JPS62103264U - - Google Patents

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JPS62103264U
JPS62103264U JP19494085U JP19494085U JPS62103264U JP S62103264 U JPS62103264 U JP S62103264U JP 19494085 U JP19494085 U JP 19494085U JP 19494085 U JP19494085 U JP 19494085U JP S62103264 U JPS62103264 U JP S62103264U
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semiconductor device
terminal
terminals
solder
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の実装状態図、第2図は本考案の
実施例をしめす構造図で、aに平面図、bに断面
側面図をしめす。1は交流端子(又は直流端子)
、2は半田層、3は半導体ダイオード、4は接続
子、5は半田層、6はチツプ状コンデンサ、7は
封止用樹脂、8は直流端子(又は交流端子)であ
る。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 複数個の半導体ダイオードをブリツジ接続
    し、交流及び直流端子を有する樹脂封止型半導体
    装置において、電子部品を交流端子間及び直流端
    子間に直接又は接続子を介して、夫々、半田付し
    たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 (2) 交流端子(又は直流端子)に夫々、2組の
    半導体ダイオードの一面を半田付し、該交流端子
    (又は直流端子)にまたがるように、該半導体ダ
    イオードの他面に接続子を固着し、該接続子間及
    び該交流端子(又は直流端子)に夫々電子部品を
    半田付した実用新案登録請求の範囲第(1)項の樹
    脂封止型半導体装置。 (3) 電子部品を接続する半田の融点を半導体ダ
    イオードを接続する半田の融点より低くした実用
    新案登録請求の範囲第(1)項又は第(2)項の樹脂封
    止型半導体装置。
JP19494085U 1985-12-18 1985-12-18 Pending JPS62103264U (ja)

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JPS62103264U true JPS62103264U (ja) 1987-07-01

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5337383A (en) * 1976-09-20 1978-04-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit
JPS605151B2 (ja) * 1978-04-05 1985-02-08 株式会社日立製作所 多重化電流形インバ−タの制御方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5337383A (en) * 1976-09-20 1978-04-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit
JPS605151B2 (ja) * 1978-04-05 1985-02-08 株式会社日立製作所 多重化電流形インバ−タの制御方法

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