JPS62136703A - セラミツク、この製造法及びこれを用いた電子回路用基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミック、特に磁器コンデンサー等の電子部
品基材乃至はコンデンサー内蔵磁器基板等の電子部品内
蔵電子回路用基体など電子材料として利用し得るセラミ
ック、該セラミックを製造する方法及び前記セラミック
全円いた電子回路用基体に関する。

［従来の技術］ 従来、電子回路用基体は、導体回路のみ、導体回路と抵
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体に装着されていた。

即ち、例えば、従来の磁器基板においては、導体と抵抗
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第１２図にその１例を示
す。１２１は磁器基板、１２２は導体回路、１２３は抵
抗体、１２４はチップコンデンサーである。

近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化させる事により
、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵させようとする
試みがなされている。つまり第１３図に示すように、高
誘′鑞率ε１の部分１３１，１３３と低誘電率ε２の部
分１３２を分離する事により同一基板上に複数個のコン
デンサーを形成させようとする試みである。しかしなが
ら、従来、同一基板内に異なった銹電体部分を形成する
方法が非常に難しく、例えば積層セラミックコンデンサ
ーを作製する場合の煩雑さ２考えれば自明である様に、
複数個のコンデンサーを内蔵する基板は、未だ実現乃至
実用化されていないのが現状である。

ま九、高誘電率の部分１３１，１３３を限られた構造ス
イースのなかで動作上互いに影響企及ぼし合わない程度
に素子機能部分として十分に分離され次状態にすること
も、重要な技術的課題となってい念。

更に、この様な電子部品乃至は電子回路用基体にまつわ
る機能部分の分離内蔵の問題点は、誘電体磁器に限らず
、セラミック内に２つ以上の同種又は異種の機能部分を
形成しようとする場合に、普く顕現されていた。

［発明の目的及び概要コ 本発明の第１の目的は、複数の機能部分全十分に分離さ
れた状態で画成して内蔵し得るセラミックを提供するこ
とにある。

本発明の第２の目的は、この様に複数の機能部分全十分
に分離された状態で形成し得るセラミックの製造法を提
供することにある。

本発明の第３の目的は、前述した様に複数の機能部分全
十分に分離され次状態で画成して内蔵し得るセラミック
によって構成されることにより、互いに素子機能部分と
して十分に分離された状態で複数の電子部品構成単位を
内蔵し得る電子回路用基体を提供することにある。

上記第１の目的は、表層部分乃至は内部に構成物体の密
度の相違により誘電率の異なる領域が設けられて、互い
に分離した２つ以上の機能部分金有していることを特徴
とする本発明のセラミックによって達成される。

上記第２の目的は、成形体を焼成するにあたり、前記成
形体の表層部分乃至は内部に誘電体形成粒子群の密度の
異なる部分を形成して焼成することにより、前記成形体
を焼成して得られる焼成体内に互いに分離した２つ以上
の機能部分を形成せしめること全特徴とする本発明のセ
ラミックの製造法によって達成さｎる。

上記第３の目的は、表層部分乃至は内部に構成物体の密
度の相違により誘電率の異なる物体で置換し次領域が設
けられて、互いに分離した２つ以上の機能部分を有して
いるセラミックによって構成されていることを特徴とす
る本発明の電子回路用基体によって達成される。

［発明の詳細な説明及び実施例］ 本発明のセラミックが有する前記機能部分として、例え
ばコンデンサー、抵抗、絶縁体、ダイオード、トランシ
スター等の電子部品構成単位全例示することができる。

この様な機能部分は、前記誘電率の異なる物体自体を互
いに分離してセラミック内に配置することにより構成す
ることができるし、あるいは、前記誘電率の異なる物体
を介在させることにより互いに分離してセラミック内に
配置することにより構成することもできる。

本発明のセラミックを構成する前記誘電率の異なる領域
は、構成物体の密度の相違により異なる誘電率を有する
もの゛であり、構成物体の組成が同じであっても誘電率
の異なる領域を形成せしめることができる。あるいは、
構成粒子の組成や粒子の大きさ、粒子構造乃至は微構造
（例えば結晶構造や非晶質ネットワーク等）を変えるこ
とにより更に積極的に誘電率を異ならしめることもでき
る。

