JPS62131408A - 電子材料セラミツクの製造法 - Google Patents
電子材料セラミツクの製造法Info
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- JPS62131408A JPS62131408A JP27066385A JP27066385A JPS62131408A JP S62131408 A JPS62131408 A JP S62131408A JP 27066385 A JP27066385 A JP 27066385A JP 27066385 A JP27066385 A JP 27066385A JP S62131408 A JPS62131408 A JP S62131408A
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- ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサー乃至はこの様なコンデンサー
を内蔵した磁器基板等として利用し得る１を子材料セラ
ミンクを製造する方法に関する。
を内蔵した磁器基板等として利用し得る１を子材料セラ
ミンクを製造する方法に関する。
従来、電子回路用基体は、導体回路のみ、導体回路と抵
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体にＪＡ看されていた。
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体にＪＡ看されていた。
即ち、例えば、従来の磁器基板においては、導体と抵抗
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第１０図にその１例を示
す。６１はｍ＄７．ｔｉ板、６２は導体回路、６３は抵
抗体、６４はチップコンデンサーである。
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第１０図にその１例を示
す。６１はｍ＄７．ｔｉ板、６２は導体回路、６３は抵
抗体、６４はチップコンデンサーである。
例えば、半導体磁器を：Ｊ５主体化して得られる誘電体
磁器について、近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化
させるπにより、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵
させようとする試みがなされている。つまり第１１図に
示すように、高誘電率ε１の部分７１．７３と低誘電率
ε２の部分７２を分離する・１９により同一基板りに複
数個のコンデンサーを形成させようとする試みである。
磁器について、近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化
させるπにより、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵
させようとする試みがなされている。つまり第１１図に
示すように、高誘電率ε１の部分７１．７３と低誘電率
ε２の部分７２を分離する・１９により同一基板りに複
数個のコンデンサーを形成させようとする試みである。
しかしながら、従来、同一基板内に異なった誘電体部分
を形成する方法が非常に難しく、例えば積層セラミンク
コンデンサーを作製する場合の煩雑さを考えれば自明で
ある様に、複数個のコンデンサーを内蔵する基板は、未
だ実現乃至実用化されていないのが現状である。また、
高誘電率の部分７１゜７３を限られた構造スペースの中
で動作ｈａいに影響を及ぼし合わない程度に素子機能部
分として部分に踏された状態にすることも、重要な技術
的課題となっていた。
を形成する方法が非常に難しく、例えば積層セラミンク
コンデンサーを作製する場合の煩雑さを考えれば自明で
ある様に、複数個のコンデンサーを内蔵する基板は、未
だ実現乃至実用化されていないのが現状である。また、
高誘電率の部分７１゜７３を限られた構造スペースの中
で動作ｈａいに影響を及ぼし合わない程度に素子機能部
分として部分に踏された状態にすることも、重要な技術
的課題となっていた。
本発明の目的は、従来の問題点を解決し、誘電体を機能
部分として十分に分離された状態で画成し得る電子材料
セラミックの製造法を提供することにある。
部分として十分に分離された状態で画成し得る電子材料
セラミックの製造法を提供することにある。
Ｌ足口的は、？Ａ誘電体至はその前駆体を含む成形体に
連通孔を穿ち、該連通孔内に前記成形体とは３誘電率の
毀なる物質を充填して誘電率の異なる部分を形成せしめ
ることを特徴とする本発明の電子材料セラミックの製造
法によって達成される。
連通孔を穿ち、該連通孔内に前記成形体とは３誘電率の
毀なる物質を充填して誘電率の異なる部分を形成せしめ
ることを特徴とする本発明の電子材料セラミックの製造
法によって達成される。
本発明において前記成形体とは、例えば圧粉体（原料と
