は、再結晶
、カラムクロマトグラフィー等の常法により精製される
。
化合物(n)は、また次の反応径路によっても製造でき
る。
る。
(Xv[) ”’
(XIX)
(XX)
α■)
(n)
(上記式中、R4,R5,R7およびR8は前述したも
のと同意義を有し R9は水素原子またはカルボキシ保
護基、R10およびR+ +は水素原子またはアミン基
の保護基を示し、Zはノ・ロゲン原子またはスルホニル
オキシ基を示す。)上記式中のR9で表わされるカルボ
キシ保護基は前述したカルボキシ保護基R2と同様の基
でv D s R10およびRI +で衰わされるアミ
ノ基の保護基は前述したアミノ基R7およびR8と同様
の基であ!ll、zのノ・ロゲン原子は塩素、臭素およ
び沃素があげられ、スルホニルオキシ基としてはメタン
スルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、トリフル
オロメタンスルホニルオキシ等のような置換されている
かまたは置換されていない低級アルカンスルホニルオキ
シ基およびベンゼンスルホニルオキシ、1)−)/レニ
ンスルホニルオキシ等の置換されているかまたは置換さ
れていない芳香族スルホニルオキシ基があげられる。
のと同意義を有し R9は水素原子またはカルボキシ保
護基、R10およびR+ +は水素原子またはアミン基
の保護基を示し、Zはノ・ロゲン原子またはスルホニル
オキシ基を示す。)上記式中のR9で表わされるカルボ
キシ保護基は前述したカルボキシ保護基R2と同様の基
でv D s R10およびRI +で衰わされるアミ
ノ基の保護基は前述したアミノ基R7およびR8と同様
の基であ!ll、zのノ・ロゲン原子は塩素、臭素およ
び沃素があげられ、スルホニルオキシ基としてはメタン
スルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、トリフル
オロメタンスルホニルオキシ等のような置換されている
かまたは置換されていない低級アルカンスルホニルオキ
シ基およびベンゼンスルホニルオキシ、1)−)/レニ
ンスルホニルオキシ等の置換されているかまたは置換さ
れていない芳香族スルホニルオキシ基があげられる。
システィン誘導体(X■)と化合物(XIX)との縮合
反応は、すでに述べた化合物(1)と化合物(II)と
の脱スルホン液化による縮合反応と同様の条件で行われ
、反応終了後、本反応の目的化合物(XX) は常法
に従って反応混合物より採取することができる。例えば
反応混合物に酢酸エチルのような有機溶媒を加え、有機
溶媒層を水で洗浄し、乾燥後、溶媒を留去することによ
シ得ることができ、必要ならば再結晶、カラムクロマト
グラフィー等で精製できる。
反応は、すでに述べた化合物(1)と化合物(II)と
の脱スルホン液化による縮合反応と同様の条件で行われ
、反応終了後、本反応の目的化合物(XX) は常法
に従って反応混合物より採取することができる。例えば
反応混合物に酢酸エチルのような有機溶媒を加え、有機
溶媒層を水で洗浄し、乾燥後、溶媒を留去することによ
シ得ることができ、必要ならば再結晶、カラムクロマト
グラフィー等で精製できる。
化合物(XX)におけるR9で表わされるカルボン酸の
保護基の除去は、前述した化合物(■のカルボキシ保護
基R6の除去方法と同様の方法である。また化合物(X
X)におけるRlo、R11で表わされるアミン基の保
護基の除去も前述した化合物(XVII)のアミノ基の
保護基R7,R8の除去方法と同様であるが、本反応の
場合にはシスティン残基のアミン基の保護基R7、R8
に影響を及ぼさない方法が必要である。そのような例と
して、例えばR’、R8がフタロイル、R10がtar
t−ブトキシカルボニル、p−メトキシベンジルカルボ
ニル等で、R11が水素原子である場合における酸るて
よるR I Oの選択的除去がある。脱保護によるアミ
ノ酸(XVI)の製造は、二段階、即ち最初にカルボン
酸の保護基R9を脱保護し、続いてアミノ基の保護基R
+o 、 R11を脱保護するか、最初にアミン基の保
護基RI O,R11を脱保護し、続いてカルボン酸の
保護基R9を脱保護する方法があるが、−挙に2つの保
護基R9およびRI O,R+ 1を脱保護する方法も
ある。例えばR9がtert−ブチル、R10がtar
t−ブトキシカルボニル、R11が水素原子の時は酸に
よる脱保護方法で化合物(XVI)が得られるし、Rが
2.2.2−トリクロルエチル、R10が2.2.2−
トリクロルエトキシカルボニル、R11が水素原子の時
は亜鉛末−酸してよる還元方法で化合物(XVI)が得
られる。
保護基の除去は、前述した化合物(■のカルボキシ保護
基R6の除去方法と同様の方法である。また化合物(X
X)におけるRlo、R11で表わされるアミン基の保
護基の除去も前述した化合物(XVII)のアミノ基の
保護基R7,R8の除去方法と同様であるが、本反応の
場合にはシスティン残基のアミン基の保護基R7、R8
に影響を及ぼさない方法が必要である。そのような例と
して、例えばR’、R8がフタロイル、R10がtar
t−ブトキシカルボニル、p−メトキシベンジルカルボ
ニル等で、R11が水素原子である場合における酸るて
よるR I Oの選択的除去がある。脱保護によるアミ
ノ酸(XVI)の製造は、二段階、即ち最初にカルボン
酸の保護基R9を脱保護し、続いてアミノ基の保護基R
+o 、 R11を脱保護するか、最初にアミン基の保
護基RI O,R11を脱保護し、続いてカルボン酸の
保護基R9を脱保護する方法があるが、−挙に2つの保
護基R9およびRI O,R+ 1を脱保護する方法も
ある。例えばR9がtert−ブチル、R10がtar
t−ブトキシカルボニル、R11が水素原子の時は酸に
よる脱保護方法で化合物(XVI)が得られるし、Rが
2.2.2−トリクロルエチル、R10が2.2.2−
トリクロルエトキシカルボニル、R11が水素原子の時
は亜鉛末−酸してよる還元方法で化合物(XVI)が得
られる。
化合物(XVI)の精製法は前述しており、これから化
合物(X■)を経て化合物(I[)への変換もすでに述
べた。
合物(X■)を経て化合物(I[)への変換もすでに述
べた。
本発明によって製造される一般式(VDで表わされる化
合物は、分子内に不斉炭素原子を有するため、複数個の
光学異性体が存在するが、所望によってはこれらの異性
体を別個に製造することもできる。すなわち予め光学分
割された原料化合物のそれぞれ一方の光学異性体を用い
て上記の反応を行うことにより対応する化合物(■のは
通常異性体の混合物として得られるが、この異性体混合
物を所望によシ通常の分離方法、例えば光学活性塩基(
例えばシンコニン、シンコニジン、キニーネ、キニジン
等)、光学活性有機酸(例えばl−カンファースルホン
a、d−カンファースルホン酸等)との塩を生成させる
方法や、各種のクロマトグラフィー、分別再結晶等を用
いて処理することによってそれぞれの異性体を分離する
こともできる。
合物は、分子内に不斉炭素原子を有するため、複数個の
光学異性体が存在するが、所望によってはこれらの異性
体を別個に製造することもできる。すなわち予め光学分
割された原料化合物のそれぞれ一方の光学異性体を用い
て上記の反応を行うことにより対応する化合物(■のは
通常異性体の混合物として得られるが、この異性体混合
物を所望によシ通常の分離方法、例えば光学活性塩基(
例えばシンコニン、シンコニジン、キニーネ、キニジン
等)、光学活性有機酸(例えばl−カンファースルホン
a、d−カンファースルホン酸等)との塩を生成させる
方法や、各種のクロマトグラフィー、分別再結晶等を用
いて処理することによってそれぞれの異性体を分離する
こともできる。
発明の効果
本発明によって得られる化合物(Vl)は、アンジオテ
ンシン■をアンジオテンシンパへ変換する酵素C以下、
ACKと略す)の活性を阻害する作用を有する。アンジ
オテンシンHは血圧上昇活性物質であシ、人を含む哺乳
動物の原因となるものである。
ンシン■をアンジオテンシンパへ変換する酵素C以下、
ACKと略す)の活性を阻害する作用を有する。アンジ
オテンシンHは血圧上昇活性物質であシ、人を含む哺乳
動物の原因となるものである。
従って、ACK活性を阻害する本発明の化合物(Vl)
およびその薬理学的に許容される塩類は、高血圧症の診
断、予防または治療剤として有用である。化合物(1)
およびその薬理学的に許容される塩類を上記の医薬とし
て用いる場合、それ自体あるいは適宜の薬理学的に許容
される担体、賦形剤、希釈剤等と混合し、散剤、顆粒剤
、錠剤、カプセル剤、注射剤等の医薬組成物として経口
的または非経口的に、投与することができる。投与量は
対象疾患の状態、投与方法によシ異なるが、例えば高血
圧症の治療の目的で成人患者に投与する場合、経口投与
では通常1回量0.5〜10100O、とりわけ約1〜
100 m9程度が、静脈内投与では1回置約0. l
〜100〜9、とりわけ約0.2〜iom9程度が好ま
し、く、これらの薬用量を症状に応じて1日1回乃至3
回投与するのが望ましい。
およびその薬理学的に許容される塩類は、高血圧症の診
断、予防または治療剤として有用である。化合物(1)
およびその薬理学的に許容される塩類を上記の医薬とし
て用いる場合、それ自体あるいは適宜の薬理学的に許容
される担体、賦形剤、希釈剤等と混合し、散剤、顆粒剤
、錠剤、カプセル剤、注射剤等の医薬組成物として経口
的または非経口的に、投与することができる。投与量は
対象疾患の状態、投与方法によシ異なるが、例えば高血
圧症の治療の目的で成人患者に投与する場合、経口投与
では通常1回量0.5〜10100O、とりわけ約1〜
100 m9程度が、静脈内投与では1回置約0. l
〜100〜9、とりわけ約0.2〜iom9程度が好ま
し、く、これらの薬用量を症状に応じて1日1回乃至3
回投与するのが望ましい。
以下に実施例および参考例を示して本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。
