JPS62150867A - 高密度セラミツクパツケ−ジ - Google Patents
高密度セラミツクパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS62150867A JPS62150867A JP29431985A JP29431985A JPS62150867A JP S62150867 A JPS62150867 A JP S62150867A JP 29431985 A JP29431985 A JP 29431985A JP 29431985 A JP29431985 A JP 29431985A JP S62150867 A JPS62150867 A JP S62150867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- high density
- ceramic package
- density ceramic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度セラミックパッケージ、特に、放熱の
だめのヒートシンクが取付けられた高密度セラミックパ
ッケージに関する。
だめのヒートシンクが取付けられた高密度セラミックパ
ッケージに関する。
従来の高密度セラミックパッケージは、セラミック基板
にメタライズを形成し、ヒートシンクを半田付けしたり
、接着剤により取付けていた０これらの従来技術の一例
としては、文献「ＮｅｗＩｎｔｅｒｎａｌ ａｎｄ
Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｅｎｈａｎｃｅ
−ｍｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｔｈｅ Ａｉｒ −Ｃｏｏｌ
ｅｄ ＩＢＭ ４３８１Ｍｏｄｕｌｅ Ｊ Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒ −ｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｆ Ｃｏｍｐ
ｕｔｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ。
にメタライズを形成し、ヒートシンクを半田付けしたり
、接着剤により取付けていた０これらの従来技術の一例
としては、文献「ＮｅｗＩｎｔｅｒｎａｌ ａｎｄ
Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｅｎｈａｎｃｅ
−ｍｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｔｈｅ Ａｉｒ −Ｃｏｏｌ
ｅｄ ＩＢＭ ４３８１Ｍｏｄｕｌｅ Ｊ Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒ −ｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｆ Ｃｏｍｐ
ｕｔｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ。
Ｏｃｔ、３ｌ−Ｎｏｖ、３．’１９８３の中で説明され
ているモジュールなどがある。
ているモジュールなどがある。
しかしながら、このような上述した従来の高密度セラミ
ックパッケージは、セラミック基板にヒートシンクが半
田付けされたり、接着されたりしているので、もし、搭
載された電子部品に不良が存在し、交換修理を必要とす
る場合などには、ヒートシンクを接着している半田を溶
融したり、接着剤を除去したりして取はずし、修理後再
び、半田付けしたり、接着したりしなければならない〇
一般に、半田付けは、加熱、冷却の熱ストレスがパッケ
ージに加わり、取付ける際は半田量や７ラツクス、加熱
冷却条件などを正確にコントロールしたり、フラックス
残渣の洗沖をしたりする必要があり、またメタライズ金
属が半田に浸蝕され半田が付かなくなったりすることが
ある。他方、接着剤で取付けたものは、特に広い面積で
接着した亀のは接着剤の除去が困難であり取はずしに長
時間を用したりする欠点がある。
ックパッケージは、セラミック基板にヒートシンクが半
田付けされたり、接着されたりしているので、もし、搭
載された電子部品に不良が存在し、交換修理を必要とす
る場合などには、ヒートシンクを接着している半田を溶
融したり、接着剤を除去したりして取はずし、修理後再
び、半田付けしたり、接着したりしなければならない〇
一般に、半田付けは、加熱、冷却の熱ストレスがパッケ
ージに加わり、取付ける際は半田量や７ラツクス、加熱
冷却条件などを正確にコントロールしたり、フラックス
残渣の洗沖をしたりする必要があり、またメタライズ金
属が半田に浸蝕され半田が付かなくなったりすることが
ある。他方、接着剤で取付けたものは、特に広い面積で
接着した亀のは接着剤の除去が困難であり取はずしに長
時間を用したりする欠点がある。
さらに、半田付けや接着するヒートシンクの材質は、セ
ラミックと熱膨張を合せて置かないと機械的ストレスが
加わるなどの不都合を生じる。
ラミックと熱膨張を合せて置かないと機械的ストレスが
加わるなどの不都合を生じる。
本発明の高密度セラミックパッケージは、母材となるセ
ラミック基板にネジまたはす、トを形成し、ヒートシン
クをそれらのネジまたは、ナツトを用いて締め付けたも
ので、ヒートシンクは、ナツトまたはネジによって取付
けられているために取付は取はすしが容易で、半田付け
の際のような熱ストレスや、メタライズのくわれが発生
しないように構成される。
ラミック基板にネジまたはす、トを形成し、ヒートシン
クをそれらのネジまたは、ナツトを用いて締め付けたも
ので、ヒートシンクは、ナツトまたはネジによって取付
けられているために取付は取はすしが容易で、半田付け
の際のような熱ストレスや、メタライズのくわれが発生
しないように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａｌ、 （ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれ本発明の
一実施例を示す平面図、側面図およびＡ−Ａ’断面詳細
図である。
一実施例を示す平面図、側面図およびＡ−Ａ’断面詳細
図である。
第１図ｔａ）、 ｆｂ）、 （Ｃ）に示す高密度セラミ
ックパッケージにおいて、セラミック基板１には、図示
していないが、信号配線や電源接続のための配線が、グ
リーンシート積層法などの周知の技術で形成され、搭載
された半導体集積回路５や入出力接続のためのコネクタ
７や、その他の電子部品の接続が取られている。セラミ
ック基板１の裏面には、鑞付は釦よって、螺合部材の１
つであるネジ２が形成され立っている。このネジ２の位
置に穴の明けられたヒートシンク４が、はめ込まれ被螺
合部材の１つであるナツト３によりて、ワッシャー８を
介して締め付けられている。ヒートシンク４とセラミッ