なる例えば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は
焼結体（磁器類に′に？）などをｊい、本発明の電子材
料セラミ、りを構成する誘電体乃至は誘電体を形成する
ための前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、高誘電体
を合成するときに一次焼成により得られる半導体磁器や
半導体粒子群から成る固体等）を含むものを言う。
なる例えば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は
焼結体（磁器類に′に？）などをｊい、本発明の電子材
料セラミ、りを構成する誘電体乃至は誘電体を形成する
ための前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、高誘電体
を合成するときに一次焼成により得られる半導体磁器や
半導体粒子群から成る固体等）を含むものを言う。
本発明方法の特徴は、前記成形体に連通孔を穿ち、該連
通孔内に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応じて焼
成等の工程を経て誘電率の異なる部分を形成せしめるこ
とにある。従って、成形体に単一もしくは複数の連通孔
を設け、例えば低誘電率の物質を充填することにより、
空所の周囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上に分
離して、互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を画成
せしめることができる。
通孔内に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応じて焼
成等の工程を経て誘電率の異なる部分を形成せしめるこ
とにある。従って、成形体に単一もしくは複数の連通孔
を設け、例えば低誘電率の物質を充填することにより、
空所の周囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上に分
離して、互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を画成
せしめることができる。
前記連通孔とは、成形体の異なった表層部分に夫々開口
を有する連通孔を意味し、孔の形状は所望により適宜選
択される。例えば、板状成形体の雨上面に夫々開口を有
する柱状の孔等牽例示することができる。
を有する連通孔を意味し、孔の形状は所望により適宜選
択される。例えば、板状成形体の雨上面に夫々開口を有
する柱状の孔等牽例示することができる。
１つの例として、粒界絶縁型の高誘電体で構成される磁
器基板は、通常例えばＢａＴｉＯ３、Ｓ ｒＴ ｉ ０
３ 、ＭｇＴ ｉ０３、（Ｂａ、５ｒ）（Ｔｉ、５ｎ）
０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ｂａ 、Ｓ ｒ
）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ｍｇ、Ｓ
ｒ、Ｃａ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（
Ｓｒ、Ｐｂ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、
（ＳｒＣａ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、
Ｆ ｅ２０３．、Ｚ ｎＯなどの誘電体成分に、半導体
化に必要な成分としてＬａ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｙ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｅｒ、Ｇｄ、）（ｏ、Ｃｅ等の酸化物などを添加し
混合した後、圧粉状の成形体を得、−次焼成して′１′
：導体化し、次いで焼成体表面に金属又は金属酸化物（
例えばＣｕ、Ｃｕｂ。
器基板は、通常例えばＢａＴｉＯ３、Ｓ ｒＴ ｉ ０
３ 、ＭｇＴ ｉ０３、（Ｂａ、５ｒ）（Ｔｉ、５ｎ）
０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ｂａ 、Ｓ ｒ
）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ｍｇ、Ｓ
ｒ、Ｃａ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（
Ｓｒ、Ｐｂ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、
（ＳｒＣａ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含む）、
Ｆ ｅ２０３．、Ｚ ｎＯなどの誘電体成分に、半導体