に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。
実施例1
6(ロ)−アミノ−5−オキソ−2(S)−(2−チェ
ニル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン200at)、
2(ロ)−(p−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル393m9とi1840〜9の
ジメチルアセトアミド3 ml混合液を室温τ゛66時
間攪拌した。反応液を酢酸エチルと水に溶かし1酢酸エ
チル層を分離し、水洗後、溶媒を留去し、た。残留物を
酢酸エチル−ジクロル、メタン1:5のシリカゲル・カ
ラムクロマトに付して、竺晶性の1的化合物295■を
クロロホルム)。
ニル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン200at)、
2(ロ)−(p−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル393m9とi1840〜9の
ジメチルアセトアミド3 ml混合液を室温τ゛66時
間攪拌した。反応液を酢酸エチルと水に溶かし1酢酸エ
チル層を分離し、水洗後、溶媒を留去し、た。残留物を
酢酸エチル−ジクロル、メタン1:5のシリカゲル・カ
ラムクロマトに付して、竺晶性の1的化合物295■を
クロロホルム)。
N M’R(CDCt3’)δ(ppユ):1.26(
3H、t 、 J==7〜2 、 C02CH2CHs
)。
3H、t 、 J==7〜2 、 C02CH2CHs
)。
〜
1.75−2.2 (2H、m 、 PhCH2CH2
)。
)。
2.4−3.0’(5H、m 、 PhCH2CH2,
5−CHz)。
5−CHz)。
3.36 (I H、t 、 J=5.5H2,S−C
H−チェニ/l/ ) 。
H−チェニ/l/ ) 。
3.6−4.3 (4H、m、 ナアt”ビンri
3.brkアクトン。
3.brkアクトン。
位プロトン)。
7.15(5H,S、フェニル基プcr)y)。
7、15 付近(I H、m 、チェニル環5位プロト
ン)。
ン)。
実施例2
旦ヱ
6(R)−アミノ−5−オキソ−2(S)−(2−チェ
ニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼビント2(R)−(
m−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニル
酪酸エチルとを実施例1と同隈の方法によシ、重1を用
いて縮合させて、結晶性の目的化合物を収率IT%で得
た。この物質の融点、施光度、NMRスペクトルは実施
例1のそれらと一致した。
ニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼビント2(R)−(
m−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニル
酪酸エチルとを実施例1と同隈の方法によシ、重1を用
いて縮合させて、結晶性の目的化合物を収率IT%で得
た。この物質の融点、施光度、NMRスペクトルは実施
例1のそれらと一致した。
実施例3
(2−チェニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼピン
H
6(R)−アミノ−5−オキソ−2(S)−(2−チェ
ニル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン160m9.2
(R)−(p−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル336mクト無水フッ化カリウ
ム400mりのジメチルホルムアミド2 ml混合液を
50℃で9時間攪拌したう反応混合液を酢酸エチル−水
に溶かし、酢酸エチル層を分離した後、溶媒を留去した
。残留物をジクロルメタン−酢酸エチル5:1のシリカ
ゲル・カラムクロマトチ付して、結晶性の目的化合物1
99 m9を得た。この物質の融点、施光度、NMRス
ペクトルは実施例1のそれらと一致した。
ニル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン160m9.2
(R)−(p−二トロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル336mクト無水フッ化カリウ
ム400mりのジメチルホルムアミド2 ml混合液を
50℃で9時間攪拌したう反応混合液を酢酸エチル−水
に溶かし、酢酸エチル層を分離した後、溶媒を留去した
。残留物をジクロルメタン−酢酸エチル5:1のシリカ
ゲル・カラムクロマトチ付して、結晶性の目的化合物1
99 m9を得た。この物質の融点、施光度、NMRス
ペクトルは実施例1のそれらと一致した。
上記と同様の方法てより、2(R)−(1)−二トロベ
ンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニル酪酸エチルの
代りに、 2(■−(0−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4
−フェニル酪酸エチル 2(R)−(m−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル 2(”)−(2,4−ジニトロベンゼンスルホニルオキ
シ)−4−フェニル酪酸エチル 2(F9−(4−クロル−3−二トロベンゼンスルホニ
ルオキシ)−4−フェニル酪酸エチル2 (R) −(
p −7−ロムベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェ
ニル酪酸エチル を使用しても目的化合物が得られた。
ンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニル酪酸エチルの
代りに、 2(■−(0−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4
−フェニル酪酸エチル 2(R)−(m−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フェニル酪酸エチル 2(”)−(2,4−ジニトロベンゼンスルホニルオキ
シ)−4−フェニル酪酸エチル 2(F9−(4−クロル−3−二トロベンゼンスルホニ
ルオキシ)−4−フェニル酪酸エチル2 (R) −(
p −7−ロムベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェ
ニル酪酸エチル を使用しても目的化合物が得られた。
実施例4
6但)−アミノ−5−オキソ−2(S)−(2−チェニ
ル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン1.91の無水ジ
クロルメタンI Q Orrtl溶液に、室温でトリエ
チルアミン1.4ml、4−フェニル−2(5)−トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ酪酸エチル3.45F
を加え、15時間攪拌した。反応液を水洗し、溶媒を留
去後、残留物をジクロルメタン−酢酸エチル3:1のシ
リカゲル・カラムクロマトに付し、て、結晶性の目的化
合物3.35fを得た。 この物質の融点、施光度、N
MRスペクトルは、実施例1のそれらと一致した。
ル)ペルヒドロ−1,4−チアゼピン1.91の無水ジ
クロルメタンI Q Orrtl溶液に、室温でトリエ
チルアミン1.4ml、4−フェニル−2(5)−トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ酪酸エチル3.45F
を加え、15時間攪拌した。反応液を水洗し、溶媒を留
去後、残留物をジクロルメタン−酢酸エチル3:1のシ
リカゲル・カラムクロマトに付し、て、結晶性の目的化
合物3.35fを得た。 この物質の融点、施光度、N
MRスペクトルは、実施例1のそれらと一致した。
実施例5
ステル
0f−C○2Bu”
6 CR) −(1(S)−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピルアミノコ−5−オキソ−2(S) −
氷塩浴冷却下、ブロム酢酸tert−ブチル0.11m
1ついで55%油性水素化す)IJウム2Bmりを加え
、混合物を室温で30分攪拌した。酢酸エチル、氷水を
加え、酢酸エチル層を分離し、水洗後、溶媒を留去した
。残留物をジクロルメタン−酢酸エチル20:1のシリ
カゲル・カラムクロマトに付して、シロップ状の目的化
合物281mりを得た。
フェニルプロピルアミノコ−5−オキソ−2(S) −
氷塩浴冷却下、ブロム酢酸tert−ブチル0.11m
1ついで55%油性水素化す)IJウム2Bmりを加え
、混合物を室温で30分攪拌した。酢酸エチル、氷水を
加え、酢酸エチル層を分離し、水洗後、溶媒を留去した
。残留物をジクロルメタン−酢酸エチル20:1のシリ
カゲル・カラムクロマトに付して、シロップ状の目的化
合物281mりを得た。
〔α) −)−39,3° (cl、0. ジメチ
ルホルムアミN MR ( ODCt3) δ
(ppm):1、2 6 ( 3H 、 t 、 J=
7.5Hz 、 CO2CH20H5)。
ルホルムアミN MR ( ODCt3) δ
(ppm):1、2 6 ( 3H 、 t 、 J=
7.5Hz 、 CO2CH20H5)。
1、4 8 ( 9H 、 S 、
tert−Bu)。
tert−Bu)。
2、55− 4.8( 1 2H, m,
PhCiH2CH2−6H−NH。
PhCiH2CH2−6H−NH。
〜ーNーー〜−
チ了ゼビン環プロトン、N−CH2
−C○)。
4.15 (2H、q 、J=7.5H2,C02C!
