JPS62136702A - セラミック、及びその製造方法、及びそれを用いた電子回路用基体、及び電子回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミック、特に磁器コンデンサー等の電子部
品基材乃至はコンデンサー内蔵磁器基板等の電子部品内
蔵電子回路用基体など電子材料として利用し得るセラミ
ック、該セラミックを製造する方法及び前記セラミック
を用いた電子回路用基体に関する。

〔従来の技術〕

従来、電子回路用基体は、導体回路のみ、導体回路と抵
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体に装着されていた。

即ち、例えば、従来の磁器基板においては、導体と抵抗
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第１２図にその１例を示
す。１２１は磁器基板、１２２は導体回路、１２３は抵
抗体、１２４はチップコンデンサーである。

近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化させる事により
、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵させようとする
試みがなされている。つまり、第１３図に示すように、
高誘電率ε１の部分１３１゜１３３と低誘電率６２０部
分１３２を分離する事によシ同−基板上に複数個のコン
デンサーを形成させようとする試みである。しかしなが
ら、従来、同一基板内に異な９た誘電体部分を形成する
方法が非常に難しく、例えば積層セラミックコンデンサ
ーを作製する場合の煩雑さを考えれば自明である様に、
複数個のコンデンサーを内蔵する基板は、未だ実現乃至
実用化されていないのが現状である。

筐た、高誘電率の部分１３１，１３３を限られた構造ス
ペースのなかで動作上互いに影響を及ぼし合わない程度
に素子機能部分として十分に分離された状態にすること
も１重要な技術的課題となってい友。

更に、この様な電子部品乃至は電子回路用基体にまつわ
る機能部分の分離内蔵の問題点は、誘電体磁器に限らず
、セラミック内に２つ以上の同種又は異種の機能部分を
形成しようとする場合に、普く顕現されていた。

〔発明の目的及び概要〕

本発明の第１の目的は、複数の機能部分を十分に分離さ
れた状態で画成して内蔵し得るセラミックを提供するこ
とにある。

本発明の第２の目的は、この様に複数の機能部分を十分
に分離された状態で形成し得るセラミックの製造法を提
供することにある。

本発明の第３の目的は、前述した様に複数の機能部分を
十分に分離された状態で画成して内蔵し得るセラミック
によって構成されることにより、互いに素子機能部分と
して十分に分離された状態で複数の電子部品構成単位を
内蔵し得る電子回路用基体を提供することにある。

上記第１の目的は、表層部分乃至は内部に構成粒子の大
きさの相違により誘電率の異なる領域が設けられて、互
いに分離した２つ以上の機能部分を有していることを特
徴とする本発明のセラミックによって達成される。

上記第２の目的は、成形体を焼成するにあたり、前記成
形体の表層部分乃至は内部に焼成による粒成長が強制的
に促進又は抑制されて誘電率の異なる部分を形成するこ
とによシ、前記成形体を焼成して得られる焼成体内に互
いに分離した２つ以上の機能部分を形成せしめることを
特徴とするセラミックの製造法によって達成される。

上記第３の目的は、表層部分乃至は内部に構成粒子の大
きさの相違によシ誘電率の異なる物体で置換した領域が
設けられて、互いに分離した２つ以上の機能部分を有し
ているセラミックによって構成されていることを特徴と
する本発明の電子回路用基体によって達成される。

〔発明の詳細な説明及び実施例〕

本発明のセラミックが有する前記機能部分として、例え
ばコンデンサー、抵抗、絶縁体、ダイオード、トランジ
スター等の電子部品構成単位全例ホすることができる。

この様な機能部分は、前記誘電率の異なる物体自体を互
いに分離してセラミック内に配置することにより構成す
ることができるし、あるいは、前記誘Ｎ率の異なる物体
を介在させることにより互いに分離してセラミック内に
配置することによ多構成することもできる。

本発明のセラミックを構成する前記誘電率の異なる領域
は、構成粒子の大きさの相違により異なる誘電率を有す
るものであり、構成粒子の組成が同じであっても誘電率
の異なる領域を形成せしめることができる。あるいは、
構成粒子の組成や粒子構造乃至は微構造（例えば結晶構
造や非晶質ネットワーク等ンを変えることによシ更にａ
＋極的に誘電率を異ならしめることもできる。

