JPS59153375A - ２次元画像読取装置 - Google Patents
２次元画像読取装置Info
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は画像読取装置に係り、特に２次元にわたってセ
ンザエレメン１−を配置した２次元画像読取装置に関す
る。
ンザエレメン１−を配置した２次元画像読取装置に関す
る。
〈従来技術〉
ファクシミリ等の画像を読出す装置として現在までにＭ
ｏ５ｕイメージセンザ、ＣＣＤセンセン密着型イメージ
センサ等が提案されている。ＭＯ５型イメイメージセン
サ入射光像を光電変換素子で″重置信号に変換し、ＭＯ
Ｓ）ランジヌタを順次切り換え走査して読出す装置で、
またＣＣＤセンサは光によって光電変換部に生じた電荷
を電荷結合素子（ＣＣＤ）を用いて転送する装置である
。
ｏ５ｕイメージセンザ、ＣＣＤセンセン密着型イメージ
センサ等が提案されている。ＭＯ５型イメイメージセン
サ入射光像を光電変換素子で″重置信号に変換し、ＭＯ
Ｓ）ランジヌタを順次切り換え走査して読出す装置で、
またＣＣＤセンサは光によって光電変換部に生じた電荷
を電荷結合素子（ＣＣＤ）を用いて転送する装置である
。
このＭＯ５型イメージセンサ或いはＣＣＤセンサは共に
単結晶半導体を基板にしてこれにＩＣの技術を用い作成
する。従って大面積のセンサを製造することは、性能的
にもコスト的にも不利になり、一般には光学レンズを用
い、原稿をセンサ上に縮小結像させ使用している。しか
し、この方法では光学レンズを用いるため光路長が長く
なり装置の小型化が困難になる。
単結晶半導体を基板にしてこれにＩＣの技術を用い作成
する。従って大面積のセンサを製造することは、性能的
にもコスト的にも不利になり、一般には光学レンズを用
い、原稿をセンサ上に縮小結像させ使用している。しか
し、この方法では光学レンズを用いるため光路長が長く
なり装置の小型化が困難になる。
−１−記のような縮小結像型のイメージセンサに対し装
置を小型化する目的で原稿と同じ大きさの光電Ｒ換素子
を用いオプティカルファイバで、原稿と等倍の像を光電
変換素子上に結像させる密着型イメージセンサが考案さ
れている。密着型イメージセンサは通常原稿と同じ大き
さの光電変換素子が必要で、そのためには広い面積にわ
たって均一な光導電膜の形成が要求される。
置を小型化する目的で原稿と同じ大きさの光電Ｒ換素子
を用いオプティカルファイバで、原稿と等倍の像を光電
変換素子上に結像させる密着型イメージセンサが考案さ
れている。密着型イメージセンサは通常原稿と同じ大き
さの光電変換素子が必要で、そのためには広い面積にわ
たって均一な光導電膜の形成が要求される。
現在密着型イメージセンサとしてばＣｄＳ光導電層を島
状に分割した１次元密清型イメーンセンサが提案されて
いる。しかしこのイメージセンサはＣｄＳ光導電層を分
割することから構造か複雑で製造プロセスの点からも問
題が残る。更に読取速度は光導電層の光応答速度によっ
て制限される。
状に分割した１次元密清型イメーンセンサが提案されて
いる。しかしこのイメージセンサはＣｄＳ光導電層を分
割することから構造か複雑で製造プロセスの点からも問
題が残る。更に読取速度は光導電層の光応答速度によっ
て制限される。
特にＣｄＳ等の光導電層は光応答速度に問題があり、１
次元イメージセンサによって２次元の画像情報を読取ろ
うとすれば、１次元センサを繰返し使用しなければなら
ないだめかなりの制限を受ける。まだ、光電変換部とヌ
イノチンク素子をＭＯ５型センサ或いはＣＣＤセンサの
ようにＩＣ技術を用いて一体化させることが困鄭であり
！シ［ス動回路のコメトが割高になるという欠点もある
。ｈｌｏ Ｓ 型センサ、ＣＣＤセンサはすでに実用化
されているが密着型センサは上記のような理由により丑
だ実用化に到っていない。
次元イメージセンサによって２次元の画像情報を読取ろ
うとすれば、１次元センサを繰返し使用しなければなら
ないだめかなりの制限を受ける。まだ、光電変換部とヌ
イノチンク素子をＭＯ５型センサ或いはＣＣＤセンサの
ようにＩＣ技術を用いて一体化させることが困鄭であり
！シ［ス動回路のコメトが割高になるという欠点もある
。ｈｌｏ Ｓ 型センサ、ＣＣＤセンサはすでに実用化
されているが密着型センサは上記のような理由により丑
だ実用化に到っていない。
更にアモルファスシリコン等を利用して連続した帯状の