以下、本発明のセラミックの１つの具体例として、誘電
体磁器について詳しく説明する。

誘電体磁器は、通常例えばＢ　ａ　Ｔ　１０５、Ｓ　ｒ
Ｔ　ｉ　Ｏｓ、ＭｇＴ　ｉ　Ｏ３、（Ｂａ　、　Ｓｒ　
）　（Ｔｉ５Ｓｎ　）０３系複合酸化物（固溶体も含む
）、（Ｂａ、５ｒ）Ｔｉ０３系複合酸化物（固溶体も含
む）、（Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ　）　Ｔｉｅ３系複合酸化物
（固溶体も含む）、（Ｓｒ、Ｐｂ）Ｔ量０３系複合酸化
物（固溶体も含む）、（Ｓ　ｒ　Ｃａ　）Ｔ　Ｉ　Ｏｓ
系複合酸化物（固溶体も含む）、Ｆｅ　２０３、ＺｎＯ
などの誘電体成分の１種又は２種以上を用い、成形、焼
成して焼結体を得る方法や、前記誘電体成分に半導体化
に必要な成分としてＬａ。

Ｄｙ、　Ｎｄ５Ｙ、　Ｎｂ、　Ｔａ％Ｅｒ、　Ｇｄ、　
Ｈｏ、　Ｃｅ等の酸化物などを添加し混合した後、圧粉
状の成形体を得、−次焼成して半導体化し、次いで焼成
体表面に金属又は金属酸化物（例えばＣｕ　、　ＣｕＯ
、ＭｎＯ２、Ｔｂ２Ｏ３、ｐｂｏ、Ｐ２Ｏ５、Ｂ％□０
３、Ｎｂ２Ｏ，ｚｎＯ等）を塗布し、二次焼成して粒界
絶縁層を形成せしめることにより得られる。

本発明のセラミックとしての誘電体磁器は、前記誘電体
成分から半導体化を経ないで直接得られる焼結体で構成
されても、例えば前記半導体化を経て得られる誘（体磁
器で構成されてもよく、あるいはこれらの混合系で構成
されてもよい。

例えば板状の誘電体磁器について、前記誘電率の異なる
領域及び機能部分の形状例を示すと、第１図乃至第４図
の様になる。なお、第１図乃至第４図の例において、ｌ
は板状誘電体磁器、Ａは誘電率の異なる領域であり、Ｂ
は機能部分であり、Ａ（Ｂ）は誘電率の異なる物体で置
換した領域であると同時に機能部分である。

第１図においては、板状誘電体磁器１の両生面に到達す
る断面矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａｔ−挾んで
、２つの互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設けられて
いる。

第２図の例では、磁器１の両生面の夫々の表層部分に断
面矩形の領域Ａ、Ａが設けられ、これらの領域Ａ、Ａを
挾んで、２つの互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設け
られている。

第３図の例では、磁器１の１方の主面の表層部分に断面
矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａを挾んで、２つの
互いに分離された機能部分Ｂ、Ｂが設けられている。

第４図の例では、互いに離隔して磁器１の両生面に到達
する断面矩形の領域Ａ　Ｉ）が設けられ、２つの互いに
分離され九機能部分を構成している。

なお、第１図乃至第４図の例では、誘電率の異なる物体
で置換した領域Ａｇ１つ又は２つ設けているが、これに
限定されず、所望する機能部分の数に応じて決めること
ができ、３つ以上の領域を設けてもよいことは、言うま
でもない。また、前述した様に、磁器１１は主として前
記誘電体成分から半導体化を経ないで直接得られる焼結
体により構成されるが、例えばＡ、Ｂ及びＡ　（Ｂ）の
少なくとも１つを前記半導体化を経て得られる誘電体磁
器に置き換えることもできる。

