JPS62139115A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62139115A JPS62139115A JP27976985A JP27976985A JPS62139115A JP S62139115 A JPS62139115 A JP S62139115A JP 27976985 A JP27976985 A JP 27976985A JP 27976985 A JP27976985 A JP 27976985A JP S62139115 A JPS62139115 A JP S62139115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- magnetic recording
- thickness
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録媒体、特にｃｏ − Ｃｒ系垂
直磁化膜による磁気記録媒体に関する。
直磁化膜による磁気記録媒体に関する。
本発明は、Ｃｒ薄膜と、Ｃｏ薄膜とを交互に繰返し積層
した垂直磁化膜構成とし、且つそのＣｏ薄膜の厚さの特
定と、全体としてのＣｒ添加量を特定とすることによっ
てすぐれた耐蝕性と、垂直磁化膜としての特性を有する
垂直磁気記録媒体を構成する。
した垂直磁化膜構成とし、且つそのＣｏ薄膜の厚さの特
定と、全体としてのＣｒ添加量を特定とすることによっ
てすぐれた耐蝕性と、垂直磁化膜としての特性を有する
垂直磁気記録媒体を構成する。
遷移金属のＧｏに、Ｃｒを添加したＣｏ − Ｃｒ系磁
性薄膜は耐蝕性にすぐれた磁性薄膜として知られている
ところである。この場合、耐蝕性に関しては、Ｃｏ対Ｃ
ｒの混合割合（原子比）は１：１が好ましいと嶌えられ
る。これは、Ｃｏ原子とＣｏ原子との結合ペアは酸に易
溶性を示すが、これにＣｒ原子が入り込みＣｏ原子とＣ
ｒ原子との結合ベアを形成するときは、酸に溶けにくく
なって化学的に安定化すると思われることに因る。しか
しながらこのようにＣｒの添加量を増加するときは、磁
気的特性、特に飽和磁束密度Ｍｓの低下を来す。
性薄膜は耐蝕性にすぐれた磁性薄膜として知られている
ところである。この場合、耐蝕性に関しては、Ｃｏ対Ｃ
ｒの混合割合（原子比）は１：１が好ましいと嶌えられ
る。これは、Ｃｏ原子とＣｏ原子との結合ペアは酸に易
溶性を示すが、これにＣｒ原子が入り込みＣｏ原子とＣ
ｒ原子との結合ベアを形成するときは、酸に溶けにくく
なって化学的に安定化すると思われることに因る。しか
しながらこのようにＣｒの添加量を増加するときは、磁
気的特性、特に飽和磁束密度Ｍｓの低下を来す。
本発明はＣｏ − Ｃｒ系磁性膜においてＣｒの添加量
を大として耐蝕性の向上をはかるにもかかわらず磁気的
特性、例えば飽和磁束密度の低下を回避し、しかも垂直
磁気記録媒体としての特性を有するようにする。
を大として耐蝕性の向上をはかるにもかかわらず磁気的
特性、例えば飽和磁束密度の低下を回避し、しかも垂直
磁気記録媒体としての特性を有するようにする。
本発明は、第１図に示すように、基体（１）Ｌに、Ｃｒ
薄膜（２）と、厚さが２０Å以下の遷移金属のＣｏ薄膜
（３）とを交ｈ゛に積層し７た垂直磁化膜（４）を形成
する。
薄膜（２）と、厚さが２０Å以下の遷移金属のＣｏ薄膜
（３）とを交ｈ゛に積層し７た垂直磁化膜（４）を形成
する。
そして、この垂直磁化膜（４）の全体に対するＣｒの割
合を１５〜３５原了％に選定４−る。
合を１５〜３５原了％に選定４−る。
そして、Ｃｒ薄膜（２）の厚さは、Ｃｏ薄膜（３）の相
互を磁気的に分能゛４′るｔ＝で １．３人口にとする
ことが好まし７い。
互を磁気的に分能゛４′るｔ＝で １．３人口にとする
ことが好まし７い。
−に連の本発明による垂直磁化膜（４）は、高い飽和磁
束密度Ｍｓを示す。
束密度Ｍｓを示す。
これは、夫々原子１−オーダーの厚さのＣｒ薄膜とＣｏ
薄膜との繰返えし積層構造によって、六方晶系のＣｏの
Ｃ軸が良く揃っ”ζ、磁気異方性が強まることに３１、
るものと考えられる。ずなわら、従来一般のｃｏ−Ｃｒ
系の串一層による磁性膜では、六方晶系のＣｏにＣｒが
ついたモデルとして嶌えられるに比し、本発明構成では
、膜面方向に（１１０）結晶面が優位に配向する体心立
方のＣｒが、六方晶系のＣＯに、その一部のＣｏとＣｒ
とが置換した状態で規則的に積重ねられたモデルとして
考えることができるものであり、これによっ°（Ｃｒ１
ｂを大にしてもＣＯの結晶の（・軸が揃った状態で垂直
磁化膜（４）を形成することができて、強い磁気界方性
を示すものと考えられる。
薄膜との繰返えし積層構造によって、六方晶系のＣｏの
Ｃ軸が良く揃っ”ζ、磁気異方性が強まることに３１、
るものと考えられる。ずなわら、従来一般のｃｏ−Ｃｒ
