JPS61199661A - 密着型光電変換装置 - Google Patents
密着型光電変換装置Info
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- JPS61199661A JPS61199661A JP60040799A JP4079985A JPS61199661A JP S61199661 A JPS61199661 A JP S61199661A JP 60040799 A JP60040799 A JP 60040799A JP 4079985 A JP4079985 A JP 4079985A JP S61199661 A JPS61199661 A JP S61199661A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ等の原稿画像読取り装置におい
て画像読取り用に用いられるレンズ不使用の密着型光電
変換装置に関する。
て画像読取り用に用いられるレンズ不使用の密着型光電
変換装置に関する。
従来の技術
従来、ファクシミリ等に用いられる読取り装置としては
、第４図に示すような光電変換装置がある。まず、原稿
１は発光ダイオード２により照明される。この原稿１か
らの反射光は正立等倍像を結像する集束レンズ３を介し
て光電変換素子４に集束される。ここで、原稿１の画像
濃淡に対応した反射光の明暗が光電変換素子４によって
電気信号に変換されることになる。この第４図に示す構
造を紙面垂直方向に多数並べることにより、原稿１と光
電変換素子４とが一対一に対応する光電変換アレイが完
成することになる。ところが、この第４国力式の場合、
光電変換素子４と原稿１との間に発光ダイオード２や集
束レンズ３を配置させなければならず、しかも、集束レ
ンズ３の一方の焦点を原稿１の表面、他方の焦点を光電
変換素子４の表面に一致させる必要がある。従って、こ
のような光電変換装置は光学的空間を必要とし、かつ、
光学的な位置合わせをも必要とする欠点がある。
、第４図に示すような光電変換装置がある。まず、原稿
１は発光ダイオード２により照明される。この原稿１か
らの反射光は正立等倍像を結像する集束レンズ３を介し
て光電変換素子４に集束される。ここで、原稿１の画像
濃淡に対応した反射光の明暗が光電変換素子４によって
電気信号に変換されることになる。この第４図に示す構
造を紙面垂直方向に多数並べることにより、原稿１と光
電変換素子４とが一対一に対応する光電変換アレイが完
成することになる。ところが、この第４国力式の場合、
光電変換素子４と原稿１との間に発光ダイオード２や集
束レンズ３を配置させなければならず、しかも、集束レ
ンズ３の一方の焦点を原稿１の表面、他方の焦点を光電
変換素子４の表面に一致させる必要がある。従って、こ
のような光電変換装置は光学的空間を必要とし、かつ、
光学的な位置合わせをも必要とする欠点がある。
しかして、近年では、レンズを用いずに、原稿と光電変
換素子とを一対一に対応させた密着型光電変換装置が開
発されている。第５図はその従来方式を示すものである
。即ち、透明基板Ｓ上に例えばＣｒ等の金属を蒸着又は
スパッタリング法により成膜した金属遮光層６を形成し
、この金属遮光層６に透光窓７を形成する。そして、こ
の金属遮光層６上に絶縁層８がＳｉＯ□やＡＱ２０３等
のスパッタリングにより形成される。更に、この上に電
極層９、光電変換素子１０及び透明保護層１１を積層形
成して装置が完成する。このような構成において、透明
保護層１１上に原稿１２を密着させるとともに、照明光
１３を透明基板５側から透光窓７を介して入射させ、原
稿１２からの反射光を光電変換素子ｌＯで捕獲して光電
−変換することにより読取るものである。
換素子とを一対一に対応させた密着型光電変換装置が開
発されている。第５図はその従来方式を示すものである
。即ち、透明基板Ｓ上に例えばＣｒ等の金属を蒸着又は
スパッタリング法により成膜した金属遮光層６を形成し
、この金属遮光層６に透光窓７を形成する。そして、こ
の金属遮光層６上に絶縁層８がＳｉＯ□やＡＱ２０３等
のスパッタリングにより形成される。更に、この上に電
極層９、光電変換素子１０及び透明保護層１１を積層形
成して装置が完成する。このような構成において、透明
保護層１１上に原稿１２を密着させるとともに、照明光
１３を透明基板５側から透光窓７を介して入射させ、原
稿１２からの反射光を光電変換素子ｌＯで捕獲して光電
−変換することにより読取るものである。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の密着型光電変換装置の場合。
その製造工程において、絶縁層をＳ ｉ Ｏ２やＡＱ。
０３等の材料でスパッタリング法により形成する際、ゴ
ミ等のために、ピンホールが発生し易く。
ミ等のために、ピンホールが発生し易く。
絶縁不良等を生じ、結局、１ビット分でも不良となれば
欠陥品であり使用できず、歩留りが低下する原因となっ
ている。
