JPS62159473A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62159473A JPS62159473A JP78386A JP78386A JPS62159473A JP S62159473 A JPS62159473 A JP S62159473A JP 78386 A JP78386 A JP 78386A JP 78386 A JP78386 A JP 78386A JP S62159473 A JPS62159473 A JP S62159473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- forming
- insulating film
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP78386A JPS62159473A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP78386A JPS62159473A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62159473A true JPS62159473A (ja) | 1987-07-15 |
JPH0260213B2 JPH0260213B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-12-14 |
Family
ID=11483294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP78386A Granted JPS62159473A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62159473A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113421950A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-21 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 太阳能电池片的制造方法 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP78386A patent/JPS62159473A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113421950A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-21 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 太阳能电池片的制造方法 |
CN113421950B (zh) * | 2021-06-21 | 2023-04-28 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 太阳能电池片的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0260213B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2778600B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2528074B2 (ja) | Mosトランジスタの製造方法 | |
JP2553699B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62159473A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6252950B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPH06326091A (ja) | 半導体素子のフィールド酸化膜の形成方法 | |
JPH0228255B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS5935479A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0313745B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP3597458B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01251669A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH0620080B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPS63129664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63291476A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60245250A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100338095B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
JPH03268332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH079913B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS62243372A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62126631A (ja) | コンタクト電極の形成方法 | |
JPH05335409A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61280673A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JPS6246527A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6190466A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6138854B2 (enrdf_load_stackoverflow) |