前記機能部分Ｂ又はＡ　（Ｂ）は、例えば高誘電体で構
成することができ、この場合、第１図乃至第３図の例で
は領域ＡｉＢよりも低誘電率の物体で構成し・て機能部
分Ｂ、Ｂの分離を十分に行なうことができる。また、第
４図の例では機能部分Ａ　（Ｂ）　ｔ−周囲よりも高誘
電率の物体で構成して分離することができる。

前記誘電率の異なる物体で置換した領域を設ける方法と
しては、例えば本発明のセラミックの製造法を実施して
、成形体を焼成するにあたり、前記成形体の表層部分乃
至は内部に誘電体形成粒子群の密度の異なる部分を、例
えばバインダー量の増減等で誘電体形成粒子群の密度を
変えた部分を区画して成形することにより形成して焼成
することにより設ける方法がある。

この様な方法により、例えば密度が増加して高誘電率化
され九部分を互いに離隔して設けたり、あるいは密度が
減少して低誘電率化され念部分を挾んで互いに離隔した
部分を確保することにより、１つのセラミック内部に２
つ以上の高誘電体部分を形成せしめることができる。

なお、前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例え
ば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体（
磁器類等）などを包含し、誘電体乃至は誘電体を形成す
るための前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、粒界絶
縁型の高誘電体を合成するときに一次焼成により得られ
る半導体磁器や半導体粒子群から成る固体等）を含むも
のを言う。

また、前記誘電体形成粒子群とは、例えば前記金属酸化
物類の粒子、焼成体粒子、焼結体粒子、半導体粒子及び
誘電体粒子等を包含する。

なお、密度全増加させて高誘電率化される部分を形成す
る場合は、密度の増加されていない部分の１．１倍以上
、更には１．３倍以上とするのが好ましく、一方、密度
を減少させて低誘電率化される部分を形成する場合は、
密度の減少されていない部分の一！！！以下、更には岨
以下とするのが好ましい。

また、本発明方法においては、゛前述した様に、構成物
体の密度の異なる領域を形成すると共に、この領域乃至
は他の部分の構成物質の組成乃至は微構造等、あるいは
構成粒子の大きさを変えることにより、誘電率全頁なら
しめることができる。

構成物質の組成乃至は構造を変えて誘電率を異ならしめ
る具体的方法としては、次の様な方法が挙げられる。

（１）誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に空所を設
け、該空所内に誘電率の異なる物質を充填することによ
り誘電率の異なる物体を構成する方法。

前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例えば金属
酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体（磁器類
等）などを言い、誘電体乃至は誘電体を形成するための
前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、粒界絶縁型の高
誘電体を合成するときに一次焼成によυ得られる半導体
磁器や半導体粒子群から成る固体等〕を含むもの全言う
。

この方法の特徴は、前記成形体に空所を設け、該空所内
に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応じて焼成等の
工程を経て誘電率の異なる物体全形成せしめることにあ
る。従って、成形体に単一もしくは複数の空所を設け、
例えば低誘電率の物質を充填することにより、空所の周
囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上に分離して、
互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を画成せしめる
ことができる。

空所を設ける方法としては、例えば中子を用いた成形、
打ち抜き、レーザー加工、サンドブラスト、超音波加工
、放電加工、研削加工（ダイヤモンドツール等）、エツ
チング（鉛レノスト、フッ酸処理等）などが挙げられる
。

空所に充填される、例えば低誘電率の物質としては、例
えば、融点が磁器本体よりも低いものがなお更よく、例
えばｐｂｓ　ｔｏ３、Ｂ　Ｓ　ｉＯｓ、Ｌ、１ｓｉｏ、
、各種結晶化プラス等が好適である。あるいは、前述し
た誘電体成分や、粒界絶縁型の高誘電体を形成するとき
に用いる前記半導体化に必要な成分の種類や量を適宜変
更した粉体を選択して誘電率の異なる物体を構成するこ
ともできる。