H20H5)。
H20H5)。
6.85−7.35(3H,m、チェニル環プo ドア
) 。
) 。
7.20(5H,S、フェニル基プロトン)。
実施例6
α−(6但)−(1(S)−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピルアミノ)−s−、t+ノン−(S)−
(2−チェニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼピン−4
−イル)酢酸ter1;−ブチルエステル2.42を4
N塩化水素・ジオキサン26m1K溶かし、15時間室
温に放置した。溶媒を留去L1残留物を酢酸エチル35
m1に溶かし、冷蔵庫中に放置すると、目的物が結晶と
して析出した。収量1.8?。エタノール−酢酸エチル
から再結晶。融点181℃(分解)。〔α)、+48゜
(C1,ジメチルホルムアミド)。
フェニルプロピルアミノ)−s−、t+ノン−(S)−
(2−チェニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼピン−4
−イル)酢酸ter1;−ブチルエステル2.42を4
N塩化水素・ジオキサン26m1K溶かし、15時間室
温に放置した。溶媒を留去L1残留物を酢酸エチル35
m1に溶かし、冷蔵庫中に放置すると、目的物が結晶と
して析出した。収量1.8?。エタノール−酢酸エチル
から再結晶。融点181℃(分解)。〔α)、+48゜
(C1,ジメチルホルムアミド)。
2.0−3.4(7H,m、 PhOH2(、H2,C
H2−5−an″″″″ ″ 、
−” c、。
H2−5−an″″″″ ″ 、
−” c、。
3.7−5.2(8H,m、 PhCH2C1H2CH
−N、 チアゼピン環3,6位プロトン 、CO2− CH2CH5,N −CH2Cj O) +6.9−7
.5(3H,m、チx 二/I/環プoドア)。
−N、 チアゼピン環3,6位プロトン 、CO2− CH2CH5,N −CH2Cj O) +6.9−7
.5(3H,m、チx 二/I/環プoドア)。
7.28(5H,S、フェニル基プロトン)。
実施例7゜
6(匂−アミノ−5−オキソ−2(PO−(3−チェニ
ル)ベルヒドロ−1,4−fアゼピン1.7ft実施例
4と同様の方法により、4−フェニル−2fFtl−)
リフルオロメタンスルホニルオキシ酪酸エチルでN−ア
ルキル化して、結晶性の目的化合物2.92き得た。
ル)ベルヒドロ−1,4−fアゼピン1.7ft実施例
4と同様の方法により、4−フェニル−2fFtl−)
リフルオロメタンスルホニルオキシ酪酸エチルでN−ア
ルキル化して、結晶性の目的化合物2.92き得た。
融点120.5−121℃。〔α)、+31.1°(c
l 。
l 。
ツメチルホルムアミド)。
NMFI (CDCl2)δ(1)1)!++) :1
.22 (3H、t 、 J=7I(Z 、 Co。C
H2C)!、 )、1.7−2.1 (2H、m 、
PhCH2CH2)、2.5−2.8 (4H、m 、
PhCH3CH2,S−C,fi2)、3.25−4
.2(4H2IIIll、PhCH2CH2−譬N、チ
アゼピン環3,6位プロトン)、 3.33(IH,t、J:6.5Hz、5−h−チェニ
ル)、4.11(2H,q、J=7Hz、Co□CHC
H3)、?、26(5H,s、フェニル基プロトン)、
7.05−7.6(3H,m、チェニル基プロトン)、
7.93(IH,t、J=6Hz、CONヨ)。
.22 (3H、t 、 J=7I(Z 、 Co。C
H2C)!、 )、1.7−2.1 (2H、m 、
PhCH2CH2)、2.5−2.8 (4H、m 、
PhCH3CH2,S−C,fi2)、3.25−4
.2(4H2IIIll、PhCH2CH2−譬N、チ
アゼピン環3,6位プロトン)、 3.33(IH,t、J:6.5Hz、5−h−チェニ
ル)、4.11(2H,q、J=7Hz、Co□CHC
H3)、?、26(5H,s、フェニル基プロトン)、
7.05−7.6(3H,m、チェニル基プロトン)、
7.93(IH,t、J=6Hz、CONヨ)。
実施例8゜
4−イル)酢酸tert−ブチルエステル6(Ftl−
(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルグロピ
ルアミノ〕−5−オキソ−2(刊−(3−チェニル)ベ
ルヒドロ−1,4−fアゼピン2.69’ff実施例5
と同様の方法により、プロム酢酸tert−ブチルでア
ルキル化して、シロップ状の目的化合物3.3yi得た
。
(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルグロピ
ルアミノ〕−5−オキソ−2(刊−(3−チェニル)ベ
ルヒドロ−1,4−fアゼピン2.69’ff実施例5
と同様の方法により、プロム酢酸tert−ブチルでア
ルキル化して、シロップ状の目的化合物3.3yi得た
。
〔α発5+43.9°(cl、ツメチルホルムアミド)
。
。
NMR(CDCl 3)δ(ppm ) :1、29
(3H、t 、 J = 7.5 Hz 、CO2CH
2% )、1.49 (9H、s、 tert−Bu)
、1.80−2.2 (2H2m 、phcu2CH2
)、2.48 (L H、br s 、 NH)、2.
6−3.15 (4H、m 、 Ph%CH2,5−C
5)、3.36(LH,t、J=6.5 Hz 、 S
−CH−チェニル)、3.55−4.5 (6Hr m
+チアゼピン環3,6位プロトン、 PhCH2CH
2白ケN 、N−C晃どCO)、4.18 (2H,q
、 J=7.5!(Z 、 Co2CHCH,)、7
.26(5H,s、フェニル基プロトン〕、7.0−7
.4 (3H,m、チェニル基プロトン)。
(3H、t 、 J = 7.5 Hz 、CO2CH
2% )、1.49 (9H、s、 tert−Bu)
、1.80−2.2 (2H2m 、phcu2CH2
)、2.48 (L H、br s 、 NH)、2.
6−3.15 (4H、m 、 Ph%CH2,5−C
5)、3.36(LH,t、J=6.5 Hz 、 S
−CH−チェニル)、3.55−4.5 (6Hr m
+チアゼピン環3,6位プロトン、 PhCH2CH
2白ケN 、N−C晃どCO)、4.18 (2H,q
、 J=7.5!(Z 、 Co2CHCH,)、7
.26(5H,s、フェニル基プロトン〕、7.0−7
.4 (3H,m、チェニル基プロトン)。
実施例9゜
ノー4−イル)酢酸・塩酸塩
α−< 6(P、l−(IF5l−エトキシカルボニル
−3−フエニルプロビルアミ/ ) −5−オキシ−2
tR1−(3−チェニル〕ベルヒドロー1.4−fアゼ
ピン−4−イル)酢酸tert−ブチルエステル3.0
2?実施例6と同様の方法により、4N塩酸・ヅオキサ
/で処理して、結晶性の目的化合物2.62?得た。
−3−フエニルプロビルアミ/ ) −5−オキシ−2
tR1−(3−チェニル〕ベルヒドロー1.4−fアゼ
ピン−4−イル)酢酸tert−ブチルエステル3.0
2?実施例6と同様の方法により、4N塩酸・ヅオキサ
/で処理して、結晶性の目的化合物2.62?得た。
融点=140℃から着色し、145〜148℃で融解。
(α):5 +48.9°(cl 、))fkホlム7
ミ)’)。
ミ)’)。
NMR(DMSO−d6)δ(ppm) :1.28
(3H、t 、 J =7.5 Hz 、 Co2CH
2CH5)、2.05−2.4 (2H、m 、 Ph
C)12(E、、 )、2.6−3.3(5H,rn、
PhcH2,チアゼピン環2,7位プロトン)、 3、7−5.2 (8H、m 、 PhCH2CH2C
H、チアゼピン環3.6位プロトン 、N−c!、!c
o2c5cH3)、7.30(5ヨl S rフェニル
基プロトン)、7.1−7.65(3H,m、チz=、
++z基7’C!):/)。
(3H、t 、 J =7.5 Hz 、 Co2CH
2CH5)、2.05−2.4 (2H、m 、 Ph
C)12(E、、 )、2.6−3.3(5H,rn、
PhcH2,チアゼピン環2,7位プロトン)、 3、7−5.2 (8H、m 、 PhCH2CH2C
H、チアゼピン環3.6位プロトン 、N−c!、!c
o2c5cH3)、7.30(5ヨl S rフェニル
基プロトン)、7.1−7.65(3H,m、チz=、
++z基7’C!):/)。
実施例10゜
ニルグロビルアミノ〕−5−オキノー2(Pi−7エニ
ルベルヒドロー1,4−チアゼピン 6(?J−アミノー5−オキソー2(R)−フェニルペ
ルヒドロ−1,4−チアゼピン2.7ff実施例4と同
様の方法により、4−フエニ#−2(R1−1−リフル
オロメタンスルホニルオキシ酪酸エチルでN−アルキル
化して、結晶性の目的化合物30f金得た。
ルベルヒドロー1,4−チアゼピン 6(?J−アミノー5−オキソー2(R)−フェニルペ
ルヒドロ−1,4−チアゼピン2.7ff実施例4と同
様の方法により、4−フエニ#−2(R1−1−リフル
オロメタンスルホニルオキシ酪酸エチルでN−アルキル
化して、結晶性の目的化合物30f金得た。
融点 118−119.5℃。〔α耳5+35°(cl
。
。
ツメチルホルムアミド)。
NMRCCDC13) δ(ppm):1.28 (3
H,t、J=7.5H2、Co2CH2C!、 )、1
.85−2.25 (2H、m 、 PhCH2(15
)、2.6−3.15 (4H、m 、 PhCH,C
H2,5C42)、3−39 (I Hr t # J
=6.5EZ I S −CFj−7エニ” )、3
.45−4.15 (4H、m 、 PhCH2Cf(
2趣−N 、チアゼピン環3,6位プロトン)、 4.20 (2Fi 、 q 、 J =’7.5’H
z 、 Co2CH2CH5)、6.55 (IH,m
、C0NH)、 7.24(5H,s、フェニル基プロトン)、7.33
(5H,s、フェニル基プロト/)。
H,t、J=7.5H2、Co2CH2C!、 )、1
.85−2.25 (2H、m 、 PhCH2(15
)、2.6−3.15 (4H、m 、 PhCH,C
H2,5C42)、3−39 (I Hr t # J
=6.5EZ I S −CFj−7エニ” )、3
.45−4.15 (4H、m 、 PhCH2Cf(
2趣−N 、チアゼピン環3,6位プロトン)、 4.20 (2Fi 、 q 、 J =’7.5’H
z 、 Co2CH2CH5)、6.55 (IH,m
、C0NH)、 7.24(5H,s、フェニル基プロトン)、7.33
(5H,s、フェニル基プロト/)。
実施列11゜
6(Ftl (1(Sl−エトキシ力ルゲニルー3−フ
ェニルプロピルアミノ〕−5−オキソ−2(PJ−フェ
ニルイルヒドロー1,4−チアゼピン2.72全実施列
5と同様の方法により、ブロム酢酸tert−ブチルで
アルキル化して、シロップ状の目的化合物3.3’ 5
f金得た。
ェニルプロピルアミノ〕−5−オキソ−2(PJ−フェ
ニルイルヒドロー1,4−チアゼピン2.72全実施列
5と同様の方法により、ブロム酢酸tert−ブチルで
アルキル化して、シロップ状の目的化合物3.3’ 5
f金得た。
〔α〕居5+21.7°(cl、ジメチルホルムアミド
)。
)。
Nxtp (CDC23)δ(ppm) :1.28
(3H、t 、 J=7.5Hz 、 Co2CH2C
,!3)、1.47(9H,s、tert−Bu)、1
.8−2.3 (2H、m 、 PhCH2CH2、)
、2.5−3.I C4H、m 、 PhCH,、C’
H2,5−Ci2)、3.37(IH2t、J=6.5
Hz、S−CH−フェニル)、〜 3.45−4.65(6H,m、チアゼピン環3,6位
プロトンr PhCH2CH26H−N r N−も−
CO)、4.18 (2H、q 、 J=7.5Hz
、 Co2CH2CH3)、7.24(5H,s、フェ
ニル基プロトン)、7.32(5H,s、フェニル基プ
ロトン)。
(3H、t 、 J=7.5Hz 、 Co2CH2C
,!3)、1.47(9H,s、tert−Bu)、1
.8−2.3 (2H、m 、 PhCH2CH2、)
、2.5−3.I C4H、m 、 PhCH,、C’
H2,5−Ci2)、3.37(IH2t、J=6.5
Hz、S−CH−フェニル)、〜 3.45−4.65(6H,m、チアゼピン環3,6位
プロトンr PhCH2CH26H−N r N−も−
CO)、4.18 (2H、q 、 J=7.5Hz
、 Co2CH2CH3)、7.24(5H,s、フェ
ニル基プロトン)、7.32(5H,s、フェニル基プ
ロトン)。
実施例12゜
α−(6(F9− (1(S)−エトキシカルlニル−
3−フエニルブロピルアミン〕−5−オキソ−2(F)
−α−(6(R)−(1(S)−エトキシカルボニル
−3−ツエニルプロピルアミノ〕−5−オキソ−2(P
J−フェニルペルヒドロ−1,4−チアゼピン−4−イ
ル)酢酸tert−ブチルエステル3.1f’z実施列
6と同様の方法により、4N塩酸・ジオキサンで処理し
て、粉末状の目的化合物2.82r2得た。
3−フエニルブロピルアミン〕−5−オキソ−2(F)
−α−(6(R)−(1(S)−エトキシカルボニル
−3−ツエニルプロピルアミノ〕−5−オキソ−2(P
J−フェニルペルヒドロ−1,4−チアゼピン−4−イ
ル)酢酸tert−ブチルエステル3.1f’z実施列
6と同様の方法により、4N塩酸・ジオキサンで処理し
て、粉末状の目的化合物2.82r2得た。
融点:96℃から軟化し、112−115℃で溶融。
〔α)、 +25.9°(C1,ツメチルホルムアミ
ド)。
ド)。
NMFI (DMSO−d 6) δ (ppm)
:1、28 (3H、t 、 J == 7.5
Hz 、CO2CH2% )、2.0−2.35 (2
)? 、 m 、 phcn2CHj)、2−5−3.