以下、本発明のセラミックの１つの具体ψＩＪとして、
誘電体磁器について詳しく説明する。

誘電体磁器は、通常例えばＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３
゜ＭｇＴｉ０３（Ｂａ　、　Ｓｒ　）　（Ｔｉ　、　５
ｎ）０３系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ｂａ　＋　
Ｓｒ　）　ＴｉＯ３系複合酸化物（固溶体も含む）、（
Ｍｇ　、　Ｓｒ　、　Ｃａ）　Ｔｉｅ、系複合酸化物（
固溶体も含む）、（Ｓｒ　、Ｐｂ）　ＴｌＯｓ系複合酸
化物（固溶体も含む）、（ＳｒＣａ）　ＴｌＯｓ系複合
酸化物（固溶体も含む）、Ｆｅ２Ｏ，、ＺｎＯなどの誘
電体成分の１種又は２種以上を用い、成形、焼成して焼
結体を得る方法や、前記誘電体成分に半導体化に必要な
成分としてＬａ　＋　Ｄｙ　、　Ｎｄ　、　Ｙ　ｔ　Ｎ
ｂ　、　Ｔａ　ｔ　Ｅｒ　、　Ｇｄ　＋　Ｔ（ｏ　＋Ｃ
ｏ等の酸化物などを添加し混合した後、圧粉状の成形体
を得、−次焼成して半導体化し、次いで焼成体表面に金
属又は金属酸化物（例えばＣｕ　、　Ｃｕ（ＬＭｎＯ□
、’ｒｚ２ｏｓｔ　ＰｂＯ、Ｐ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ，、Ｎ
ｂ２Ｏ，ＺｎＯ等）を塗布し、二次焼成して粒界絶縁層
を形成せしめることにより得られる。

本発明のセラミックとしての誘電体磁器は、例えば前記
半導体化を経て得られる誘電体磁器で構成される。

例えば板状の誘電体磁器について、前記誘電率の異なる
領域及び機能部分の形状例を示すと、第１図乃至第４図
の様になる。なお、第１図乃至第４図の例において、１
は板状誘電体磁器、Ａは誘電率の異なる領域であ）、Ｂ
は機能部分であシ、Ａ（Ｂ）は誘電率の異なる物体で置
換した領域であると同時に機能部分である。

第１図においては、板状誘電体磁器１の両主面に到達す
る断面矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａを挾んで、
２つの互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設けられてい
る。

第２図の例では、磁器１の両主面の夫々の表層部分に断
面矩形の領域Ａ、Ａが設けられ、これらの領域Ａ、Ａを
挾んで、２つの互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設け
られている。

第３図の９１１では、磁器１の１方の主面の表層部分に
断面矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａを挾んで、２
つの互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設けられている
。

第４図の例では、互いに離隔して磁器１の両主面に到達
する断面矩形の領域Ａ　（Ｂ）が設けられ、２つの互い
に分離された機能部分を構成している。

なお、第１図乃至第４図の例では、誘電率の異なる物体
で置換した領域Ａを１つ又は２つ設けているが、これに
限定されず、所望する機能部分の数に応じて決めること
ができ、３つ以上の領域を設けてもよいことは、言うま
でもない。また、前述した様に、磁器１は主として前記
誘電体成分から半導体化を経ないで直接得られる焼結体
により構成されるが、例えばＡ、Ｂ及びＡ　（Ｂ）の少
なくとも１つを前記半導体化を経て得られる誘電体磁器
に置き換えることもできる。

前記機能部分Ｂ又はＡ　（Ｂ）は、例えば高誘電体で構
成することができ、この場合、第１図乃至第３図の例で
は領域Ａｆ：Ｂよりも低誘電率の物体で構成して機能部
分Ｂ、Ｂの分離を十分に行なうことができる。また、第
４図の例では機能部分Ａ　（Ｂ）を周囲よりも高誘電率
の物体で構成して分離することができる。

前記誘電率の異なる物体で置換した領域を設ける方法と
しては、例えば本発明のセラミックの製造法を実施して
、成形体を焼成するにあたり、成形体の表層部分乃至は
内部に焼成による粒成長が強制的に促進又は抑制されて
誘電率の異なる部分を形成せしめる。これにより、例え
ば粒成長が促進されて高誘電率化された部分を互いに離
隔して設けたり、あるいは粒成長が抑制されて低誘電率
化された部分を挾んで互いに離隔した部分を確保するこ
とにより、１つのセラミック内部に２つ以上の高誘電体
部分を形成せしめることができる。