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサを用いて２次元画像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうだめ、゛明゛二“暗゛の照度変化に対す
る電流の増加減少、即ち立ち下がり特性が直接信号に影
響を及ぼす。そのだめに上記１次元センサでは１ライン
を走査する時間を応答速度より大きくとる必要があり、
２次元原稿の読取時間が長くなって２次元イメージセン
サとして実用化するには問題があった。
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサを用いて２次元画像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうだめ、゛明゛二“暗゛の照度変化に対す
る電流の増加減少、即ち立ち下がり特性が直接信号に影
響を及ぼす。そのだめに上記１次元センサでは１ライン
を走査する時間を応答速度より大きくとる必要があり、
２次元原稿の読取時間が長くなって２次元イメージセン
サとして実用化するには問題があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来のイメージセンサがもつ問題点に鑑み
てなされたもので、２次元に光導電層を配した新規な画
像読取装置によって、光導電層の光応答特性に拘わらず
高速読取りを行うことができる装置を提供するもので、
密着型イメージセンサとしてたけではなく通常の光学系
を用いた２次元イメージセンサとしても利用することが
できる読取装置である。
てなされたもので、２次元に光導電層を配した新規な画
像読取装置によって、光導電層の光応答特性に拘わらず
高速読取りを行うことができる装置を提供するもので、
密着型イメージセンサとしてたけではなく通常の光学系
を用いた２次元イメージセンサとしても利用することが
できる読取装置である。
〈実施例〉
第１図は本発明による一実施例の画像読取装置における
センサ１の構造を示す斜視図である。センサ１は少なく
とも読取るべき２次元画像面と同程度の面積をもったガ
ラス等の絶縁板を基板２とし、該基板２の一方の表面に
Ａｒ等を蒸着して形成したス）−ライブ状Ｘ電極３が一
定ピノチでＡＪｉ行に設けられている。各Ｘ ’Ｆ［極
′３の幅及びピッチはセンサ１の解像度に影響を学える
。上記Ｘ電極３は走査回路４に接続され、順次選択され
て読取りのだめの電圧が印加される。Ｘ電極３が形成さ
れた基板上には重ねて光導電層５が作成されている。
センサ１の構造を示す斜視図である。センサ１は少なく
とも読取るべき２次元画像面と同程度の面積をもったガ
ラス等の絶縁板を基板２とし、該基板２の一方の表面に
Ａｒ等を蒸着して形成したス）−ライブ状Ｘ電極３が一
定ピノチでＡＪｉ行に設けられている。各Ｘ ’Ｆ［極
′３の幅及びピッチはセンサ１の解像度に影響を学える
。上記Ｘ電極３は走査回路４に接続され、順次選択され
て読取りのだめの電圧が印加される。Ｘ電極３が形成さ
れた基板上には重ねて光導電層５が作成されている。
該光導電層５は樹脂中に主としてＣｄＳからなる光導電
体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被って２次元
読取り平面のほぼ全域に均質な膜厚で形成されている。
体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被って２次元
読取り平面のほぼ全域に均質な膜厚で形成されている。
Ｃｄ Ｓ光導電層の抵抗は帯電を保持できる程度に高く
１０８Ω耐以上の値を持たせる。まだ膜厚は帯電電圧（
暗時で５００Ｖ〜６００Ｖ）によって絶縁破壊が起らな
い程度の厚さく２０〜５０ ／ｆ ）に設計し、コロナ
放電によって特性が変化しないように考慮された感光体
を用いる。一般的に複写機等に用いられる感光体に用い
得る光導電層を用いる。」−記平面状に形成された光導
電層５に対向させてコロナ放電器６が配置されている。
１０８Ω耐以上の値を持たせる。まだ膜厚は帯電電圧（
暗時で５００Ｖ〜６００Ｖ）によって絶縁破壊が起らな
い程度の厚さく２０〜５０ ／ｆ ）に設計し、コロナ
放電によって特性が変化しないように考慮された感光体
を用いる。一般的に複写機等に用いられる感光体に用い
得る光導電層を用いる。」−記平面状に形成された光導
電層５に対向させてコロナ放電器６が配置されている。
該コロナ放電器６のコロナワイヤ７は高圧発生回路に接
続されて光導電層５表面に電荷を帯電させるが、上記Ｘ
電極３が延びているＸ方向と直交するＹ方向に張られ、