4 (5H+ m r−PhCH2rチアゼピン環2,
7位プロトン)、 3、7−5.15 (8H2m −PhCH2CH2C
H、+ 74’ピン環3,6位プロト7 、 N−C3
−CO、Co2C!、ICH3)、7.30(5H,s
、7zニル基プロトン)、7.40(5H,s、フェニ
ル基プロトン)。
:1、28 (3H、t 、 J == 7.5
Hz 、CO2CH2% )、2.0−2.35 (2
)? 、 m 、 phcn2CHj)、2−5−3.
4 (5H+ m r−PhCH2rチアゼピン環2,
7位プロトン)、 3、7−5.15 (8H2m −PhCH2CH2C
H、+ 74’ピン環3,6位プロト7 、 N−C3
−CO、Co2C!、ICH3)、7.30(5H,s
、7zニル基プロトン)、7.40(5H,s、フェニ
ル基プロトン)。
1°。
■
参考例1゜
ベンジリデンピルビン酸[ジャーナル・オブ・アメリカ
ン・ケミカル・ソサエティ 74巻。
ン・ケミカル・ソサエティ 74巻。
4392頁(1952年)]]62g、J−メントール
49.45fおよびp−トルエンスルホン酸・1水和物
4.29のベンゼン300m/混合液を5時間、ディー
ン・スターク脱水器をつけて還流した。反応夜を冷却後
、重曹水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去して、液体状の回内化合物105.8gを得た
。
49.45fおよびp−トルエンスルホン酸・1水和物
4.29のベンゼン300m/混合液を5時間、ディー
ン・スターク脱水器をつけて還流した。反応夜を冷却後
、重曹水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去して、液体状の回内化合物105.8gを得た
。
NMR(aDcg 5 )δ(ppm) :0.78
(3H,d、 J:9.5 Hz、 l−メンチル基中
の0H3) 。
(3H,d、 J:9.5 Hz、 l−メンチル基中
の0H3) 。
0.92(6H,d、 J=7.5Hz、 l−メンチ
ル基中のCM (OH3)2 ) 。
ル基中のCM (OH3)2 ) 。
0.6〜2.2 (9H,m、 l−メンチル基中のプ
ロ ト ン ) 。
ロ ト ン ) 。
4.87(IH,d、t、J=4.10Hz、co2−
CH<)。
CH<)。
7.18と7.76(2H,Al3q、 、T=16H
2,−0H=OH−)+7.25 (5H,brs、フ
ェニル基)。
2,−0H=OH−)+7.25 (5H,brs、フ
ェニル基)。
参考例2、
ベンジリデンピルビン酸!−メンチルエステル33.9
gと5%パラジウム炭素3.3gのイソプロパノ−k
250 Ml混合物を水素圧3kg/ci 、 50
℃で5時間振り混ぜた。触媒をP去し、溶媒を留去し、
残留物を石油エーテル30m1に溶かし、目的化合物の
結晶の種を加えた後放置すると、目的化合物の粗結晶1
1.6gが得られた。これを再度石油エーテル中から再
結晶して目的化合物9.8gを得た。 融点85−86
℃。
gと5%パラジウム炭素3.3gのイソプロパノ−k
250 Ml混合物を水素圧3kg/ci 、 50
℃で5時間振り混ぜた。触媒をP去し、溶媒を留去し、
残留物を石油エーテル30m1に溶かし、目的化合物の
結晶の種を加えた後放置すると、目的化合物の粗結晶1
1.6gが得られた。これを再度石油エーテル中から再
結晶して目的化合物9.8gを得た。 融点85−86
℃。
〔α〕D−6r0(cto、クロロホルム)。
融点、旋光度はアナ−レス・デ・ヘミ−二巻、144頁
(1933年)記載の値とよく 一致した。
(1933年)記載の値とよく 一致した。
NMR(CD0J 3 ) δ(ppm) :0.
74(3H,d、 J=9.5Hz、 l−メンチル基
中のCH3)+ 0.88(6H,d、 Jニア、5H2,l−メンチル
基中の0H(OH3)2)。
74(3H,d、 J=9.5Hz、 l−メンチル基
中のCH3)+ 0.88(6H,d、 Jニア、5H2,l−メンチル
基中の0H(OH3)2)。
0.5−2.2C11H,m、 J−メンチル基中のプ
ロト ン* phaH2CH2)+ C0−)。
ロト ン* phaH2CH2)+ C0−)。
4.73(1H,d、t、J=:4,10H2,002
0Hく)。
0Hく)。
7.13(5H,s、フェニル基プロトン)。
参考例3
2 (R)−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチル20
8 mgト1)−二トロベンゼンスルホニルクaライド
221■の無水ジクロルメタン2.5111溶液にトリ
エチルアミン0.167g+?を加え、室温で4時間攪
拌後、ジクロルメタンを留去した。残留物を酢酸エチル
と水に溶かし、酢酸エチルを分離し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残留物をシクロヘキサ
ン−酢酸エチル5:1のシリカゲル・カラムクロマトに
付して、シロップ状の目的化合物336j1gを得た。
8 mgト1)−二トロベンゼンスルホニルクaライド
221■の無水ジクロルメタン2.5111溶液にトリ
エチルアミン0.167g+?を加え、室温で4時間攪
拌後、ジクロルメタンを留去した。残留物を酢酸エチル
と水に溶かし、酢酸エチルを分離し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残留物をシクロヘキサ
ン−酢酸エチル5:1のシリカゲル・カラムクロマトに
付して、シロップ状の目的化合物336j1gを得た。
冷蔵庫中に放置すると結晶化した。
融点3B −38℃
NMR(0DCji 5)δ(ppm):1.20 (
3H,t、 J=7Hz、 002CH2CH5)。
3H,t、 J=7Hz、 002CH2CH5)。
2.0−2.9(4H,m、 Ph0)(2CiH2)
。
。
4.11 (2H,q、 J=7H2,co2智新H3
)。
)。
496(IH,t、 J=(i)(z、 CHCO2
)。
)。
?、17(5H,m、フェニル基プ(I)7)18.2
2(4H9A2B2. Δδ=4.8ppm+ J=9
.5Hz。
2(4H9A2B2. Δδ=4.8ppm+ J=9
.5Hz。
p−ニトロフェニル基フロトン)。
参考例4゜
2 (R)−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチル2.