なお、前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例え
ば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体（
磁器類等）などを包含し、誘電体乃至は誘電体を形成す
るための前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、粒界絶
縁型の高誘電体を合成するときに一次焼成によυ得られ
る半導体磁器や半導体粒子群から成る固体等）を含むも
のを言う。

例えば、前述した半導体化を経て得られる誘電体磁器に
ついて、本発明方法の具体例を説明する。

（１）圧粉体調製時 高誘電率所望部分には、例えば粒成長促進の効果のある
５１０２　を十分添加した原料を充填し、他の部分、す
なわち低誘電率所望部分には粒成長に寄与するＳ　ｒ　
０２の童を絞った原料を充填し、プレス成形を行う。前
記プレス成形体を一次焼成し半導体化を行い、添加剤を
塗布した後二次焼成を行い粒界絶縁化した磁器において
は、ＳｉＯ２を十分添加した部分においては粒成長が十
分性われ昼誘電率となるが、ＳｉＯ□を絞９た部分につ
いては粒成長が不十分であり、低誘電率となる。

次いで焼成を含むその後の磁器基板を得るための工程を
経て、高誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画
成される高誘電体部分の誘電＊は互いに同じであっても
異なってｂてもよい。

なお、粒成長乃至は再結晶を促進して高誘電率化される
部分を形成する場合は、粒径を促進されていない部分の
１．５倍以上、更には４倍以上とするのが好ましく、一
方、粒成長乃至は再結晶を抑制して低誘を不化される部
分を形成する場合は、粒径を抑制されていない部分の了
以下、更には７以下とするのが好ましい。

また、本発明方法においては、前述しｆｃ様に、構成粒
子の大きさの相違により誘電率の異なる領域を形成する
と共に、この領域乃至は他の部分の構成物質の組成乃至
は構造を変えることにより、誘電率を異ならしめること
ができる。

構成物質の組成乃至は構造を変えて誘電率を異ならしめ
る具体的方法としては、次の様な方法が挙げられる。

（ｉ）　　誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に空所
を設け、該空所内に誘電率の異なる物質を充填すること
により誘電率の異なる物体を構成する方法。

前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例えば金属
酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体（磁器類
等）などを言い、誘電体乃至は誘電体を形成するための
前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や１粒界絶縁型の高
誘電体を合成するときに一次焼成により得られる半導体
磁器や半導体粒子群から成る固体等）を含むものを言う
。

この方法の特徴は、前記成形体に空所を設け、該空所内
に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応じて焼成等の
工程を経て誘電率の異なる物体を形成せしめることにあ
る。従って、成形体に単一もしくは複数の空所を設け、
例えば低誘電率の物質を充填することにより、空所の周
囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上に分離して、
互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を画成せしめる
ことができる。

空所を設ける方法としては、例えば中子を用いた′成形
、打ち抜き、レーデ−加工、サンドブラスト、超音波加
工、放電加工、研削加工（ダイヤモンドツール等）、エ
ツチング（鉛レジスト、フッ酸処理等）などが挙げられ
る。

空所に充填される、例えば低誘電案の物質としては、例
えば、融点が磁器本体よりも低いものがなお更よく、例
えばＰｂＳ１０５１ＢＳｔＯｓ　、ＬｔＳｉＯｓ、各種
結晶化プラス等が好適である。あるいは、前述した誘電
体成分や、粒界絶縁型の高誘電体を形成するときに用い
る前記半導体化に必要な成分の種類や量を適宜変更した
粉体を選択して誘電率の異なる物体を構成することもで
きる。