化に必要な成分としてＬａ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｙ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｅｒ、Ｇｄ、）（ｏ、Ｃｅ等の酸化物などを添加し
混合した後、圧粉状の成形体を得、−次焼成して′１′
：導体化し、次いで焼成体表面に金属又は金属酸化物（
例えばＣｕ、Ｃｕｂ。
ＭｎＯ２、Ｔ １２０；４ 、ＰｂＯ、Ｐ２０．。
Ｂ ｉ、０３ 、Ｎｂ７０ 、ＺｎＯ等）を塗布し、
二次焼成して粒界絶縁層を形成せしめることにより得ら
れる。この例において本発明を実施する場合、まず、前
記圧粉状の成形体、−次焼成後の焼成体、金属又は金属
酸化物を表面に塗布した焼成体、又は二次焼成後の焼成
体の所望の部位に所望の形状の連通孔を設ける。ｉ！Ｉ
通孔の数は画成すべき誘電体の数によって適宜法められ
る。連通孔を設ける方法としては、次の様な方法が挙げ
られる。
二次焼成して粒界絶縁層を形成せしめることにより得ら
れる。この例において本発明を実施する場合、まず、前
記圧粉状の成形体、−次焼成後の焼成体、金属又は金属
酸化物を表面に塗布した焼成体、又は二次焼成後の焼成
体の所望の部位に所望の形状の連通孔を設ける。ｉ！Ｉ
通孔の数は画成すべき誘電体の数によって適宜法められ
る。連通孔を設ける方法としては、次の様な方法が挙げ
られる。
一次焼成前成形体
Ｏ中子を用いた成形、
Ｏ打ち抜き、
Ｏレーザー加Ｊニ、
Ｏサンドブラスト、
○ 超γＹ波加工、
Ｏ放電加Ｙ二、
Ｑ 研削加工（タイヤモントツール等）。
Ｏエンチング（鉛レジスト、）、酸処理）二次焼成後成
形体（誘電体磁器） Ｏサンドブラスト、 Ｏレーザー加工、 Ｏ超音波加工。
形体（誘電体磁器） Ｏサンドブラスト、 Ｏレーザー加工、 Ｏ超音波加工。
Ｏ研削加工、
Ｏエンチング
次いで、この様にして設けられる連通孔に１例えば低誘
電率の物質を充填し、その後の磁器基板を得るための工
程、あるいは必要に応じて行なわれる三次焼成を経て、
高誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画成され
る高誘電体部分の誘、を率は互いに同じであっても異な
っていてもよい。異ならせしむる方法としては、例えば
塗布添加剤の種類を変える方法等が挙げられる。なお、
この例の磁器基板を得るために用いられる前記低誘電率
物質としては、融点が磁器本体より低いものがなお更よ
く、例えばＰｂＳ ｉｏ３、ＢＳ ｉ０３ 、ＬｉＳ
ｉ０３ 、各種結晶化ガラス等が好適である。
電率の物質を充填し、その後の磁器基板を得るための工
程、あるいは必要に応じて行なわれる三次焼成を経て、
高誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画成され
る高誘電体部分の誘、を率は互いに同じであっても異な
っていてもよい。異ならせしむる方法としては、例えば
塗布添加剤の種類を変える方法等が挙げられる。なお、
この例の磁器基板を得るために用いられる前記低誘電率
物質としては、融点が磁器本体より低いものがなお更よ
く、例えばＰｂＳ ｉｏ３、ＢＳ ｉ０３ 、ＬｉＳ
ｉ０３ 、各種結晶化ガラス等が好適である。
あるいは、連通孔に充填する物質として、＋ｊｉ述した
誘′市体成分や半導体化に必要な成分の種類やｌｉ＋を
適宜変更した粉体を選択して誘゛屯率をＷならしめるこ
ともできる。
誘′市体成分や半導体化に必要な成分の種類やｌｉ＋を
適宜変更した粉体を選択して誘゛屯率をＷならしめるこ
ともできる。
かくして得られる磁器基板には、８ノ、−の高誘電体部
分の表面」−に導体部分（’ｉｌｔ極、引出し部等）を
設けることにより、複数個のコンデンサーを内蔵させる
ことができる。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に
、導体部分、抵抗体乃至は、絶縁体部分（例えば通常の
薄膜乃至は厚膜形成法により形成される）を形成して、
多くの機能部分を備えた基板とすることができる。
分の表面」−に導体部分（’ｉｌｔ極、引出し部等）を
設けることにより、複数個のコンデンサーを内蔵させる
ことができる。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に
、導体部分、抵抗体乃至は、絶縁体部分（例えば通常の
薄膜乃至は厚膜形成法により形成される）を形成して、
多くの機能部分を備えた基板とすることができる。
以下、具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。
実施例１
第１図に本発明の実施例である磁器基板の製造工程を示
す。未実施例においては、第２図（ａ）に示すようにプ
レス成形時に成形体１に連通孔２を形成した。次に通常
の磁器コンデンサーを作製するのと同様な工程テＢ ａ
Ｔ ｉ ０３−Ｄ ”／７０３− Ｓ ｉ Ｏ７系の誘
電体磁器を形成した。すなわち成形体を所定の雰囲気に
おいて一次焼成を行い、次にＣｕＯ等添加剤の塗布を行
ない、酸化雰囲気中において二次焼成を行い、誘電体磁
器基板を得る。１ｉｉｉ記誘電体磁器基板の連通孔に例
