JPS6189839A - 焼結方法 - Google Patents
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- -1 acetylacetone aluminum Chemical compound 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Natural products CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N copper;pentane-2,4-dione Chemical compound [Cu].CC(=O)CC(C)=O QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 2
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PRITYMRQBPHKEZ-UHFFFAOYSA-N C(CC)O[AlH]OCCC Chemical compound C(CC)O[AlH]OCCC PRITYMRQBPHKEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000320 mechanical mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B22F3/10—Sintering only
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- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
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- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5127—Cu, e.g. Cu-CuO eutectic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は金属部材を付着した基板付着の焼結方法に関す
る。本発明は特に大規模集積装置、例えば半導体チップ
の相互結合に使用される多層セラミック回路モジュール
の製造に応用されるものである。
る。本発明は特に大規模集積装置、例えば半導体チップ
の相互結合に使用される多層セラミック回路モジュール
の製造に応用されるものである。
B、開示の概要
本明細書は金属部材を付着した基板の焼結時に金属部材
の稠密化温度を基板の硬化温度に近づける方法を開示す
る。焼結に先立って、金属部材に有機金属化合物が添加
される。有機金属化合物は焼結中に分解して金属または
金属酸化物を生成し、それにより金属部材の稠密化温度
を変化させる。
の稠密化温度を基板の硬化温度に近づける方法を開示す
る。焼結に先立って、金属部材に有機金属化合物が添加
される。有機金属化合物は焼結中に分解して金属または
金属酸化物を生成し、それにより金属部材の稠密化温度
を変化させる。
金属部材の稠密化温度を上げたい場合は1分解により金
属酸化物を生じるアセチルアセトンアルミニウム、アル
ミニウム・ジー(i−プロポキシド)等を使用し、稠密
化温度を下げたい場合は、分解により金属を生じるアセ
チルアセトン銅等を使用する。
属酸化物を生じるアセチルアセトンアルミニウム、アル
ミニウム・ジー(i−プロポキシド)等を使用し、稠密
化温度を下げたい場合は、分解により金属を生じるアセ
チルアセトン銅等を使用する。
[従来技術]
プロジェット・ジュニア(BlodHett、Jr、)
他「熱伝導モジュール:高性能多層セラミックパッケー
ジ(Thermal Conduction Modu
le:A )iigh−Performance Mu
ltilayer Ceramic Package)
J、アイビーエム・ジャーナル・オブ・リサーチ・ア
ンド・デベロップメント(IBM J、Res、Dev
elop、)第26巻、30頁〜36頁(1982年)
、バーガ(Burger)他、「多層セラミック製造(
Multi−1ayer Ceramics Manu
facturing) J 、アイビーエム・ジャーナ
ル・オブ・リサーチ・アンド・デベロップメント、第2
7巻、11頁〜19頁(1983年)及びプロジェット
・ジュニア他、rマイクロエレクトロニック・パッケー
ジング(Microelectronic Packa
ging) Jサイエンティフィック・アメリカン(S
cientific American)、第249巻
、第1号、86頁〜96頁(1983年7月)はそれぞ
