JPS62153179A - 感熱ヘツド用グレ−ズドセラミツク基板の製造法 - Google Patents

感熱ヘツド用グレ−ズドセラミツク基板の製造法

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JPS62153179A
JPS62153179A JP29563985A JP29563985A JPS62153179A JP S62153179 A JPS62153179 A JP S62153179A JP 29563985 A JP29563985 A JP 29563985A JP 29563985 A JP29563985 A JP 29563985A JP S62153179 A JPS62153179 A JP S62153179A
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JP
Japan
Prior art keywords
glazed
ceramic substrate
glaze layer
substrate
manufacture
Prior art date
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Pending
Application number
JP29563985A
Other languages
English (en)
Inventor
秀秋 上原
堀部 芳幸
上山 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62153179A publication Critical patent/JPS62153179A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は超微細配線が可能な感熱ヘッド用グレーズドセ
ラミック基板(以下グレーズド基板とする)の製造法に
関する。
(従来の技術とその問題点) 従来、グレーズド基板には全面グレーズド基板及び部分
グレーズド基板があり、それぞれ一長一短があった。全
面グレーズド基板は表面平滑性が良く、全面に超微細配
線が容易であるという利点はあるが感熱ヘッドとして用
いる際、基板に少しでも反りがあると紙とのあたりが悪
くなり、印字性が落ちるという欠点がある。このことは
エレクトロニク・セラミツ219フ9年夏号の第57頁
〜第63頁に示される。
そこで上記の欠点を解消するため特開昭59−1569
79号公報に示されるように印字が必要な部分だ・けに
グレーズ層を形成し1紙との接触性を改善した部分グレ
ーズド基板が用いられるようKなった。しかしながら部
分グレーズド基板は。
グレーズ層を形成した部分以外はセラミックの研磨面が
むき出しのため1表面平滑性が悪く、かつ空隙であった
部分が多く露出するため微細な配線の形成が困難である
という欠点がある。
本発明はこのような欠点を解消し、印字性能が良く、超
微細配線が可能なグレーズド基板の製造法を提供するこ
とを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、ベ
ース基板である絶縁性セラミック基板上に5μm以上の
厚さにグレーズ層を形成し、さらにグレーズ層の表面の
一部にレジスト膜を形成し。
ついでレジスト膜を形成した以外のグレーズ層の部分を
エツチングにより5〜300μmの深さに取り除いて突
起部分を形成し、しかる後加熱処理したところ上記の欠
点のないグレーズド基板が得られることを見い出した。
本発明は絶縁性セラミック基板上に5μm以上の厚さに
グレーズ層を形成し、さらにグレーズ層の表面の一部に
レジスト膜を形成し、ついでレジスト膜を形成した以外
のグレーズ層の部分をエツチングにより5〜300μm
の深さまで取り除いて突起部分を形成し、しかる後加熱
処理する突起を有するグレーズド基板の製造法に関する
なお本発明において、レジスト膜を形成した以外のグレ
ーズ層の部分を取り除いて形成する突起の高さくエツチ
ング深さ)は5〜300μmの範囲とされ、好ましくは
20〜150μmの範囲であり、5μm未満であると感
熱ヘッドとして用いる際、基板に反ゆがあると紙とのあ
たりが悪くなり、印字性が落ちるという欠点が生じ、ま
た300μmを越えると突起部分の段差の部分で配線が
ショートしたり、断線するなどの欠点が生じる。グv−
、+’ノ材質トシテIr’l pbo、 8 ich、
 Arz03−B aOe Ca Oe Btus −
B r 203 e Mg Os Zn O等の混合物
が用いられる。
グレーズ層は、スクリーン印刷法、沈降法等の方法で形
成され、その厚さは5μm以上とされ。
厚さが5μm未満であると、エツチング深さく5〜30
0μm)との関係でグレーズ層以外の部分までエツチン
グされセラミックの研磨面がむき出しの状態となり0表
面平滑性が悪く、かつ空隙であった部分が多く露出する
ため微細な配線の形成が困難であるという欠点が生じる
レジスト膜の形成方法については特に制限はな   ゛
いが、スクリーン印刷法により形成することが好ましい
。レジストの材料としては、耐薬品性に優れた材料9例
えばポリイミド系、エポキシ系、タール系等のレジスト
を用いることが好ましい。
またグレーズ層をエツチングするための材料としてはグ
レーズの組成によ抄多少異なるが0例えばグレーズにS
 i Oxを多く含有する場合は、アルカリ性の材料1
例えばNaOH,KOH等が用いられ。
グレーズKPbO,ZnO等を多く含有する場合は。
酸性の材料1例えばHNOs 、 HF、 HCl等が
用いられる。
エツチング工程の後加熱処理するが、この加熱処理によ
りレジスト膜が除去される。
(実施例) 以下実施例により本発明を説明する。
実施例1 第1図の(a)に示すように寸法が40x220mmで
AJzOs 96重量%−5i023重量% 、 Mg
00.5重量%およびCa00.5重量%の組成からな
る焼結したセラミック基板1を3枚用い、それぞれのセ
ラミック基板1の片側の表面にPbOを50重量%含有
する硼珪酸鉛ガラス(軟化点590℃1日本電気硝子製
、商品名GA−1’)の層を形成した。
ついで大気中で850°Cの温度で1時間焼成して第1