（１１）誘電率の異なる物体を形成し得る２種以上の誘
電体形成粒子群を互いに区画して充填して成形体を得る
方法。

前記誘電体形成粒子群とは、例えば誘電体を形成し得る
金属酸化物類等の粒子群、誘電体自体の粒子群、前記粒
界絶縁型の高誘電体を形成するための半導体粒子群、あ
るいはこれらの混合物などを意味する。２種以上の誘電
体形成粒子群を互いに区画して充填する方法としては、
例えば、常温圧縮成形において用いる金凰内を有機樹脂
等焼成による加熱により分解や蒸発等で揮散し得る物質
から成る仕切材で区画し、各区画内に各々所望の異種の
誘電体形成粒子群を充填し、その後の焼成などの加熱に
より仕切材を揮散させる。あるいは、前記仕切材として
、金型内に異種物質を詰めた後に容易に取外すことので
きるものを用い、異種物質を詰め、仕切材を取外して加
圧成形する方法などがある。

（ｉｉｉ）成形体が半導体磁器であシ、該半導体磁器の
内部に電子部品形成用拡散源からの拡散層を形成せしめ
て誘電率の異なる物体を構成する方法。

この方法においては、前述した一次焼成により得られる
半導体磁器の表面上に、電子部品形成用拡散源として、
例えば前述した金属又は金属酸化物を互いに離隔した部
位で塗布して拡散源の層を形成し、次いで通常酸化性雰
囲気中で二次焼成することにより、半導体磁器内部に前
記拡散源からの、互いに離隔した２つ以上の拡散層を形
成することによシ、２つ以上の高誘電体部分を形成する
。

あるいは、低誘電率化し得る拡散源として、例えばＭｇ
Ｔｉ０．　、５ｉ０２　、　Ａｔ２０３等の層を形成し
て二次焼成により半導体磁器の内部に低誘電率の拡散層
を形成せしめると共に、この拡散層の周囲に互いに離隔
した状態で前述した金属又は金属酸化物による高誘電率
の拡散層を形成せしめるか、あるいは半導体化を経ない
高誘電体部分を形成せしめておき、２つ以上の高誘電体
部分を低誘電率の拡散層を介して分離せしめる。

なお、この方法において、使用する拡散源は適宜変えて
もよいし、まｆｃ、形成されるコンデンサー構成単位の
数にも特に制限はない。

（１■）成形体が、誘電体乃至はその前駆体を含むもの
であシ、該成形体を部分溶融することにより誘電率の異
なる物体を構成する方法。

前記成形体とは、前記（ｉ）項で説明した成形体と同じ
意味を有する。

この方法の特徴は、前記成形体を部分溶融して誘電率の
異なる部分を形成せしめることにある。

従って、成形体に単一もしくは複数の部分溶融部分を形
成し、これらの部分のそれぞれを例えば周囲より低誘電
率化することにより、これらの部分を挾んで、高誘電率
化されるべき部分を２つ以上に分離して、互いに離隔し
た２つ以上の高誘電体部分を画成せしめることができる
。

部分溶融の方法としては、例えばレーザー（Ｃｏ２レー
ザー、ＹＡＧレーザー等）照射、電子線照射等の方法が
浸れている。

かくして得られる磁器等の本発明のセラミックを用いて
例えば電子回路用基体を構成する場合、各々の高誘電体
部分の表面上に導体部分（電極、引出し部等）を設ける
ことにより、複数個のコンデンサーを内蔵させることが
できる。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に、導体
部分、抵抗体乃至は絶縁体部分（例えば通常の薄膜乃至
は厚膜形成法により形成される）を形成して、多くの機
能部分を備えた基体とすることができる。

以下、具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。

実施例１ 第５図に本実施例の工程フロチャートを示す本実施例に
おいてはプレス成形時に第６図に示すような原料充填を
行うすなわち高温で分解してしまう物’Ｊｔ　（ｆｌｌ
えはポリビニルアルコール）で作られた薄い仕切板６２
で仕切られた部分６３及び６４には下記配合表層の原料
粉末を充填し６５には下記配合表２の原料粉末を充填し
プレス成形を行うここで高温で分解する仕切板には多数
の小孔を有しているものが望ましい。小孔を有していれ
ば仕切板によって隣接している成形された物質が仕切板
を高温で分解した時、離れる可能性が小さくなる。

この成形体を第５図の工程に従って焼成する事により第
７図のような焼結体が得られる。々お、添加剤にはＭｎ
Ｏｚを使用した。ここで７１及び７２部は粒成長に寄与
するＳ　ｒ　０２が十分存在するため焼結体においては
粒成長が十分であるので高誘電率となり７３部分は粒成
長に寄与するＳ　ｔ　Ｏ２が抑えであるため焼結体にお
いては粒成長が不十分であるので低誘電率となる。

