JPS62126600A - 粒子加速器用真空ビ−ムダクト - Google Patents
粒子加速器用真空ビ−ムダクトInfo
- Publication number
- JPS62126600A JPS62126600A JP26690185A JP26690185A JPS62126600A JP S62126600 A JPS62126600 A JP S62126600A JP 26690185 A JP26690185 A JP 26690185A JP 26690185 A JP26690185 A JP 26690185A JP S62126600 A JPS62126600 A JP S62126600A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- duct
- beam duct
- cylindrical body
- shielding layer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、粒子加速器用真空ビームダクトに係り、特に
、ビーム軌道を曲げる場合において、超高真空雰囲気へ
のガス分子の放出を抑制するようにした真空ビームダク
トに関するものである。
、ビーム軌道を曲げる場合において、超高真空雰囲気へ
のガス分子の放出を抑制するようにした真空ビームダク
トに関するものである。
「従来の技術とその問題点」
トリスタン計画等の粒子加速器では、加速リングの途中
の一部を衝突実験場所とするとともに、該衝突実験場所
において、加速リングを構成している第3図に示すよう
な真空ヒームダクトIから、電子と陽電子とを正面衝突
さ仕たときのり才−り崩壊によって、矢印のように放出
する粒子群を取り出し、真空ビームダクトlの外側の検
出器2まで到達させろようにしている。また、真空ヒー
ムダクト1は、そのダクト内側を超高真空(例えば10
−” Torr以上)状態に維持するとともに、ダクト
内面を高い導電性十オ科で構成することが必要であり、
これらの要求を満足さ仕るために、アルミニウムが使用
されている。
の一部を衝突実験場所とするとともに、該衝突実験場所
において、加速リングを構成している第3図に示すよう
な真空ヒームダクトIから、電子と陽電子とを正面衝突
さ仕たときのり才−り崩壊によって、矢印のように放出
する粒子群を取り出し、真空ビームダクトlの外側の検
出器2まで到達させろようにしている。また、真空ヒー
ムダクト1は、そのダクト内側を超高真空(例えば10
−” Torr以上)状態に維持するとともに、ダクト
内面を高い導電性十オ科で構成することが必要であり、
これらの要求を満足さ仕るために、アルミニウムが使用
されている。
しかしながら、粒子ビームを加速するために、その軌道
を曲げる場合においては、ビーム軌道の接線方向にシン
クロトロン放射光・5OR(主としてX線)が発生し、
真空ビームダクトの壁に当たり、壁からガス分子を放出
させる現象を起こす。
を曲げる場合においては、ビーム軌道の接線方向にシン
クロトロン放射光・5OR(主としてX線)が発生し、
真空ビームダクトの壁に当たり、壁からガス分子を放出
させる現象を起こす。
このため、超高真空雰囲気へガス分子か放出して、真空
度を悪化させるという問題点を生じる。本発明は、これ
らの問題点を有効に解決することを目的とするものであ
る。
度を悪化させるという問題点を生じる。本発明は、これ
らの問題点を有効に解決することを目的とするものであ
る。
「問題点を解決するための手段」
加速リングの一部を構成するアルミ筒状体を設けるとと
もに、該アルミ筒状体において曲率半径方向の外側に位
置している内面に、TiN、CrN 等をコーティング
してなるガス遮蔽層を設けて真空ビームダクトを構成す
ることにより、シンクロトロン放射光が構成壁に衝突し
て、構成壁からガス分子か放出しようとするときに、ガ
ス遮蔽層を通過することを抑制し、超高真空度を確保す
るものである。
もに、該アルミ筒状体において曲率半径方向の外側に位
置している内面に、TiN、CrN 等をコーティング
してなるガス遮蔽層を設けて真空ビームダクトを構成す
ることにより、シンクロトロン放射光が構成壁に衝突し
て、構成壁からガス分子か放出しようとするときに、ガ
ス遮蔽層を通過することを抑制し、超高真空度を確保す
るものである。
「実施例」
以下、本発明の粒子加速器用真空ビームダクトの一実施
例を第1図及び第2図に基づいて説明する。
例を第1図及び第2図に基づいて説明する。
第1図に示すように、加速リングの一部をを構成する真
空ビームダクトlは、アルミ筒状体3と、その内面の少
なくとも特定されている部分を一体にコーティングした
ガス遮蔽層4とからなる基本hlff fflである。
空ビームダクトlは、アルミ筒状体3と、その内面の少
なくとも特定されている部分を一体にコーティングした
ガス遮蔽層4とからなる基本hlff fflである。
そして、第1図例のアルミ筒状体3は、全体として曲率
半径Rで緩やかに曲げられるとともに、横断形状が曲率
半径Rの方向に大きくなろ長円状真空室5を宜し、その