Of トo−ニトロベンゼンスルホニルフルオライド2
.1 yとを参考例3と同様に処理してシロップ状の目
的化合物2.35fを得た。
Of トo−ニトロベンゼンスルホニルフルオライド2
.1 yとを参考例3と同様に処理してシロップ状の目
的化合物2.35fを得た。
NMR(cnc15)δ(ppm) :1.18(3H
,t、 J=7)1z、 C02CH2CH5)。
,t、 J=7)1z、 C02CH2CH5)。
2.0 2.9 (4H1ms PhCH20H2)
。
。
4.12(2H,q、 J=7Hz、 002CH2C
iH3)。
iH3)。
7.14(5H,s、フェニル基プロトン)。
乙5−8.15(4H,O−ニトロフェニル基プロトン
)。
)。
参考例5゜
2 (R) −(m−二トロベンゼンスルホニルオキシ
)−4−フェニル酪酸エチル 、2 (R)−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチル2.45f′トm−二ト
ロベンゼンスルホニルクロライド2.731とを参考例
3と同様に処理してシロップ状の目的化合物3.59を
得た。
)−4−フェニル酪酸エチル 、2 (R)−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチル2.45f′トm−二ト
ロベンゼンスルホニルクロライド2.731とを参考例
3と同様に処理してシロップ状の目的化合物3.59を
得た。
NMR(cDol 5 )δ(ppm) :1.20(
3H,t、 J=7Hz、 0020H2C!Q)。
3H,t、 J=7Hz、 0020H2C!Q)。
2.0 2.4 (2H,m、 Ph0H2CH2)
。
。
2゜55−2.9 (2H−m、 P)10H2CH2
) 。
) 。
4.12(2Hs q、 J=7H2,0020H20
H5)。
H5)。
7.22 (5H,brs、フェニル基プ’ トン)
を参考例6゜ 2 (R) −(4−クロル−3−二トロベンゼン2
(R)−ヒトaキシ−4−フェニル酪酸エチル2.22
gと4−クロル−3−二トロベンゼンスルホニルクロラ
イド3gとを、参考例3と同様に処理して、シロップ状
の目的化合物3.0!i+を得た。冷蔵庫中に放置する
と、このものは結晶化した。融点34.5−35.5℃ NMR(ODcJ 3 )δ(ppm) :1−21
(3H,L−J==7Hz、 002CH2C!H5)
2.0−2.9 (4H,m、 phモc弘) 。
を参考例6゜ 2 (R) −(4−クロル−3−二トロベンゼン2
(R)−ヒトaキシ−4−フェニル酪酸エチル2.22
gと4−クロル−3−二トロベンゼンスルホニルクロラ
イド3gとを、参考例3と同様に処理して、シロップ状
の目的化合物3.0!i+を得た。冷蔵庫中に放置する
と、このものは結晶化した。融点34.5−35.5℃ NMR(ODcJ 3 )δ(ppm) :1−21
(3H,L−J==7Hz、 002CH2C!H5)
2.0−2.9 (4H,m、 phモc弘) 。
4.13 (2H,q 、 J=7Hz、 CO20H
2CjH3) 。
2CjH3) 。
4.96(IH,t、 J=6)iz、 −OH”〇−
^ゝC02− 参考例7゜ 2 (a)−ヒトaキシ−4−フェニル酪酸エチル1.
1Mfト2.4−ジニトロベンゼンスルホニルフルオラ
イド1.251とを参考例3と同様に処理して、シロッ
プ状の目的化合物1.47.gを得た。
^ゝC02− 参考例7゜ 2 (a)−ヒトaキシ−4−フェニル酪酸エチル1.
1Mfト2.4−ジニトロベンゼンスルホニルフルオラ
イド1.251とを参考例3と同様に処理して、シロッ
プ状の目的化合物1.47.gを得た。
NMR(CD0A5 )δ(ppm) :1.21 (
3H,t 、 J”’TH2,002CH2CH3)
*2.0−2.95 (4H+ rn、 Ph0H20
H2) 。
3H,t 、 J”’TH2,002CH2CH3)
*2.0−2.95 (4H+ rn、 Ph0H20
H2) 。
4.12 (2H= q、 J=7)1z、 0020
H2CH3) I8.2−8.7(3H,m、 2.4
−ジニ) a 7 エニ/L/基プロトン)。
H2CH3) I8.2−8.7(3H,m、 2.4
−ジニ) a 7 エニ/L/基プロトン)。
参考例8゜
キシ)−4−フェニル酪酸エチル
2 (R)−ヒトaキシ−4−フェニル酪酸エチル1.
11とp−7’ロムベンゼンスルホニルクロライド1.
381とを参考例3と同様に処理して、シロップ状の目
的化合物1.2gを得た。
11とp−7’ロムベンゼンスルホニルクロライド1.
381とを参考例3と同様に処理して、シロップ状の目
的化合物1.2gを得た。
Nhm (aDc15 )δ(ppm) :1−21
(3H,L−J=7H2,CO20H20H5) 。
(3H,L−J=7H2,CO20H20H5) 。
1、9−2.85 (4H,m、 Ph%OH) 。
4.12(2H,q、 J=7)1z、 Co20H2
0H3)。
0H3)。
7.22(5H,m、 7 :r−ニル基フロトン)。
7−7”l (4H1A2B2t Δδ=:Q、2p
pm、 J==8.5日乙 。
pm、 J==8.5日乙 。
p−ブロムフェニル基のプロトン)。
参考例9゜
2 (R)−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチル16
Qのジクロルエタン160m1溶液に氷塩谷5 ml
溶液を1時間20分にわたりゆっくり滴加した。滴加後
、30分攪拌した後、溶媒を留去し、酢酸エチル−シク
ロヘキサン1 : 1 15Q、1を加え、不溶物をデ
去した。F液をシリカゲル・カラムにかげ、酢酸エチル
−シクロヘキサン1:1で溶出して、油状の目的化合物
24.4fを得た。
Qのジクロルエタン160m1溶液に氷塩谷5 ml
溶液を1時間20分にわたりゆっくり滴加した。滴加後
、30分攪拌した後、溶媒を留去し、酢酸エチル−シク
ロヘキサン1 : 1 15Q、1を加え、不溶物をデ
去した。F液をシリカゲル・カラムにかげ、酢酸エチル
−シクロヘキサン1:1で溶出して、油状の目的化合物
24.4fを得た。
Nh、tR(aDcg 、、 )δ(ppm) :1.
28(3H,t、 J==7H2,0O2CH2CH5
)。
28(3H,t、 J==7H2,0O2CH2CH5
)。
2.0 2.95 (4H9rn、 Ph0H20H2
) 。
) 。
4.25(2H,q、 J=7)(z、 0020H2
CiH3)。
CiH3)。
5.14(IH,t、 J=5H2,−aHlo
)。
)。
〜ゝCo2−
7.27(5H,s、フェニル基プロトン)。
参考例10゜
システィン
L−システィン48.4g、ジーtert−ブチルジカ
ーボネート90 !および重曹70gの水500m1、
テトラヒドロフラン200m1中の混合物を、窒素ガス
下、55℃で2時間攪拌した。反応液を冷却後、氷、酢
酸エチル0.51を加え、濃塩酸でPH3に調整し、酢
酸エチル層を分離した。
ーボネート90 !および重曹70gの水500m1、
テトラヒドロフラン200m1中の混合物を、窒素ガス
下、55℃で2時間攪拌した。反応液を冷却後、氷、酢
酸エチル0.51を加え、濃塩酸でPH3に調整し、酢
酸エチル層を分離した。
水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去す
ると、シロップ状のN −tert−ブトキシカルボニ
ル−L−システィンが得られた。これをトルエン1gV
C溶かし、1−ニトロ−,2−(2−チェニル)エチレ
ン60fを加え、水冷下、N−メチルモルホリン50m
1を滴加し、混合溶液を室温で3時間攪拌した。水0,
51を加え、5分間攪拌後、水層を分離し、トルエン層
を5%N−メチルモルホリン水溶液100 we X
5で抽出した。全水層を合し、これに氷と酢酸エチル0
.71を加え、濃塩酸でPH3に調整した。
ると、シロップ状のN −tert−ブトキシカルボニ
ル−L−システィンが得られた。これをトルエン1gV
C溶かし、1−ニトロ−,2−(2−チェニル)エチレ
ン60fを加え、水冷下、N−メチルモルホリン50m
1を滴加し、混合溶液を室温で3時間攪拌した。水0,
51を加え、5分間攪拌後、水層を分離し、トルエン層
を5%N−メチルモルホリン水溶液100 we X
5で抽出した。全水層を合し、これに氷と酢酸エチル0
.71を加え、濃塩酸でPH3に調整した。
酢酸エチル層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、溶媒を留去して、シロップ状の目的化合物127ダを
得た。
、溶媒を留去して、シロップ状の目的化合物127ダを
得た。
iNMR(0DO15)δ(ppm) :1.46(9
H,s、 tert−Bu)。
H,s、 tert−Bu)。
2.73.1 (2H,m、 00% S)。
4.25.7 (5H,m、 NHK Co、 S W
悶NO2) 。
悶NO2) 。
6.75−7.05 (2H,m、チオフェン環の3.
4位プロトン)。
4位プロトン)。
7.1−7.3 (IH,m、チオフェン環の5位プロ
トン)。
トン)。
参考例11゜
システィン
S−〔2−二ト0−1−(2−チェニル)エチル] −
N −tert−ブトキシカルボニル−L−システィン
127gの酢酸1.34溶液に、5%ノくラジウム−炭
素35 fを加え、水素圧3〜4kg/cps 7’
℃で5時間振とうした。パラジウム−炭素をF去し、r
液を減圧濃縮して得られるシロップをメタノール50’
tn11水5QmlVC溶かし、直径Tα、長さ35o
nのt(P−20のカラムクロマトにかげた。水21.
20%アセトン水0,5β。
N −tert−ブトキシカルボニル−L−システィン
127gの酢酸1.34溶液に、5%ノくラジウム−炭
素35 fを加え、水素圧3〜4kg/cps 7’
℃で5時間振とうした。パラジウム−炭素をF去し、r
液を減圧濃縮して得られるシロップをメタノール50’
tn11水5QmlVC溶かし、直径Tα、長さ35o
nのt(P−20のカラムクロマトにかげた。水21.