欠陥品であり使用できず、歩留りが低下する原因となっ
ている。
しかして１本発明は、上述したようなピンホール等に起
因する欠陥の少ない密着型光電変換装置を得ることを目
的とする。
因する欠陥の少ない密着型光電変換装置を得ることを目
的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、透明基板２ｏ上に光電変換素子２６を配列し
、この光電変換素子２６上に形成した透明保護層２７を
原稿２８に密着させるとともに透明基板２０の下方から
照明光２９を照射して、原稿２８からの反射光を光電変
換素子２６で捕獲して光電変換する密着型光電変換装置
において、透明基板２０上に絶縁性遮光層２１．電極層
２３゜２４、光電変換層２５及び透明保護層２７を順次
積層形成してなる構成を採用するものである。
、この光電変換素子２６上に形成した透明保護層２７を
原稿２８に密着させるとともに透明基板２０の下方から
照明光２９を照射して、原稿２８からの反射光を光電変
換素子２６で捕獲して光電変換する密着型光電変換装置
において、透明基板２０上に絶縁性遮光層２１．電極層
２３゜２４、光電変換層２５及び透明保護層２７を順次
積層形成してなる構成を採用するものである。
作用
透明基板２０上に金属遮光層を形成することなく、絶縁
性遮光層２１を直接形成することにより。
性遮光層２１を直接形成することにより。
遮光層と絶縁層とを単一層により簡単に形成でき、プロ
セスを簡略化して安価なものとすることができ、この際
、絶縁性遮光層２１の基材にポリイミド樹脂等を用いれ
ば絶縁性遮光層２１の形成に際してピンホール等の発生
を極めて少なくすることができ、よって、歩留りを向上
させることができるものである。
セスを簡略化して安価なものとすることができ、この際
、絶縁性遮光層２１の基材にポリイミド樹脂等を用いれ
ば絶縁性遮光層２１の形成に際してピンホール等の発生
を極めて少なくすることができ、よって、歩留りを向上
させることができるものである。
実施例
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
する。まず、２０は透明基板であり、ガラス基板等が用
いられる。しかして、本実施例では、このような透明基
板２ｏ上に絶縁性遮光層２１を直接形成するものである
。この絶縁性遮光層２１の形成の一例について説明する
。例えば、ポリイミドワニスに光吸収性粉末を混合した
後、透明基板２０上に滴下し、透明基板２０をスピンナ
で回転させることにより均一な膜が得られる。その後、
溶剤を乾燥させて、２５０℃で加熱硬化させることによ
り絶縁性遮光層２１が形成される。
する。まず、２０は透明基板であり、ガラス基板等が用
いられる。しかして、本実施例では、このような透明基
板２ｏ上に絶縁性遮光層２１を直接形成するものである
。この絶縁性遮光層２１の形成の一例について説明する
。例えば、ポリイミドワニスに光吸収性粉末を混合した
後、透明基板２０上に滴下し、透明基板２０をスピンナ
で回転させることにより均一な膜が得られる。その後、
溶剤を乾燥させて、２５０℃で加熱硬化させることによ
り絶縁性遮光層２１が形成される。
この絶縁性遮光層２１には第２図に示すようなパターン
の透光窓２２がフォトエツチング法により形成される。
の透光窓２２がフォトエツチング法により形成される。
その後、Ｃｒ等の金属を蒸着し、これを第３図に示すよ
うな櫛歯状パターンにフォトエツチングしてパターン化
することにより、平面状に対向する対向電極２３．２４
が形成される。
うな櫛歯状パターンにフォトエツチングしてパターン化
することにより、平面状に対向する対向電極２３．２４
が形成される。
ここで、一方の対向電極２３が共通電極側となり。
他方の対向電極２４が個別電極側となる。そして、対向
電極２３．２４の対向する部分が各ドツト分となる。こ
の際、前記個別電極２４には透光窓２２に対応する透光
窓２４ａが形成される。この後、対向電極２３．２４上
に光電変換層として例えばアモルファスシリコンａ−’
Ｓｉ層２５をプラズマＣＶＤ法等により帯状に形成する
。これにより、対向電極２３．２４の対向部分とその部
分のアモルファスシリコン層２５とにより各々光電変換
素子２６が形成されることになる。最上層には透明保護
層２７が形成される。
電極２３．２４の対向する部分が各ドツト分となる。こ
の際、前記個別電極２４には透光窓２２に対応する透光
窓２４ａが形成される。この後、対向電極２３．２４上
に光電変換層として例えばアモルファスシリコンａ−’
Ｓｉ層２５をプラズマＣＶＤ法等により帯状に形成する
。これにより、対向電極２３．２４の対向部分とその部
分のアモルファスシリコン層２５とにより各々光電変換
素子２６が形成されることになる。最上層には透明保護
層２７が形成される。
このような構成において、原稿２８は透明保護層２７上
に密着される。そして、透明基板２０の下方から透光窓
２２を介して照明光２９を照射する。このときの原稿２
８からの反射光が光電変換素子２６により捕獲されるの