（１１）誘電率の異なる物体を形成し得る２種以上の誘
電体形成粒子群を互いに区画して充填して成形体を得る
方法。

前記誘電体形成粒子群とは、例えば誘電体を形成し得る
金属酸化物類等の粒子群、誘電体自体の粒子群、前記粒
界絶縁型の高誘電体を形成するための半導体粒子群、ち
るいはこれらの混合物などを意味する。２種以上の誘電
体形成粒子群を互いに区画して充填する方法としては、
例えば、常温圧縮成形において用いる金型内を有機樹脂
等焼成による加熱により分解や蒸発等で揮散し得る物質
から成る仕切材で区画し、各区画内に各々所望の異種の
誘電体形成粒子群を充填し、その後の焼成などの加熱に
より仕切材全揮散させる。あるいは、前記仕切材として
、金捜内に異種物質を詰めた後に容易に取外すことので
きるものを用い、異種物質を詰め、仕切材を取外して加
圧成形する方法などがある。

ＧｉＤ　　成形体が半導体磁器であり、該半導体磁器の
内部に電子部品形成用拡散源からの拡散層全形成せしめ
て誘電率の異なる物体を構成する方法。

この方法においては、前述した一次焼成により得られる
半導体磁器の表面上に、電子部品形成用拡散源として、
例えば前述した金属又は金属酸化物を互いに離隔した部
位で塗布して拡散源の層を形成し、次いで通常酸化性雰
囲気中で二次焼成することにより、半導体磁器内部に前
記拡散源からの、互いに離隔した２つ以上の拡散層を形
成することにより、２つ以上の高誘電体部分を形成する
。

あるいは、低誘電率化し得る拡散源として、例えばＭｇ
Ｔ　ｔｏ　３、ｓｔｏ□、Ａｔ２０３等の層を形成して
二次焼成により半導体磁器の内部に低誘電率の拡散層を
形成せしめると共に、この拡散層の周囲に互いに離隔し
た状態で前述した金属又は金属酸化物による高誘電率の
拡散層を形成せしめるか、あるいは半導体化を経ない高
誘電体部分を形成せしめておき、２つ以上の高誘電体部
分を低誘電率の拡散層を介して分離せしめる。

なお、この方法において、使用する拡散源は適宜変えて
もよいし、１次、形成されるコンデンサー構成単位の数
にも特に制限はない。

（ψ　成形体が、誘電体乃至はその前駆体を含むもので
あり、該成形体を部分溶融することにより誘電率の異な
る物体を構成する方法。

前記成形体とは、前記（１）項で説明した成形体と同じ
意味を有する。

この方法の特徴は、前記成形体を部分溶融して誘電率の
異なる部分を形成せしめることにある。

従って、成形体に単一もしくは複数の部分溶融部分を形
成し、これらの部分のそれぞれを例えば周囲より低誘電
率化することにより、これらの部分を挾んで、高誘電率
化されるべき部分ｔ−２つ以上に分離して、互いに離隔
した２つ以上の高誘電体部分を画成せしめることができ
る。

部分溶融の方法としては、例えばレーザー（ＣＯ２レー
ザ−、ＹＡＧレーデ−等）照射、電子線照射等の方法が
優れている。

構成粒子の大きさを変えて誘電率を異ならしむる具体的
方法として、成形体を焼成するにあたり、成形体の表層
部分乃至は内部に焼成による粒成長が強制的に促進又は
抑制されて誘電率の異なる部分を形成せしめる。これに
より、例えば粒成長が促進されて高誘電率化された部分
を互いに離隔して設けたり、あるいは粒成長が抑制され
て低誘電率化された部分を挾んで互いに離隔した部分を
確保することにより、１つのセラミック内部に２つ以上
の高誘電体部公金形成せしめることができる。

なお、粒成長を促進して高誘電率化される部分を形成す
る場合は、粒径を促進されていない部分の１．５倍以上
、更には４倍以上とするのが好ましく、一方、粒成長乃
至は再結晶を抑制して低誘電率化される部分を形成する
場合は、粒径を抑制されていない部分のヱ以下、更には
１以下とするのが好ましい。