ク基板１の間には、ソリや凹凸を補正し、熱伝導を良く
するために、熱伝導性のクールシート６が挾み込まれて
いる。
ックパッケージにおいて、セラミック基板１には、図示
していないが、信号配線や電源接続のための配線が、グ
リーンシート積層法などの周知の技術で形成され、搭載
された半導体集積回路５や入出力接続のためのコネクタ
７や、その他の電子部品の接続が取られている。セラミ
ック基板１の裏面には、鑞付は釦よって、螺合部材の１
つであるネジ２が形成され立っている。このネジ２の位
置に穴の明けられたヒートシンク４が、はめ込まれ被螺
合部材の１つであるナツト３によりて、ワッシャー８を
介して締め付けられている。ヒートシンク４とセラミッ
ク基板１の間には、ソリや凹凸を補正し、熱伝導を良く
するために、熱伝導性のクールシート６が挾み込まれて
いる。
なお、上述の実施例では、ピンを鑞付けした場合を示し
たが、ピンの代わりに、ナツトを鑞付けしてもよく、ま
た、ネジ切りを鑞付は後〆なってもよい。
たが、ピンの代わりに、ナツトを鑞付けしてもよく、ま
た、ネジ切りを鑞付は後〆なってもよい。
また、上述の実施例では、螺合部材としてネジを被蝉合
部材としてナツトの場合を示したがこれは逆にしてもよ
い。
部材としてナツトの場合を示したがこれは逆にしてもよ
い。
本発明の高密度セラミックパッケージは、ネジまたはナ
ツトによって、ヒートシンクを取り付けることにより、
取付は取はすしが容易でしかも、半田付の場合のような
熱ストレスが加わらず、半田くわれの発生もなく、さら
にヒートシンクの材質の制約も少なくなり、アルミなど
の軽く、比較的安価で加工性の良い材料を選択できると
いう効果がある。
ツトによって、ヒートシンクを取り付けることにより、
取付は取はすしが容易でしかも、半田付の場合のような
熱ストレスが加わらず、半田くわれの発生もなく、さら
にヒートシンクの材質の制約も少なくなり、アルミなど
の軽く、比較的安価で加工性の良い材料を選択できると
いう効果がある。
第１図ｆａｌ、 ｆｂ）、 （ｃ）はそれぞれ本発明の
一実施例を示し平面図、側面図およびＡ−Ａ’断面詳細
図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・ネジ、
３・・・・・・ナツト、４・・・・・ヒートシンク、５
・・・・・半導体集積回路、６・・・・・・クールシー
ト、７・・・・・コネクタ、８・・・・・・ワッシャー
。
一実施例を示し平面図、側面図およびＡ−Ａ’断面詳細
図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・ネジ、
３・・・・・・ナツト、４・・・・・ヒートシンク、５
・・・・・半導体集積回路、６・・・・・・クールシー
ト、７・・・・・コネクタ、８・・・・・・ワッシャー
。
Claims (1)
- 多数個の半導体集積回路を含む電子部品を高密度実装
したセラミック基板と、前記セラミック基板に形成され
た螺合部材と、前記電子部品で発生した熱を効率よく放
散するために前記セラミック基板に前記螺合部材により
取付けられたヒートシンクとを含むことを特徴とする高
密度セラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29431985A JPS62150867A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 高密度セラミツクパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29431985A JPS62150867A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 高密度セラミツクパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150867A true JPS62150867A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17806152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29431985A Pending JPS62150867A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 高密度セラミツクパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678917B1 (en) * | 1994-04-22 | 2003-06-25 | Nec Corporation | Supporting member for cooling means and electronic package using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149472A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Fujitsu Ltd | Mounting method of semiconductor device |
| JPS57118656A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Nec Corp | Mounting structure of large scale integrated circuit (lsi) |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29431985A patent/JPS62150867A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149472A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Fujitsu Ltd | Mounting method of semiconductor device |
| JPS57118656A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Nec Corp | Mounting structure of large scale integrated circuit (lsi) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678917B1 (en) * | 1994-04-22 | 2003-06-25 | Nec Corporation | Supporting member for cooling means and electronic package using the same |
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