で、原稿２８の画像濃淡に応じて光電変換された電気信
号が得られるものである。
に密着される。そして、透明基板２０の下方から透光窓
２２を介して照明光２９を照射する。このときの原稿２
８からの反射光が光電変換素子２６により捕獲されるの
で、原稿２８の画像濃淡に応じて光電変換された電気信
号が得られるものである。
このように、本実施例によれば、透明基板２０上に金属
遮光層を形成することなく、絶縁性遮光層２１を直接形
成しているので、遮光層及び絶縁層を兼ね備えた膜を単
一層により形成できるため、工程を大幅に短縮させるこ
とができる。ここで。
遮光層を形成することなく、絶縁性遮光層２１を直接形
成しているので、遮光層及び絶縁層を兼ね備えた膜を単
一層により形成できるため、工程を大幅に短縮させるこ
とができる。ここで。
前述した光吸収性微粉末としては、炭素粉末（カーボン
ブラック）が適している。これは、微粉末として容易に
入手でき、７！！１つ、光吸収率が高いがらである。そ
の添加量としては、１〜２重量％が適当である。２重量
％を越えると、絶縁性遮光層２１としての絶縁抵抗が低
下するので好ましくない。又、１重量％以下では遮光特
性が低下するので好ましくない。又、他の光吸収性微粉
末と、しては、二硫化モリブデン（Ｍ ｏ Ｓ ｘ ）
を用いることができる。この二硫化モリブデンも微粉末
として入手し易く、かつ、絶縁抵抗が高いがらである。
ブラック）が適している。これは、微粉末として容易に
入手でき、７！！１つ、光吸収率が高いがらである。そ
の添加量としては、１〜２重量％が適当である。２重量
％を越えると、絶縁性遮光層２１としての絶縁抵抗が低
下するので好ましくない。又、１重量％以下では遮光特
性が低下するので好ましくない。又、他の光吸収性微粉
末と、しては、二硫化モリブデン（Ｍ ｏ Ｓ ｘ ）
を用いることができる。この二硫化モリブデンも微粉末
として入手し易く、かつ、絶縁抵抗が高いがらである。
この場合、添加量としては、３〜６重量％が適当である
。いずれにしても、このようなポリイミド樹脂により絶
縁性遮光層２１を形成する方式を採用すれば、ピンホー
ルの発生も非常に少なく、結局、欠陥ビットの発生が少
なく、歩留りを向上させることができる。
。いずれにしても、このようなポリイミド樹脂により絶
縁性遮光層２１を形成する方式を採用すれば、ピンホー
ルの発生も非常に少なく、結局、欠陥ビットの発生が少
なく、歩留りを向上させることができる。
上述した説明では、透光性絶縁材料としてポリイミド樹
脂を用い、これに炭素粉末等の光吸収性粉末を添加して
不透光性絶縁膜とした絶縁性遮光層２１について説明し
たが、更に工程を簡略化するため、絶縁性遮光層２１を
感光性ポリイミド樹脂−により形成するようにしてもよ
い、つまり、前述した通常のポリイミド樹脂は熱硬化性
を有するので、ワニスを加熱硬化させた後で透光窓２２
を形成するためのフォトエツチングプロセスにおいて、
レジストパターン形成後にヒドラジン系のエツチング液
でエツチングする工程を必要とするものである。この点
、感光性ポリイミド樹脂を用いれば、透光窓２２のパタ
ニン形成プロセスを、ポリイミド樹脂スを塗布して溶剤
を乾燥させた後、露光・現像工程のみで行なうことがで
き、絶縁性遮光層２１を簡単に形成することができる。
脂を用い、これに炭素粉末等の光吸収性粉末を添加して
不透光性絶縁膜とした絶縁性遮光層２１について説明し
たが、更に工程を簡略化するため、絶縁性遮光層２１を
感光性ポリイミド樹脂−により形成するようにしてもよ
い、つまり、前述した通常のポリイミド樹脂は熱硬化性
を有するので、ワニスを加熱硬化させた後で透光窓２２
を形成するためのフォトエツチングプロセスにおいて、
レジストパターン形成後にヒドラジン系のエツチング液
でエツチングする工程を必要とするものである。この点
、感光性ポリイミド樹脂を用いれば、透光窓２２のパタ
ニン形成プロセスを、ポリイミド樹脂スを塗布して溶剤
を乾燥させた後、露光・現像工程のみで行なうことがで
き、絶縁性遮光層２１を簡単に形成することができる。
発明の効果
本発明は、上述したように透明基板上に直接絶縁性遮光
層を形成し、この上に電極層、光電変換層及び透明保護
層を積層する構造としたので、金属遮光層を別個に要せ
ず、遮光層と絶縁層とを単一層！こより兼用でき、その
製造プロセスの簡略化を図り、安価なものとすることが
でき、この際。
層を形成し、この上に電極層、光電変換層及び透明保護
層を積層する構造としたので、金属遮光層を別個に要せ
ず、遮光層と絶縁層とを単一層！こより兼用でき、その
製造プロセスの簡略化を図り、安価なものとすることが
でき、この際。
絶縁性遮光層の基本材料としてポリイミド樹脂等を用い
れば、その形成工程においてピンホール等の発生が極め
て少なく、欠陥を一生じにくくすることができ、よって
１歩留りを向上させることができ、又、感光性ポリイミ
ド樹脂を用いれば工程をより簡略化することができるも
のである。
れば、その形成工程においてピンホール等の発生が極め