かくして得られる磁器等の本発明のセラミックを用いて
例えば電子回路用基体を構成する場合、各々の高誘電体
部分の表面上に導体部分（電極、引出し部等）を設ける
ことにより、複数個のコンデンサーを内蔵させることが
できる。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に、導体
部分、抗折体乃至は絶縁体部分（例えば通常の薄膜乃至
は厚膜形成法により形成される）を形成して、多くの機
能部分を備え九基体とすることができる。

以下、具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。

実施例１ 第５図に本実施例の工程フローチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時に第６図に示すよう
な原料充填を行う、すなわち原料充填後取り去る事の可
能な仕切板６２で仕切られた部分に６３及び６４には下
記表１の組成で通常バインダー量（２重量％）の原料粉
末を充填し、６５には表１の組成でバインダー１−３５
重量％の原料粉末を充填し、仕切板を取り去り、プレス
成形を行う。

この焼結体を第５図の工程に従って焼成する事により、
第７図に示した様な焼結体が得られた。ここで、７１及
び７２は、通常バインダー量であり誘電体磁器が緻密で
ある九め高誘電率となり、７３はバインダー量が多い為
バインダーの抜けた後が多孔質である為低誘電率となる
。各々の誘電率ε全表２に示した。この焼成体は一枚の
基板中に高誘電率部と低誘電率部を有する前記焼結体に
所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体部分を形成す
る事により、ＣＲ内蔵基板が得られる。

表　　１ 表　　２ 実施例２ 第５図に本実施例の工程フローチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時に第６図に示すよう
な原料充填を行う。すなわち原料充填後取り去る事の可
能な仕切板６２で仕切られた部分に６３及び６４には下
記配合表１の組成で通常・ぐインダー５１（２重量％）
の原料粉末全充填し、６５には配合表２の組成でバイン
ダー量３５重量％の原料粉末を充填し、仕切板を取り去
り、プレス成形を行う。この焼結体を第５図の工程に従
って焼成する事により、第７図に示した様な焼結体が得
られた。ここで、７１及び７２は、組成が配合表１のと
おりで、通常バインダー量であυ誘電体磁器が緻密であ
るため高誘電率となり、７３は組成が配合表２のとおり
で、バインダー量が多い為／ぐインダーの抜は九後が多
孔質である為低誘電率となる。各々の誘電率εを表３に
示した。この焼成体は一枚の基板中に高誘電率部と低誘
電率部金有する。前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体
部分、及び絶縁体部分を形成する事により、ＣＲ内蔵基
板が得られる。

（配合表１） ＢａＴｉＯ９３，６％、　　　Ｃｅ０７３．２％、Ｔｉ
ｅ２２．２　％、　　　　Ｓｉｎ□１．０　％。

（配合表２〕 ＢａＴｉ０　８５．０％、　ＭｇＴｉＯ３１０，２％、
Ｎｂ２０５１．０係、　　ＴｉＯ２，８％、ＳｔＯ□　
　　１．０チ。

表　　３ 実施例３ 第５図に本実施例の工程フローチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時にＰｇ６図に示すよ
うな原料充填を行う。すなわち原料充填後取り去る事の
可能な仕切板６２で仕切られた部分に６３及び６４には
下記配合表３の組成で通常バインダー量（２重量％）の
原料粉末を充填し、６５には配合表３の組成でバインダ
ー量３５重ｔ％の原料粉末を充填し、仕切板全域り去り
、プレス成形を行う。この焼結体を第５図の王権に従っ
て焼成する事により、第７図に示し念様な焼結体が得ら
れた。ここで、７１及び７２は、通常バインダー量であ
り誘電体磁器が緻密であるため高誘電率となり、７３は
バインダー量が多い為バインダーの抜けた後が多孔質で
ある為低誘電率となる。各各の誘電率εを表４に示した
。この焼成体は一枚の基板中に高誘電率部と低誘電率部
を有する前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体部分、及
び絶縁体部分を形成する事により、ＣＲ内蔵基板が得ら
れる。