20%アセトン水0,5β。
50% アセトン水で順次クロマトカラムを流し、目的
物を含む溶出液を濃縮すると、粉末状の目的化合物75
9が得られた。
物を含む溶出液を濃縮すると、粉末状の目的化合物75
9が得られた。
NM几(DMSO−d6)δ(ppm) :1.37(
9H,S、 tert−Bu)+2.6−3.5(4H
,m、 0−0H2−3,c−OH2−NH2)。
9H,S、 tert−Bu)+2.6−3.5(4H
,m、 0−0H2−3,c−OH2−NH2)。
3.9(IH,m、 s−占トチェニル)。
4.5(iH,m、 NH−占H−Co)。
6.2(IH,m、NH)。
6.8−7.1 (2H,m、チオフェン環3,4位プ
ロトン)。
ロトン)。
7.42(1H,m、チオフェン環5位プロトン)。
参考例12゜
S−〔2−アミノ−1−(2−チェニル)エチル] −
N −tert−ブトキシカルボニル−L−システィン
75 yとジフェニルホスホリルアジド56.5mlの
ジメチルホルムアミド50(1m/ 混合液に、水冷
下、N−メチルモルホリン57g/のジメチルホルムア
ミド30m1溶液を満願した。室温で一夜放置後、酢酸
エチル11.水11を加え、酢酸エチル層を分離した。
N −tert−ブトキシカルボニル−L−システィン
75 yとジフェニルホスホリルアジド56.5mlの
ジメチルホルムアミド50(1m/ 混合液に、水冷
下、N−メチルモルホリン57g/のジメチルホルムア
ミド30m1溶液を満願した。室温で一夜放置後、酢酸
エチル11.水11を加え、酢酸エチル層を分離した。
水層を2回酢酸エチルで抽出後、全抽出液を食塩水で2
回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去
した。残留物を酢酸エチル−ジクロルメタン1:4のシ
リカゲル・カラムクロマトに付して、粉末状の目的物4
9.4gを得た。
回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去
した。残留物を酢酸エチル−ジクロルメタン1:4のシ
リカゲル・カラムクロマトに付して、粉末状の目的物4
9.4gを得た。
NMR(an+J3) δ(ppm) :1.45
(9H,s、 tert−Bu)。
(9H,s、 tert−Bu)。
2.9 (2H,m、 OCH2S)。
3.6−4.4(3H,m、 S−♂H−CH2N)m
″ 〆\I〜 4.85(IH,m、 N JH−co)。
″ 〆\I〜 4.85(IH,m、 N JH−co)。
5.99(IH,a、 J=5H2,nocNHL6.
8−7゜3(3)1.m、チオフェン環プロトン)。
8−7゜3(3)1.m、チオフェン環プロトン)。
7.3 (IH,m、 NH)。
参考例13゜
6 (TL) −tert−ブトキシカルボニルアミノ
−5−オキソ−2−(2−チェニル)−ペルヒドロ−1
,4−チアゼピン47.4 f K 4N塩酸−ジオキ
サン148m1を加え、室温で1時間攪拌した。
−5−オキソ−2−(2−チェニル)−ペルヒドロ−1
,4−チアゼピン47.4 f K 4N塩酸−ジオキ
サン148m1を加え、室温で1時間攪拌した。
反応液を濃縮後、ジエチルエーテルを加え、析これをジ
クロルメタン14.メタノール50m1にけん濁させ、
炭酸カリウム331の水190m1溶液を加え、2時間
攪拌した。沈澱物をr去し、P液中の有機層を分離した
。沈澱物を水80ゴに溶かし、水層と合せ、105’a
メタノール−ジクロルメタン10100aで2回抽出し
た。全メタノール−ジクロルメタン溶液を合せ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶液を濃縮し、約150m1
Kなったら、酢酸エチル250m1を加え、再度濃縮し
て、残存量的2001Rtとし、−夜装置した。
クロルメタン14.メタノール50m1にけん濁させ、
炭酸カリウム331の水190m1溶液を加え、2時間
攪拌した。沈澱物をr去し、P液中の有機層を分離した
。沈澱物を水80ゴに溶かし、水層と合せ、105’a
メタノール−ジクロルメタン10100aで2回抽出し
た。全メタノール−ジクロルメタン溶液を合せ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶液を濃縮し、約150m1
Kなったら、酢酸エチル250m1を加え、再度濃縮し
て、残存量的2001Rtとし、−夜装置した。
析出する結晶を沢取すると、目的物12.4 flが得
られた。 融点isr’c 〔α)、 + sl、s°(C1,36,nMF)。
られた。 融点isr’c 〔α)、 + sl、s°(C1,36,nMF)。
NMR(DMSO−d6)δ(ppm):2.21 (
2H,brs、 NH2)。
2H,brs、 NH2)。
2J 2.’9(2H,m、 OOH2S)。
3.44.4 (4H,m、 NH2−頓00.804
シN)。
シN)。
6.8(2H1m、チオフェン環3.4位プロトン)。
7.40(IH,d d、 J=1.5.4.5H2,
チオフェン! 環5位プロトン)。
チオフェン! 環5位プロトン)。
7.83(IH,brt、 J=γH2,C0NH)。
参考例14゜
ルシステインジフェニルメチルエステル工程A。
−(2−チェニル)エタノール
υH
2−チオフェンアルデヒドシアンヒドリン62 ’Iを
水素化リチウムアルミニウムで還元して得られた粗2−
アミノ−1−(2−チェニル)エタノールを、メタノー
ル440m1中、トリエチルアミン66m1とジーte
r t−ブチルジカーボネート97gと室温で1,5時
間攪拌した。反応液を濃縮し、残留物を酢酸エチルと水
に溶かし、酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を留去した。
水素化リチウムアルミニウムで還元して得られた粗2−
アミノ−1−(2−チェニル)エタノールを、メタノー
ル440m1中、トリエチルアミン66m1とジーte
r t−ブチルジカーボネート97gと室温で1,5時
間攪拌した。反応液を濃縮し、残留物を酢酸エチルと水
に溶かし、酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を留去した。
残留物を酢酸エチル−ジクロルメタン1:4のシリカゲ
ル・カラムクロマトに付して、結晶性の目的化合物45
fを得た。
ル・カラムクロマトに付して、結晶性の目的化合物45
fを得た。
融点101−102℃
NMR(cDal 5 )δ(ppm) :1.43
(9HI S* tert nu ) +in 3−
6 (3H* rl’l、OH2−OH) *5.00
(IH,d、d、 J=4.7.5Hz、−占H−O
H)。
(9HI S* tert nu ) +in 3−
6 (3H* rl’l、OH2−OH) *5.00
(IH,d、d、 J=4.7.5Hz、−占H−O
H)。
4.8−5.2(IH,br t、 NH)。
6.94(2H,m、チオ7 x 793.4位プロト
ン)。
ン)。
7.18(IH,m、チオフェン環5位プロトン)工程
B。
B。
2− tert−ブトキシカルボニルアミノ−C7!
’l −tert−ブトキシカルボニルアミノ−1−(
2−−1−エニル)エタノール151の無水ジクロルメ
タン120m1溶液に、五塩化リン12.8!7の無水
ジクロルメタン240m1溶液をえ、5分間攪拌した。
2−−1−エニル)エタノール151の無水ジクロルメ
タン120m1溶液に、五塩化リン12.8!7の無水
ジクロルメタン240m1溶液をえ、5分間攪拌した。
ジクロルメタン層を多量の水で洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去して、結晶性の目的化合物
1361を得た。融点40〜43′co この物質はシ
リカゲル・カラムクロマトで分解するので精製すること
なしに次の工程に使用した。
シウムで乾燥し、溶媒を留去して、結晶性の目的化合物
1361を得た。融点40〜43′co この物質はシ
リカゲル・カラムクロマトで分解するので精製すること
なしに次の工程に使用した。
NMR(cncg3) δ(ppm) :1.43(
9H,s、 tert−Bu)。
9H,s、 tert−Bu)。
3.5 3.8 (2H,rn、 OH2) 。
4.90(1H,I)r m、NH)。
5.21(IH,d、d、 J=6.7Hz、−♂H−
01)。
01)。
6.75−7.3 (3H,m、チオフェン環プロトン
)。
)。
工程C0
L−システィンp−トルエンスルホン酸塩10 fとN
−カルボエトキシフタルイミド7.51のジメチルホル
ムアミド68m!溶液に窒素ガス下、重曹6.2gを加
え、90〜100℃、3.5時間攪拌した。反応液を冷
却後、酢酸エチルと重硫酸カリウム水溶液に溶かし、水