て少なく、欠陥を一生じにくくすることができ、よって
１歩留りを向上させることができ、又、感光性ポリイミ
ド樹脂を用いれば工程をより簡略化することができるも
のである。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断側面図、第２図は
透光窓のパターンを示す平面図、第３図は電極パターン
を示す平面図、第４図はレンズ使用の従来例を示す縦断
側面図１、第５図は密着型光電変換装置の従来例を示す
縦断側面図である。 ２０・・・透明基板、２１・・・絶縁性遮光層、２３゜
２４・・・電極層、２５・・・アモルファスシリコン層
（光電変換層）、２６・・・光電変換素子、２７・・・
透明保護層、２８・・・原稿、２９川照明光出 願 人
東京電気株式会社 Ｊ Ｌ二１ｌＩＮ （イ遺乞４ξ１列）」 妹
透光窓のパターンを示す平面図、第３図は電極パターン
を示す平面図、第４図はレンズ使用の従来例を示す縦断
側面図１、第５図は密着型光電変換装置の従来例を示す
縦断側面図である。 ２０・・・透明基板、２１・・・絶縁性遮光層、２３゜
２４・・・電極層、２５・・・アモルファスシリコン層
（光電変換層）、２６・・・光電変換素子、２７・・・
透明保護層、２８・・・原稿、２９川照明光出 願 人
東京電気株式会社 Ｊ Ｌ二１ｌＩＮ （イ遺乞４ξ１列）」 妹
Claims (6)
- １．透明基板上に光電変換素子を配列し、この光電変換
素子上に形成した透明保護層を原稿に密着させるととも
に前記透明基板の下方から照明光を照射して、前記原稿
からの反射光を前記光電変換素子で捕獲して光電変換す
る密着型光電変換装置において、前記透明基板上に絶縁
性遮光層、電極層、光電変換層及び透明保護層を順次積
層形成してなることを特徴とする密着型光電変換装置。 - ２．絶縁性遮光層を、透光性絶縁材料に光吸収性粉末を
添加した不透光性絶縁膜により形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の密着型光電変換装置。 - ３．絶縁性遮光層を、光吸収性粉末を添加したポリイミ
ド樹脂により形成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の密着型光電変換装置。 - ４．光吸収性粉末を炭素粉末としたことを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の密着型光電変換装置。 - ５．光吸収性粉末を二硫化モリブデンとしたことを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の密着型光電変換装置
。 - ６．絶縁性遮光層を、感光性ポリイミド樹脂により形成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着
型光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040799A JPS61199661A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040799A JPS61199661A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199661A true JPS61199661A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12590672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040799A Pending JPS61199661A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013670A (en) * | 1986-09-18 | 1991-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| JPH0758306A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光センサ素子 |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040799A patent/JPS61199661A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013670A (en) * | 1986-09-18 | 1991-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| JPH0758306A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光センサ素子 |
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