系の串一層による磁性膜では、六方晶系のＣｏにＣｒが
ついたモデルとして嶌えられるに比し、本発明構成では
、膜面方向に（１１０）結晶面が優位に配向する体心立
方のＣｒが、六方晶系のＣＯに、その一部のＣｏとＣｒ
とが置換した状態で規則的に積重ねられたモデルとして
考えることができるものであり、これによっ°（Ｃｒ１
ｂを大にしてもＣＯの結晶の（・軸が揃った状態で垂直
磁化膜（４）を形成することができて、強い磁気界方性
を示すものと考えられる。
しかしながらＣｏのｌ置屋が２０人を超える古、耳Ｇａ
磁化股としての特性が劣化し、また、Ｃｒが磁化膜（４
）の全体の組成に対して１５原了％未満の場合、飽和磁
束密度Ｍｓが大となり、磁気異方性としての特性が劣化
し、小さくなり同様に垂直磁化膜とならな（なり、逆に
Ｃｒが３！；Ｉｆｆ子％を超えると、Ｍｓが低くなり過
ぎることを確認した。
磁化股としての特性が劣化し、また、Ｃｒが磁化膜（４
）の全体の組成に対して１５原了％未満の場合、飽和磁
束密度Ｍｓが大となり、磁気異方性としての特性が劣化
し、小さくなり同様に垂直磁化膜とならな（なり、逆に
Ｃｒが３！；Ｉｆｆ子％を超えると、Ｍｓが低くなり過
ぎることを確認した。
本発明による垂直磁気記録媒体の磁化膜は、スパックリ
ングによって形成することができる。
ングによって形成することができる。
このスパッタリング装置としては、マグネトロン型構成
をとり得る。この場合、ヘルジャ（図示セず）内に、軸
心０−０′を中心として回転する基台（６）を設け、こ
れの例えば下面に目的とする光磁気記録媒体を構成する
ガラス板、金属板、樹脂板等より成る基体０）が配置さ
れる。そして、この基体＋１１に対向して軸心０−０′
を中心に等角間隔、すなわち１８０°の角間隔を保持し
て２個のスパッタ源（７）及び（８）を配置する。これ
らスパッタ源（７）及び（８）と基台（６）、ずなわら
基体（１１との間には、スパッタ源（７）及び（８）よ
り夫々スパッタされる金属のスパッタ位置を規制するマ
スク（９）を配置する。スパッタ源（７）はＣｒの板状
体より成るターゲットＯｍを有し、スパッタ源（８）は
、Ｃｏ板状体より成るターゲラ）（ＩＩ）を有して成る
。（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示す。
をとり得る。この場合、ヘルジャ（図示セず）内に、軸
心０−０′を中心として回転する基台（６）を設け、こ
れの例えば下面に目的とする光磁気記録媒体を構成する
ガラス板、金属板、樹脂板等より成る基体０）が配置さ
れる。そして、この基体＋１１に対向して軸心０−０′
を中心に等角間隔、すなわち１８０°の角間隔を保持し
て２個のスパッタ源（７）及び（８）を配置する。これ
らスパッタ源（７）及び（８）と基台（６）、ずなわら
基体（１１との間には、スパッタ源（７）及び（８）よ
り夫々スパッタされる金属のスパッタ位置を規制するマ
スク（９）を配置する。スパッタ源（７）はＣｒの板状
体より成るターゲットＯｍを有し、スパッタ源（８）は
、Ｃｏ板状体より成るターゲラ）（ＩＩ）を有して成る
。（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示す。
マスク（９）は、例えば第３図に示すように、ターゲラ
）Ｏｌ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲット
ＯＩ及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に向っ
て広がるいちょう形の窓（１４）及び（１５）が穿設さ
れて成り、基台（６）が停止した状態では基体（１）の
例えは主として一半部に一方のターゲットＯＩからのＣ
ｏがスパッタリングされ、主として他半部に他方のター
ゲット（１１）からのＣＯがスバ・７タリングされるよ
うにする。
）Ｏｌ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲット
ＯＩ及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に向っ
て広がるいちょう形の窓（１４）及び（１５）が穿設さ
れて成り、基台（６）が停止した状態では基体（１）の
例えは主として一半部に一方のターゲットＯＩからのＣ
ｏがスパッタリングされ、主として他半部に他方のター
ゲット（１１）からのＣＯがスバ・７タリングされるよ
うにする。
そして基台（６）を回転させながらターゲットＯＩ及び
（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う。
（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う。