下記表層に高誘電体部分７１．７２及び低誘電体部分７
３の各々の平均粒径及び誘電率εを示した。

（配合表層） ＢａＴｉＯ９３，０％、　　　Ｂａ５ｎＯ２２，０％、
ＬａＯ０，１２％、　　３１０２　　２．０　’Ａ、Ａ
ｔ２ｏ、　　１．８８％、　　５ｒＴｔ０５　１．０　
％。

（配合表２） ＢａＴｉ０　９４．９　％、　　Ｂａ５ｎ０２　２．０
％、ＬａＯ０，１２％、　　５ｉｎ２０．１％、Ａｔ２
０３１．８８％、　　５ｒＴｉ０５　　１．０％。

表　　１ 前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体部分及び絶縁体部
分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる。

実施例２ 第８図に本実施例の工程フロチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時に第９図に示すよう
な原料充填を行う。すなわち原料充填抜取シ去る事の可
能な仕切板９２で仕切られた部分に９３及び９４には下
記配合表３のＷ、料粉末を充填し、９５には下記配合表
４の原料粉末を充填し、仕切板を取υ去り、プレス成形
を行う。この焼結体を第８図の工程に従って焼成する事
により、第１０図に示した様な焼結体が得られた。なお
、添加剤にはＭｎＯ２を使用した。ここで、１０１及び
１０２は、ＳｉＯ□が十分存在する為焼結体において粒
成長が十分であり、且つＬａ２０．が十分存在するので
半導体化が十分であるので高誘電率となり、１０３は、
　５１０２が抑えである為焼結体において粒成長が不十
分であり且つＬａ　２０５が不十分であるので半導体化
が不十分であるので低誘電率となる。

各々の誘電率εを表２に示した。この焼結体は一枚の基
板中に高誘電率部と低誘電率部を有する前記焼結体に所
定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体部分を形成する
事により、ＣＲ内蔵基板が得られる。

（配合表３） ＢａＴｉＯ９３，０％、　Ｂａ５ｎ０２　２．０％、Ｌ
ａｚ０３　０．１２％、　５ｉｎ２２．０％、ｈｔ２ｏ
、　　ｉ、　ｓ　８　％、　Ｓ　ｒＴ　ｉ　０３　　１
．０％。

（配合表４） ＢａＴｉ０　９３．０　％、　Ｂ　ａＳ　ｎＯ２２，０
係、ＬａＯ０，０２％、　５１０２　　０．１％、Ａｔ
２０３１．８８％、　５ｒＴｉＯ３１，０％。

表　　２ 実施例３ 本実施例においては、第８図に示した工程フローチャー
トに従いプレス成形時に第９に示すような原料充填を行
う。すなわち原料充填後取り去る事の可能な仕切板９２
で仕切られた部分に９３及び９４には下記配合表３の原
料粉末を充填し、９５には下記配合表４の原料粉末を充
填し、仕切板を取り去り、プレス成形を行う。この焼結
体を第８図の工程に従って焼成する事により、第１０図
に示した様な焼結体が得られた。なお、添加剤Ｋ　Ｂ　
ＭｎＯ□を使用した。ｃｃ”ｔ’、１０１及び１０２は
、配合表３の原料を用い且つ粒成長が十分であるので高
誘電率となり、１０３は、配合表４の原料を用い且つ粒
成長が不十分であるので低誘電率となる。各々の誘電率
εを表２に示した。この焼給体は一枚の基板中に高誘電
率部と低誘電率部を有する前記焼結体に所定の導体部分
、抵抗体部分、及び絶縁体部分を形成する事によりＣＲ
内蔵基板が得られる。

（配合表５） ＢａＴｔＯ３９３％、　Ｂａ５ｎＯ□２．０％、ＬａＯ
０，１２％、　Ｓ　１ｏ２２．０％、Ａｔ２０３１．８
８％、　５ｒＴｉ０３　　１．ＯＴｏ　。

（配合表６） ＢａＴ　１Ｏ３８５，９’１、　ＭｇＴｉＯ３１０，２
％、Ｔｉｅ２２．８％、　ｓｔｏ□　　　０．１％。

５ｒＴｔ０３　　１．０　Ｔｏ、 表　　３ 実施例４ 本実施例においては第５図に示した工程７０チヤートに
従いプレス成形時に第６図に示すような原料充填を行う
。すなわち高温で分解してしまう物質（例えばポリビニ
ルアルコール）で作られた薄い仕切板６２で仕切られた
部分６３及び６４には下記配合表７の原料粉末を充填し
６５には下記配合表８の原料粉末を充填しプレス成形を
行う。