（配合表３） ＢａＴｉＯ９３，０％、Ｂａ５ｎＯ２，０％、ＬａＯ０
，１２％、　　ＳｉＯ２，０％、Ａｔ２ｏ、　　　１．
８８　％、　　５ｒＴｉＯ３１−０％。

表　　４ 実施例４ 第８図に本実施例の工程フローチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時に第９図に示すよう
な原料光［−行う。す々わち高温で分解してしまう物質
（例えばポリビニルアルコール）で作られた薄い仕切板
９２で仕切られた部分９３及び９４には下記配合表４の
原料粉末を充填し、９５には下記配合表５の原料粉末を
充填しプレス成形を行う。ここで高温で分解する仕切板
には多数の小孔を有しているものが望ましい。小孔を有
していれば、仕切板によって隣接している成形された物
質が、仕切板を高温で分解し九時、離れる可能性が小さ
くなる。この成形体を第８図の工程に従って焼成する事
により第１０図のような焼結体が得られる。なお、添加
剤にはＭｎＯ２１＆：使用した。ここで１０１及び１０
２部分はＬＩＬ２０３が十分存在する為−次焼成後に十
分半導体化し且つバインダー量が通常である為十分緻密
化しているため高誘電率となシ、１０３の部分はＬａ２
Ｏ３が抑えである局、−次焼成後十分半導体化する事が
なく、又バインダー量が多い為焼成後の焼結体が多孔質
となシ低誘電率化する。下記表５に各々の誘電率εを示
した。

（配合表４） Ｂ　ａＴ　ｉ　Ｏｓ　　９３　　％　　　Ｂ　ａ　Ｓｎ
Ｏ２２，０％、Ｌａ　２０　ｓ　　　０．１２５Ｊ、　
　５ｉｎ２２．ＯＡ、ＡＡ２０ｓ１．８８　％、　　Ｓ
　ｒＴ　ｉ　Ｏｓ　　１．Ｏ％の組成において通常バイ
ンダー量（２ｗｔ％）。

（配合表５） ＢａＴｉ　Ｏｓ　　９３．１　％、　　Ｂａ５ｎＯｚ　
　２．０％、Ｌａ　２０　ｓ　　　ｏ、０２　％、　　
５ＩＯ２２，０％、ＡｔＯ１，８８％、　　Ｓ　ｒＴ　
ｉ　Ｏ３１−０％の組成においてノ々イングーを３５ｗ
ｔ％。

表　　５ 実施例５ 第９図に示した金型を用い、第８図のフローチャートに
従い、９３．９４には下記配合表６．９５には配合表７
の原料を充填し、プレス成形を行っ念。この成形体Ｔ８
８図のフローチャートに従りて焼成することにより第１
０図の様な焼結体が得られた。なお、添加剤にはＭｎ０
２ｆ使用した。この結果、１０１，１０２の部分は十分
に半導体化し且つ磁器が緻密であるため高誘電率化し、
１０３は半導体化が十分でなく且つ多孔質である友め低
誘電率化した。下記表６に各々の誘電率εを示した。

（配合表６） ＢａＴｉＯ３９３％、　　Ｂａ５ｎ０２２．０　％、Ｌ
ａ　２０３０−１２　％、　　８１０２２．０％、ｈｔ
２０３１．８８％、　　Ｓ　ｒＴ　ｉ　Ｏｓ　　１．０
％において通常バインダーｉｔ（２ｗｔ％）。

（配合表７） ＢａＴ１０　　８５．０％、　　ＭｇＴｉ８３１０．２
％、Ｔｉｅ２２．８チ、　　Ｓｉ０　　　１．０％、Ｓ
　ｒＴ　ｉ　Ｏｓ　　　１．０％ 組成においてバインダー１３５ｗｔ％。