このようにして基台（６）を回転させながら全体として
２００〜５００００人の厚さ、例えば１０００人の厚
さの磁化膜（４）を形成する。
２００〜５００００人の厚さ、例えば１０００人の厚
さの磁化膜（４）を形成する。
実施例１
ガラス板より成る基体１１１上に、第２図及び第３図で
説明したスパッタリング装置において、各ターゲット０
０１及び（１１）を、Ｃｒ及びＣｏの各車体によるター
ゲットとし、Ｃｒのターゲット電流を０．８Ａ 。
説明したスパッタリング装置において、各ターゲット０
０１及び（１１）を、Ｃｒ及びＣｏの各車体によるター
ゲットとし、Ｃｒのターゲット電流を０．８Ａ 。
Ｃｏのターゲット電流を２．６Ａとして基体ｉｌｌにお
けるＣｒの成長速度を１．３人／秒、Ｃｏの成長速度を
２．６人／秒とする条件下で、基台（６）を３Ｏｒ、ｐ
、ｍ、をもって回転することによって、基体（１）上に
ＣｒとＣＯの各薄膜を交互に積層生成して磁性膜を作製
した。
けるＣｒの成長速度を１．３人／秒、Ｃｏの成長速度を
２．６人／秒とする条件下で、基台（６）を３Ｏｒ、ｐ
、ｍ、をもって回転することによって、基体（１）上に
ＣｒとＣＯの各薄膜を交互に積層生成して磁性膜を作製
した。
この磁性膜がＣｒ薄膜とＣｏ薄膜との繰返えし積層によ
る周期構造を有することは、小角Ｘ線回折によって確認
した。第４図はこの小角Ｘ線回折の膜面とのなす角をθ
としたときの角度２θに対する回折強度の測定曲線図の
一部を示すものである。この場合、Ｃｏ Ｋａ （
波長λ−１．７９人）のＸ線を用いた。第４図によれば
２θ−１３，６°のところで第１番目のピークを示して
いる。今Ｇｒ薄膜（２）とＣ０ｖＩ膜（３）との繰返え
し積層の周期ピンチ（肉薄膜（２）及び（３）の厚さの
和に相当する）をＰとすると２Ｐｓｉｎ（２θ／２）＝
ｎλで与えられるので、この場合、ピッチＰは７．６人
であることがわかり、Ｃｒ薄−（２）の厚さが２．６人
、Ｃｏ薄膜（３）の厚さが５．０人として繰返えし積層
されている。
る周期構造を有することは、小角Ｘ線回折によって確認
した。第４図はこの小角Ｘ線回折の膜面とのなす角をθ
としたときの角度２θに対する回折強度の測定曲線図の
一部を示すものである。この場合、Ｃｏ Ｋａ （
波長λ−１．７９人）のＸ線を用いた。第４図によれば
２θ−１３，６°のところで第１番目のピークを示して
いる。今Ｇｒ薄膜（２）とＣ０ｖＩ膜（３）との繰返え
し積層の周期ピンチ（肉薄膜（２）及び（３）の厚さの
和に相当する）をＰとすると２Ｐｓｉｎ（２θ／２）＝
ｎλで与えられるので、この場合、ピッチＰは７．６人
であることがわかり、Ｃｒ薄−（２）の厚さが２．６人
、Ｃｏ薄膜（３）の厚さが５．０人として繰返えし積層
されている。
また、第５図は実施例１による磁性膜の磁化曲線で実線
曲線は、膜に対し垂直方向に関する磁化曲線を示し、破
線曲線は膜面に沿う方向に関する磁化曲線を示す。これ
によれば、この実施例１による磁性膜は、垂直磁化膜と
しての特性を有することがわかり、垂直磁気記録媒体の
磁化膜として用い（ｑることかわかる。
曲線は、膜に対し垂直方向に関する磁化曲線を示し、破
線曲線は膜面に沿う方向に関する磁化曲線を示す。これ
によれば、この実施例１による磁性膜は、垂直磁化膜と
しての特性を有することがわかり、垂直磁気記録媒体の
磁化膜として用い（ｑることかわかる。
更に、第６図及び第７図は夫々実施例１によって得た磁
性膜を４００℃で５時間のアニール処理を行って後に、
測定した小角Ｘ線回折強度及び磁化曲線を示し、第７図
中実線曲線及び破線曲線は夫々膜面に垂直方向及び膜面
に沿う方向の各磁化曲線を示す。このようにアニール処
理を行って後も、Ｃｏ膜とＣｒ膜との繰返えし構造が保
持され、また垂直磁化膜を構成していることが確認され
た。
性膜を４００℃で５時間のアニール処理を行って後に、
測定した小角Ｘ線回折強度及び磁化曲線を示し、第７図
中実線曲線及び破線曲線は夫々膜面に垂直方向及び膜面
に沿う方向の各磁化曲線を示す。このようにアニール処
理を行って後も、Ｃｏ膜とＣｒ膜との繰返えし構造が保
持され、また垂直磁化膜を構成していることが確認され
た。
また実施例１において得た磁性膜について、耐蝕性を測
定したところ王水を１０倍希釈した水溶液に１０分間浸
漬して溶解する程度の優れた耐蝕性を示した。
定したところ王水を１０倍希釈した水溶液に１０分間浸
漬して溶解する程度の優れた耐蝕性を示した。
実施例２
実施例１と同様の方法によって基体（１）上にＣｒ薄膜
（２）とＣｏ膜膜（３）とを繰返えし積層して磁性膜を
作製したが、この場合、基台（６）の回転速度を変えて
、１５ｒ、ｐ、ｉ、、 ３０ｒ、ｐ、ｍ、、 ４５ｒ、
ｐ、ｍ、、 ６０ｒ、ｐ、ｍ、とじて磁性膜を作製した
。これら各磁性膜を試料Ｓ＋ｓ＋Ｓ ３０１ Ｓ ４６
１ Ｓ ６ｏとし、試料３１６についての前述したと同