ここで高温で分解する仕切板には多数の小孔を有してい
るものが望ましい小孔を有していれば仕切板によって隣
接している成形された物質が、仕切板を高温で分解した
時、離れる可能性が小さくなる。

この成形体を第５図の工程に従って焼成する事により、
第７図の様な焼結体が得られる。ここで添加剤ｐ塗布は
、成形体の６３．６４の部分にＭｎ０２．６５の部分に
ＣｕＯを用いて行った。ここで７１．７２の部分は１粒
成長に寄与するＳｉＯ□が十分存在するため焼結体にお
いては粒成長が十分であり、また粒界絶縁物質としてＭ
ｎＯ□を用いているため高誘電率となり、７３の部分は
粒成長に寄与するＳｉＯ□が抑えであるため焼結体にお
いでは粒成長が不十分であり、ま次粒界絶縁物質として
ＣｕＯを用いているので低誘電率となる。

下記表４に高誘電体部分７１．７２及び低誘電体部分７
３の各々の誘電率εを示した。

（配合表７） ＢａＴｉＯ９３，０％、　Ｂａ５ｎＯ２，０％、ＬａＯ
０，１２％、　　８１０２　　　２．０　％、Ａｔ２０
３１．８８　％、　　５ｒＴｉ０３　　１．０　％。

（配合表８） ＢａＴｉＯ９４，９％、　Ｂａ５ｎＯ２，０％、ＬａＯ
Ｏ，１２％、　Ｓｉｎ□０．１％、Ａｔ２０３１．８８
　％、　５ｒＴｔ０３　　１．０％。

前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体部分及び絶縁体部
分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる。

実施例５ 本実施例では第８図に示した工程フローチャートに従い
、プレス成形時に第９図に示す様な原料充填を行う。即
ち、原料充填後嘔り去ることの可能な仕切板９２で仕切
られた部分に９３及び９４には下記配合表９の原料粉末
を充填し、９５には下記配合表層０の原料粉末を充填し
、仕切板を取り去り、プレス成形を行う。この焼結体を
第８図の工程に従って焼成する事により、第１０図の様
な焼結体が得られる。なお、添加剤の塗布は、成形体の
９３．９４の部分にはＭｎ　Ｏ□、９５の部分にはＣｕ
Ｏを塗布して行った。ここで１０１．１０２は、配合表
９の組成であり、粒成長が十分であり、且つ粒界絶縁物
質としてＭｎＯ２を使用しているため高誘電率となり、
１０３は、配合表層０の組成であり、粒成長が不十分で
あり、且つ粒界絶縁物質としてＣｕＯを使用しているた
め低誘電率となる。

各々の誘電率とを表５に示した。この焼結体は一枚の基
板中に高誘電率部と低誘電率部を有する前記焼結体に所
定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体部分を形成する
事によりＣＲ内蔵基板が得られる。

（配合表９） ＢａＴｔＯ５９３％、　Ｂａ５ｎＯ２，０％、Ｌａ２０
３０１２％、　８１０□２．０％、Ａｔ２０３１．８８
　％、　５ｒＴ１０５　　　ｔ、ｏ　％。

（配合表層０　） ＢａＴｉＯ８５，９％、　ＭｇＴｌ０．　１０．２％、
Ｔ　ｉＯ２２，８％、　５ＩＯ２０１％、５ｒＴＩＯ３
１０％。

表　５ なお第１１図に例えば前記実施例に示した様な方法によ
り得られる磁器基板のｆ９１］を示す。第１１図（、）
及び（ｂ）は、それぞれ磁器基板の平面図及び断面図で
あり、１１１が高誘電体部分、１１２が低誘電体部分で
ある。また第１１図（ｃ）は、更に導体部分１１３、抵
抗体部分１１４、及び絶縁体部分１１５を形成した磁器
基板を示している。