宍　　６ 実施例６ 第８図に本実施例の工程フローチャートラ示す。

本実施例においては、プレス成形時に第９図に示すよう
な原料充填を行う。すなわち高温で分解してしまう物質
（例えばポリビニルアルコール）で作られた薄い仕切板
９２で仕切られた部分９３及び９４には前記配合表８の
原料粉末を充填し、９５には前記配合表９の原料粉末を
充填しプレス成形を行う。ここで高温で分解する仕切板
には多数の小孔を有している。ものが望ましい。小孔を
有していれば仕切板によって隣接している成形され次物
質が、仕切板を高温で分解し念時、離れる可能性が小さ
くなる。この成形体を第８図の工程に従って焼成する事
により第１Ｏ図のような焼結体が得られる。なお、添加
剤°は９３．９４にＭｎ　Ｏ２，９５にＣｕＯｆ使用し
た。ここで１０１及び１０２部分はＬａ２０．が十分存
在する為−次焼成後に十分半導体化し且つバインダー量
が通常である為十分緻密化し、しかも粒界絶縁物質とし
てＭｎＯ２ヲ使用しているため高誘電率となｐ、１０３
の部分はＬａ２Ｏ３が抑えである念め、−次焼成後十分
半導体化する事がなく、又バインダー量が多い為焼成後
の焼結体が多孔質となシしかも粒界絶縁物質としてＣｕ
Ｏ全使用しているため低誘電率化する。下記表５に各々
の誘電率εを示した。

（配合表８） ＢａＴｉＯ９３％、　　Ｂａ５ｎＯ２２，０％、Ｌａ２
０．　　０．１２％、　　ＳＩＯ□２．０％、Ａ／、２
０３１．８８％、　　Ｓ　ｒＴ　ｉ　Ｏｓ　　１．０　
％の組成において通常バインダー量（２ｗｔ％）。

（配合表９〕 ＢａＴｉ０　　９３．１％、　　Ｂ　＊　Ｓ　ｎＯ２２
−０％ｓＬａ２Ｏ３−０，０２％、　　５ｉｎ２２．０
％、Ａ／！、２０．　　１．８８％、　　５ｒＴｉＯｓ
　　１．０　’ｌｒの組成においてパイングー量ｆ３５
ｗｔ％。

表　　７ 実施例７ 第８図に本実施例の工程フローチャートを示す。

本実施例においては、プレス成形時に第９図に示すよう
な原料充填を行う。すなわち高温で分解してしまう物質
（例えばポリビニルアルコール）で作られた薄い仕切板
９２で仕切られた部分９３及び９４には下記配合表１０
の原料粉末を充填し、９５には下記配合表１１の原料粉
末を充填しプレス成形を行う。ここで高温で分解する仕
切板には多数の小孔を有しているものが望ましい。小孔
を有していれば仕切板によって隣接している成形された
物質が、仕切板を高温で分解した時、離れる可能性が小
さくなる。この成形体を第８図の工程に従って焼成する
事により第１０図のような焼結体が得られる。なお、添
加剤にはＭｎ０ｚ　ｆ使用した。

ここで１０１及び１０２部分は粒成長に寄与するＳｉＯ
□が十分存在するため焼結体においては粒成長が十分で
ありかつＬａ２Ｏ３が十分存在し半導体化が十分性われ
、バインダー量が通常である為十分緻密であるので高誘
電率となり、１０３の部分は、粒成長に寄与するＳｉＯ
□が押えられている為粒成長が不十分でありかつＬａ　
２０５も押えられているので半導体が不十分でかつバイ
ンダー量が多いため焼結体が多孔質であるので低誘電率
となる。表８に各誘電率εを示した。

（配合表１０） ＢａＴＩＯ９３％、　　Ｂａ５ｎＯ２２，０％、Ｌａ２
０．　　０．１２％、　　５ｉｎ２２．０％、Ａｔ２０
３１．８８％、　　Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏｓ　　１．０％
組成において通常バインダー量（２，０ｗｔ％）。

（配合表１１） ＢａＴｉＯ９５，％、Ｂａ５ｎ０２２．０％、Ｌ１２０
３０．０２％、　　８１０２０．１％、Ａｔ２０３１．
８８％、　　　５ｒＴＩＯ３Ｌ　Ｏ％組成においてバイ
ンダー量を３５　ｗｔ％。