様の小角Ｘ線回折強度及び磁化曲線は第８図及び第９図
に示し、試料Ｓ ３０ 、 Ｓ ４６ 、 Ｓ ｓｏ
の夫々の磁化曲線を第１０図〜第１２図に示す。第９図
〜第１２図において夫々実線曲線は、膜に対し垂直方向
に関する磁化曲線を示し、破線曲線は膜面に沿う方向に
関する磁化曲線を示す。これによれば、この実施例２に
よる各磁性膜も、垂直磁化膜としての特性を有すること
がわかり、垂直磁気記録媒体の磁化膜として用い得るこ
とがわかる。
（２）とＣｏ膜膜（３）とを繰返えし積層して磁性膜を
作製したが、この場合、基台（６）の回転速度を変えて
、１５ｒ、ｐ、ｉ、、 ３０ｒ、ｐ、ｍ、、 ４５ｒ、
ｐ、ｍ、、 ６０ｒ、ｐ、ｍ、とじて磁性膜を作製した
。これら各磁性膜を試料Ｓ＋ｓ＋Ｓ ３０１ Ｓ ４６
１ Ｓ ６ｏとし、試料３１６についての前述したと同
様の小角Ｘ線回折強度及び磁化曲線は第８図及び第９図
に示し、試料Ｓ ３０ 、 Ｓ ４６ 、 Ｓ ｓｏ
の夫々の磁化曲線を第１０図〜第１２図に示す。第９図
〜第１２図において夫々実線曲線は、膜に対し垂直方向
に関する磁化曲線を示し、破線曲線は膜面に沿う方向に
関する磁化曲線を示す。これによれば、この実施例２に
よる各磁性膜も、垂直磁化膜としての特性を有すること
がわかり、垂直磁気記録媒体の磁化膜として用い得るこ
とがわかる。
実施例３
実施例１及び２と同様にしてＣｒ薄膜（２）と、Ｃｏ薄
膜（３）との繰返えし積層によって磁性膜を作製するが
、各作製条件、具体的にはＣｒとＣｏのターゲット電流
を夫々変えることによって、ＣｒとＣｏの膜厚の比を変
えて、磁性膜全体としてのＣｒの量を異ならしめ、夫々
飽和磁束密度Ｍｓを測定した。その測定結果を第１３図
の表図に示す。この測定結果からもわかるようにＣｒの
添加量が大になるにつれ飽和磁束密度Ｍｓが低下してく
ることがわかるが、Ｃｒの添加量は３５原子％以下であ
れば、基台（６）の回転速度の選定によって所要のＭｓ
が得られることが確認された。このように本発明によれ
ば、Ｃ「添加量を３５原子％にまで増加させることがで
きるので耐蝕性にすぐれた垂直磁化膜が得られる。
膜（３）との繰返えし積層によって磁性膜を作製するが
、各作製条件、具体的にはＣｒとＣｏのターゲット電流
を夫々変えることによって、ＣｒとＣｏの膜厚の比を変
えて、磁性膜全体としてのＣｒの量を異ならしめ、夫々
飽和磁束密度Ｍｓを測定した。その測定結果を第１３図
の表図に示す。この測定結果からもわかるようにＣｒの
添加量が大になるにつれ飽和磁束密度Ｍｓが低下してく
ることがわかるが、Ｃｒの添加量は３５原子％以下であ
れば、基台（６）の回転速度の選定によって所要のＭｓ
が得られることが確認された。このように本発明によれ
ば、Ｃ「添加量を３５原子％にまで増加させることがで
きるので耐蝕性にすぐれた垂直磁化膜が得られる。
上述したように本発明によれば、高い飽和磁束密度を保
持して実質的にＣｒの組成比を高めることができるので
、耐蝕性にすぐれた磁性層を得ることができて垂直磁気
記録媒体として各種磁気記録媒体に通用して環境による
影響や経時変化の少い安定した媒体を構成でき、実用に
供してその利益は大である。
持して実質的にＣｒの組成比を高めることができるので
、耐蝕性にすぐれた磁性層を得ることができて垂直磁気
記録媒体として各種磁気記録媒体に通用して環境による
影響や経時変化の少い安定した媒体を構成でき、実用に
供してその利益は大である。
第１図は本発明による垂直磁気記録媒体の一例の路線的
拡大断面図、第２図はスパッタリング装置の一例の構成
図、第３図はそのマスクの平面図、第４図、第６図、第
８図は小角Ｘ線回折強度図、第５図、第７図、第９図〜
第１２図は夫々磁化曲線図、第１３図は飽和磁束密度の
測定結果を示す表図である。 ＋１１は基体、（２）はＣｒ薄膜、（３）はＣｏ薄膜、
（４）は磁性膜である。 本１９月によ″ｂ垂１ｉ磁気１ｄ令妹体が曙線が丹広舊
鉾面図第１図 第２図 讐区 酢鴨ぐつ 卒 ゛ト減 シ よ
拡大断面図、第２図はスパッタリング装置の一例の構成
図、第３図はそのマスクの平面図、第４図、第６図、第
８図は小角Ｘ線回折強度図、第５図、第７図、第９図〜
第１２図は夫々磁化曲線図、第１３図は飽和磁束密度の
測定結果を示す表図である。 ＋１１は基体、（２）はＣｒ薄膜、（３）はＣｏ薄膜、
（４）は磁性膜である。 本１９月によ″ｂ垂１ｉ磁気１ｄ令妹体が曙線が丹広舊
鉾面図第１図 第２図 讐区 酢鴨ぐつ 卒 ゛ト減 シ よ
Claims (1)
- 厚さが２０Å以下のＣｏ薄膜と、Ｃｒ薄膜とが交互に積
層され、これらの全体の組成に対しＣｒが１５〜３５原
子％に選定されたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27976985A JPS62139115A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27976985A JPS62139115A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139115A true JPS62139115A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17615653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27976985A Pending JPS62139115A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298519A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Nec Corp | 垂直磁気記録膜 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP27976985A patent/JPS62139115A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298519A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Nec Corp | 垂直磁気記録膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0773441A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2872229B2 (ja) | 垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法 | |
| JPS62139115A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS60239916A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH05315135A (ja) | Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 | |
| JPS62139116A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS6226659A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62130274A (ja) | 複合合金膜 | |
| JPS63293707A (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ磁性多層膜及び磁気ヘッド | |
| JPH0298850A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2643227B2 (ja) | 磁性薄膜 | |
| JPS62128041A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03265105A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JPS62134817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62117143A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2707560B2 (ja) | 人工格子光磁気記録媒体 | |
| JPS59217249A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2707561B2 (ja) | 人工格子光磁気記録媒体 | |
| JPH02152209A (ja) | 軟磁性膜 | |
| JPS63285744A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02236815A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH05182169A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JPS6398827A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH04359501A (ja) | 多層状強磁性体 | |
| JPS63124213A (ja) | 垂直磁気記録媒体 |