〔発明の効果〕

本発明のセラミックは、電子部品構成単位等の機能部分
を複数画成し得る。従って、これを用いて構成される電
子部品や電子回路用基体等は、各種容量のコンデンサー
等の素子機能部分を複数内蔵することができ、また例え
ば前記基体に導体、抵抗体、絶縁体等の各種機能部分を
形成することにより、多くの機能部分を備え、しかも小
型化され安価な電子回路用基体等となる。また、この様
に基体内でのコンデンサー、抵抗等の設計の自由度を大
幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、それぞれ本発明に係るセラミック
の断面図である。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第６図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第７図はかぐして得られ
る磁器基板の斜視図を示している。 第８図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第９図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第１０図はかくして得ら
れる磁器基板の斜視図を示している。 第１１の（、）は、本発明の１実施例である磁器基板の
平面図、（ｂ）は（、）中Ａ−Ａ断面図であり、（Ｃ）
は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機能部
分を形成したＲ、Ｃ内域の磁器基板の断面図である。 第１２図は、従来の磁器基板の断面図である。 第１３図は、従来試みられている方法による複数の高誘
電体部分を有する磁器基板の断面図である。 Ａ・・・誘電率の異なる領域、Ｂ・・・機能部分、Ａ　
（Ｂ）・・・誘電率の異なる領域且つ機能部分。 代理人　弁理士　山　下　穣　平 図面のｊ７”：’ニー内′１“ｌ：：二色・Ｊ、！′へ
Ｌ）第１図 第２図 ハ 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図 第１０図 第１１図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第１２図 手　わ゛ご　ネ市　正　−４，ｙ−（方式）％式％［ ２、発明の名称 セラミンク、この製造法及びこれを用いた電子回路用基
体３、　補正をする者 ：バ件との関係　　　特許出願人 名　　称　（ｉｏｏ）キャノン株式会社４、代理人 住所　東京都港区虎ノ門五丁「１１３番１′−￥虎ノ門
４０森ヒルｔＶ＋和６１年　２月２５［］ ６　　補正の対象 明細書及び図面の浄書並びに委任状 ７　　補正の内容 別紙の通り

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）表層部分乃至は内部に構成粒子の大きさの相違に
   より誘電率の異なる領域が設けられて、互いに分離した
   ２つ以上の機能部分を有していることを特徴とするセラ
   ミック。
2. （２）高誘電率の物体で置換した領域を互いに離隔して
   ２つ以上形成して、互いに分離した２つ以上の高誘電体
   部分を有する特許請求の範囲第（１）項記載のセラミッ
   ク。
3. （３）低誘電率の物体で置換した領域の周囲で互いに離
   隔した２つ以上の高誘電体部分を有する特許請求の範囲
   第（１）項記載のセラミック。
4. （４）成形体を焼成するにあたり、前記成形体の表層部
   分乃至は内部に焼成による粒成長が強制的に促進又は抑
   制されて誘電率の異なる部分を形成することにより、前
   記成形体を焼成して得られる焼成体内に互いに分離した
   ２つ以上の機能部分を形成せしめることを特徴とするセ
   ラミックの製造法。
5. （５）粒成長の促進により、粒径が粒成長の促進がなさ
   れていない部分の１．５倍以上とされ高誘電率化されて
   いる部分を、互いに離隔して２つ以上形成せしめる特許
   請求の範囲第（４）項記載のセラミックの製造法。
6. （６）粒成長の抑制により、粒径が粒成長の抑制がなさ
   れていない部分の２／３以下とされ低誘電率化されてい
   る部分を挾んで、互いに離隔した２つ以上の高誘電体部
   分を形成せしめる特許請求の範囲第（４）項記載のセラ
   ミックの製造法。
7. （７）表層部分乃至は内部に構成粒子の大きさの相違に
   より誘電率の異なる物体で置換した領域が設けられて、
   互いに分離した２つ以上の機能部分を有しているセラミ
   ックによって構成されていることを特徴とする電子回路
   用基体。
8. （８）セラミック表層部分、内部乃至は周囲に、更に、
   導体、抵抗体及び絶縁体等のうち少なくとも１種類の機
   能部分を有している特許請求の範囲第（７）項記載の電
   子回路用基体。