層を酸性にして酢酸エチル層を分離した、食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ジフェニルジアゾ
メタン7.4gを加え、窒素気流中、1時間攪拌した。
−カルボエトキシフタルイミド7.51のジメチルホル
ムアミド68m!溶液に窒素ガス下、重曹6.2gを加
え、90〜100℃、3.5時間攪拌した。反応液を冷
却後、酢酸エチルと重硫酸カリウム水溶液に溶かし、水
層を酸性にして酢酸エチル層を分離した、食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ジフェニルジアゾ
メタン7.4gを加え、窒素気流中、1時間攪拌した。
溶媒を留去後、ジメチルホルムアミド60m1に溶かし
、これに2− tert−ブトキシカルボニルアミノ−
1−クロル−1−(2−チェニル)エタン10 ’1と
炭酸ソーダ8.6gを加え、窒素気流中、60℃で16
時間攪拌した。反応液を酢酸エチルと水に溶かし、酢酸
エチル層を分離し、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残留物を酢酸エチル−
シクロヘキサン1:4を溶媒系とするシリカゲル・カラ
ムクロマトに付して、無定形固形物として目的化合物を
得た。収量73gONMR(cncg 3)δ(ppm
) :1.38(9H,s、 tert−Bu)。
、これに2− tert−ブトキシカルボニルアミノ−
1−クロル−1−(2−チェニル)エタン10 ’1と
炭酸ソーダ8.6gを加え、窒素気流中、60℃で16
時間攪拌した。反応液を酢酸エチルと水に溶かし、酢酸
エチル層を分離し、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残留物を酢酸エチル−
シクロヘキサン1:4を溶媒系とするシリカゲル・カラ
ムクロマトに付して、無定形固形物として目的化合物を
得た。収量73gONMR(cncg 3)δ(ppm
) :1.38(9H,s、 tert−Bu)。
3.0 3−7 (4H,m、 0H2S、 OCH2
N)。
N)。
4.31 (IH,br t、 J=7H2,S−6H
−チェニル)。
−チェニル)。
475 (IH+ brm、 NH) 。
4.92(IH,d、d、 J”6.5.7.5Hz、
N−OHCo)。
N−OHCo)。
6.7 7.3(14H,m、 CH(06H5)21
チオフエン環プロトン)。
チオフエン環プロトン)。
7.5−7.85(4H,m、 7タリルプロトン)。
参考例15゜
S −(2−tert−ブトキシカルボニルアミノ−1
−(2−チェニル)エチル]−N−フタリルシスティン
ジフェニルメチルエステル9.39のアニソール34s
+l溶液にトリフルオロ酢酸43m1を加え、室温で2
時間放置した。反応液を濃縮後、酢酸エチル34zls
水2Gmlを加え、さらに重曹3.31を加えよく攪拌
後、3N塩酸でPH5,8に調整した。水冷下、攪拌後
、析出している目的化合物なf取し、アセトン−ジエチ
ルエーテル1:1で洗浄した。収量1.7g。
−(2−チェニル)エチル]−N−フタリルシスティン
ジフェニルメチルエステル9.39のアニソール34s
+l溶液にトリフルオロ酢酸43m1を加え、室温で2
時間放置した。反応液を濃縮後、酢酸エチル34zls
水2Gmlを加え、さらに重曹3.31を加えよく攪拌
後、3N塩酸でPH5,8に調整した。水冷下、攪拌後
、析出している目的化合物なf取し、アセトン−ジエチ
ルエーテル1:1で洗浄した。収量1.7g。
参考例16゜
チェニル)ベルヒドロ−1,4−fアゼピンS−〔2−
アミノ−1−(2−チェニル)エチル]−N−フタリル
システィン1.7fI のジメチルホルムアミド29m
1溶液に、ジフェニルホスホリルアジド1.75f、N
−メチルモルホリン1.0 mlを加え、室温で15時
間攪拌した。 反応液に本釣50m1と酢酸エチル約1
00m1を加え攪拌すると、目的化合物が結晶として析
出してきた。これをr取し乾燥した。収量0.810さ
らにF液中の酢酸エチル層を分離し、濃縮すると、目的
化合物が析出してくるので、少量の酢酸エチルとジエチ
ルエーテルを用いてr取した。収量0.35g。全収量
は1.15g。
アミノ−1−(2−チェニル)エチル]−N−フタリル
システィン1.7fI のジメチルホルムアミド29m
1溶液に、ジフェニルホスホリルアジド1.75f、N
−メチルモルホリン1.0 mlを加え、室温で15時
間攪拌した。 反応液に本釣50m1と酢酸エチル約1
00m1を加え攪拌すると、目的化合物が結晶として析
出してきた。これをr取し乾燥した。収量0.810さ
らにF液中の酢酸エチル層を分離し、濃縮すると、目的
化合物が析出してくるので、少量の酢酸エチルとジエチ
ルエーテルを用いてr取した。収量0.35g。全収量
は1.15g。
融点183.−184℃。
NM几(DMSO−d6) δ(ppm) :2.9
5−3.95(4)(、m、 C,$−3,N−05−
C)。
5−3.95(4)(、m、 C,$−3,N−05−
C)。
4.46(IH,d、d、 J=4. 8H2,S−0
H−チx 二A/ ) 。
H−チx 二A/ ) 。
5.33(IH,d、d、 J=5.8Hz、 N−δ
H−00)。
H−00)。
6.9−7.5 (3H,m、チオフェン環プロトン)
。
。
7.87(4H,s、フタリルプロトン)。
8.12(IH,brt、 J=7)iz、 N1()
。
。
参考例17゜
5−オキソ−6−フタルイミド−2−(2−チェニル)
ベルヒドロ−1,4−チアゼピン0.50fのメタノー
ル4 rglとジクロルメタン8 mlのけん濁液にN
−メチルヒドラジン0.351/を加え、室温で2日間
攪拌した。得られた均一溶液なメタノール−ジクロルメ
タン1:9を展開溶媒とするシリカゲル・カラムクロマ
トに付して、結晶性の目的化合物0.309を得た。融
点155−158℃。〔α発30°(C1、DMF)
t−示し、参考例13で製造される化合物のラセミ体
であることを示した。薄層クロマト(n−ブタノール−
酢酸−水 4:1:1)のEtf値およびNMRスペク
トルは参考例13で製造される化合物と一致し友。
ベルヒドロ−1,4−チアゼピン0.50fのメタノー
ル4 rglとジクロルメタン8 mlのけん濁液にN
−メチルヒドラジン0.351/を加え、室温で2日間
攪拌した。得られた均一溶液なメタノール−ジクロルメ
タン1:9を展開溶媒とするシリカゲル・カラムクロマ
トに付して、結晶性の目的化合物0.309を得た。融
点155−158℃。〔α発30°(C1、DMF)
t−示し、参考例13で製造される化合物のラセミ体
であることを示した。薄層クロマト(n−ブタノール−
酢酸−水 4:1:1)のEtf値およびNMRスペク
トルは参考例13で製造される化合物と一致し友。
参考例18゜
−N −tert−j )キシカルボニル−L−システ
参考例10と同様の方法により、1−二)ロー2−(2
−チェニル)エチレンの代りに1−二トロー2−(3−
チェニル)エチレンヲ用いて、シロップ状の目的化合物
き得文。
参考例10と同様の方法により、1−二)ロー2−(2
−チェニル)エチレンの代りに1−二トロー2−(3−
チェニル)エチレンヲ用いて、シロップ状の目的化合物
き得文。
NMEt (CDC23)δ(ppm) :1.47(
9H,s、tert−Bu)、2.7−3.4 (2H
2m 、C−CH2−8)、4、1−5.7 (5H、
m 、 NH−岨−Co 、 5−CIQ−CH,−N
o□入7.0−7.45(3H,m、チオフェン環プロ
トン)、参考列19゜ 参考例11と同様の方法により、S−〔2−ニトロ−1
−(3−チェニル)エチル)−N−tert−ブトキシ
カルダニルーム−システィン全還元して、粉末状の目的
化合物を得tO NME (D 20+N aOD )δ(ppm) :
1.90 (9H、s 、 tert−Bu)、3、2
5−3.6 (4H、m 、c−c且2−s 、C!!
、2−NH2)、4.45−4.7 (2H、m 、
Nu−an−co 、 5−6H−チェニル)、 7.6−7.95(3H,m、チオフェン環プロトン〕
。
9H,s、tert−Bu)、2.7−3.4 (2H
2m 、C−CH2−8)、4、1−5.7 (5H、
m 、 NH−岨−Co 、 5−CIQ−CH,−N
o□入7.0−7.45(3H,m、チオフェン環プロ
トン)、参考列19゜ 参考例11と同様の方法により、S−〔2−ニトロ−1
−(3−チェニル)エチル)−N−tert−ブトキシ
カルダニルーム−システィン全還元して、粉末状の目的
化合物を得tO NME (D 20+N aOD )δ(ppm) :
1.90 (9H、s 、 tert−Bu)、3、2
5−3.6 (4H、m 、c−c且2−s 、C!!