れ、半導体チップのための回路モジュールとして使用さ
れる多層セラミック(M丁、C)基板の製造法を記載し
ている。重ね合せたチップ層を有するMLC基板を、熱
伝導モジュールに組み込んで、高密度マイクロエレクト
ロニック・パッケージを提供することができる。
他「熱伝導モジュール:高性能多層セラミックパッケー
ジ(Thermal Conduction Modu
le:A )iigh−Performance Mu
ltilayer Ceramic Package)
J、アイビーエム・ジャーナル・オブ・リサーチ・ア
ンド・デベロップメント(IBM J、Res、Dev
elop、)第26巻、30頁〜36頁(1982年)
、バーガ(Burger)他、「多層セラミック製造(
Multi−1ayer Ceramics Manu
facturing) J 、アイビーエム・ジャーナ
ル・オブ・リサーチ・アンド・デベロップメント、第2
7巻、11頁〜19頁(1983年)及びプロジェット
・ジュニア他、rマイクロエレクトロニック・パッケー
ジング(Microelectronic Packa
ging) Jサイエンティフィック・アメリカン(S
cientific American)、第249巻
、第1号、86頁〜96頁(1983年7月)はそれぞ
れ、半導体チップのための回路モジュールとして使用さ
れる多層セラミック(M丁、C)基板の製造法を記載し
ている。重ね合せたチップ層を有するMLC基板を、熱
伝導モジュールに組み込んで、高密度マイクロエレクト
ロニック・パッケージを提供することができる。
上記の文献によれば、MLC基板の製造は次の操作を包
含するものであるニスラリ調製、キャスティング/ブラ
ンキング、スルーホールの穿孔。
含するものであるニスラリ調製、キャスティング/ブラ
ンキング、スルーホールの穿孔。
金属化、積層化、焼結、ニッケル/金メッキ、基板電気
試験、最後にろう付けによるピン及び金属フランジの取
付け1手短かに述へれば、これらの操作は以下の通りで
ある。
試験、最後にろう付けによるピン及び金属フランジの取
付け1手短かに述へれば、これらの操作は以下の通りで
ある。
スラリ調製
アルミナ、ガラス粉末及び有機結合剤のようなセラミッ
ク混合物を含んでいるスラリを、ボールミルを用いて形
成し、ペイントの濃度を有する均一の分散体を達成する
。
ク混合物を含んでいるスラリを、ボールミルを用いて形
成し、ペイントの濃度を有する均一の分散体を達成する
。
キャスティング/ブランキング
スラリーを連続キャスタに送り込み、連続的に移動する
プラスチック・ウェブ上に堆積させ、幅200mmのセ
ラミックシート又はセラミックテープを形成する。該キ
ャスタにはシート厚を通常0゜2+nm又は0.28+
amに調節するドクターブレードが設けられている。該
シートは、一連の乾燥炉を通過させられるが、これらの
乾燥炉は有機溶媒を除去し、可撓性材料を残すものであ
り、可撓性材料はその後プラスチック・ウェブから離さ
れ、巻き取られる。「個性化」、即ち各シートがその特
別な金属パターン又は導電通路を付与される一連の工程
に備えて、矩形のブランクが「グリーンシート」 (焼
かれていない状態であるためこう呼ばれるが、シートは
実際には白色である)から切断される。
プラスチック・ウェブ上に堆積させ、幅200mmのセ
ラミックシート又はセラミックテープを形成する。該キ
ャスタにはシート厚を通常0゜2+nm又は0.28+
amに調節するドクターブレードが設けられている。該
シートは、一連の乾燥炉を通過させられるが、これらの
乾燥炉は有機溶媒を除去し、可撓性材料を残すものであ
り、可撓性材料はその後プラスチック・ウェブから離さ
れ、巻き取られる。「個性化」、即ち各シートがその特
別な金属パターン又は導電通路を付与される一連の工程
に備えて、矩形のブランクが「グリーンシート」 (焼
かれていない状態であるためこう呼ばれるが、シートは
実際には白色である)から切断される。
スルーホールの穿孔
グリーンシートの個性化では、コンピュータで制御され
るステップ−リピート装置を利用して、各グリーンシー
ト層にスルーホールを穿孔する。
るステップ−リピート装置を利用して、各グリーンシー
ト層にスルーホールを穿孔する。
グリーンシートを取り付けるために使用されるパレット
は、100個のパンチを含む固定ダイセットに対して毎
秒約9ステツプの割合で移動する正確なX−Yテーブル
と一体化されている。グリーンシートの各角にある位置
決め孔を使用して、パンチ・パレット上にグリーンシー
トを配置する。
は、100個のパンチを含む固定ダイセットに対して毎
秒約9ステツプの割合で移動する正確なX−Yテーブル
と一体化されている。グリーンシートの各角にある位置
決め孔を使用して、パンチ・パレット上にグリーンシー
トを配置する。
36000個までのスルーホールが単一のグリーンシー
ト層に穿孔される。
ト層に穿孔される。
金属化
グリーンシートの金属化はスクリーニング、即ちステン
シル印刷又はシルク・スクリーン印刷と同様なる工程に
より達成され、ノズルがグリーンシートと接触する金属
マツシュを横切るときに、加圧下にノズルからスクリー
ニング・ペースト。
シル印刷又はシルク・スクリーン印刷と同様なる工程に
より達成され、ノズルがグリーンシートと接触する金属
マツシュを横切るときに、加圧下にノズルからスクリー
ニング・ペースト。
例えば樹脂及び溶媒の混合物中で均一に分散したモリブ
デン粉末を押し出すことを含んでいる。この操作はスル
ーホールを充たすこと、及びコンピュータで作成された
パターンをグリーンシート上で画定することを同時に達
成する。
デン粉末を押し出すことを含んでいる。この操作はスル
ーホールを充たすこと、及びコンピュータで作成された
パターンをグリーンシート上で画定することを同時に達
成する。
積層化
スクリーニング後、金属化層は、グリーンシート、特に
稠密なスルーホールのアレイを有するシートの寸法を変
化させたり、損傷させたりすることを回避するために慎
重に制御された条件下に強制換気循環炉で乾燥される。
稠密なスルーホールのアレイを有するシートの寸法を変
化させたり、損傷させたりすることを回避するために慎
重に制御された条件下に強制換気循環炉で乾燥される。
個々のグリーンシートの積重ねに先立ち、各シートはス
クリーニングされたパターンが最適パターンからどれ程
ずれているかを検査される。この検査に合格したシート
は正確な層間整合を確保するために角にある4つの位置
決め孔を用いて所望の順序で積重ねられる。
クリーニングされたパターンが最適パターンからどれ程
ずれているかを検査される。この検査に合格したシート
は正確な層間整合を確保するために角にある4つの位置
決め孔を用いて所望の順序で積重ねられる。
スルーホールは一般に直径がわずか120ミクロンのも
のであり、1つの層から次の層へ連続していなければな
らない。従って、必要な寸法及び整合を達成するために
、積重ねは高い精度で実施しなければならない。次に積
重ねられたシートは、平行度及び平坦度を確保するため
に正確に機械加工され組立てられた積層化ダイスに取り
つけられる。これは焼結の間に均一なグリーン積層密度
及び均一な収縮を達成するために不可欠な作業である。
のであり、1つの層から次の層へ連続していなければな
らない。従って、必要な寸法及び整合を達成するために
、積重ねは高い精度で実施しなければならない。次に積
重ねられたシートは、平行度及び平坦度を確保するため
に正確に機械加工され組立てられた積層化ダイスに取り
つけられる。これは焼結の間に均一なグリーン積層密度
及び均一な収縮を達成するために不可欠な作業である。
積層化中に、基板がグリーンシートの積重ね体から切り
取られ、75℃の温度及び最高25MPaの圧力で圧縮
される。
取られ、75℃の温度及び最高25MPaの圧力で圧縮
される。
層積
基板は33時間以上にわたって、バッチ火炉の中の支持
板上で焼結される。積層化工程及び焼結工程は、収縮を
制御し、かつ表面パターンの正確な位置を確保するため
に最適化されている。焼結の間の直線的収縮は約17%
であり、面積で31%の縮小に相当する。残留溶媒は蒸
発し、有機物は焼結のサイクルの初期段階の間に乾燥水
素環境下で分解し始める。次に湿潤水素が、残留炭素の
酸化を促進するために導入され、1250°Cから15
60℃の温度範囲で基板の焼結が生じる。基板は、最大
の稠密化及びセラミックと金属組織との固い結合の形成
を保証するために最高温度でしばらくの間維持される。
板上で焼結される。積層化工程及び焼結工程は、収縮を
制御し、かつ表面パターンの正確な位置を確保するため
に最適化されている。焼結の間の直線的収縮は約17%
であり、面積で31%の縮小に相当する。残留溶媒は蒸
発し、有機物は焼結のサイクルの初期段階の間に乾燥水
素環境下で分解し始める。次に湿潤水素が、残留炭素の
酸化を促進するために導入され、1250°Cから15
60℃の温度範囲で基板の焼結が生じる。基板は、最大
の稠密化及びセラミックと金属組織との固い結合の形成
を保証するために最高温度でしばらくの間維持される。
湿潤水素雰囲気は焼結段階及び冷却サイクルの初期段階
を通して維持される。
を通して維持される。
ニッケル/金メッキ
ニッケルを表面にメッキし、接着力を高めるためにモリ
ブデンの素地に拡散結合する。ニッケル拡散に引き続き
、後のハンダ付は及びロウ付は工程中に酸化ニッケルの
形成を防ぐため、並びに湿潤性を高めるために金の層を
付着する。最終メッキ・ステップは、モジュール表面で
個別の技術変更用ワイヤを超音波結合できるようにする
ため、各チップ位置の周囲の配線パッド上に金を付着す
ることである。
ブデンの素地に拡散結合する。ニッケル拡散に引き続き
、後のハンダ付は及びロウ付は工程中に酸化ニッケルの
形成を防ぐため、並びに湿潤性を高めるために金の層を
付着する。最終メッキ・ステップは、モジュール表面で
個別の技術変更用ワイヤを超音波結合できるようにする
ため、各チップ位置の周囲の配線パッド上に金を付着す
ることである。
基板電気試験 ′
相互接続の適正なパターンは、金属化操作を制御するコ
ンピュータからのデータを利用する自動試験器により検
証される。
ンピュータからのデータを利用する自動試験器により検
証される。
ピン/フランジのロウ付け
MLC基板の製造における最終作業には、ロウ付は物質
として金−錫合金を用いて水素雰囲気下で、ニッケルー
金でメッキしたピン及びプランジを同時にロウ付けする
ことが含まれている。
として金−錫合金を用いて水素雰囲気下で、ニッケルー
金でメッキしたピン及びプランジを同時にロウ付けする
ことが含まれている。
D0発明が解決しようとする問題点
精密な金属パターンを有するセラミックに対して焼結な
いし硬化操作が行われる上記の方法においては、金属が
収縮ないし稠密化される温度がセラミック基板が稠密化
する温度と極めて近いものであることが重要である。そ
うでない場合、金属パターンの完全性が焼結作業中に損
なわれかねかない。金属の中には銅のように、アルミナ
などの通常のセラミック基板物質の稠密化温度よりかな
り低い温度で稠密化する傾向を有するものがある。
いし硬化操作が行われる上記の方法においては、金属が
収縮ないし稠密化される温度がセラミック基板が稠密化
する温度と極めて近いものであることが重要である。そ
うでない場合、金属パターンの完全性が焼結作業中に損
なわれかねかない。金属の中には銅のように、アルミナ
などの通常のセラミック基板物質の稠密化温度よりかな
り低い温度で稠密化する傾向を有するものがある。
銅の収縮は基板の収縮が始まる前に始まるので、グリー
ン状態で基板に付着されている複雑な銅のパターンが2
つの物質の不均一な収縮により生じる応力の結果として
焼結の間に破損することがある。
ン状態で基板に付着されている複雑な銅のパターンが2
つの物質の不均一な収縮により生じる応力の結果として
焼結の間に破損することがある。
他の種類の焼結工程においては、上記と逆の状況が発生
するが最終的結果は同じものとなる。すなわち基板が金
属より先に稠密化しえ結果として生じる重重−な収縮率
によって金属パターンの破損が起こる。
するが最終的結果は同じものとなる。すなわち基板が金
属より先に稠密化しえ結果として生じる重重−な収縮率
によって金属パターンの破損が起こる。
金属に何らかの物質を添加することによって金属の焼結
特性を変えるという思想は、米国特許第3407063
号、同第3504058号、同第41145113号、
同第429629号、同第4322316号などで公知
になっているが、金属および基板の稠密化温度の一致を
意図したものではない。
特性を変えるという思想は、米国特許第3407063
号、同第3504058号、同第41145113号、
同第429629号、同第4322316号などで公知
になっているが、金属および基板の稠密化温度の一致を
意図したものではない。
E0問題点を解決するための手段
基板に接着され、基板の硬化温度と異なる温度で稠密化
される金属部材を焼結する方法において。
される金属部材を焼結する方法において。
金属部材の稠密化温度を基板の硬化温度に近づけ、理想
的には一致させるために、前記金属部材の稠密化温度に
達する前に分解される有機金属化合物を、焼結前に前記
金属部材に加える。分解された有機金属化合物は、使用
される焼結条件のもとで稠密化温度を変更する金属また
は金属酸化物を生じる。この金属は前記金属部材の金属
と同じでもよく、また異なっていてもよい。
的には一致させるために、前記金属部材の稠密化温度に
達する前に分解される有機金属化合物を、焼結前に前記
金属部材に加える。分解された有機金属化合物は、使用
される焼結条件のもとで稠密化温度を変更する金属また
は金属酸化物を生じる。この金属は前記金属部材の金属
と同じでもよく、また異なっていてもよい。
一般的に、焼結工程の間に遊離金属を生じる有機金属化
合物は、金属部材の稠密化を加速ないし促進する傾向が
あるが、これに対して、焼結の間に金属酸化物を生じる
有機金属化合物は稠密化を遅延ないし阻止する傾向があ
る。それ故、有機金属及び焼結条件を適切に選択するこ
とによって、本発明方法の実施者は、金属の稠密化温度
を適宜上げるか、下げるかして、基板の稠密化温度ない
し硬化温度に近づけることができる。
合物は、金属部材の稠密化を加速ないし促進する傾向が
あるが、これに対して、焼結の間に金属酸化物を生じる
有機金属化合物は稠密化を遅延ないし阻止する傾向があ
る。それ故、有機金属及び焼結条件を適切に選択するこ
とによって、本発明方法の実施者は、金属の稠密化温度
を適宜上げるか、下げるかして、基板の稠密化温度ない
し硬化温度に近づけることができる。
F8発明の効果
本発明による改良された焼結方法は、上記のようなML
C基板の製造に使用すると特に有利なものである。金属
化作業で使用される金属ペーストへ有機金属化合物を添
加することによって、焼結操作時の金属パターンの稠密
化温度が変化し、接着されるセラミック基板の稠密化温
度とは通常相当に異なる稠密化温度を有する金属部材を
使用することか可能となる。
C基板の製造に使用すると特に有利なものである。金属
化作業で使用される金属ペーストへ有機金属化合物を添
加することによって、焼結操作時の金属パターンの稠密
化温度が変化し、接着されるセラミック基板の稠密化温
度とは通常相当に異なる稠密化温度を有する金属部材を
使用することか可能となる。
G、実施例
焼結される金属部材は、単独金属、金属の機械的混合物
、あるいはひとつまたはそれ以上の金属の合金のいずれ
でもよい。通常、MLC技術で用いられる金属には、モ
リブデン、ニッケル、銅、銀、金、プラチナ等がある。
、あるいはひとつまたはそれ以上の金属の合金のいずれ
でもよい。通常、MLC技術で用いられる金属には、モ
リブデン、ニッケル、銅、銀、金、プラチナ等がある。
本発明の機能的な原理があらゆる種類の金属及び金属合
金に有効であるので、金属部材の性質は重要でなはない
。
金に有効であるので、金属部材の性質は重要でなはない
。
同様に、金属部材に添加される有機金属化合物の選択お
よびその量も重要ではなく、簡単で機械的な実験方法に
よって選択して、特定の焼結作業に所望の結果を与える
ことができる。
よびその量も重要ではなく、簡単で機械的な実験方法に
よって選択して、特定の焼結作業に所望の結果を与える
ことができる。
有機金属化合物は、金属ペーストに使用される重合有機
結合剤の有機溶媒溶液に溶解できるものでなければなら
ず、また焼結中に金属部材の稠密化温度より低い温度で
酸化物へ分解するものでなければならない。断言はでき
ないが、焼結作業の間に有機金属化合物の分解から生じ
る金属酸化物が金属部材を構成する金属の粒子を被覆し
、このようにして、基板の稠密化温度により近い温度で
金属粒子を稠密化させるものと考えられる。
結合剤の有機溶媒溶液に溶解できるものでなければなら
ず、また焼結中に金属部材の稠密化温度より低い温度で
酸化物へ分解するものでなければならない。断言はでき
ないが、焼結作業の間に有機金属化合物の分解から生じ
る金属酸化物が金属部材を構成する金属の粒子を被覆し
、このようにして、基板の稠密化温度により近い温度で
金属粒子を稠密化させるものと考えられる。
もちろん、最適な有機金属化合物を選択することは、用
いられる特定の金属部材一基板の組合せによって決まる
ものであり、機械的な検査手順を使用して容易に決定で
きる。
いられる特定の金属部材一基板の組合せによって決まる
ものであり、機械的な検査手順を使用して容易に決定で
きる。
焼結条件は、金属部材の酸化を回避するために、酸素(
又は他の任意の酸化剤)が十分少ない雰囲気を提供する
ものでなければならないが、還元性雰囲気の存在は必ら
ずしも必要ではない。
又は他の任意の酸化剤)が十分少ない雰囲気を提供する
ものでなければならないが、還元性雰囲気の存在は必ら
ずしも必要ではない。
有機金属の中には、焼結中に分解して、有機金属が添加
された金属部材の稠密化を遅延させる(稠密化温度を上
昇させることによって)金属酸化物を生成するものがあ
る。遅延期間は金属部材の性質、金属酸化物の性質およ
び生成された金属酸化物の敏の関数である。この種の有
機金属には、焼結作業の間に対応する金属酸化物に分解
するアセチルアセトン金属及び金属アルコキシドがある
。
された金属部材の稠密化を遅延させる(稠密化温度を上
昇させることによって)金属酸化物を生成するものがあ
る。遅延期間は金属部材の性質、金属酸化物の性質およ
び生成された金属酸化物の敏の関数である。この種の有
機金属には、焼結作業の間に対応する金属酸化物に分解
するアセチルアセトン金属及び金属アルコキシドがある
。
2種類のこのような化合物、すなわちアセチルアセトン
アルミニウム及びアルミニウム・ジー(i−プロポキシ
ド)は分解によって酸化アルミニウムを生じ、この酸化
物が場合によっては、銅の稠密化温度を150℃程度高
めるために特に有利であることが判明した。稠密化を遅
らせるために使用できる他の有機金属化合物には、オキ
シシラン珪素、酢酸マグネシウム及び各種の有機ジルコ
ニウムが含まれている。
アルミニウム及びアルミニウム・ジー(i−プロポキシ
ド)は分解によって酸化アルミニウムを生じ、この酸化
物が場合によっては、銅の稠密化温度を150℃程度高
めるために特に有利であることが判明した。稠密化を遅
らせるために使用できる他の有機金属化合物には、オキ
シシラン珪素、酢酸マグネシウム及び各種の有機ジルコ
ニウムが含まれている。
銅の収縮を遅らせることが判明した他の有機金属化合物
を下表に挙げた。
を下表に挙げた。
第 1 表
酢酸マグネシウム MgO80012,
0ジルコニウム−ロープロポキシド ZrO280
010,OmJO−80017,’0 焼結条件下で分解して遊離金属をもたらす有機金属化合
物には、多数のアセチルアセトン金属、例えばアセチル
アセトン銅が含まれる。遊離金属はそれが加えられる母
金属、例えば銅の稠密化を減少させる傾向がある。
0ジルコニウム−ロープロポキシド ZrO280
010,OmJO−80017,’0 焼結条件下で分解して遊離金属をもたらす有機金属化合
物には、多数のアセチルアセトン金属、例えばアセチル
アセトン銅が含まれる。遊離金属はそれが加えられる母
金属、例えば銅の稠密化を減少させる傾向がある。
焼結時に遊離金属と全屈酸化物の両方をもたらす、有機
金属化合物の組合せを使用することができる。焼結前に
金属部材に添加される有機金属化合物の総量は、上記金
属部材の0.01重量%から1.5重量%またはそれ以
上の範囲にわたり、金属部材の稠密化温度を相当程度変
化させる。有機金属化合物の粒径は、一般に良好な結果
を与える約0.01ミクロンから約5ミクロンの平均粒
径の広い範囲で変化することができる。
金属化合物の組合せを使用することができる。焼結前に
金属部材に添加される有機金属化合物の総量は、上記金
属部材の0.01重量%から1.5重量%またはそれ以
上の範囲にわたり、金属部材の稠密化温度を相当程度変
化させる。有機金属化合物の粒径は、一般に良好な結果
を与える約0.01ミクロンから約5ミクロンの平均粒
径の広い範囲で変化することができる。
次の例は本方法を説明するものである。
本方法は、特にガラス、耐火酸化物及び他のセラミック
物質への使用に適している。基板を選択する場合は、使
用する金属部材を考慮する必要がある。例えば、金属部
材として比較的低い融点(1083℃)を有する銅を使
用する場合には、基板は約1050℃以下で焼結するも
のでなければならない。
物質への使用に適している。基板を選択する場合は、使
用する金属部材を考慮する必要がある。例えば、金属部
材として比較的低い融点(1083℃)を有する銅を使
用する場合には、基板は約1050℃以下で焼結するも
のでなければならない。
下記の例で使用したセラミックは1次のように菫青石の
組成に近いものである。
組成に近いものである。
酸化物 モル%
S i 0. 50
AQ20. 25
Mg0 25
この組成は、またB20.及びp2o、を5モル%程度
含有している。他の典型的な耐火物質に例えば次の近似
酸化物組成(モル%)のパイレックス・ガラス(ダウ・
コーニング社の低膨張耐熱ガラス)及びEガラスが含ま
れる。
含有している。他の典型的な耐火物質に例えば次の近似
酸化物組成(モル%)のパイレックス・ガラス(ダウ・
コーニング社の低膨張耐熱ガラス)及びEガラスが含ま
れる。
酸化物 パイレックス Eガラス
SiO□ 85 60
AQ、03 1 14
B、0. 10 15CaOO11
N a20 4 0公知方法で作
業して、粉末状の基板物質を樹脂結合剤の溶媒溶液でペ
イントの濃度までスラリ化し、スラリをキャスティング
によりシートにし、溶媒を除去して、前記の「グリーン
シート」にする。本例では次のスラリを使用した。
業して、粉末状の基板物質を樹脂結合剤の溶媒溶液でペ
イントの濃度までスラリ化し、スラリをキャスティング
によりシートにし、溶媒を除去して、前記の「グリーン
シート」にする。本例では次のスラリを使用した。
衣−分 (重量g)
メチルイソブチルケトン 55.8メタノ
ール 18.5ガラス粉末
130.6合計
219.3 奪L−L この例は、銅の稠密化温度に関して、銅へのアルミニウ
ムージー(i−プロポキシド)アセト酢酸エステルキレ
ートの添加による効果を実証し、加えて母金属に対する
各種の有機金属化合物の稠密化温度変更効果を測定する
ための簡単な手順を示すものである。
ール 18.5ガラス粉末
130.6合計
219.3 奪L−L この例は、銅の稠密化温度に関して、銅へのアルミニウ
ムージー(i−プロポキシド)アセト酢酸エステルキレ
ートの添加による効果を実証し、加えて母金属に対する
各種の有機金属化合物の稠密化温度変更効果を測定する
ための簡単な手順を示すものである。
銅粉末(メツツ・カンパニー(Metz Compan
y)、VISA #7、平均粒径1〜3ミクロン)を含
有する次のスクリーニング・ペーストを調製した。
y)、VISA #7、平均粒径1〜3ミクロン)を含
有する次のスクリーニング・ペーストを調製した。
サンプル重量g)
Jし没二 Δ 旦 9 旦銅粉末
8.5 8.5 8.5 8.
5工チルセルロース備合寿D 1.5
1.5 1.5 1.5ブチルカルピトール(溶力
13.5 13.5 13.5 13.5アル
ミニウムージー(i−プロポキシド)アセト酢酸エステ
ルキレート 0飼きでAQ20.に分陶 0 0.
2250.411 1.21これらのペーストを前述の
ように調製したグリーンシートの個々の片に付着した。
8.5 8.5 8.5 8.
5工チルセルロース備合寿D 1.5
1.5 1.5 1.5ブチルカルピトール(溶力
13.5 13.5 13.5 13.5アル
ミニウムージー(i−プロポキシド)アセト酢酸エステ
ルキレート 0飼きでAQ20.に分陶 0 0.
2250.411 1.21これらのペーストを前述の
ように調製したグリーンシートの個々の片に付着した。
150℃で乾燥させた後、被覆されたグリーンシート片
を、18駄%のH,及び99容量%のN2で起泡させた
水−を含有する冷却管状炉中に置いた。温度を650℃
に上昇させ、30分間その温度を維持し1次に被覆され
た各グリーンシート片を保持するボートを管の冷却端の
方へ引寄せた。直線収縮量を測定し、記録した。次にグ
リーンシート片を炉に再度挿入し、50℃高い温度で焼
いた。950℃の最終焼結温度になるまで、この作業を
何回か繰り返した(この手順は以下の例でも使用した)
。
を、18駄%のH,及び99容量%のN2で起泡させた
水−を含有する冷却管状炉中に置いた。温度を650℃
に上昇させ、30分間その温度を維持し1次に被覆され
た各グリーンシート片を保持するボートを管の冷却端の
方へ引寄せた。直線収縮量を測定し、記録した。次にグ
リーンシート片を炉に再度挿入し、50℃高い温度で焼
いた。950℃の最終焼結温度になるまで、この作業を
何回か繰り返した(この手順は以下の例でも使用した)
。
次に銅被覆の直線収縮量を測定した。結果を次の第2表
に示す。
に示す。
このデータは、アルミナの存在が銅層の稠密化速度(直
線収縮率によって測定)を遅らせ、セラミック基板の稠
密化速度に近づける、という効果を実証している。
線収縮率によって測定)を遅らせ、セラミック基板の稠
密化速度に近づける、という効果を実証している。
例 2
この例は、有機金属成分としてアセチルアセトンアルミ
ニウムを使用して、セラミック上に銅を形成する際の本
発明の改良された焼結法を示すものである。
ニウムを使用して、セラミック上に銅を形成する際の本
発明の改良された焼結法を示すものである。
例1と同様の方法によって、銅粉末(メンツ・カンパニ
ー(Metz Company)W I S A #
7、平均粒径1〜3ミクロン)を含有する次のスクリ
ーニング・ペーストを調製した。
ー(Metz Company)W I S A #
7、平均粒径1〜3ミクロン)を含有する次のスクリ
ーニング・ペーストを調製した。
サンプル(重量g)
成 分 ABC銅粉末
85 85 85エチルセルロ
ース 1.5 1.5 1.5ブチルカ
ルピトール アセチルアセトンアルミニウム (焼結により1.0,に分解する) O O.217
0.654これらのペーストを前述のようにMWした
グリーンシートの片に付着し、例1の手順を使用して各
種の温度で焼結した。各サンプルの直線収縮率の測定結
果を次の第3表に示す。
85 85 85エチルセルロ
ース 1.5 1.5 1.5ブチルカ
ルピトール アセチルアセトンアルミニウム (焼結により1.0,に分解する) O O.217
0.654これらのペーストを前述のようにMWした
グリーンシートの片に付着し、例1の手順を使用して各
種の温度で焼結した。各サンプルの直線収縮率の測定結
果を次の第3表に示す。
このデータは、有機金属化合物としてアセチルアセトン
アルミニウムを添加した場合のすぐれた効果を実証して
いる。
アルミニウムを添加した場合のすぐれた効果を実証して
いる。
例 3
金属部材の稠密化温度を基板の稠密化温度に合致させる
ことに関して、得られる改良が有機金属化合物を使用し
た場合はど明確ではないが1本発明は、焼結前に金属部
材へ金属酸化物粒子を直接添加することをも意図するも
のである。金属酸化物粉末の量の範囲は、約0.01重