丑だコロナワイヤ７を彼っているシー／ｌ／ ｌ・”板
８には上記光導電層５の表面に画像を露光するだめのメ
リット９が開けられている。
続されて光導電層５表面に電荷を帯電させるが、上記Ｘ
電極３が延びているＸ方向と直交するＹ方向に張られ、
丑だコロナワイヤ７を彼っているシー／ｌ／ ｌ・”板
８には上記光導電層５の表面に画像を露光するだめのメ
リット９が開けられている。
第２図はコロナ放電器６を備えたセンサ１：ど用いた読
取装置を示す模式図で、上記センサ１に加エテコロナ放
電器６のヌリッｌ−９に画像情報を導くだめの光学系】
０が配置されている。該光学系１０はスリット９に対向
するファイバーオブティｙクレンズ１１及び該レンズ１
１に原稿１２の反則光を火剤させるだめの反則板を備え
た光源１３によって構成されている。静止させて配置さ
れるセンサ１及び原稿１２に列して上記光学系１０及び
コロナ放電器６はＸ方向に所定の速度で移動して原稿１
２の２次元平面を走査する。
取装置を示す模式図で、上記センサ１に加エテコロナ放
電器６のヌリッｌ−９に画像情報を導くだめの光学系】
０が配置されている。該光学系１０はスリット９に対向
するファイバーオブティｙクレンズ１１及び該レンズ１
１に原稿１２の反則光を火剤させるだめの反則板を備え
た光源１３によって構成されている。静止させて配置さ
れるセンサ１及び原稿１２に列して上記光学系１０及び
コロナ放電器６はＸ方向に所定の速度で移動して原稿１
２の２次元平面を走査する。
ここで光学系１０及びコロナ放電器６の移動と上記Ｘ電
極３の走査とによって光導電層５の面が全域にわたって
走査されるか、この走査を可能にするだめ回路４による
Ｘ ’ｉ１を極３の走査速度は光学系１０及びコロナ放
電器６の移動速度のＭ倍（Ｍ：Ｘ電極本数）以」−に設
計される。
極３の走査とによって光導電層５の面が全域にわたって
走査されるか、この走査を可能にするだめ回路４による
Ｘ ’ｉ１を極３の走査速度は光学系１０及びコロナ放
電器６の移動速度のＭ倍（Ｍ：Ｘ電極本数）以」−に設
計される。
上記構造からなる読取装置において、画像読取り動作は
、光学系１０を通して原稿１２の画像をコロナ放電器６
のスリット９からセンサ１面に火剤し、画像露光する。
、光学系１０を通して原稿１２の画像をコロナ放電器６
のスリット９からセンサ１面に火剤し、画像露光する。
この画像露光と同時にコロナワイヤ７に高圧を印加して
光導電層５の表面に電荷を与える。光導電層５にコロナ
放電器６で電荷を与えなから、或いは光導電層５の表面
に与えられた電荷が著しい減衰をみない間に走査回路４
を用いてＸ電極群を少なくとも一巡するように順次切換
えて電圧を印加する。光導電層５に光が［）α削されて
おれば、光強度に対応した導電性が生じて表面に帯電し
た電荷が光照射息下のＸ電極３で検出でき、入射画像の
明暗に対応する光導電層の光出力電流を読出し、スリッ
ト露光されだ１ライン分の画像信号を形成する。このと
き露光と同時にコロナ放電を行うことにより電流をより
大きく取り出すことかでき、出力された信号の叩暗比は
大きくなる。また予めコロナ放電により光導電層表面を
帯電させた後、画像露光を行っても上記同時の場合に比
べてＳ／Ｎ比は低下するが、充分明暗を区別し得ること
ができる。Ｙ方向１ライン分の読取り後コロナ放電器６
と光学系１０をＸ方向に移動させ、コロナ放電が与えら
れた光導電層表［ｎｉに次ラインの原稿画像を照射して
前述の動作と同様の動作によって出力端子に光出力電流
を取り出し、画像の読取り信号とする。
光導電層５の表面に電荷を与える。光導電層５にコロナ
放電器６で電荷を与えなから、或いは光導電層５の表面
に与えられた電荷が著しい減衰をみない間に走査回路４
を用いてＸ電極群を少なくとも一巡するように順次切換
えて電圧を印加する。光導電層５に光が［）α削されて
おれば、光強度に対応した導電性が生じて表面に帯電し
た電荷が光照射息下のＸ電極３で検出でき、入射画像の
明暗に対応する光導電層の光出力電流を読出し、スリッ
ト露光されだ１ライン分の画像信号を形成する。このと
き露光と同時にコロナ放電を行うことにより電流をより
大きく取り出すことかでき、出力された信号の叩暗比は
大きくなる。また予めコロナ放電により光導電層表面を
帯電させた後、画像露光を行っても上記同時の場合に比
べてＳ／Ｎ比は低下するが、充分明暗を区別し得ること
ができる。Ｙ方向１ライン分の読取り後コロナ放電器６
と光学系１０をＸ方向に移動させ、コロナ放電が与えら
れた光導電層表［ｎｉに次ラインの原稿画像を照射して