、2−NH2)、4.45−4.7 (2H、m 、
Nu−an−co 、 5−6H−チェニル)、 7.6−7.95(3H,m、チオフェン環プロトン〕
。
参考例20゜
6(Ftl−tert−ブトキシカルダニルアミノ−5
−オキンー2−(3−チェニル)ベルヒドロ−1,4−
チアゼピン 参考例12と同様の方法により、5−(2−アミノ−1
−(3−チェニル)エチル) −p3−tert−ブト
キシ力ルゼニルーL−システィンを縮合環比させて、粉
末状の目的[ヒ合物を得禽。
−オキンー2−(3−チェニル)ベルヒドロ−1,4−
チアゼピン 参考例12と同様の方法により、5−(2−アミノ−1
−(3−チェニル)エチル) −p3−tert−ブト
キシ力ルゼニルーL−システィンを縮合環比させて、粉
末状の目的[ヒ合物を得禽。
NMR(DMSO−d6)δ(ppm) :1.40
(9H、s 、 tart−Bu)2.6−2.85(
2日、 m 、 C−CH2−8)、3.7−4.3
C3H、m 、 5−6H−C5−Nq )、4、60
(I H1m r N−CH−C0)、6.59 (
LH、br d 、 J=6.5Hz 、 BOcNH
)、7.14(IH,m、チオフェン環4位プロトン)
、7.4−7.6(2H,m、チオフェン環2,5位プ
ロトン)、7.89 (LH、br t 、 J==6
.5!(z 、 C0IJH)。
(9H、s 、 tart−Bu)2.6−2.85(
2日、 m 、 C−CH2−8)、3.7−4.3
C3H、m 、 5−6H−C5−Nq )、4、60
(I H1m r N−CH−C0)、6.59 (
LH、br d 、 J=6.5Hz 、 BOcNH
)、7.14(IH,m、チオフェン環4位プロトン)
、7.4−7.6(2H,m、チオフェン環2,5位プ
ロトン)、7.89 (LH、br t 、 J==6
.5!(z 、 C0IJH)。
参考列21゜
6(B)−アミノ−5−オキンー2(Ftl−(3−チ
ェニル)イルヒドロー1.4−チアゼピン 参考例13と同様の方法により、611− tert
−ブトキシ力ルゲニルアミノー5−オキソ−2−(3−
チェニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼピンを脱保護し
、さらに分別結晶化させて、結晶性の目的化合物七得几
。
ェニル)イルヒドロー1.4−チアゼピン 参考例13と同様の方法により、611− tert
−ブトキシ力ルゲニルアミノー5−オキソ−2−(3−
チェニル)ベルヒドロ−1,4−チアゼピンを脱保護し
、さらに分別結晶化させて、結晶性の目的化合物七得几
。
融点:173℃から徐々に分屏し、191.5〜197
℃で溶融。
℃で溶融。
〔α几5+57.2°(C1,ジメチルホルムアミド〕
。
。
NMR(DMSO−d 6) δ (ppm) :
2.55−30(2H,m、C−CジーS)、3.35
−4.2 (4H、m 、 H2N−Cf1−Co 、
5−CH−CH2−N )、7.13(IH,m、チ
オ7 Z :/ 環4位プロトン)、7.4−7.6(
2H,m、チオフェン環2,5立プロトン)−7,83
(LH、m 、 C0NH)。
2.55−30(2H,m、C−CジーS)、3.35
−4.2 (4H、m 、 H2N−Cf1−Co 、
5−CH−CH2−N )、7.13(IH,m、チ
オ7 Z :/ 環4位プロトン)、7.4−7.6(
2H,m、チオフェン環2,5立プロトン)−7,83
(LH、m 、 C0NH)。
参考例22゜
参考例10と同様の方法により、1−ニトロ−2−(2
−チェニル)エチレンの代りにβ−二トロスチレンを用
いて、シロップ状の8的fこ合物を得fC,。
−チェニル)エチレンの代りにβ−二トロスチレンを用
いて、シロップ状の8的fこ合物を得fC,。
N!、4R(CDCl2)δ(ppm) :1.46(
9H,s、tert−Bu)、2.8−3.0 (2H
2m 、C−CH2−3)、4.3−4.8 (4H、
m 、 NH−CH−Co 、 S−CH−CH,−N
o2)、5.32(IH,m、Boc1%)、 7.35(5H+s+フエニル基プロトン〕、9.43
(LH,s、Co視)。
9H,s、tert−Bu)、2.8−3.0 (2H
2m 、C−CH2−3)、4.3−4.8 (4H、
m 、 NH−CH−Co 、 S−CH−CH,−N
o2)、5.32(IH,m、Boc1%)、 7.35(5H+s+フエニル基プロトン〕、9.43
(LH,s、Co視)。
参考例23゜
−tsrt −7’ トキシカルゴニルーL−システィ
ン参考fA11と同様の方法により、3−(2−二トロ
ー1−フェニルエチル) −N −tert−ブトキシ
カルボニル−L−システィン全還元して、粉末状の目的
化合物そ得几。
ン参考fA11と同様の方法により、3−(2−二トロ
ー1−フェニルエチル) −N −tert−ブトキシ
カルボニル−L−システィン全還元して、粉末状の目的
化合物そ得几。
NMB (D20+Na0D)δ(ppm) :1.8
9と1.93(9H,いずれもS r tsr t −
Bu )、3、2−3.6 (4H、m 、 C−CH
2−8、C−CH2−NH2)、4.3−4.6 s
(2H、m 、 N−6a−co 、 5−6H−チェ
ニル)、7.94(5H,s、フェニル基プロトン)。
9と1.93(9H,いずれもS r tsr t −
Bu )、3、2−3.6 (4H、m 、 C−CH
2−8、C−CH2−NH2)、4.3−4.6 s
(2H、m 、 N−6a−co 、 5−6H−チェ
ニル)、7.94(5H,s、フェニル基プロトン)。
参考例24、
オキソ−2−フェニルペルヒドロ−1,4−チアゼピン
参考例12と間際の方法により、3−(2−アミノ−1
−フェニルエチル) −N ’−tart−ブトキシカ
ルコニル−L−システ・1ンk 縮合i 比すせて、粉
末状の目的化合物を得几。
−フェニルエチル) −N ’−tart−ブトキシカ
ルコニル−L−システ・1ンk 縮合i 比すせて、粉
末状の目的化合物を得几。
N>ip (DMso−d6) δ(ppm) :1
.41 (9H、s 、 tert−Bu)、2.6−
4.3 (5H、m 、チアゼピ7@21317位プロ
トン)、 4.5−4.85(LH,m、N−とH−Co )、6
.4−6.8(LH,田、 BOcNH,)、7.37
(5!(、s、フェニル基プロトン〕、7.75−8.
15(IH,m、cONH)。
.41 (9H、s 、 tert−Bu)、2.6−
4.3 (5H、m 、チアゼピ7@21317位プロ
トン)、 4.5−4.85(LH,m、N−とH−Co )、6
.4−6.8(LH,田、 BOcNH,)、7.37
(5!(、s、フェニル基プロトン〕、7.75−8.
15(IH,m、cONH)。
参考例25゜
参考例13と同様の方法により、6jR1−tart
−ブトキシカルボニルアミノ−5−オキソ−2−フェニ
ルペルヒドロ−1,4−チアゼピ7金脱保護し、さらに
分別結晶化させて、結晶性の目的化合物?得た。
−ブトキシカルボニルアミノ−5−オキソ−2−フェニ
ルペルヒドロ−1,4−チアゼピ7金脱保護し、さらに
分別結晶化させて、結晶性の目的化合物?得た。
融点:205℃から分解し、222−229℃で完全に
分解。
分解。
〔α)D + 19.0°(cl、ツメチルホルムア
ミド)。
ミド)。
hl上、4Ft CDMSO−d6)δ(ppm) :
2.58 (LH、d、d 、 J、=3 、14Hz
、 C−CFI、H−8)、2.88 (IH,d、
d、J=9.14Hz、C−CH,H−8)、3、2−
4.0 (3H、m 、S −cH−CH2−N )、
4.11 (I H、d、d 、 J = 3.9 H
z 、 N−CH−Co )、7.39(5H,s、フ
ェニル基プロトン)。
2.58 (LH、d、d 、 J、=3 、14Hz
、 C−CFI、H−8)、2.88 (IH,d、
d、J=9.14Hz、C−CH,H−8)、3、2−
4.0 (3H、m 、S −cH−CH2−N )、
4.11 (I H、d、d 、 J = 3.9 H
z 、 N−CH−Co )、7.39(5H,s、フ
ェニル基プロトン)。
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はアルキル基、シクロアルキルアルキル
基またはアラルキル基を示し、R^2はカルボキシ基の
保護基を示し、R^4およびR^5は同一または異なつ
て水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール
基または複素環基を示す。) を有する化合物を 一般式 XCH_2CO_2R^6 (式中、Xはハロゲン原子を示し、R^6はカルボキシ
基の保護基を示す。) を有する化合物と塩基の存在下で縮合させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^4、R^5およびR^6
は前述したものと同意義を示す。) を有する化合物とし、さらにこの化合物のカルボキシ基
の保護基R^6を除去することを特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^4およびR^5は前述し
たものと同意義を示す。) を有するペルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の製造
法。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はアルキル基、シクロアルキルアルキル
基またはアラルキル基を示し、R^2はカルボキシ基の
保護基を示し、R^3はアリール基またはハロゲン原子
で置換されたアルキル基を示す。) を有する化合物を 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^4およびR^5は同一または異なつて水素
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基また
は複素環基を示す。) を有する化合物と脱スルホン酸剤の存在下で縮合させて 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^4およびR^5は前述し
たものと同意義を示す。) を有する化合物とし、この化合物を 一般式 XCH_2CO_2R^6 (式中、Xはハロゲン原子を示し、R^6はカルボキシ
基の保護基を示す。) を有する化合物と塩基の存在下で縮合させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^4、R^5およびR^6
は前述したものと同意義を示す。) を有する化合物とし、さらにこの化合物のカルボキシ基
の保護基R^6を除去することを特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^4およびR^5は前述し
たものと同意義を示す。) を有するペルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の製造
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60-202164 | 1985-09-12 | ||
JP20216485 | 1985-09-12 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6002007A Division JP2664865B2 (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | ペルヒドロ−1,4−チアゼピン誘導体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62161775A true JPS62161775A (ja) | 1987-07-17 |
JPH07113020B2 JPH07113020B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=16453016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61213571A Expired - Lifetime JPH07113020B2 (ja) | 1985-09-12 | 1986-09-10 | ペルヒドロ―1,4―チアゼピン誘導体の製造法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07113020B2 (ja) |
KR (1) | KR910005688B1 (ja) |
CA (1) | CA1332943C (ja) |
ES (1) | ES2001682A6 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530069A (ja) * | 2005-02-11 | 2008-08-07 | ケンブリッジ エンタープライズ リミティド | Gタンパク質共役受容体のリガンド |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1585744A (zh) * | 2001-03-27 | 2005-02-23 | 兰贝克赛实验室有限公司 | 贝那普利的制备方法 |
JP5450927B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2014-03-26 | ダイト株式会社 | 塩酸テモカプリルのi型結晶の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167577A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-21 | イ−・ア−ル・スクイブ・アンド・サンズ・インコ−ポレイテツド | チアジンおよびチアゼピン環含有化合物 |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP61213571A patent/JPH07113020B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-12 ES ES8601893A patent/ES2001682A6/es not_active Expired
- 1986-09-12 KR KR1019860007697A patent/KR910005688B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-09-12 CA CA000518106A patent/CA1332943C/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167577A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-21 | イ−・ア−ル・スクイブ・アンド・サンズ・インコ−ポレイテツド | チアジンおよびチアゼピン環含有化合物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530069A (ja) * | 2005-02-11 | 2008-08-07 | ケンブリッジ エンタープライズ リミティド | Gタンパク質共役受容体のリガンド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1332943C (en) | 1994-11-08 |
KR910005688B1 (ko) | 1991-08-02 |
KR870003079A (ko) | 1987-04-15 |
JPH07113020B2 (ja) | 1995-12-06 |
ES2001682A6 (es) | 1988-06-01 |
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |