JPS617670A - 光電変換膜 - Google Patents
光電変換膜Info
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- JPS617670A JPS617670A JP59128793A JP12879384A JPS617670A JP S617670 A JPS617670 A JP S617670A JP 59128793 A JP59128793 A JP 59128793A JP 12879384 A JP12879384 A JP 12879384A JP S617670 A JPS617670 A JP S617670A
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- Japan
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- photoelectric conversion
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- conversion film
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、原稿からの反射光又は透過光を導光するため
にファクシミリ、デジタル複写機等の光学読取装置にお
いて用いられる光電変換膜に関する。
にファクシミリ、デジタル複写機等の光学読取装置にお
いて用いられる光電変換膜に関する。
従来技術
従来、この種の装置で用いられる等導光センサーの光電
変換膜は、フォトダイオード構造とされている。しかし
、この構造の場合、製造プロセス上、ピンホールなどを
生じ易く高歩留り化が困難で低コスト化の障害となって
いる。
変換膜は、フォトダイオード構造とされている。しかし
、この構造の場合、製造プロセス上、ピンホールなどを
生じ易く高歩留り化が困難で低コスト化の障害となって
いる。
しかして、等導光センサーの低コスト化を図るために、
コプラナー型の光導電体を光電変換膜に用いたセンサー
が開発されている。この構造においては、高い光導電率
と速い光応答速度が同時に要求される。
コプラナー型の光導電体を光電変換膜に用いたセンサー
が開発されている。この構造においては、高い光導電率
と速い光応答速度が同時に要求される。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、高い光
導電率と速い光応答速度とを同時に満足させることがで
きる光電変換膜を得ることを目的とする。
導電率と速い光応答速度とを同時に満足させることがで
きる光電変換膜を得ることを目的とする。
構成
本発明の〜実施例を図面に基づいて説明する。
基本的には、絶縁性の基板１上に光電変換膜２を２層以
上にわたって積層形成し、その上に電極３を形成してな
る。
上にわたって積層形成し、その上に電極３を形成してな
る。
ここで、光電変換膜２につき、光の入射方向から数えて
１層目、３層目の如き奇数層を第（２ｎ（＋１）層２ａ
（但し、ｎ＝ｏ、１，２．・・・）とし。
１層目、３層目の如き奇数層を第（２ｎ（＋１）層２ａ
（但し、ｎ＝ｏ、１，２．・・・）とし。
２層目、４層目の如き偶数層を第２ （ｎ＋１）層２ｂ
とすると、第（２ｎ＋１）層２ａにバンドギャップの大
きな光電変換膜を配し、第２ （ｎ＋１）層２ｂにバン
ドギャップの小さい光電変換膜を配してなる。つまり、
各々のバンドギャップをＥｇ （２ｎｅｔ ）、 Ｅｇ
ｚ ＋ｎ＋ｔ ）とすると、Ｅｇ （２ｎｅｔ ）＞
Ｅｇｚ （ｎｅｔ ）なる大小関係に設定してなる。
とすると、第（２ｎ＋１）層２ａにバンドギャップの大
きな光電変換膜を配し、第２ （ｎ＋１）層２ｂにバン
ドギャップの小さい光電変換膜を配してなる。つまり、
各々のバンドギャップをＥｇ （２ｎｅｔ ）、 Ｅｇ
ｚ ＋ｎ＋ｔ ）とすると、Ｅｇ （２ｎｅｔ ）＞
Ｅｇｚ （ｎｅｔ ）なる大小関係に設定してなる。
一般に、光導電の大きさは、キャリア易動度μとキャリ
ア寿命τ、との積で表わされる。ここに、バンドギャッ
プの大きな光導電体はμτ積が大きく、バンドギャップ
の小さな光導電体はμτ積が小さい傾向にある。又、キ
ャリア寿命τも、バンドギャップの大小関係に一致する
傾向にある。即ち、キャリア寿命が小さいときには光応
答速度が速い。
ア寿命τ、との積で表わされる。ここに、バンドギャッ
プの大きな光導電体はμτ積が大きく、バンドギャップ
の小さな光導電体はμτ積が小さい傾向にある。又、キ
ャリア寿命τも、バンドギャップの大小関係に一致する
傾向にある。即ち、キャリア寿命が小さいときには光応
答速度が速い。
しかして、本実施例によれば、１００六〜１μｍ（より
好ましくは１００〜１０００人）の膜厚を有するバンド
ギャップの大きい第（、：ｎ＋１）層２ａによって高い
光導電率が確保される。又、１′００人〜１μｍ（より
好ましくは１００〜１０００人）の膜厚を有するバンド
ギャップの小さい第２（ｎ＋１．）・層２ｂによって速
い光応答速度が確保される。このよう１にして、高い光
導電率と速い光路゛答速度とが同時に達成される。
好ましくは１００〜１０００人）の膜厚を有するバンド
ギャップの大きい第（、：ｎ＋１）層２ａによって高い
光導電率が確保される。又、１′００人〜１μｍ（より
好ましくは１００〜１０００人）の膜厚を有するバンド
ギャップの小さい第２（ｎ＋１．）・層２ｂによって速
い光応答速度が確保される。このよう１にして、高い光
導電率と速い光路゛答速度とが同時に達成される。
具体例１
第（Ｆｎ＋１）層２ａの材料としては、バンドギャップ
が大きく、かつ、光導重度の大きいものが用いられる。
が大きく、かつ、光導重度の大きいものが用いられる。
具体的には、アモルファスゲルマニウムａ −Ｇ ｅ、
微結晶ゲルマニウム、Ｃｄ５ｘＳ ｅ （１−Ｘｌ、Ｚ
ｎ５ｘＳｅ（ｔ−ｘ、＋ （但し、０≦Ｘ≦１）のう
ち少なくとも一つを含む材料を用いることができる。一
方、第２ （ｎ＋１）層２ｂの材料としては、微結晶ゲ
ルマニウム、ＧａＡｓ、ＣｄＳｅのう・ち少なくとも一
つを含むものを用いることができる。
微結晶ゲルマニウム、Ｃｄ５ｘＳ ｅ （１−Ｘｌ、Ｚ
ｎ５ｘＳｅ（ｔ−ｘ、＋ （但し、０≦Ｘ≦１）のう
ち少なくとも一つを含む材料を用いることができる。一
方、第２ （ｎ＋１）層２ｂの材料としては、微結晶ゲ
ルマニウム、ＧａＡｓ、ＣｄＳｅのう・ち少なくとも一
つを含むものを用いることができる。
具体例２
第（２ｎ＋１）層２ａと第２（ｎ＋１）層２ｂとの組合
せを前者／後者とすると、 ａ−８ｉ／５ｉ−Ｇｅ混晶 ＳｉＮ／微結晶５ｉ ＳｉＣ／５ｉ−Ｇｅ混晶 ＳｉＣ／微結晶５ｔ ＳｉＣ／５ｉ−Ｇｅ混晶 のいずれかにしたところ、高い光導電率と速い光応答速
度とを容易に達成できたものである。
せを前者／後者とすると、 ａ−８ｉ／５ｉ−Ｇｅ混晶 ＳｉＮ／微結晶５ｉ ＳｉＣ／５ｉ−Ｇｅ混晶 ＳｉＣ／微結晶５ｔ ＳｉＣ／５ｉ−Ｇｅ混晶 のいずれかにしたところ、高い光導電率と速い光応答速
度とを容易に達成できたものである。
効果
本発明は、上述したように構成したので、高い光導電率
と速い光応答速度とを同時に達成し得る光導電変換膜を
提、供することができるものである。
と速い光応答速度とを同時に達成し得る光導電変換膜を
提、供することができるものである。
図面は本発明の一実施例を示す断面図である。
２・・・光電変換膜、２ａ・・・第（２ｎ＋１）層、２
ｂ・・・第２ （ｎ＋１）層
ｂ・・・第２ （ｎ＋１）層
Claims (1)
- 光学読取装置において原稿からの反射光又は透過光を導
光するために用いられる光電変換膜において、２層以上
の積層構造とし、光入射方向から数えて第（２ｎ＋１）
層と第２（ｎ＋１）層（但し、ｎ＝０、１、２、・・・
）とのバンドギャップを各々Ｅｇ＿（＿２＿ｎ＿＋＿１
＿）、Ｅｇ＿２＿（＿ｎ＿＋＿１＿）としたとき、Ｅｇ
＿（＿２＿ｎ＿＋＿１＿）＞Ｅｇ＿２＿（＿ｎ＿＋＿１
＿）の大小関係に設定したことを特徴とする光電変換膜
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128793A JPS617670A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 光電変換膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128793A JPS617670A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 光電変換膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617670A true JPS617670A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14993584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128793A Pending JPS617670A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 光電変換膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617670A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265471A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
| JPS647659A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Canon Kk | Photoelectric converter |
| JPS6484672A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Photoelectric conversion device |
| JP2012199523A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224090A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vidicon target manufacturing process |
| JPS58127369A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Ricoh Co Ltd | 光読取装置 |
| JPS5974618A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 超格子結晶 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59128793A patent/JPS617670A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224090A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vidicon target manufacturing process |
| JPS58127369A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Ricoh Co Ltd | 光読取装置 |
| JPS5974618A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 超格子結晶 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6484672A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Photoelectric conversion device |
| JP2012199523A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法 |
| KR20140044292A (ko) * | 2011-03-07 | 2014-04-14 | 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 | 반도체 기판, 반도체 장치 및 반도체 기판의 제조 방법 |
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