前述の動作と同様の動作によって出力端子に光出力電流
を取り出し、画像の読取り信号とする。
Ａ４サイズの原稿を読取る装置として８本／朋のＸ′市
（ヴを備えだ２次元センサ（３２０ｉｍＸ２３０ｍｙｎ
、′市棒数８本／ｎｍ、１８４０本）を作成した。該２
次元センサを、Ｘ電極を４ＭＨｚの周波数で走査し、光
学系を３００ｍｍ／ｓｅｃの速さで移動させ、まだ６０
μφイ予のコロナワイヤ１に一６ＫＶの′ｒ扛圧を印加
してコロナ放電させたところ、原稿を約１秒（約０．５
ｍ ｓｅｃ／ライン）の時間に十分なＳＡ比をもって
ｔ光取ることができた。これと同一・Ｈネ５）の光導電
層を用いた１次元センサの場合、上記本発明を適用した
読取装置と同程度のＳ／Ｎ比或いは分解能を得るために
は最低１０ ｍ ｓｅｃ／ラインの時間を若し、Ａ４サ
イズの原稿を読取るには約３０秒の時間が必要に々る。
（ヴを備えだ２次元センサ（３２０ｉｍＸ２３０ｍｙｎ
、′市棒数８本／ｎｍ、１８４０本）を作成した。該２
次元センサを、Ｘ電極を４ＭＨｚの周波数で走査し、光
学系を３００ｍｍ／ｓｅｃの速さで移動させ、まだ６０
μφイ予のコロナワイヤ１に一６ＫＶの′ｒ扛圧を印加
してコロナ放電させたところ、原稿を約１秒（約０．５
ｍ ｓｅｃ／ライン）の時間に十分なＳＡ比をもって
ｔ光取ることができた。これと同一・Ｈネ５）の光導電
層を用いた１次元センサの場合、上記本発明を適用した
読取装置と同程度のＳ／Ｎ比或いは分解能を得るために
は最低１０ ｍ ｓｅｃ／ラインの時間を若し、Ａ４サ
イズの原稿を読取るには約３０秒の時間が必要に々る。
光導電層としては上記実施例の他アモルファスＳｉ、有
機半導体等の光導電体を用いても実施することができ、
まだアモルファスＳｅ光導電層の場合は、＋７ＫＶ程度
のコロナ印加電圧にて動作させることにより光学系を移
動させる代りに原稿及びセンサを連動させてＹ方向に移
動させても全く同様に実施できる。
機半導体等の光導電体を用いても実施することができ、
まだアモルファスＳｅ光導電層の場合は、＋７ＫＶ程度
のコロナ印加電圧にて動作させることにより光学系を移
動させる代りに原稿及びセンサを連動させてＹ方向に移
動させても全く同様に実施できる。
〈効 果〉
以トのように本発明によれば、２次元の光導電層に簡単
な電極構造を付加しだセンサを用いて２次元画像を読取
ることができ、装置の構造が非常に簡単になり、丑だオ
プティカルファイバーレンズ等を利用した密着型として
も構成することができ、砂取装置の小型化軽量化を図る
ことができる。
な電極構造を付加しだセンサを用いて２次元画像を読取
ることができ、装置の構造が非常に簡単になり、丑だオ
プティカルファイバーレンズ等を利用した密着型として
も構成することができ、砂取装置の小型化軽量化を図る
ことができる。
寸だセンザ部は２次元に形成され、画像を読取る光電変
換部の位置を順次移動させることで光応答特性の影響を
小さくしているため、光応答性に拘わらず高速読取り動
作にも対応することができ各種電子機器の端末として利
用することができる。
換部の位置を順次移動させることで光応答特性の影響を
小さくしているため、光応答性に拘わらず高速読取り動
作にも対応することができ各種電子機器の端末として利
用することができる。
更に光導電層の一方′の而にコロナ放電によって帯電を
Ｕ−えているため、光導電層の両面に電極を形成する必
要がなく、また走査回路も不要なる。
Ｕ−えているため、光導電層の両面に電極を形成する必
要がなく、また走査回路も不要なる。
第１図は本発明による一実施例のセンザ部を示す斜視図
、第２図は同実施例の全体の概要を示す側面図である。 １：センサ ３：Ｘ電極 ４：走査回路 ５：光導電層
６：コロナ放電器 ９：メリット１０：光学系 １２
：原稿
、第２図は同実施例の全体の概要を示す側面図である。 １：センサ ３：Ｘ電極 ４：走査回路 ５：光導電層
６：コロナ放電器 ９：メリット１０：光学系 １２
：原稿
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板−１−に複数本の導体が互いに平行に形成
された電極と、該電極面を被って一体的に形成された光
導電層と、該光導電層に画像を導く光学系と、」二記光
導電層に電荷を帯電させるだめのコロナワイヤの方向が
上記電極の平行な方向と直交するコロナ放電器と、上記
電極を順次切換えて走査する回路と、コロナ放電器、光
学系及び光導電層との対向位置を順次移動させる機構と
を備え、帯電する光導電層に画像露光を施こして光出力