えばＰｂＳｉＯ３の粉末３を第２図（ｂ）に示す様に充
填した後、三次焼成（９００℃、６０分）を行った。更
に磁器基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体
部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られた。
す。未実施例においては、第２図（ａ）に示すようにプ
レス成形時に成形体１に連通孔２を形成した。次に通常
の磁器コンデンサーを作製するのと同様な工程テＢ ａ
Ｔ ｉ ０３−Ｄ ”／７０３− Ｓ ｉ Ｏ７系の誘
電体磁器を形成した。すなわち成形体を所定の雰囲気に
おいて一次焼成を行い、次にＣｕＯ等添加剤の塗布を行
ない、酸化雰囲気中において二次焼成を行い、誘電体磁
器基板を得る。１ｉｉｉ記誘電体磁器基板の連通孔に例
えばＰｂＳｉＯ３の粉末３を第２図（ｂ）に示す様に充
填した後、三次焼成（９００℃、６０分）を行った。更
に磁器基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体
部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られた。
実施例？
第３図に本発明の実施例である磁器基板の他の製造工程
を示す０本実施例においては、成形により所望形状の成
形体２１を得（第４図（ａ））。
を示す０本実施例においては、成形により所望形状の成
形体２１を得（第４図（ａ））。
−次焼成によって半導体化した磁器基板２２においてレ
ーザー照射により連通孔２３を形成した（第４図（ｂ）
）。次に添加剤の塗布を行い、二次焼成して誘電体磁器
基板を得た。前記磁器基板の連通孔に例えばＰｂＳｉＯ
３の粉末２４を第４図（Ｃ）に示す様に充填した０次に
三次焼成を行う、更に、この基板に所定の導体部分、抵
抗体部分、及び絶縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ
内蔵基板が得られた。
ーザー照射により連通孔２３を形成した（第４図（ｂ）
）。次に添加剤の塗布を行い、二次焼成して誘電体磁器
基板を得た。前記磁器基板の連通孔に例えばＰｂＳｉＯ
３の粉末２４を第４図（Ｃ）に示す様に充填した０次に
三次焼成を行う、更に、この基板に所定の導体部分、抵
抗体部分、及び絶縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ
内蔵基板が得られた。
実施例３
第５図に本発明の実施例である磁器基板の他の製造工程
を示す。未実施例においては、成形により所望形状の成
形体３１を得（第６図（ａ））。
を示す。未実施例においては、成形により所望形状の成
形体３１を得（第６図（ａ））。
−次焼成により寥導体化した磁器基板に添加剤を塗布後
、二次焼成を行い誘電体磁器裁板３２を得た。この磁器
基板にダイヤモント工具を使用した機械加工により連通
孔３３を形成しく第６図（ｂ））、その連通孔に例えば
ＰｂＳｉＯ３の粉末３４を第６図（ｃ）に示す様に充填
した。次に三次焼成を行った。前記基板に所定の導体部
分。
、二次焼成を行い誘電体磁器裁板３２を得た。この磁器
基板にダイヤモント工具を使用した機械加工により連通
孔３３を形成しく第６図（ｂ））、その連通孔に例えば
ＰｂＳｉＯ３の粉末３４を第６図（ｃ）に示す様に充填
した。次に三次焼成を行った。前記基板に所定の導体部
分。
抵抗体部分、及び絶縁体部分を形成する！１日こより、
Ｃ１Ｒ内蔵基板が得られる。
Ｃ１Ｒ内蔵基板が得られる。
実施例４
第７図に本発明の実施例である磁器ノ、（板の他の製造
工程を示す。本実施例においては、成形によりｉ１！ａ
孔４２．４２を有する成形体４１を得た（第８図（ａ）
）。連通孔４２．４２は１例えば金属製の中子を金型内
に配して原料を充填することにより形成される。成形体
の充填部には実施例１と同じ原料を充填し、前記連通孔
にはＢａＴｉ０．、−ＭｇＴ １ｏ３−Ｄｙ２０３−３
ｉｏ、、系（ＢａＴｉ０３とＭｇＴｉＯ３の組成比（
重量）を７０ ＋ ３０としたｍｇ）を充填した後、−
次焼成（１４’ＯＯ℃、４時間、Ｎ２：Ｈ２＝９５ ：
５のカス雰囲気中）により半導体化し添加剤（Ｍｎｏ
、 ２５０ｍｇ）’ｌｌ後後二次焼成１３００°Ｃ１
２時間）を行ない誘電体磁器基板（第８図（ｂ））を得
た。前記基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁
体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる
。
工程を示す。本実施例においては、成形によりｉ１！ａ
孔４２．４２を有する成形体４１を得た（第８図（ａ）
）。連通孔４２．４２は１例えば金属製の中子を金型内
に配して原料を充填することにより形成される。成形体
の充填部には実施例１と同じ原料を充填し、前記連通孔
にはＢａＴｉ０．、−ＭｇＴ １ｏ３−Ｄｙ２０３−３
ｉｏ、、系（ＢａＴｉ０３とＭｇＴｉＯ３の組成比（
重量）を７０ ＋ ３０としたｍｇ）を充填した後、−
次焼成（１４’ＯＯ℃、４時間、Ｎ２：Ｈ２＝９５ ：