長さが例えば2〜6I11程度のものであり、これらを
連結することにより加速リングを構成するものである。
半径Rで緩やかに曲げられるとともに、横断形状が曲率
半径Rの方向に大きくなろ長円状真空室5を宜し、その
長さが例えば2〜6I11程度のものであり、これらを
連結することにより加速リングを構成するものである。
また、前記ガス遮蔽層4は、特定部分、つまり、アルミ
筒状体3において、少なくとも曲率半径凡の外側方向に
位置している内面を、イオンブレーティング法等の手段
で、TiN、CrN 等の材料によりコーティングして
構成されるものである。
筒状体3において、少なくとも曲率半径凡の外側方向に
位置している内面を、イオンブレーティング法等の手段
で、TiN、CrN 等の材料によりコーティングして
構成されるものである。
なお、第1図に示すように、前記ガス遮蔽層4をコーテ
ィングによって設ける範囲は、長円状真空室5の高さが
H,であるとき、これよりも小さい高さHtとすること
ができる。その程度は、粒子ビームBの粒子束の直径(
高さ)により左右されるが、少なくとも粒子束の高さよ
りも大きな範囲、つまり、粒子ビームBΦ高さの上下か
ら曲率半径Rの外方に平行に延長した部分よりも大きく
設定する必要がある。この場合、例えば5〜l0mm程
度まで小さくすることが可能である。
ィングによって設ける範囲は、長円状真空室5の高さが
H,であるとき、これよりも小さい高さHtとすること
ができる。その程度は、粒子ビームBの粒子束の直径(
高さ)により左右されるが、少なくとも粒子束の高さよ
りも大きな範囲、つまり、粒子ビームBΦ高さの上下か
ら曲率半径Rの外方に平行に延長した部分よりも大きく
設定する必要がある。この場合、例えば5〜l0mm程
度まで小さくすることが可能である。
このような真空ビームダクト1であると、粒子ビームを
第1図の鎖線の矢印で示すように、曲率半径Rで曲げな
がら走らせている状態において、第2図に示すように、
高速の粒子ビームを曲げたときに、その曲げた部分の接
線方向にシンクロトロン放射光(soR)が発生して、
粒子ビームの曲率半径Rの外側に位置している長円状真
空室5の内面に衝突する。この衝突によって、アルミ筒
状体3の壁の中には、ガス分子が生じるが、ガス遮蔽層
4によって内面方向への通過が妨げられているとともに
、ガス遮蔽層4に沿った方向の透過抵抗が非常に大きく
なるので、長円状真空室5へのガス放出mが抑制され、
超高真空度を確保することができるものである。
第1図の鎖線の矢印で示すように、曲率半径Rで曲げな
がら走らせている状態において、第2図に示すように、
高速の粒子ビームを曲げたときに、その曲げた部分の接
線方向にシンクロトロン放射光(soR)が発生して、
粒子ビームの曲率半径Rの外側に位置している長円状真
空室5の内面に衝突する。この衝突によって、アルミ筒
状体3の壁の中には、ガス分子が生じるが、ガス遮蔽層
4によって内面方向への通過が妨げられているとともに
、ガス遮蔽層4に沿った方向の透過抵抗が非常に大きく
なるので、長円状真空室5へのガス放出mが抑制され、
超高真空度を確保することができるものである。
なお、第1図例の真空ビームダクトでは、アルミ筒状体
3が曲率半径Rで全体的に曲げられた形状となっている
が、曲げられているアルミ筒状体3に、直線状のダクト
を連結しているような場合において、粒子ビームが曲が
ることによって発生したシンクロトロン放射光が、直線
状となっているダクトの内壁に衝突することも有り得る
。したがって、本発明は、加速リングにおいて曲率半径
方向の外側に位置しているダクト内面に、ガス遮蔽層を
設ける場合ら包含するものである。
3が曲率半径Rで全体的に曲げられた形状となっている
が、曲げられているアルミ筒状体3に、直線状のダクト
を連結しているような場合において、粒子ビームが曲が
ることによって発生したシンクロトロン放射光が、直線
状となっているダクトの内壁に衝突することも有り得る
。したがって、本発明は、加速リングにおいて曲率半径
方向の外側に位置しているダクト内面に、ガス遮蔽層を
設ける場合ら包含するものである。
「効果」
以上説明したように、本発明の粒子加速器用真空ビーム
ダクトによれば、 (a)加速リングの一部を構成するアルミ筒状体におい
て曲率半径方向の外側に位置している内面に、TiN、
CrN 等をコーティングしてなるガス遮蔽層を設けて
真空ビームダクトを構成しているものであるから、シン
クロトロン放射光によってガス分子が真空室に放出しよ
うとするときは、ガス遮蔽層によりこれらを抑制し、超
高真空度を確保することができろ。
ダクトによれば、 (a)加速リングの一部を構成するアルミ筒状体におい
て曲率半径方向の外側に位置している内面に、TiN、
CrN 等をコーティングしてなるガス遮蔽層を設けて
真空ビームダクトを構成しているものであるから、シン
クロトロン放射光によってガス分子が真空室に放出しよ
うとするときは、ガス遮蔽層によりこれらを抑制し、超
高真空度を確保することができろ。
(b)ガス遮蔽層は、アルミ筒状体にコーティングして