信号を導出することを特徴とする２次元画像読取装置。 ２ 前記コロナ放電器は露光用スリブｌ−を備え、画像
露光とコロナ放電を同時に行うことを特徴とする請求の
範囲第１項記載の２次元画像読取装置。 ３、 ｉｉｌ記コロナ放電器、光学系及び光導電層を
相対的に移動させる機構は、コロナ放電による帯電後に
画像露光を施こす関係に結合されていることを特徴とす
る請求の範囲第１項記載の２次元画像読取装置。 ４４前記光学系はオプティカルファイバーレンズアレイ
を含んでなることを特徴とする請求の範囲第１項、第２
項、又は第３項記載の２次元画像読取装置。 ５ 前記光導電層は原稿と同等以上の大きさからなり、
体積抵抗が１０８Ω印の高抵抗を有することを特徴とす
る請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の２次元画
像読取装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028072A JPS59153375A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | ２次元画像読取装置 |
| US06/581,131 US4559564A (en) | 1983-02-21 | 1984-02-17 | Two-dimensional image reader |
| DE3406268A DE3406268C2 (de) | 1983-02-21 | 1984-02-21 | Bildleser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028072A JPS59153375A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | ２次元画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153375A true JPS59153375A (ja) | 1984-09-01 |
| JPH027547B2 JPH027547B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=12238563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028072A Granted JPS59153375A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | ２次元画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503705A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-02-22 | ザ ジレット カンパニー | 電気化学セル |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221713A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electro-static 2-dimensional photo-electronic conversion |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58028072A patent/JPS59153375A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221713A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electro-static 2-dimensional photo-electronic conversion |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503705A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-02-22 | ザ ジレット カンパニー | 電気化学セル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027547B2 (ja) | 1990-02-19 |
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