５のカス雰囲気中）により半導体化し添加剤（Ｍｎｏ
、 ２５０ｍｇ）’ｌｌ後後二次焼成１３００°Ｃ１
２時間）を行ない誘電体磁器基板（第８図（ｂ））を得
た。前記基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁
体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる
。
第１表
なお、第９図に前記実施例に示した様な工程により得ら
れる本発明の磁器基板の例を示す、：５９図（ａ）及び
（ｂ）は、それぞれ磁器基板のモ面図及び断面図であり
、５１が高誘電体部分、５２が低誘電体部分である。ま
た第９図（Ｃ）は、更に導体部分５３、抵抗体部分５４
、及び絶縁体部分５５を形成した磁器基板を示している
。
れる本発明の磁器基板の例を示す、：５９図（ａ）及び
（ｂ）は、それぞれ磁器基板のモ面図及び断面図であり
、５１が高誘電体部分、５２が低誘電体部分である。ま
た第９図（Ｃ）は、更に導体部分５３、抵抗体部分５４
、及び絶縁体部分５５を形成した磁器基板を示している
。
本発明の電子材料セラミックの製造法は、各種誘電率の
異なる誘電体を複数画成し得る電子材料セラミックを製
造することができる。従って、この電子材料セラミック
を用いて構成される本発明の電子回路用基体は、各種容
量のコンデンサーを複数内蔵することができ、またこの
基板に導体、抵抗体、絶縁体等の各種機能部分を形成す
ることにより、多くの機能部分を備え、しかも小型化さ
れ安価な’ｉｆｆ Ｔ−回路用基体となる。また、この
様に基体内でのコンデンサー、抵抗等の設計の自由度を
大幅に向上させることができる。
異なる誘電体を複数画成し得る電子材料セラミックを製
造することができる。従って、この電子材料セラミック
を用いて構成される本発明の電子回路用基体は、各種容
量のコンデンサーを複数内蔵することができ、またこの
基板に導体、抵抗体、絶縁体等の各種機能部分を形成す
ることにより、多くの機能部分を備え、しかも小型化さ
れ安価な’ｉｆｆ Ｔ−回路用基体となる。また、この
様に基体内でのコンデンサー、抵抗等の設計の自由度を
大幅に向上させることができる。
第１図は、未発明の１実施例である磁器基板の製造−［
程を説明するためのＬ程説用図であり、第２図の（ａ）
はこのときの連通孔を形成したプレス成形体の断面図、
（ｂ）は連通孔に誘電率の異なる物質を充填した磁器基
板の断面図を示している。第３図は、本発明の１実施例
である磁器基板の他の製造り稈を説明するための工程説
明図であり、第４図の（ａ）はこのときの成形体、（ｂ
）は津Ａ５孔を形成した半・ｑ体磁′ｒＡ基板、（Ｃ）
は連通孔に、Ａ電・しの異なる物質を充填した磁器基板
のそれぞれの断面図を示している。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の更に他の
製造工程を説明するための工程説明図であり、第６図の
（ａ）はこのときの成形体、（ｂ）は連通孔を形成した
誘電体磁器基板、（ｃ）は連通孔に誘゛を率の異なる物
質を充填した誘電体磁器基板のそれぞれの断面図を示し
ている。 第７図は、本発明の１実施例である磁器基板の更にもう
１つの他の製造工程を説明するための工程説明図であり
、第８図の（ａ）はこのときの成形体、（ｂ）は誘電体
磁器のそれぞれの断面図を示している。 第９図の（ａ）は、本発明の１実施例である磁器基板の
平面図、（ｂ）は（ａ）中Ａ−Ａ断面図であり、（Ｃ）
は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機能部
分を形成したＲ、Ｃ内蔵の磁器基板の断面図である。 第１０図は、従来の磁器基板の断面図である。 第ｉｔ図は、従来試みられている方法による複数の高話
′市体部分を有する磁器基板の断面図である。 Ｌ 、２１．３１・・・成形体。 ２．２３，３２，４１・拳・誘電体磁器。 ３．２４．３３．４２・・・低誘）貌率物質。 ２２・・・半導体磁器。 ４３・・・導体。 ４４Φ・拳抵抗体。 ４５・・・絶縁体。 代理人 弁理士 山 下 穣 平第１図 ＠３図 第４図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第５図 第６図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第９図 （ｂ） （Ｃ）
程を説明するためのＬ程説用図であり、第２図の（ａ）
はこのときの連通孔を形成したプレス成形体の断面図、
（ｂ）は連通孔に誘電率の異なる物質を充填した磁器基
板の断面図を示している。第３図は、本発明の１実施例
である磁器基板の他の製造り稈を説明するための工程説
明図であり、第４図の（ａ）はこのときの成形体、（ｂ
）は津Ａ５孔を形成した半・ｑ体磁′ｒＡ基板、（Ｃ）
は連通孔に、Ａ電・しの異なる物質を充填した磁器基板
のそれぞれの断面図を示している。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の更に他の