形成されるものであり、アルミ筒状体の真空室の精度を
損なうことなく、容易に製造することができる。
形成されるものであり、アルミ筒状体の真空室の精度を
損なうことなく、容易に製造することができる。
等の優れた効果を奏することができる。
第1図は本発明における粒子加速器用真空ビームダクト
の一実施例の要部を示す一部を断面した斜視図、第2図
は粒子ビームを曲げたときに発生するシンクロトロン放
射光の説明図、第3図はフォーク生成現象の説明図であ
る。 l・・・・・・真空ビームダクト、2・・・・・・検出
器、3・・・・・・アルミ筒状体、4・・・・・ガス遮
蔽層、5・・・・・・長円状真空室。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第2図
の一実施例の要部を示す一部を断面した斜視図、第2図
は粒子ビームを曲げたときに発生するシンクロトロン放
射光の説明図、第3図はフォーク生成現象の説明図であ
る。 l・・・・・・真空ビームダクト、2・・・・・・検出
器、3・・・・・・アルミ筒状体、4・・・・・ガス遮
蔽層、5・・・・・・長円状真空室。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第2図
Claims (1)
- 加速リングの一部を構成するアルミ筒状体を設けるとと
もに、該アルミ筒状体において曲率半径方向の外側に位
置している内面に、TiN、CrN等をコーティングし
てなるガス遮蔽層を設けたことを特徴とする粒子加速器
用真空ビームダクト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26690185A JPS62126600A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 粒子加速器用真空ビ−ムダクト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26690185A JPS62126600A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 粒子加速器用真空ビ−ムダクト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62126600A true JPS62126600A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17437230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26690185A Pending JPS62126600A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 粒子加速器用真空ビ−ムダクト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62126600A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008129953A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | 三菱重工業株式会社 | 遠心圧縮機 |
KR20210039442A (ko) | 2018-09-25 | 2021-04-09 | 주식회사 히타치하이테크 | 열전계 방출 전자원 및 전자빔 응용 장치 |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP26690185A patent/JPS62126600A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008129953A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | 三菱重工業株式会社 | 遠心圧縮機 |
US8147186B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-04-03 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Centrifugal compressor |
KR20210039442A (ko) | 2018-09-25 | 2021-04-09 | 주식회사 히타치하이테크 | 열전계 방출 전자원 및 전자빔 응용 장치 |
US11508544B2 (en) | 2018-09-25 | 2022-11-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Thermoelectric field emission electron source and electron beam application device |
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