量%から約2゜0重量%まで、ないしはこれ以上の量に
大幅に変化して、一般に良好な結果をもたらすことがで
きる。粉末の平均粒径も0.01から5ミクロンの範囲
にあれば、殆んどの場合良好な結果が得られる。マグネ
シウム、チタン、ジルコニウム及びアルミニウムの酸化
物は、ここで使用することのできる金属酸化物の一例で
ある。
ことに関して、得られる改良が有機金属化合物を使用し
た場合はど明確ではないが1本発明は、焼結前に金属部
材へ金属酸化物粒子を直接添加することをも意図するも
のである。金属酸化物粉末の量の範囲は、約0.01重
量%から約2゜0重量%まで、ないしはこれ以上の量に
大幅に変化して、一般に良好な結果をもたらすことがで
きる。粉末の平均粒径も0.01から5ミクロンの範囲
にあれば、殆んどの場合良好な結果が得られる。マグネ
シウム、チタン、ジルコニウム及びアルミニウムの酸化
物は、ここで使用することのできる金属酸化物の一例で
ある。
下記の第4表では、セラミック基板上の銅スクリーニン
グ・ペーストの稠密化挙動に関するAQ203粉末(ユ
ニオン・カーバイド社(UnionCarbide C
orp、)のリンダ・ディビジョン(LindeDev
ision)平均粒径0.05ミクロン)の添加の効果
が示されている。
グ・ペーストの稠密化挙動に関するAQ203粉末(ユ
ニオン・カーバイド社(UnionCarbide C
orp、)のリンダ・ディビジョン(LindeDev
ision)平均粒径0.05ミクロン)の添加の効果
が示されている。
Claims (1)
- 金属部材が付着された基板を焼結するにあたつて前記金
属部材の稠密化温度を前記基板の硬化温度に近づけるた
めに、焼結に先立つて、前記金属部材の稠密化温度に達
する前に分解する有機金属化合物を前記金属部材に添加
し、所与の焼結条件のもとで前記稠密化温度を変更する
量の金属または金属酸化物を前記有機金属化合物から生
成するようにしたことを特徴とする焼結方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/659,158 US4599277A (en) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | Control of the sintering of powdered metals |
US659158 | 1984-10-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6189839A true JPS6189839A (ja) | 1986-05-08 |
JPH0112672B2 JPH0112672B2 (ja) | 1989-03-01 |
Family
ID=24644281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60130945A Granted JPS6189839A (ja) | 1984-10-09 | 1985-06-18 | 焼結方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4599277A (ja) |
EP (1) | EP0177772B1 (ja) |
JP (1) | JPS6189839A (ja) |
DE (1) | DE3581158D1 (ja) |
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JPH079382Y2 (ja) * | 1987-12-28 | 1995-03-06 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板 |
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-
1984
- 1984-10-09 US US06/659,158 patent/US4599277A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60130945A patent/JPS6189839A/ja active Granted
- 1985-09-06 EP EP85111306A patent/EP0177772B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-06 DE DE8585111306T patent/DE3581158D1/de not_active Expired - Fee Related
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