図の(b)に示すような厚さがそれぞれ100μm、2
00μmおよび400μmのグレーズ層2を形成した。
次にグレーズ層2の一部にスクリーン印刷によりポリイ
ミド系レジスト(旭化学研究所製、商品名PIFL33
T)を帯状(幅5mm、長さ220 mm )に印刷し
て第1図の(C)に示すようなレジスト膜3を形成した
。この後HNO31対111HFIの割合の混酸にそれ
ぞれ3分、10分および20分浸漬してレジスト膜3を
形成した以外のグレーズ層2の表面をエツチング除去し
、第1図の(d)に示すような突起4を形成し、ついで
水洗してエツチング部分を洗浄した。このときのエツチ
ング深さ、すなわち突起4の高さはそれぞれ45μm、
110μmおよび350μm(比較例)であった。
しかる後大気中で850°Cの温度で20分間焼成して
第1図のtelに示すような形状の突起4′を有するグ
レーズド基板を得た。
この後DCスパッタ装置で各々のグレーズド基板ノグレ
ーズ層2および突起4′の表面に厚さ1μmのAu0層
を形成し、ついでフォトリソグラフィーにより不必要な
部分を除去して16本/ mmの配線を形成した。得ら
れた配線を観察したところ突起の高さが350μmのも
のは段差(突起の上端と下端との間)の部分で約95チ
がショートおよび断線していた。これに対し突起の高さ
が45μmおよび110μmのものはショート、断線な
どがごくわずか発生したが、これらは簡単に修正できる
程度のものであった。
比較例1 実施例1と同じセラミック基板の片側の表面の一部に実
施例1で用いた硼珪酸鉛ガラスペーストを、焼結後の高
さが50μm、120μmおよび350μmになるよう
な厚さにスクリーン印刷により帯状(幅5mm、長さ2
20 IIIm )に印刷した。
ついで大気中で850℃の温度で1時間焼成して第2図
に示す突起5を有する部分グレーズド基板を得た。なお
第2図において1はセラミック基板である。
以下実施例1と同様の方法でグレーズ層の表面およびセ
ラミック基板の表面に厚さ1mmのAu。
層を形成し、ついでフォトリソグラフィーにより不必要
な部分を除去して16本/−の配線を形成した。得られ
た配線を観察したところ、いずれの部分グレーズド基板
もセラミック表面で1%以上がショートおよび断線して
いた。またグレーズ層(突起)の高さが350μmのも
のは段差の部分で約95チシヨートおよび断線していた
(発明の効果) 本発明の製造法によって得られるグレーズド基板は1部
分グレーズド基板の利点と全面グレーズド基板の利点を
いずれも保持したグレーズド基板。
即ち従来の全面グレーズド基板の欠点であるわずかな基
板の反りが印字性の悪さにつながる点また。
部分グレーズド基板の欠点である微細配線形成時にショ
ート、断線し易いという問題などを解消し工業的に極め
て好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図o(a)、 (b)、 (cl、 (d)オよび
(e)は本発明ノ実施例になるグレーズド1板の製造工
程を示す斜視図、第2図は従来の部分グレーズド基板の
斜視図である。 符号の説明 1・・・セラミック基板   2・・・グレーズ層3・
・・レジスト膜     4.4′・・・突起5・・・
突起 代理人 弁理士 若 林 邦 彦 ◇ 凸 茅1 図 第2 m 手続補正書(自発) 昭和61年2 月258 1、事件の表示 昭和60年持許願第295639号 2、発明の名称 感熱ヘッド用グレーズドセラミック基板の製造法3、補
正をする者 参イ↑との関係      特許出願人名 称 +44
51日立化成工業株式会社4、代 理 人 (2)同第8頁第9行K「約95%7ヨート」とあるの
を「約95%がショート」と訂正します。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、絶縁性セラミック基板上に5μm以上の厚さにグレ
    ーズ層を形成し、さらにグレーズ層の表面の一部にレジ
    スト膜を形成し、ついでレジスト膜を形成した以外のグ
    レーズ層の部分をエッチングにより5〜300μmの深
    さに取り除いて突起部分を形成し、しかる後加熱処理す
    ることを特徴とする突起を有する感熱ヘッド用グレーズ
    ドセラミック基板の製造法。
JP29563985A 1985-12-25 1985-12-25 感熱ヘツド用グレ−ズドセラミツク基板の製造法 Pending JPS62153179A (ja)

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JP29563985A JPS62153179A (ja) 1985-12-25 1985-12-25 感熱ヘツド用グレ−ズドセラミツク基板の製造法

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ID=17823255

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03251463A (ja) * 1989-12-22 1991-11-08 Mitsubishi Materials Corp 部分凸を有するグレーズの形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154189A (en) * 1979-05-18 1980-12-01 Mitsubishi Electric Corp Heat-sensitive head
JPS5745073A (en) * 1980-08-30 1982-03-13 Tdk Corp Heat-sensitive recording head
JPS6067173A (ja) * 1983-09-22 1985-04-17 Alps Electric Co Ltd サ−マルヘツド
JPS60257256A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Hitachi Ltd 熱記録ヘツド

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