表　　８ なお、第１１図に例えば前記実施例１に示した様な方法
により得られる磁器基板の例を示す。第１１図（−）及
び（ｂ）は、それぞれ磁器基板の平面図及び断面図であ
り、１１１が高誘電体部分、１１２が低誘電体部分であ
る。ま次第１１図（Ｃ）は、更て導体部分１１３、抵抗
体部分１１４、及び絶縁体部分１１５を形成した磁器基
板を示している。

［発明の効果コ 本発明のセラミックは、電子部品構成単位等の機能部分
を複数画成し得る。従って、これを用いて構成される電
子部品や電子回路用基体等は、各種容量のコンデンサー
等の素子機能部分を複数内蔵することができ、また例え
ば前記基体に導体、抵抗体、絶縁体等の各種機能部分全
形成することにより、多くの機能部分を備え、しかも小
型化され安価な電子回路用基体等となる。ま九、この様
に基体内でのコンデンサー、抵抗等の設計の自由度を大
幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、それぞれ本発明に係るセラミック
の断面図である。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第６図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第７図はかくして得られ
る磁器基板の斜視図を示している。 第８図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第９図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第１０図はかくして得ら
れる磁器基板の斜視図を示している。 第１１図の（ａ）は、本発明の１実施例である磁器基板
の平面図、（ｂ）は（−）中Ａ−Ａ断面図であり、（Ｃ
）は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機能
部分を形成したＲ、Ｃ内蔵の磁器基板の断面図である。 第１２図は、従来の磁器基板の断面図である。 第１３図は、従来試みられている方法による複数の高誘
電体部分を有する磁器基板の断面図である。 Ａ・・・誘電率の異なる領域、Ｂ・・・機能部分、Ａ（
Ｂ）・・・誘電率の異なる領域且つ機能部分。 代理人　弁理士　　山　下　穣　子 図面の浄７Ｌ（内１：ｌ：に変更なし）第１図 第２図 第３図 第４図 第６図 第８図 第１１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 千　Ｕ己　ネ市　Ｊ−Ｆ　　Ｚ悸 ＋１？ｌ和６１年　４　Ｊｊ　３　Ｑ　＋１特訂庁長官
　　宇　賀　Ｊｎ　　部　　殿１、　・バ件の表示 特願昭６０−２７５８２９号 ２、　発明の名称 セラミック、この製造法及びこれを用いた電子回路用基
体３、　補正をする者 ゛バ件との関係　　　特許出願人 名　　称　（１００）キャノン株式会社４、代理人 住所　東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル明細書及び図面並びに委任状 ６、　補正の内容

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）表層部分乃至は内部に構成物体の密度の相違によ
   り誘電率の異なる領域が設けられて、互いに分離した２
   つ以上の機能部分を有していることを特徴とするセラミ
   ック。
2. （２）高誘電率の物体で構成した領域を互いに離隔して
   ２つ以上形成して、互いに分離した２つ以上の高誘電体
   部分を有する特許請求の範囲第（１）項記載のセラミッ
   ク。
3. （３）低誘電率の物体で構成した領域の周囲で互いに離
   隔した２つ以上の高誘電体部分を有する特許請求の範囲
   第（１）項記載のセラミック。
4. （４）成形体を焼成するにあたり、前記成形体の表層部
   分乃至は内部に誘電体形成粒子群の密度の異なる部分を
   形成して焼成することにより、前記成形体を焼成して得
   られる焼成体内に互いに分離した２つ以上の機能部分を
   形成せしめることを特徴とするセラミックの製造法。
5. （５）表層部分乃至は内部に構成物体の密度の相違によ
   り誘電率の異なる物体で置換した領域が設けられて、互
   いに分離した２つ以上の機能部分を有しているセラミッ
   クによって構成されていることを特徴とする電子回路用
   基体。
6. （６）セラミック表層部分、内部乃至は周囲に、更に、
   導体、抵抗体及び絶縁体等のうち少なくとも１種類の機
   能部分を有している特許請求の範囲第（７）項記載の電
   子回路用基体。