製造工程を説明するための工程説明図であり、第６図の
（ａ）はこのときの成形体、（ｂ）は連通孔を形成した
誘電体磁器基板、（ｃ）は連通孔に誘゛を率の異なる物
質を充填した誘電体磁器基板のそれぞれの断面図を示し
ている。 第７図は、本発明の１実施例である磁器基板の更にもう
１つの他の製造工程を説明するための工程説明図であり
、第８図の（ａ）はこのときの成形体、（ｂ）は誘電体
磁器のそれぞれの断面図を示している。 第９図の（ａ）は、本発明の１実施例である磁器基板の
平面図、（ｂ）は（ａ）中Ａ−Ａ断面図であり、（Ｃ）
は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機能部
分を形成したＲ、Ｃ内蔵の磁器基板の断面図である。 第１０図は、従来の磁器基板の断面図である。 第ｉｔ図は、従来試みられている方法による複数の高話
′市体部分を有する磁器基板の断面図である。 Ｌ 、２１．３１・・・成形体。 ２．２３，３２，４１・拳・誘電体磁器。 ３．２４．３３．４２・・・低誘）貌率物質。 ２２・・・半導体磁器。 ４３・・・導体。 ４４Φ・拳抵抗体。 ４５・・・絶縁体。 代理人 弁理士 山 下 穣 平第１図 ＠３図 第４図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第５図 第６図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第９図 （ｂ） （Ｃ）
Claims (2)
- （１）誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に連通孔を
穿ち、該連通孔内に前記成形体とは誘電率の異なる物質
を充填して誘電率の異なる部分を形成せしめることを特
徴とする電子材料セラミックの製造法。 - （２）連通孔内に低誘電率の物質を充填して低誘電率化
することにより、前記連通孔周囲の高誘電体部分を互い
に分離させる特許請求の範囲第（１）項記載の電子材料
セラミックの製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27066385A JPH0646525B2 (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 電子材料セラミツクの製造法 |
| US06/892,320 US4759965A (en) | 1985-08-06 | 1986-08-04 | Ceramic, preparation thereof and electronic circuit substrate by use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27066385A JPH0646525B2 (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 電子材料セラミツクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131408A true JPS62131408A (ja) | 1987-06-13 |
| JPH0646525B2 JPH0646525B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=17489218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27066385A Expired - Lifetime JPH0646525B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-12-03 | 電子材料セラミツクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646525B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008142748A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Fujitsu Limited | 磁気ディスク装置用の磁気ヘッド |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27066385A patent/JPH0646525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008142748A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Fujitsu Limited | 磁気ディスク装置用の磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646525B2 (ja) | 1994-06-15 |
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